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文档简介
1、FA实验室人员能力认证考核(四)基本信息:矩阵文本题 *姓名:_部门:_员工编号:_1. 当我们需要verify GSM900 Max Pout 0dBm 测试项时,网络分析仪的输入、输出端口分别是:() 单选题 *A. HB_RFIN, ANTB. ANT, LB_RFINC. LB_RFIN, ANT(正确答案)2.下图所示的失效现象最有可能出现在哪种可靠性试验中(). 单选题 *A.TCB. 3XreflowC. THB(正确答案)3. 对于一个包含了LNA,衰减器,switch的产品,如果存在stuck at high gain的失效现象,分析的重点将会优先集中在() 单选题 *A.
2、SwitchB. 衰减器(正确答案)C. LNA4. 假如只有唯一一颗的存在open信号的样品,如果我们已经定位到open是来自于一组上下贯通的laminate via, 进一步分析的最佳选择最可能的是() 单选题 *A. 直接X-section 到via中心看是否有明显异常B. 先研究laminate layout, 然后根据情况尽可能X-section研磨到露出各层metal traces但又没有露出via,在此基础上用probe station 测试进一步缩小open来源的范围,然后再进一步X-section.(正确答案)C. Back-lapping5对比小电阻的差异时,最好的方法是(
3、)单选题 *A. 万用表B. LCRC. 四探针法(正确答案)当怀疑defect是die上VIA open时,以下哪种分析手段更合理() 单选题 *A PolishingB. FIB cross section(正确答案)C. HF酸腐蚀7. 对下图红色虚框缺陷描述正确的是:()单选题 *A、Missing base metalB、Missing gate metal(正确答案)C、Delamination8. 下列抛光液中常用于水晶砂纸(Diamond lapping film)抛光的是 ()单选题 *A、图片最左侧的GreenLube的抛光液(正确答案)B、图片中间的0.05um的抛光液C
4、、图片最右侧的1um的抛光液9. 某产品back lapping至Laminate 1 layer, SMD器件位置在红色虚线框内,Laminate trace长度、宽度及trace之间的间隔尺寸如下图所示,请问选用哪种最优pitch尺寸的网分探针测量元器件的S11参数()单选题 *A、1000umB、100umC、 250umD、350um(正确答案)10. 下列哪项对370B设备的操作,不会造成如下图所示的情况? ()单选题 *A. OUTPUTS调至DISABLEDB. VARIABLE COLLECTOR SUPPLY旋钮逆时针旋转到底C. 透明保护盖没有盖好D.测试表笔没有插好(正确
5、答案)11. 已知某产品MIPI条件和MIPI语句如下所示, 括号中描述正确的语句为:()mode 1vio 0vio 2clock 1000erw 0 x0f( )erw 0 x0f 0 x00 0 x1C 0 x07err 0 x0f 0 x05 0 x00read 单选题 *A、0 x05 0 x00 0 x00 0 x00 0 x80 0 x20 0 x00 0 x00(正确答案)B、0 x06 0 x00 0 x00 0 x00 0 x80 0 x20 0 x00 0 x00C、0 x05 0 x00 0 x00 0 x80 0 x20 0 x00 0 x0012. 如下图所示,Co
6、pper pillar工艺中如下图所示TiW钨钛合金阐述正确的是:()*A、以高纯度W和Ti制成的合金;(正确答案)B、常用的成分为含10%Ti的W,或者和钛粉经混合,压制以及特殊的烧结工艺,或用真空热压,热等静压等工艺制成;(正确答案)C、用作超大规模集成电路薄膜工艺中的溅射靶;(正确答案)D、钨钛薄膜具有良好的导电性和耐腐蚀性。(正确答案)13图中的defect最有可能在wafer制程的哪一步之前发生()单选题 *A、Metal3 depositionB、Metal3 etchC、IMD3 deposition(正确答案)14. SOI die wet-etch delayering to
7、 expose poly/contact layer之前,样品需要将感兴趣的区域的metal都去除干净. 此说法 () 判断题 *对(正确答案)错15. 对于wet etching 之后的样品,为了使SEM在高倍的情况下更清楚的成像,下列选项正确的有。 () *A、观察样品是否有效接地是影响成像质量的关键因素(正确答案)B、实验室常用的有效接地的方法是使用碳胶带完整覆盖好样品并且做一定时间的镀金预处理(正确答案)C、保持被观察样品表面干净且无杂物(正确答案)16. S11测量SMD电容时,通过对比测量的S11反射曲线,发现Control和Fail样品无差异,那么该样品应该没有Solder bridge 判断题 *对错(正确答案)17. 史密斯圆图中,测试点落在上半圆时表示被测件表现为感性,落在下半圆时表示被测件表现为容性。 判断题 *对(正确答案)错19. 去除polymide,可以在约200摄氏度的温
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