磁性薄膜基础精品课件

1、磁性薄膜基础第1页，共43页，2022年，5月20日，10点20分，星期五磁性材料的低维化三维二维一维零维块状晶体各种薄膜纳米线,纳米管纳米颗粒, 纳米点低维磁性材料二维磁性薄膜一维纳米线零维纳米点以及纳米颗粒第2页，共43页，2022年，5月20日，10点20分，星期五低维化的意义量子尺寸效应 特殊的性能 任何物质的颗粒的大小达到纳米级时都会产生表面效应、小尺寸效应和量子效应。这就使纳米材料具有许多优异的性质 同时许多宏观尺度上有效的规律、定理、方式、方法，在纳米世界都将不再适用，纳米技术使世界的面目焕然一新。与半导体工艺结合有利于器件的小型化 应用纳米技术可以大大减小电子器件、集成电路的体

2、积优化其性能第3页，共43页，2022年，5月20日，10点20分，星期五磁性材料薄膜化薄膜磁性的研究始于上世纪40年代 到现各种大块材料都以其薄膜形态存在并表现出优异和独特的磁性，如各向同性磁电性，同时还出现人工设计的超晶格常称之为多层膜、三层膜、隧道结膜和基于磁电阻效应的磁电子学。磁性薄膜在磁记录和磁光存储技术方面已有广泛的应用。基于磁性薄膜的各种磁性传感器在各个领域都起着很大的作用。第4页，共43页，2022年，5月20日，10点20分，星期五薄膜可设计性由于薄膜材料性能受制备过程的影响，在制备过程中多数处于非平衡状态，因而可以在很大范围内改变薄膜材料的成分、结构，不受平衡状态时限制，所

3、以人们可以制备出许多块体难以实现的材料以获得新的性能：可以在很大范围内将几种材料掺杂在一起得到均匀膜，而不必考虑是否会形成均匀相，这样就能较自由地改变薄膜的性能。根据需要可以得到单晶、多晶、和非晶的各种结构薄膜。通过沉积速率的控制可以容易得到成分不均匀分布的薄膜，如梯度膜等。还可以容易地将不同材料结合一起制成多层结构的薄膜。第5页，共43页，2022年，5月20日，10点20分，星期五磁性薄膜材料 厚度在1微米以下的强磁性（铁磁性和亚铁磁性）材料。 一般 在几纳米到几百纳米。 各种磁性材料几乎都可制成成分和厚度可以控制的磁膜材料。一般按材料性质分为金属和非金属磁膜材料；按材料组织状态分为非晶、

4、多层调制和微晶磁膜材料。第6页，共43页，2022年，5月20日，10点20分，星期五磁性薄膜的一些特点在薄膜的厚度方向上只有一个磁畴，在静态条件下薄膜的磁化强度一般是在平面上。(有例外）薄膜平面上的退磁因子极小（约为10-3 -10-5），而在垂直于薄膜的方向上却等于1。薄膜内无涡流产生，直到超高频频段都是如此。由于磁畴结构的特点，薄膜的本征铁磁谐振频率较之厚实的铁磁体大10-100 倍，因此，在高频时薄膜仍保持甚大的磁导率。在脉冲和正弦交变磁场中，磁薄膜反复磁化极快且损耗很小。在许多磁薄膜平面上具有明显的磁各向异性；许多磁薄膜都有矩形磁滞回线。（可以设计和控制）第7页，共43页，2022年

5、，5月20日，10点20分，星期五磁性薄膜的应用广泛应用于各个领域。第8页，共43页，2022年，5月20日，10点20分，星期五磁性薄膜的各向异性（一）按来源分磁晶各向异性形状各向异性诱发各向异性应力引起的各向异性交换各向异性（二）按特性分单轴各向异性单向各向异性体各向异性表面各向异性第9页，共43页，2022年，5月20日，10点20分，星期五磁晶各向异性 由材料的晶体结构引起 Fe (K1 0)Ni (K1 0, 易轴沿表面法向，-易法向当Ks TN 在磁场中冷却第16页，共43页，2022年，5月20日，10点20分，星期五体各向异性例子: 磁晶各向异性控制的等轴磁铁矿颗粒有四个易 磁

6、化轴，而不象单轴颗粒只有两个。易磁化轴与外加磁场之间的最大夹角 为55。因此，没有通过原点的单个回线。xzyK1 0, K2 = 0K1 0 K2=0磁场沿易轴方向 此回线为具有单轴各向 异性的单畴颗粒的回线回线与磁场方向的关系 易轴 u = K1 sin 2 + K2 sin 4 + . . . (更高阶向以般可以忽略)第18页，共43页，2022年，5月20日，10点20分，星期五K20 情形4) K1 |K1|Energy surfaceEasy plane ( = 90o)3) K1 0, K2 0:u = |K1| sin 2 + |K2| sin 4 第19页，共43页，2022年

7、，5月20日，10点20分，星期五磁性薄膜中的各种能量交换能 磁晶各向异性能磁弹性能静磁能 （退磁场）塞曼能第20页，共43页，2022年，5月20日，10点20分，星期五交换能交换能的作用是让相邻的磁矩沿同一方向排列常数A用以量度交换作用的强弱第21页，共43页，2022年，5月20日，10点20分，星期五磁弹性能和塞曼能磁弹性能：依赖于M与晶体应力的相对方向；是极化率M 与晶格间的弹性相互作用引起。塞曼能：M 与外加磁场的相互作用能第22页，共43页，2022年，5月20日，10点20分，星期五退磁场Mm = M-m = -Mm = 0柱外: M = 0, B = 0H柱内: M = Mz

8、, Bz 0 Hz 0 ( but |Hz| M) Hdemag = Hin 0 as D/L 0第23页，共43页，2022年，5月20日，10点20分，星期五静磁能由非均匀极化强度M造成的退极化场引起N为退极化因子的差acc第24页，共43页，2022年，5月20日，10点20分，星期五磁畴形成的原因各种能量的竞争 退磁场退磁场大减小退磁场和外场第25页，共43页，2022年，5月20日，10点20分，星期五磁畴与畴壁磁畴 磁矩同向排列的区域畴壁 两个相邻磁畴在磁矩改变方向前的过渡区域 180畴壁第26页，共43页，2022年，5月20日，10点20分，星期五畴壁与膜厚的关系厚膜中90o

9、and 180o 畴壁100010zz/2往往在厚膜中产生第27页，共43页，2022年，5月20日，10点20分，星期五布鲁赫和奈尔畴壁BlochNelabtmsNelBloch第28页，共43页，2022年，5月20日，10点20分，星期五磁性薄膜的磁化过程连续反转单畴晶体或多畴晶体且易轴平行于畴壁，当磁场沿难轴方向时，有磁矩的转动，而沿易轴则未必。HH第29页，共43页，2022年，5月20日，10点20分，星期五连续反转对于单畴晶体，磁矩转动时连续的Hh1m1h1m1难轴: = /2第30页，共43页，2022年，5月20日，10点20分，星期五畴壁移动由磁畴扩大（b）及磁化矢量（c）

10、引起的磁化过程，（a）是退磁状态下的磁畴分布（在下方的磁化曲线标明了对应的阶段）（a）（b）（c）HH可逆壁移不可逆壁移转向磁化abcOHs HBs磁畴壁完全消失第31页，共43页，2022年，5月20日，10点20分，星期五畴壁移动一维情况 180 畴壁 是否为畴壁移动，在于薄膜的厚度第32页，共43页，2022年，5月20日，10点20分，星期五稳定性磁性的弛豫现象在零场下，对于具有单轴各项异性的磁性粒子KV第33页，共43页，2022年，5月20日，10点20分，星期五超顺磁效应当测量时间弛豫时间(Mr = 0, Hc = 0)E kT ln(f0t)If t = 100 sec, th

11、en E 25 kTIf t = 10 years, then E 40 kTM has double exponential dependence on K and V第34页，共43页，2022年，5月20日，10点20分，星期五矫顽力与时间的关系superparamagnetism第35页，共43页，2022年，5月20日，10点20分，星期五薄膜的制备方法薄膜材料在现代科学技术中应用十分广泛,制膜技术的发展也十分迅速。制膜方法分为物理和化学方法两大类；具体方式上分为干式、湿式和喷涂三种，而每种方式又可分成多种方法。 第36页，共43页，2022年，5月20日，10点20分，星期五电子束

12、蒸发把被加热的物质放置在水冷坩锅中，利用电子束轰击其中很小一部分，使其熔化蒸发，而其余部分在坩锅的冷却作用下处于很低的温度。第37页，共43页，2022年，5月20日，10点20分，星期五化学沉积方法化学气相沉积是把含有构成薄膜元素的气态反应剂的蒸汽及反应所需其它气体引入反应室，在衬底表面发生化学反应，并把固体产物沉积到表面生成薄膜的过程。前驱物反应物固体产物 （膜或粉）气相产物能量第38页，共43页，2022年，5月20日，10点20分，星期五电镀通过氧化阳极物质在 阴极沉积薄膜 第39页，共43页，2022年，5月20日，10点20分，星期五参考材料MBE 方法超高真空极低的沉积速率极好的