100V 同步整流芯片ZCC6709C

1、概述ZCC6709c,40mV,ZCC6709c路，防止ZCC6709C在DCM特点MOS,(SR)MOSFET可低至0V的宽输出电压范围工作逻辑电平SRMOSFETS方式工作。5能源之星1W待机的要求。)CM,Quasi-Resonant和边整流。CCM1.5W。SOP8封装应用无锡市至诚微电子有限公司WuxiZhichengMEfroelectronicsCoF无锡市至诚微电子有限公司WuxiZhichengMEfroelectronicsCoFLtd.快速关断智能型整流器典型应用封装形式VDDSLEWVSSHVCVDVDVDVD极限值VDDtoVSS0.3Vto+14VVDtoVss1V

2、to+80VHVCtoVSS1Vto+80VSLEWtoVSS0.3Vto+6.5V连续功率损耗(TA=+25C)结温150C引脚温度(焊接)260C畲无锡市至诚微电子有限公司畲无锡市至诚微电子有限公司WumiZhichengMicroelectronics0Ltd.无锡市至诚微电子有限公司WusciZhichengMicraclectronicsCoF无锡市至诚微电子有限公司WusciZhichengMicraclectronicsCoFLtd.快速关断智能型整流器存储温度55Cto+150C推荐工作条件VDDtoVSS3.6to13V最大节点温度(TJ)+125C热阻SOP8165C/W电

3、特性VDD=5V.TJ=-40C125C,条件温度：25C,(除非特殊说明).参数符号条件MinTypMaxUnits电源管理部分VDDUVLO开启4VVDDUVLO回差0.10.20.35VVDD最大充电电流IVDDVDD=7V,HVC=40V60mAVDD=4V,VD=30V30VDD稳压HVC=3V,VD=12V5.2V工作电流ICCVDD=5V,CLOAD=2.2nF,FSW=100kHz1.72mA静态电流Iq(VDD)VDD=5V100130uA关机电流ISD(VDD)VDD=UVLO-0.05V100uA控制电流部分VSSVD正向稳压值Vfwd40mV打开门限(VDS)VLL-D

4、S-86mV关闭门限(VSS-VD)0mV打开延时TDonCLOAD=2.2nF30ns关闭延时TDoffCLOAD=2.2nF30ns打开消隐时间TB-ONCLOAD=2.2nF1.97us关闭消隐VDS门限VB-OFF23V打开上升检测时间Rslew=100kohm,Vdsfrom2.5Vstepdown.60ns内置乂05管参数漏源击穿电压BVDSSVGS=0V，ID=250uA80V栅极开启电压Vth(GS)ID=250uA，1.8V快速关断智能型整流器VDS=VGS栅极漏电流IGSSVGS=土20V，Vds=0V100nA漏源饱和漏电流IDSSVds=60V，VgsOV1.0uA漏源

5、导通电阻RDS（ON）Id=6A，Vgs=4.5V17Q漏源寄生二极管正向导通压降VSDIs=8.5A，VGS=0V1.4V管脚功能脚#名称功能1VDD线性稳压源输出，电源ZCC6709c2SLEW用于打开时信号变化速率检测的设定，为防止SR控制器在DCM或QR模式下，由于丫口端低于门限的振铃错误地打开，任何慢于设定速率的信号都不能打开开关管。3VSS地，同时用于VD的FET源端检测参考。4HVCHV线性稳压源输入。5/6/7/8VDFET漏电压检测。框图图1,功能框图工作原理快速关断智能型整流器快速关断智能型整流器e无锡市至诚微电子有限公司WusciZhichengMicraeiectron

6、icsCo.,Ltd.ZCC6709c支持DCM和准谐振反激变换器以及CCM模式下的工作。控制电路以正向模式控制栅极，当SRMOSFET电流降至零时，将栅极关闭。启动和VDD生成HVC是线性稳压器的输入，输出为VDD。VDD稳定在5.2V，为ZCC6709C供电。这里的HVC可以是低边整流的VOUT直流电压或者如SRMOSFET的漏极交流电压。Under-VoltageLockout(UVLO)当VDD增加到4V以上时，ZCC6709C退出UVLO并启用。一旦VDD低于3.6V，ZCC6709C即进入睡眠模式。开机阶段当VDS(VD-VSS)通过2V时，开机计时器启动。此开机定时器可由在sle

7、w脚的外部电阻编程。如果VDS在定时器设定的时间内从2V达到-86mV的开机阈值，经ZCC6709C的开机延时约为30ns后，MOSFET将被打开。如果定时器关闭后VDS通过-86mV，内置开关管将保持关闭状态。这个开机定时器是为了防止ZCC6709C由于DCM和QR操作的振铃而误开机。TSLEW的编程公式如下：_av20ns=SLEW*Ic-v1UUA12打开消隐控制电路具有消隐功能。当它拉开MOSFET时，确保开启状态至少持续一段时间。打开消隐时间为1.97us以防止振铃导致的意外关断，这期间关断阈值被消隐，输入电流的能力限制在2.5mA。但是，如果Vds不仅达到了0mV的关断阈值，而且一

8、直升到2-3V，即使没有满足1.97us的最小时间，开关管也会被关断。导通阶段当VDS上升高于正向电压降(-40mV)时，ZCC6709C会根据开关电流的减小，使同步MOSFET的导通电阻增大，从而缓解VDS的升高。e无锡市至诚微电子有限公司WurfZhichengMicroclectroni=sCo.,Ltd.在这种控制方案下，即使通过MOSFET的电流较低，VDS也会被调整到-40mV左右，该功能可以使驱动电压在同步MOSFET即将关闭时处于非常低的电平，从而提高了关闭速度。关断阶段当VDS升高触发关断阈值(0mV)时，经过很短的关断延时(15ns)，开关管被关断。关断消隐当VDS触碰关断

9、阈值(0mV)，将插入一个关断消隐时间，期间门驱动器信号被锁定。当VDS电压上升到2V以上时，移除关断消隐。图2是以输出电压VOUT输出作为IC电源的典型系统实现，可用于低边整流。由于HVC的工作范围在0V-80V之间，ZCC6709C在VOUT降至0V进行低边整流时也能支持大部分应用。无锡市至诚微电子有限公司WiJiriZhichengMitroelectronicsCo.,Ltd.快速关断智能型整流器无锡市至诚微电子有限公司WiJiriZhichengMitroelectronicsCo.,Ltd.快速关断智能型整流器封装参数畲无锡市至诚微电子有限公司畲无锡市至诚微电子有限公司WuxiZhichongMicroelectronicsCotLtd-尺寸遢米）尺寸供寸）117景小最大最小献A1.35017500.0530.06EA10.1000,2500.0040.01C1.3501.5500.0530.061b0