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文档简介

EC电池接近效率极限,电池技术迭代需求迎爆发N型效率进展超预期,OPon成本有望打平E发电原理N结。太电池用生特应太阳射接化电,中发电关在备N结光照提能得P型和N硅的子从共价键激,此生子空对当P和N型半体合会生个殊的薄界界面P带负N型带电这是于N型导体电子浓度较P半体穴度很高带成差N型域子散到P区,P型域穴散到N,形了N向P的电场,而止扩行,达到衡这薄就成了势,而成N图:N结示意图数据来源《Engyhvngteholgiesnodydbrigeordifrntplitons–Aoprhnveriew,太阳能电池分据底硅不可为P电和N电P型池就是在P型掺杂3素制备+p结的P型池用磷散艺主要代为期铝场池和前的C池限换率为24.5205年之BF电据9市,206年PC池开发到200年EC电池比过5P电池艺较单成低但面效提瓶。N型电池结构优化具更高的效率潜力N池则用扩工在N(杂5价素备+n构要表有OCn和HT与P电池相比具转率度数低双率以载子寿高优OCon和H的极转效分为287和27.5超前流PRC电池24.5极效。重要技术延伸C电池BC,交指背触技将N、底射区的接电以指状在电背,光电的重技发路也制备N型电目代产隆的P型C和旭N型C类BC电布局玩家较时基在Oon与HT术线均布局相于Oon与T,BC电未可随着N型叠技需的现一步量如BCC电池。图:晶硅电池展历史数据来源:一道新能整面钝化技术引领三代N型电池Pon与J。015前EC过在面积化以双面积化获优的界钝效果成传的铝背场电池中接过了光伏电池的接力棒。到了第三代,隧穿氧化层电池,OConunelxdevaedCnac),是2013在第8欧洲C伏大会上国uhoer阳能究首提先在面备层1nm的隧穿氧化然再积掺杂晶共形钝接触硅背供了良好的面化本薄异质电HHeeonconwhnrnscThi,具备称面池中为N硅在面积本非硅和P非晶硅薄膜成N面积本非硅和N非晶薄由非导电性较差最在侧积明导膜O行,凭优的化术N型电池的换率著升。图:opcn钝化层示意图 图:JT钝化效应数据来源:正泰新能 数据来源:SolarnyMterilsandolarCells,叠层电池不断刷新限率于同的长不不材对吸收能力不可通机叠的式用种料加光转效目要研究方向钙矿砷直接隙导材比等接隙体材料具备高光收但是面成仍在难目主厂处兆级到W生未模放,然进步产化高熟。剑指未来N型钙钛矿叠层电池值得期N了本具的率度低以及载子势还以钙钛等接隙导材料作层池如BC和TC电池。2022年6月晶科、北京大学与澳洲国立大学合作制备了单片钙钛矿OCon叠器件以Cn构硅池为部电钛薄作顶部电池转效达了276HT池构叠电池容更,萧子公司合特光电022年底将投产首条异质结/钙钛矿叠层电池中试线,目标效率为28上叠电通制备个N的双叠层池未通新艺节半导材带和面化,达0上化。效率:RC电池增放缓,更新换代时已至PC组件尺寸标准率提升放缓晶EC池自216的换效率2.8,组件率30,叠半片术功提至35;加主技术大尺寸硅的入前换率已来了3.8率55w较221年提度显放缓根据CA的201《国伏业展线图201年RC池占有率达了1.2但天合能PRC电实验效已达到24.,达到了H基载子择性论出的RC限效率24.5,增间不断压缩新术放求切。图:RC量产效率展路线数据来源:隆基绿,表:202年上半年晶电池实验室效率记录类型实验室效率发明企业认证单位P型RC24.50%天合国量学院无铟H25.40%隆基H认证掺镓pHT25.47%隆基H认证nOCn25.50%天合国量学院低铟H25.62%迈为H认证nOCn25.70%晶科国量学院HT电池26.50%隆基H认证数据来源:PI,各公司官网,PC目仍占据主流N型技术实验室效率不刷202上半以基晶科和为首龙业N电效纪不新晶科NOCon的晶实验室效达了2610铟HT与HT验效分别到了5.40与260,有效证了N型池发展可性我预未来N电仍保高的效率展。N型量产效率超出预产业化进度加快。OCn方,晶能和澳技为首“晶中线的量效分来了2470与2480,导官微公告GW级OCn效率破5较前RC头企业23.8的效率提了1为游件带了价间根行业算光组效每升1块件电可升约6系统LE降约4.7段OCon组件场约0.1元HT方面目已启W生的徽和金刚玻璃最批效分来了25.5与24.5。图:opcn量产效率 图:JT量产效率数据来源:rndor, 数据来源:rndor,成端:电池片减助力N型降本,Cn成本有望打平RC图:202年硅料价格势3.03.02.02.0

30.2230.0029.722.02.02.0

23.1822.9122.631月5日1月12日11月5日1月12日1月19日1月26日2月9日2月16日2月23日3月2日3月9日3月16日3月23日3月30日4月6日4月13日4月20日4月27日5月11日5月18日5月25日6月1日6月8日6月15日6月22日6月29日7月6日7月13日7月20日7月27日8月3日数据来源:索比光网,图:202年C电池片报价元瓦) 图:222年硅片价格元片)135131251211511

16 12 20

76M0M6M0M6666156105

1272253841442853061771725

51

127222307325413427527630数据来源:通威太阳, 数据来源:隆基绿能,硅料扩产周期长于业其他环节,短期价仍高位。据CA介,棒、硅片及池环扩周在69个件节为36个多硅和A颗粒等厂期达12扩周不配节成了需衡回历受208年下年来多硅格低影019年方希一新产加生产成本升素020年硅产不反但受下市需影晶硅需求大度而200通鑫大等建能需到021年和22年才能前能配造的窗使硅价格幅下影响了硅片电片格起涨据伏会202半业大介前已有21宣扩计中15为进者规达了37735万吨等规划产能地硅价有下降目受求响格将于位幅动。图:T减薄路径数据来源:PI,东方日升,硅片成本JT薄片化占优得益良和功优,HT在片本上较RC和OCon有1530米的薄片优,前HT线厂已开产10微米HT电片尝试100微级减Oon受于温艺因减薄度于HT主量产OCn度在310米左,计减至120微。非硅成本-Con金属和设备折旧占优浆料本前为要硅成。前RC银耗量为7075g片,C约为010g片HT方,安徽晟61B例当银约为15g/片近EC的预在204导银将银至60g设资方面HT约345元,于EC.21.5元GW和OCon1.61.8亿元GW据PVnLnk算015μm的NCn组端本较C高0.06元瓦叠减和B术和EC成本近平0.02元瓦综合来,在OCn件0.1元右溢水,on盈利显现。图:各技术路线组件成本测算元瓦)数据来源:PVInoLnk,表:J、Cn与PC比较结构PERC -PCon JT结构效率一线量产效率238%25%2545%理论效率245%287%275%衰减率首年2,之后每年045%首年1,之后每年04%每年0.5%温度系数-0.5%/℃-0.2/℃-0.5/℃双面率70±5%80±5%90%钝化层氧化铝、氮化硅隧穿层掺杂多晶硅层本征非晶硅层 成本 良品率98左右97左右985(东方日升)硅片类型P型N型N型硅片价格(/片)7.2-8210μm7.7-8210μm102420/30μm银浆耗量70左右(高温)130g-82尺寸(高温)150g-66尺寸(低温)设备投资额1.315亿元/1.618亿元/3-45亿元/与PERC兼容性基准500600万/W改造不兼容产业化进度大规模量产量产量产N型产能-已建416已建16W;今年计划建设4代表企业主流电池厂晶科、通威、天合光能等金刚玻璃、华晟新能源等降本增效路径 效率达到瓶颈 双面钝化多主栅技术、设备降本

金属化成本降低-银包铜、电镀硅片减薄10μ➡10μ/数据来源:公开资料,摩尔光伏,光伏咨询,江苏省可再生能源协会,正泰新能,安徽华晟,聚和新材,rndFor,中来股份,TL中, 释:T产能为rndore年中统计Con成本效益先行产业化进度处于上周。根我统建Con产能超过1.GW,总待建超过29.GW,进入了快速放量时期,这主要得益于OCn备的速以及池身效优目以科首从02H1就开启GW级别以上大规模扩产,根据202年中报介绍通威目前也由中试进入OCn产,预于202底成产8.GWCn池若OCon与HT效在1内且持化成优,短内Con还将续受术利进一放。JT降本路径明等降本技术产业化据ndoce9统前HT已建产约16202计划设能3G,规划19G,业进低于OCo前放以OCon为异序和构具天优后续随着铟铟激转钢印刷银铜主栅等术导有大降低金化本但前HT经效仍于Oon。公司 地点 日期/进度 已建(MW)待建公司 地点 日期/进度 已建(MW)待建(MW) 备注晶科能源 安徽一期 2022年1月投产 8000 2021年9月8日开工建设,12月10日交付设备进场安徽二期 2022年8月投产 8000 产能建设中尖山一期 2022年2月投产 8000 6月底满产,量产效率24.75尖山二期 2022年6月启动 11000通威 四川眉山 中试线 1000 中试线眉山三期 2022年底投建 8500 210PECVD多晶硅沉积技术路线,平均转换效率超过24.7天合光能 中试 500 中试线青海西宁 2022年6月公告 10000 项目两期将分别于2023年底、2025年底前完成淮安 2022年9月公告 15000 分两期实施一期5GW电池10GW组件;二期10GW电池5GW组件江苏宿迁 2022下半年投产 8000 电池平均量产效率已经超过24.5晶澳 浙江义乌 2022年5月首片下线 5000宁晋 预计2022年8月投产 1300宁晋 2022年底投产 6000中来 泰州 2021年内投产 3600山西一期 2022年6月底部分下线 4000 4000 一期项山西二期 预计2023年 8000 二期项正泰新能 海宁三期 2022年6月底投产 4000 采用LPCVD+磷扩工艺,平均效率24.6钧达股份 滁州一期 2022Q3投产 8000 公司2021年底完成了N型TOPCon电池生产技术的研发滁州二期 规划中 8000尚德 江苏宿迁 2022年1月投产 2000 携手先导、微导使用ALD原子层沉一道新能 浙江衢州 1200泰州基地 2022年2月投产 5000浙江衢州 预计2022年6月投产 5000亿晶光电 滁州一期 预计2023年6月投产 10000 一期投资50亿其中固定资产投资约33亿元皇氏集团 安徽阜阳 2022年8月公告 20000 由子公司皇氏农光互补科技和相关的合作方共同投资建设沐邦高科 梧州 2022年7月公告 10000 项目总投资52亿元,其中生产设备投入约27.75亿元鄂城区 2022年8月公告 10000 项目投资规模预计48亿元人民币大恒能源 安徽巢湖 2022年7月签约 3000 总投资超20亿包含3GW的TOPCon电池和2GW组件昱辉光能 江苏盐城 2022年5月签约 2000 总投资约30亿包含5GW组件和2GW电池英利能源 保定 预计2023年Q1投产 5000 占地面积约337亩,总投资约25亿元中清集中清集团 新沂基地2022年9月投产仪式3000高效N型TOPCon电池的顺利投产达效规模为3GW太一光伏徐州2022年7月签约5000 总投资55亿元,其中一期建设5GWTOPCon电池建设周期为两年赛拉弗安徽蚌埠2022年8月签约5000 项目总投资超50亿元包括5GWTOPCon电池片、5GW光伏组件5000 项目总投资约20亿元,将建设年产5GWTOPCon高效太阳能电池片泰恒新能源 兴文经开区 2022年九月开工仪式10000 项目总投资40亿元以上,将分为两期分别建设5GW的TOPCon电池2022年7月签约晶优光伏 泰安高新区5000 一期1GW力争22年底试生产;2期2023年完成4GW中科云网 普乐徐州 2022年9月签署战略合作10000 一期5GW2022年1月公告乐山协鑫集成聆达股份 金寨 2022年6月土建完工 5000 项目包括12条TOPCon电池生产线润阳光润阳光伏 江苏盐城 预计2022年内量产 10000 项目所需资金由公司自筹实现量产合计 41600 219500数据来源:摩尔光伏,各公司官网,公司年报,发电端实证:OPon组件发电增益明显,组件溢价空间增加Con较PC具备低的衰减率研表硼氧合造衰的要原因而N型片杂素有避了氧合EC件年衰约,之后年0.5以新能OCon组年的减小于1逐年的线功衰小于0.4较EC件备明优N组210-HT和OCn件最高来了00+档。发电端实证Con组发电增益明显。地电站据明72片N组件在水地及地分有3.3.12以及532的电益根据正泰新产白书不地区N型件增益主得于面益较的首年减,者能来约1发增前OCon以及HT的20组件最高率已了70+水。图:正泰新能Cn组件衰减率数据来源:正泰新,图:N型组件产品功瓦)8070605040302010ABC0ABC

720700+705700700700700700700700695690685670635

625620615610575570570570570565HJTHJTTOConHJTHJTHJTTOPConHJTTOPConTOPConTOPConTOPConHJTTOPConTOPConTOPConTOPConTOPConTOPConTOPConTOPConTOPConTOPConTOPCon爱旭金刚锦州协鑫赛拉爱康华晟正泰东方HJTHJTTOConHJTHJTHJTTOPConHJTTOPConTOPConTOPConTOPConHJTTOPConTOPConTOPConTOPConTOPConTOPConTOPConTOPConTOPConTOPConTOPCon玻璃阳光集

弗光

日升光电阳

斯光电玻璃光电太阳能

斯乐叶 达数据来源:rndor,图:电发电增益实证 图:Pon单瓦发量增益拆分1.00%0.801.00%0.80%0.90%1.10%0.80%0.0.80%0.30%1.00%0.801.00%0.80%10%00%

阿布扎比 大同首年衰减 年度衰减 温度损失 双面增益数据来源:晶, 数据来源:正泰新能,N型Con组件招标已经实现溢价我理的分半组中情况来看N型on价水在0.0.19元W不等前期Cn推广期溢价小但着游可OCon组的利力开修加外乌争带来能危和洲源计划-REoe装机求次NCon组件海有迎更溢价。表:202年部分NCon组件招标情况招标企业总规模(MW)规模(MW)中标企业中标价(元/W)N型溢价(元/W)中核汇能600700P型:30-50东磁、亿晶、晶澳1.3N型Con:00100晶科1.90.7中广核287P型:6576红太阳1.7N型Con:147晶科2.60.9中国华能200P型:6576晶澳、天合、晶科1.6N型Con:147晶澳1.750.15国家电投140P型:30隆基、晶澳等1.7202年第一批N型Con:0晶科20.3雅砻江流域水电15P型:776正泰、晶澳1.4N型Con:8.4晶科1.80.4数据来源:P-h,光伏盒子,光伏资讯,北极星光伏网,注:由于存在多标段P型组件中标价为同一批次招标型号的中标价但功率档位存在不同opon降本增效路径降路径Con降本主要集中四个方向1属成降低通过SB激印和栅线形化技降银浆用;)材本,前N硅片较P存在68溢过寸薄低片目前薄来价下低于节省的料来除电厂求切服代替买品可过提高台能到升面化以及杂术化升率达到降目同时n主的LD工存石管舟耗题目可以通过层艺石管命提至42月石舟寿约6月应清期15,年换23次炉,英本20万G,存较降空间。图:Pon成本分析 图:Pon降本方向数据来源:拉普拉, 数据来源:公开资料,图:LD石英舟及双插技术降本技术线数据来源:拉普拉斯增效路径图:Pon效率提路径数据来源:大光伏装备,PS,Con量产效突破效率提升路径清前先智的GW级OCon整线产率破25下阶段OCon引激光SE术计将换提升至2.5后通入ynger及面y技术将换率至26%以一细栅宽比化及属合升分带约030效提升,背面收优提约00,背钝提以金属触升计可别带来0.1率升硅品质可来025左的效提。图:Pon未来发路径数据来源:拉普拉斯oon多种技术路线并存,ED潜力值得期待Con核心工艺沉积氧化硅与多晶硅层图:Pon电池氧硅层和多晶硅层制路径数据来源:一道新能PI,Con制备关键氧化层与掺杂多晶硅层的沉积。根据氧化层和掺杂多晶硅层的沉积法不,Oon存在种备径氧硅层备化氧法属于实室备案工上以氧和PAD主。杂晶薄层使薄膜沉设般为DVD及DD术积率但后盾均性差可用于HT的明VD术主包含PVD和CD应用为D设成熟较沉速镀膜匀也为LD设备沉速最但匀最好。表:薄膜沉积备对比PD技术D技术AD技术镀膜效果(1)沉积速率较快(1)沉积速率一般(微米/分钟)(1)沉积速率一般(纳米/分钟)(2)薄膜厚度较厚(2)中等的薄膜厚度(2)原子层级的薄膜厚度优势与劣势(3)镀膜具有单一方向性(依赖循环反应次数)(3)大面积薄膜厚度均匀性(4)厚度均匀性较差(3)镀膜具有单一方向性(4)阶梯覆盖率最好(5)阶梯覆盖率差(4)阶梯覆盖率一般(5)薄膜致密无针孔主要应用领域(1)T透明电极(1)PERC背面钝化和减反层(1)PERC背面钝化层(2)柔性电子金属化(2)Con电池接触钝化层(2)Con隧穿层、接触钝层、减反层(3)触碰面板透明电极(3)Con电池减反层(3)柔性电子介质层、封装层(4)半导体金属化(4)柔性电子介质层、封装层(4)半导体高k介质层、金属栅极(5)半导体介质层、封装层金属互联阻挡层、多重曝光技术数据来源:微导纳米,opon主流量产路线图:Pon量产路线数据来源:一道新能PI,中来股份,Con存四种主流产路径,CD磷扩据上半年9的出货。LD法即压学气沉低条下热解体或学所需前业约67内起较础艺原杂速率较慢般合扩炉存在重绕问拉普斯用平片将镀控在10m以,年底广;PD法即离体增化气沉助微或频使有膜成原子的气体,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应在基上积膜目行业约24PD的优在可现2隧穿层oy掺P一减设数提产效但ED沉的2隧穿均性响换效,时在定绕镀问;EDPD法使用PLD沉积O2穿决有不匀问题,同时用CD可好成oy沉和位掺,少镀;D法即理沉积利氧电形隧穿硅靶轰的式行沉积oy,存绕镀题,受制设价格且良约95于LD的97产化度行业约9。表:Cn电池Poly层沉积可选设备Poy实现方法原理优点缺点行业占比L低压学相积用i4或i6为体,低条下热分解体或学应沉在表面成需膜国内科利起早基工配合验富效良稳定石英材高原掺实现难67%LD沉积示意图等离体强学相积利用EDi4和2合体气源过辉实现i2隧层oy层原掺光放分硅,解多新基P合,积度能小行业效率化耗清规范等24%团形各等子,经基的运用悉迁移脱等程行积ED沉积示意图物理相积利氧电形穿、源材击方进沉积ly实现i2隧层oy层原掺P合,镀节清步骤设备材本占面大,机待高9%D沉积示意图热丝学相积在应室基HWD片35m放一直径.3.mm生长率多硅膜粒氧浓的金钨,盘或等,通入电,丝高催后度低征陷,导可到7/cm热丝材本,控工艺温等件多0热分行i原沉积金属导相化在膜备后金属质于钝IC沉积层属膜(//u/d)然后低下行处,过属金属共态度晶转率高化影大废物0处理难诱导行积快速处晶,用加方速高处来化硅化利用力改漂场浓梯的作,化高热源料材高,度影基体能0数据来源:拉普拉斯,无锡松煜,,Morhoo,routur,nddpigbhvur:Aoprisonbtwndifrntdointodsoroly-i/Sixpivtngontats注:统计截止至222年8月表:Cn隧穿层沉积选择方法生长原理生长设备优缺点热氧化法热氧高温下与硅基反应热氧化管式炉钝化效果最好但是反应速度较慢PECVDPla电离与硅基反应管式/板式PECVD钝化效果弱于热氧;生长速率快;均匀性差原子层沉积

用三甲基硅烷原子层沉积方生长

LD

钝化效果弱于PECV氧化层均匀性较好效验证低准分子源干氧

准分子发射172nm紫外光解2所得自由基生产3化

槽式湿法设备 钝化效果较差;稳定性较差;工艺难控制钝化效果一般;反应过程中钝化效果一般;反应过程中化学组成不变可长时间使用生长厚度具有自限制性工艺控制简单废水难处理槽式湿法设备沸腾的3/H20683强氧化性生长湿化学法Con设各技术路进展LD线路50W级别量产,技术明确正速扩张期LCD技路成速在58n使单时400pc,插时800cs具备产化长量等优势时AAE平插可绕控在m以内GW级的产率达到4.9,发室效来了257时GW级别产良到97效良产及成上成较的顾目前仍在问是英的损目每年200万元W的成计计加0.002元W成,沉积率然慢存改良间。代表池:科源PD线路16W规模待产,潜力值得期待PCD术线膜在10n,用位合一式生效较设备机台更,镀积在2m以内但率及率数仍等待GW证。但PCD产氧不均导效离性高,位杂会致瓷导电缩石舟维周,同也在P3耗高等题PD备低于LD生效较若良验具优,有迎较规扩张代表池:阳通和微导L+CD)PD线路W量产,养周期长良率数据理想PD术江杰主导磁溅需用靶材虽然D存镀现象,但D备每30需要养约2,时换靶也要3天间GW级别验的产为24.,率为95,低于LCD路,设备价格也高于LD路线,现阶段PD路线优势不明显,未来扩产速度将会低于LCD和ED。代表池:来注:上据源普斯,计止2年8月表:Cn量产线路对比方法 PCVD路线 PECD路线 PD路线借助微波或射频等使含有薄膜组工作原优缺

将一种或数种气态物质,在较低压图示力下用热能激活,发生热分解或化学反应,沉积在衬底表面形成薄膜图示工艺成熟控制容易简单厚度均性好Poy质量高,致密度高成膜速率慢;有绕镀;需要高温石英器件成本20万/3-n/in(inrin)

成原子的气体在局部形成等离体而等离子体化学活性很强容易发生反应在基片上沉积薄原位掺杂轻微绕镀冷壁成膜率快;单台产能大厚度均匀性差纯度低气泡问题膜层致密度不高

在真空条件下用物理的方法(真空溅射镀膜)使材料沉积在被工件上的薄膜制备技术原位掺杂无绕镀冷壁成膜速快设备成本高,靶材用量方阻均匀性差成膜速

1-n/min(in-udpig)

>10n/mn(in-udpig) >10n/mn(in-udpig)WP/台 单插:430p;双插80ps 420ps 800ps运行成掺杂方绕镀情工艺时

石英舟寿命>6个月/清洗周期15石英管寿命4-12个月(不清洗涂层二次掺杂磷扩散or离子注入结退火LLE水平插片四周均匀10m以内本征多晶硅沉积(>120n)扩散r离子注入结合退火

石墨舟清洗周期3040un原位掺杂绕镀小于2nm轻微绕镀易清洗掺杂非晶硅沉积晶化退火(30in)

保养周期30天,保养间2天更换靶材需3原位掺杂PD硅(靶材),PECVD磷(P)预期无绕镀-产品良率 97% 预期高于LPCVD路线 95%良率 W量产4.9% 待W级别量产验证 量产效率245%设备需求设备代表

扩散炉or离子注入机/退火刻蚀机拉普拉斯,普乐,捷佳伟北方华创,SEMCO等

晶化处理需退火炉取决于技术案的配套设备捷佳伟创,金辰,MB等PEALDPECV:微导、先导

隧穿氧化层仍需PECV晶化理需退火炉取决于技术方案选择江苏杰太电池代表厂 晶科、正泰新能 PE三合一-润阳PEALD-德 中数据来源:PVinolnk,中院电工所,摩尔光伏,拉普拉斯,市场空间测算opon各技术路线固定产投入PX对比LVD与VD综合总投入成本接近。根据拉普拉斯统计,D路线和PCD线GW级CO分别为0.0313元W和03元W十接PD需要额配尾处和和机得于产优势对机数少ED和LD综合投成本别为310.5元和3124元两差并明,那未主生路量的是产率及率。图:Pon电池VD和CD法PX对比数据来源:拉普拉斯POAD即D路线整线价格昂贵设备投资其他路线据来份6GW高效晶池能厂期8W设投额看线备自约1.8亿元G,单GW的D备投额约4313元高于VD和PVD线。PD设在积杂硅层无镀势需PD备积时PD在层不均、泡问。设备(含自动化设备)数量(台/套)设备金额(万元)对应单GW价值量价值占比制绒设备364,680.005853.26设备(含自动化设备)数量(台/套)设备金额(万元)对应单GW价值量价值占比制绒设备364,680.005853.26清洗设备183,960.004952.76扩散设备12024,100.003012.516.77刻蚀设备406,800.008504.73POPAID设备2334,500.004312.524.01PECVD设备13627,880.00348519.40ALD设备1712,750.001593.758.87印刷烧结测设23129,043.003630.37520.21合计143,713.0017964.125数据来源:中来股,东北证券opon设备市场空间根据CA据22年18月国伏量44.G伏件口突破10GW202年6月SE测202全光增装约2708W到026年到458G虑阶的N技转们认未今两将电扩产的峰202新池片约20。目前OCon建产能GW上根各扩划们预计2022底Con产能约708G,此算2022年Con新产透约在9.84.85%之间从扩规看203年OCn仍保高的产度艺上若PCD能得率叠加产和绕优则E线透将步提高。图:Pon设备空测20212022E2023E增量市场新增电池产能200250TOPCon渗透()TOPCon新增产能(GW)10.33162.745112.5LPCVD线价格LPCVDLPCVD(GW)1.76742.0091.76067.5LPCVD备价增(元)71.4153114.75PECVD线价PECVDPECVD1.62415.0481.63236PECVD备价增(元)24.076857.6PVD整价格PVD占比PVD设备GW)1.895.6431.889PVD设价值(亿)10.157416.2存量市场(PERC造升)改造升需求(G)2035改造升成本(元/GW)0.70.7改造市空间(元)1424.5TOPCon备市空间22.66119.6495213.05数据来源:PI,正泰新能,rndFor,P-TEC,(注:预测值仅供参考)相标的捷佳伟创光伏设备龙头,三合一ED设备潜力值得期待具备Con整线交付力湿法和沉积工设优势明显佳阳能电池生设龙供核心品括C散洗绒对后道的丝印及环的动化备有涉品全覆制清散制、刻备反膜刷电烧和动的全序021年与润阳光伏订GWE+级OCon造单时PEPoy合设单开始落地10月20日微告NOConE光专用温备得量单海外订1GWEPoy线的OCn线unky合。光伏行业景气度保高利润率修复显据A数2021伏硅片、池、件口额约29美,比长13,叠欧能机等因游求盛带动游产较201润方面202H1毛利率+.8pc净+.7p利力复疫情22H1存约47.01亿元占资比2.52,随后疫缓和单落有得改。图:捷佳伟创营业收入 图:捷佳伟创归母净润数据来源:ind, 数据来源:ind,图:捷佳伟创销售毛率和净利率%) 图:捷佳伟创期间费率%)数据来源:ind, 数据来源:ind,图

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