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文档简介

计算机芯片与硅我们通常所说的芯片是指集成电路CPU就是把超大规模的集成电路生成在一块指甲盖大小的硅片上，这种芯片集成了令人难以想象的晶体管、二极管、电阻、电容，如Intel的四代Corei7-4790k集成了14亿个晶体管单晶拉伸切片研磨清洗抛光晶片制备↓前道工序↓后道工序外延氧化CVD光刻刻蚀掺杂测试切割引线封装终测产品1.电脑芯片制造的工艺流程工业硅的提炼制得粗硅：SiO2+2C==Si+2CO↑（纯度98％~99％）多晶硅的提纯与精炼3HCl+Si==SiHCl3+H2SiHCl3+H2==Si+3HCl单晶硅的制备高温熔融，旋转拉伸取出，凝固。目前单晶硅纯度能够达到12个9（99.9999999999％）

2.晶片的制备过程制造CPU必须≥11个93.外延外延是在晶片上生长一层具有不同电子特性单晶硅的工艺过程SiCl4+2H2==Si+4HCl外延片4.氧化——将晶片放入高温炉中加热，氧气或水蒸汽跟硅表面起化学作用，形成均匀的二氧化硅薄膜层。干法氧化：Si+O2==SiO2湿法氧化：Si+2H2O==SiO2+H25.化学气相淀积（CVD）化学气相淀积（CVD）是使一种或数种物质的气体以某种方式激活后，在基片表面发生化学反应并淀积成固体薄膜。6.光刻蚀芯片制造的核心技术7.掺杂对暴露在外的硅层通过化学方式进行离子轰击，使待掺杂的原子电离“注入”到晶体中。8.重复从这一步起，将持续添加层级，加入1个二氧化硅层，然后光刻一次。重复这些步骤

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