标准解读

GB/T 11073-1989 是一项中国国家标准，其全称为《硅片径向电阻率变化的测量方法》。该标准规定了测量硅片从中心到边缘电阻率变化的具体方法和要求，旨在为半导体材料的质量控制和性能评估提供统一的测试准则。以下是标准内容的详细说明：

标准适用范围

本标准适用于单晶硅片，特别是用于制造半导体器件的硅片，其目的是通过测量硅片不同半径位置的电阻率，来评估材料的均匀性和质量。

测量原理

  1. 四探针法：标准推荐使用四探针技术进行测量，这是一种非破坏性测试方法，通过在硅片表面放置四个紧密排列的探针，施加电流并通过电压探针测量电压降，从而计算出电阻率。

  2. 径向测量：测量时，探针沿硅片半径方向移动，从中心点开始逐步向外，记录不同半径下的电阻率值，以描绘出硅片的径向电阻率分布图。

测量设备与条件

  • 规定了四探针测试仪的技术要求，包括探针的材质、直径、间距以及施加电流的稳定性和测量精度。
  • 要求测量环境控制在一定温度和湿度范围内，以减少外部因素对测量结果的影响。
  • 对样品的预处理，如清洁度、温度均衡等也给出了指导。

测量步骤

  1. 样品准备：确保硅片表面干净无污染，温度稳定。
  2. 探针布置：按照标准规定的探针间距和布局放置探针。
  3. 电流施加与电压测量：向样品施加恒定电流，同时测量电压降。
  4. 数据记录：记录每个测量点的电阻率，并标记对应的半径位置。
  5. 数据处理：对收集的数据进行分析，计算电阻率随半径的变化趋势。

数据处理与报告

  • 描述了如何根据测量数据绘制径向电阻率曲线，以及如何计算平均电阻率、最大最小差异等关键参数。
  • 要求在测试报告中包含测量条件、设备信息、样品描述及所有关键测量结果。

标准的实施与监督

强调了标准执行的重要性，建议各使用单位应严格遵循标准操作，以确保测量结果的准确性和可比性。虽然未直接提及监督机制，但通常情况下，遵循国家标准的操作应接受行业或第三方机构的审核或认证。


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  • 被代替
  • 已被新标准代替，建议下载现行标准GB/T 11073-2007
  • 1989-03-31 颁布
  • 1990-02-01 实施
©正版授权
GB/T 11073-1989硅片径向电阻率变化的测量方法_第1页
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文档简介

UDCC669.782:621.317.33H21中华人民共和国国家标准GB11073-89硅片径向电阻率变化的测量方法Standardmethodformeasuringradialresistivityvarationonsiliconslices1989-03-31发布1990-02-01实施国家技术监督局发布

中华人民共和国国家标准硅片径向电阻率变化的测量方法GB11073-89Standardmethodformeasuringradialresistivityvariationonsiliconslices主题内容与适用范围本标准规定了用直排四探针方法测量硅单晶片径向电阻率变化的方法。本标准适用于硅片厚度小于探针平均间距，直径大于15mm，电阻率为1×10-3～1×10"Q·cm硅单晶圆片径向电阻率变化的测量。2引用标准GB2828逐批检查计数抽样程序及抽样表（适用于连续批的检查)GB6615、硅片电阻率的直排四探针测试方法方法提要使用GB6615方法，根据要求，选择四种选点方案中的-一种进行测量利用儿何修正因子计算出硅片电阻率及径向电阻率变化。本标准提供四种测址选点方案。采用不同的选点方案能测得不同的径向电阻率变化值、仪器设备GB6615规定的仪器设备装置。探针间距为1.00mm或1.59mm。4.2样品架应具有平移和旋转360°功能。平移精度为±0.15mm；旋转精度为±5°。试验样品5.1从一批硅片中按GB2828计数抽样方案或商定的方案抽取样品。5.2按GB6615的4.2条～4.3条制备样品。5.3如果硅片没有主参考面，则必需在硅片背面圆周上作一参考标记，以便测址时对硅片定位。如果是仲裁测量，并且硅片只有一个参考面，则需在硅片背面参考面边缘的中点作一参考标记。5.4找出任意三条相交45°且不与硅片参考面相交的直径，测量并记下该样品直径，如果这三条直径长度都在表1规定的直径偏差范围以内，则以标称直径为直径值。否则以三个测量的业均值为直径值表1硅片的几何参数中心点厚度，最小标称直径直径偏拳总厚度变化

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