标准解读

《GB/T 11093-2007 液封直拉法砷化镓单晶及切割片》相比于《GB/T 11093-1989 液封直拉法砷化镓单晶及切割片》，主要在以下几个方面进行了更新与调整：

  1. 技术指标的提升：新标准对砷化镓单晶的纯度、结晶质量、微结构缺陷等关键性能指标提出了更严格的要求，反映了随着技术进步和市场需求的提高，对材料质量的更高追求。

  2. 检测方法的改进：引入了更为精确和先进的检测技术和分析方法，如使用高分辨率X射线衍射（HRXRD）和二次离子质谱（SIMS）等现代分析手段，以更准确地评估单晶的结构完整性和杂质含量，提高了检测结果的可靠性和准确性。

  3. 生产流程的优化：标准中对液封直拉法制备过程中的工艺参数，如温度控制、提拉速率、气氛保护等给出了更详细和科学的指导，旨在促进生产效率的提升和成本的降低，同时保证产品质量。

  4. 环保与安全要求：2007版标准加强了对生产过程中环境保护和操作人员安全健康的关注，新增或修订了有关废弃物处理、有害物质管控及操作规范等内容，体现了可持续发展和安全生产的理念。

  5. 术语和定义的更新：为适应技术发展，新标准对部分专业术语进行了修订或新增，确保了标准语言的准确性和时代性，便于行业内外人士更好地理解和应用。

  6. 适用范围的明确：对标准适用的产品类型、尺寸范围及应用领域做了更清晰的界定，有助于生产厂家和用户准确把握标准的适用边界。


如需获取更多详尽信息，请直接参考下方经官方授权发布的权威标准文档。

....

查看全部

  • 现行
  • 正在执行有效
  • 2007-09-11 颁布
  • 2008-02-01 实施
©正版授权
GB/T 11093-2007液封直拉法砷化镓单晶及切割片_第1页
GB/T 11093-2007液封直拉法砷化镓单晶及切割片_第2页
GB/T 11093-2007液封直拉法砷化镓单晶及切割片_第3页
免费预览已结束，剩余13页可下载查看

下载本文档

GB/T 11093-2007液封直拉法砷化镓单晶及切割片-免费下载试读页

文档简介

犐犆犛２９．０４５

犎８３

中华人民共和国国家标准

犌犅／犜１１０９３—２００７

代替ＧＢ／Ｔ１１０９３—１９８９

液封直拉法砷化镓单晶及切割片

犔犻狇狌犻犱犲狀犮犪狆狊狌犾犪狋犲犱犮狕狅犮犺狉犪犾狊犽犻犵狉狅狑狀犵犪犾犾犻狌犿犪狉狊犲狀犻犱犲狊犻狀犵犾犲犮狉狔狊狋犪犾狊犪狀犱

犪狊犮狌狋狊犾犻犮犲狊

２００７０９１１发布２００８０２０１实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局

发布

中国国家标准化管理委员会

书

犌犅／犜１１０９３—２００７

前言

本标准是对ＧＢ／Ｔ１１０９３—１９８９《液封直拉法砷化镓单晶及切割片》的修订。

本标准与ＧＢ／Ｔ１１０９３—１９８９相比，主要有如下变动：

———单晶和切割片的牌号按照ＧＢ／Ｔ１４８４４《半导体材料牌号表示方法》进行了修订；

———增加了７６．２ｍｍ（３ｉｎ）、１００ｍｍ、１２５ｍｍ和１５０ｍｍ规格的产品；

———增加了掺入碳等杂质元素的产品；

———去掉了４０ｍｍ规格的产品；

———取消了按位错密度对产品进行分级。

本标准自实施之日起，代替ＧＢ／Ｔ１１０９３—１９８９。

本标准由中国有色金属工业协会提出。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。

本标准起草单位：北京有色金属研究总院。

本标准主要起草人：张峰翊、郑安生。

本标准所代替标准的历次版本发布情况为：

———ＧＢ／Ｔ１１０９３—１９８９。

Ⅰ

书

犌犅／犜１１０９３—２００７

液封直拉法砷化镓单晶及切割片

１范围

本标准规定了液封直拉法砷化镓单晶及切割片的要求、试验方法、检验规则和标志、包装运输贮

存等。

本标准适用于液封直拉法制备的砷化镓单晶及其切割片。产品供制作微波器件、集成电路、光电器

件、传感元件和红外线窗口等元器件用材料。

２规范性引用文件

下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有

的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究

是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。

ＧＢ／Ｔ１５５５半导体单晶晶向测定方法

ＧＢ／Ｔ２８２８．１计数抽样检验程序第１部分：按接收质量限（ＡＱＬ）检索的逐批检验抽样计划

ＧＢ／Ｔ４３２６非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法

ＧＢ／Ｔ８７６０砷化镓单晶位错密度测量方法

ＧＢ／Ｔ１３３８７电子材料晶片参考面长度测量方法

ＧＢ／Ｔ１４２６４半导体材料术语

ＧＢ／Ｔ１４８４４半导体材料牌号表示方法

ＧＪＢ１９２７砷化镓单晶材料测试方法

３要求

３．１产品分类

产品按导电类型和电阻率分为半绝缘型（ＳＩ型），低阻导电型（ｎ型和ｐ型）。

３．２牌号

３．２．１单晶的牌号表示为

ＬＥＣＧａＡｓ□（）＜＞

用密勒指数表示的晶向

导电类型，扩号内元素符号为掺杂剂，如果有两个或两个以上的掺杂剂，

中间用“＋”连接

砷化镓材料的分子式

表示砷化镓单晶的生长方法为液封直拉法

若单晶不强调生产方法或不掺杂时，其相应牌号部分可以省略。

示例：

ＬＥＣＧａＡｓＳＩ＜１００＞表

人人文库> 全部分类> 行业资料 > 各类标准

温馨提示

  • 1. 本站所提供的标准文本仅供个人学习、研究之用，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或网络传播等，侵权必究。
  • 2. 本站所提供的标准均为PDF格式电子版文本（可阅读打印），因数字商品的特殊性，一经售出，不提供退换货服务。
  • 3. 标准文档要求电子版与印刷版保持一致，所以下载的文档中可能包含空白页，非文档质量问题。

最新文档

评论

0/150

提交评论