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TP金属黄光制程简介制作群安电子TP金属黄光制程简介1TP金属黄光流程材料一次压干膜一次曝光一次显影一次蚀刻金属一次蚀刻ITO一次去膜二次压干膜二次曝光二次显影二次蚀刻金属二次去膜TP金属黄光制程简介红线框内部分流程也可用印刷制程取代2TP金属黄光制程简介材料：PET+ITO+金属PET规格：厚度50~150um金属类别：--Cu

--Cu+NiCu

--Cu+NiCuTi

--其他（NiCuNi、APC、Ag合金等）ITO类别：--非结晶ITO（方阻150~400Ω）

--结晶ITO（方阻80~160Ω）材料3干膜的选择NiCu及NiCuTi表面平整，干膜不易结合，需选用附着力好的干膜，如需要做30以下细线路还需选择解析度良好的干膜；压膜条件温度：110+5压力：3.5kg/cm2一次压膜TP金属黄光制程简介4制程能力：底片（film）：最细可做20/20um

玻璃底片（光罩）：最细可做10/10um曝光注意事项：注意避免吸真空不良曝光能量把握适度需要使用平行光曝光机TP金属黄光制程简介一次曝光5显影注意事项：控制显影点40~60%控制好显影液浓度及PH显影后最好有烘干以增加干膜附着力关注显影后线宽是否与底片一致TP金属黄光制程简介一次显影6反应原理使用氧化剂在酸性环境下氧化金属蚀刻注意事项：注意蚀刻后线路品质，避免线路锯齿控制好蚀刻药液浓度注意干膜是否有浮离问题药水不能攻击ITOTP金属黄光制程简介一次蚀刻金属7蚀刻ITO注意事项：注意蚀刻后线路品质，避免线路锯齿控制好蚀刻药液浓度注意干膜是否有浮离问题药液不能攻击金属非晶ITO蚀刻较快，注意控制好蚀刻速度避免蚀刻过度TP金属黄光制程简介一次蚀刻ITO8脱膜注意事项：控制好药液浓度；控制去膜点30~50%注意干膜反粘关注材料方阻变化，药液不能攻击ITO

注意D/FAdhesionPromotor是否去除干净TP金属黄光制程简介一次脱膜9干膜要求：附着力要好；压膜条件：温度：110+5压力：3.5kg/cm2TP金属黄光制程简介二次压膜10曝光注意事项：注意避免吸真空不良曝光能量把握适度注意对位准确，勿对偏关注材料及底片是否涨缩

无线路可用散射光曝光机TP金属黄光制程简介二次曝光11显影注意事项：控制显影点40~60%控制好显影液浓度及PHTP金属黄光制程简介二次显影12蚀刻金属注意事项：控制好蚀刻药水浓度关注视窗金属残留问题关注ITO方阻变化TP金属黄光制程简介二次蚀刻金属13脱膜注意事项：注意干膜反粘控制好药液浓度关注

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