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XXXX市XXXXXXX有限公司预计值适用于商用电子产品,其设计、生产、安装和可靠性保障体制满足相应的贝尔(或等同的)术语规范和产品特殊要求。联系统。然而,使用此方法得到的单元可靠性预Bellcore靠性的方法,分别称为方法I、II、III。(1)方法I的三种情况方法I包括三种情况的温度和电应力情况:(2)情况选择研(3)方法I的预计表格(见附表)(1)一般要求供应商必须提供所有的支持信息和元件计数法预计结果(见方法I)除非表11-1中没有给出器件的一般故障率,方法II只能用于质量等级为II和III的器件的典型的质量等级。本章给出了确定需要多少器件和单元进行试验,器件和单元的试验时间,如何对器件进行试验等方法。在下面的原则中,实际时间是耗费的时钟时间,有效时间是实际时间乘以一到每一个项目-甚至对于高加速试验器件试验时需模拟实际现场工作环境,如湿度和压力等。应从大量产品中选取有代表性的样本进行试验,以确保试验结果的典型性。用方法II进行的器件统计预计法可以推广到以下的其它器件:(2)方法II预计法的几种情况情况L1-器件进行试验室试验(器件未进行前期的老化)-表格9情况L2-单元经过试验室试验(单元/器件未进行前期的老化)-表10情况L3-器件试验室试验(器件进行了前期的老化)-表11情况L4-单元试验室试验(单元/器件进行过前期的老化),表12(3)方法II的表格(见附表)(1)方法III简介I所收集的数据类型的不同,它又包括三种不同的方法:方法IIIa、方法IIIb和方法IIIc。方法IIIa:通过收集所要预计的产品(称为目标产品)的现场数据,直接对其故障率进行预计。方法IIIb:通过收集相似产品(称为跟踪产品)的现场数据,对目标产品的器件、单元和子系统方法IIIc:通过收集跟踪目标产品的现场数据,对产品的单元和子系统进行预计(不包含器件)(2)方法III的步骤的现场故障数(f)和全部工作时间(t)(2)对于方法IIIc:采用方法I中的情况3来计算SS1。方方法IIIaV=方法IIIb方法IIIc步骤6、计算方法III的故障率=2+f从=109USi-采用方法III得到的第i个器件的故障率预计值-采用方法III得到的单元故障率预计值用温度应力曲线7。(可差表获得)U-观测到f个故障的情况下,置信度在95%以上的泊松分布变量。(可查表获得)性预计表=类型*数量(Nj)故障**率页共()页(f)E单元可靠性预计表为40℃,单元/系统的老化时间<1小时,无器件级老化)第页共页产品Rev生产厂家单元名单元数维修级别稳态故如单元第一年称量障率(见采用方累积值表法II(见工厂级现场级其它维修维修44444444444444444444表2方法I-单元可靠性预计,情况1(表3)计表页Rev生产厂家工现其它温度Tb,u加A速因子b,uA时间tb,uTAt时间时间et=At+Ateb,ub,ub,sb,s方法II时,由I2(表4)性预计表(一般情况3-包括有限应力)型量号NjGj子Qj子Sj子Tj×器故障化T第页共页单元生产厂家(f)单元老化Tb,utb,u系统老化T早期寿命温度A/[(d)×(i)(j)]/[(d)×(f)表4方法I器件可靠性预计一般情况计表(一般情况-包括有限应力)日期日期第页共页产品Rev生产厂家修修法II,由表E表5方法I-单元可靠性预计,一般情况(表6)器件可靠性预计实验室数据表情况L-1器件实验室试验(无前期老化)型号号间Ta实验室试验子AL第Tl试验的器件样本数N0nGj子Q障率(j))]/(i)G表6方法II-器件可靠性预计,情况L-1(表9)单元可靠性预计实验室数据表情况L-2单元实验室试验,无前期单元/器件老化型号别间Ta第子AL子Tl故障数n子EE(i)=(g)/[(数N0(f)(i)(j)障率(n)GG方法II的稳态故(p)表7方法II-单元可靠性预计,情况L-2(表10)器件可靠性预计实验室数据表情况L-3器件实验室试验(器件已经过老化)页共页单元生产厂家称号号Gj子口Q器件老化T子Atb,dte子间子N0nTlj)子W(f)(i)(j)方法II的稳态故(p)备注表8方法II-器件可靠性预计,情况L-3(表11)单元可靠性预计实验室数据表情况L-4器件实验室试验(器件已经过老化)第页共页单元生产厂家称号化T子Ab,utb,u化有效老化时间uTte子AL间TaTln子子EE(i)(i)=(f)/[(gN0(j)(l)j)×(k)G方法II表11-1器件故障率(1/16)微处理器的等级和相微处理器的等级和相应复杂度微处理器内部总线位宽复杂度A级4004)4-Bit2,300晶体管数B级8085)C级8086)29,000晶体管数D级8088)16-Bit29,000晶体管数BitBit晶体管数)16)双极型双极型NMOSCMOS故障率温度应故障率温度应故障率温度应力力力2127156882229156882330156882939176883345186883952196884258206882500476521822838246889325668888标称值1031151-20门68811331521-5068840113515880145017188198182288488256688881.表11-1中所有的集成电路的故障率是在质量等级为II级下的值,为区分密封和非密封两种情4.微处理器包括与其相关的外围电路999999999成电路16)温度应力9温度应力7温度应力9RAM故障率故障率故障率777666666666669999999888888899999999889999999988888899999999888888888888888832768K88注:1.表11-1中所有的集成电路的故障率是在质量等级为II级情况下的值.对于密封的和非时PAL)2.确定电路的模拟部分所用的晶体管数字IC和线性器件的故障率双极型NMOSCMOS故障率温度应力故障率温度应力故障率温度应力(表11-7)(表(表510126996111369971214699141769916196991923699412327699273169937610103843610104551610105360610106101075846101061010数字IC的故障率是通过微处理器及其包含的RAM的故障率的累加来得到的.灯模块WDM器器7788555553路单元.只有质量等级为III的光电器件才能用于主要的网络中.只有密封的光纤器件才能用于主要网络产品中的激光模块,LED模块和检测器模块.质量等级III的影响已经包含在这里的故障率件或混合器件(如激光模块中的激光驱会显着不同.贝尔简易预计这些器件的可靠性时,采用现场和试验室数据作为补充.硅>>锗>>硅464644444444444444444477EEEEEEEEEEE.当同时采用这两个应力曲线FFFFEEE硅能测频锗测444338888833344333369369频频>FFHCC线时,也要相应考虑两个应力因子.式式括SMT)41433777776433112233DDCCAACCDD200KOHM200KOHM200KOHM334444223333BBBBAAAABBCA3503503A200KOHM>200K854COHM1204C线绕16每个电阻高能6每个电阻5K100KOHM5K件解1111157832237713337777775352JJJGGHGGGEEEEEEHJHI冲冲器33333333377747715一般功能,7每个管脚7每个管脚7每个管脚7每个管脚7C板7C7CIC插座3C3C3C3C3C3C3C器器器器备达极(SPDT)有1×2=2个接触对。表11-1器件故障率(16/16)振动器z25石英晶体25600170保险丝30A5A10灯200300加热器(水晶炉)1000微波器件15衰减器器10可变器件bsesferrite器件(传输)200ferrite器件(接收)100热-电冷却器(<2W)500100加热器的值来源于MIL-HDBK-217B表11-3器件质量等级划分质量等级I:这一级别是指商用的器件,其获得和使用没有经过设备生产厂家全面的器件质量认证质量等级II:cMsd质量等级III:系列必须要有周期性的重新质量认证(g),质量控制必须包括寿命周期早期的100%的筛选(温度)6316310IIIIII63111-5应力等级的确定表11-6应力因子()使用的直流电压与交流峰值电压之和/额定电压使用功率/额定功率可变电阻---V/全部阻值/额定功率流/额定电流(根据不同的负载确定,如阻性,感性以及指一般功用的晶闸管-平均前向电流/额定前向电流齐纳二极管--实际齐纳电流或功率/额定齐

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