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当CPU在工作时需要从硬盘等外部器上数据但由于硬盘这个“仓库”太大，加上离CPU也很“远”，“原料”数据的速度就比较慢，导致CPU的生产效率大打折扣！为了解决这个问题，人们便在CPU与外部器之间，建了一个“小仓库”—内存。PCSDRAM、DDRSDRAM、RDRAM等三种类型。SDRAM（SynchronousDRAM）即“同步动态随机器”。SDRAM内存条的两面都有今日主流—DDRDDRSDRAM（简称DDR）DDR（DoubleDataRateSDRAM，双倍数据速度）SDRAMSDRAM相比，在同一时钟周期内，DDRSDRAM能传输两次数SDRAM只能传输一次数据。168个引脚，并且有两个缺口。SDRAM一样，DDR也是与系统总线频率同步的，不过因为双倍数据传输，DDRDDR266的2100MB/ｓCDDR0PC3200了。示。我们用一个简短的来说明内存带宽的计算方法：内存带宽＝工作频率×位宽DDR内存条价格低廉，性能出色，因此成为今日主流的内存产品。过时的—RDRAMRDRAM（器总线式动态随机器）是Rambus公司开发的一种新型DRAM。RDRAMSDRAM及DDR64bit窄，但其时钟频率要高得多。TSOP、BGA、CSP等三种，封装方式也影响着内存条的TSOP封装：TOSP（ThinSmallOutlinePackage，薄型小尺寸封装）的一个典型特点就是在封装的周围做出很多引脚。TSOP封装操作方便，可靠性比较高，是目前的主流BGA封装：BGA叫做“球栅阵列封装”，其最大的特点就是的引脚数目增多了，组装成BGA封装可以使内存在体积不变的情况下将内存容量提高两到三倍，TSOP相比，它具有更小的体积、更好的散热性能和电性能。CSP封装：CSP（ChipScalePackage，级封装）作为新一代封装方式，其性能又有靠性，速度也随之得到大幅度的提高。目前该封装方式主要用于高频DDR内存。BIOS的时候详细阐述。时钟周期TCK是“ClockCycleTime”的缩写，即内存时钟周期。它代表了内存可以运行的最大工即TCK＝1/F比如一块标有“－10”字样的内存“－10”表示它的运行时钟周期为10ns，100MHz的频率下正常工作。存取时间TAC（AccessTimeFromCLK）表示“存取时间”。与时钟周期不同，TAC仅仅代表访问数据所需要的时间。如一块标有“－7J”字样的内存说明该内存条的存取时间是7ns。存取时间越短，则该内存条的性能越好，比如说两根内存条都工作在133MHz下，其中一6ns7ns，则前者的速度要好于后者。CAS延迟时间CLCLCAS的周期有助于加快内存在同一ECC就是一种数据检验机制。ECC不仅能够判断数据的正确性，还能纠正大多数错误。PC中一般不

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