电子线路分析基础-西安电子科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年

电子线路分析基础_西安电子科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年电路如图所示，已知【图片】>>1，【图片】=0.7V，要求【图片】=1mA，则【图片】为（）【图片】。【图片】

参考答案:

4.3k

若想增大输入电阻，且保持放大器稳定，放大器应引入（）反馈。

参考答案:

串联负

放大器输入单一频率的信号时，不会出现线性失真。

参考答案:

正确

图示电路，若想实现输出电压稳定，则应该在（）引入反馈支路。【图片】

参考答案:

①和③之间

图示电路中，【图片】和【图片】特性完全相同，则输出电阻约为【图片】。。【图片】

参考答案:

正确

图示电路是一个两级放大器。【图片】

参考答案:

错误

图示电路为三级放大器电路。【图片】

参考答案:

错误

图示电路中，【图片】和【图片】特性完全相同，下列叙述正确的是（）。【图片】

参考答案:

为CE组态放大器、为CB组态放大器。

无外加电压时，PN结中没有载流子的运动。

参考答案:

错误

在OCL乙类功放电路中，若最大输出功率为12W，则电路中功放管的集电极最大功耗约为（）W。

参考答案:

2.4

放大器的非线性失真与输入信号频率大小有关。

参考答案:

错误

电路如图所示，已知【图片】=4mS，【图片】=【图片】。电路的输出电阻为（）【图片】。【图片】

参考答案:

20k

某放大器的交直流负载线如图所示，忽略晶体管的饱和压降，则最大不失真输出电压振幅值为（）V。【图片】

参考答案:

3

某放大电路的幅频特性渐进线波特图如图所示，由此可知中频电压放大倍数为（）dB。【图片】

参考答案:

40

电路如图所示，深度负反馈条件下的电压放大倍数为（）。【图片】

参考答案:

51

若想减少输出电阻，且保持放大器稳定，放大器应引入（）反馈。

参考答案:

电压负

负反馈可以改善放大器的性能，相应的代价是使得放大倍数下降。

参考答案:

正确

直接耦合的放大器，带宽为无穷大。

参考答案:

错误

图示电路，是一个（）级放大器。【图片】

参考答案:

两

单端输出时，如果将负载电阻短路，反馈消失，则为（）。

参考答案:

电压反馈

当PN结外加反向电压时，扩散电流（）漂移电流。

参考答案:

小于

常温下，本征半导体中存在电子空穴对。

参考答案:

正确

P型半导体带正电，N型半导体带负电。

参考答案:

错误

某绝缘栅场效应管的开启电压为4V，源极电位-2V，栅极电位3V，漏极电位-1.2V，则下述关于该FET说法正确的是（）。

参考答案:

N沟道增强型管，工作在可变电阻区

某MOSFET的各极电压如图所示，则此管工作在（）区。【图片】【图片】

参考答案:

恒定电阻区

图示电路为CE-CC组态电路。【图片】

参考答案:

错误

某OCL功放电路如图所示，已知电源电压为±12V，负载为8Ω的扬声器，饱和压降可以忽略，该电路的最大损耗约为（）W。【图片】

参考答案:

1.8

引入电流并联负反馈后，使得输入电阻增加。

参考答案:

错误

图示电路为改进型差分放大器，其中加入电阻【图片】的目的是（）。【图片】

参考答案:

增大共模抑制比

二极管正向工作时，若需要电流增大为原来的10倍，则二极管外加电压u也需要增大10倍。

参考答案:

错误

PN结的击穿发生在（）。

参考答案:

反向电压超过某一限度时

3.图示电路【图片】支路引入了（）。【图片】

参考答案:

电压并联正反馈

二极管的反向饱和电流会随着温度的升高而（）。

参考答案:

升高

在三种组态（共基、共射、共集）放大电路中，带负载能力最强的（）。

参考答案:

共集

反馈根据输入端的比较方式，可分为串联反馈和并联反馈。

参考答案:

正确

放大器引入负反馈，不影响通频带。

参考答案:

错误

引入电压并联负反馈后，使得输入电阻减小。

参考答案:

正确

电路如图所示，已知【图片】,【图片】,电路的差模输入电阻为（）【图片】。【图片】

参考答案:

22k

图示电路为（）级放大器。【图片】

参考答案:

一

信号源、放大器的输入端和反馈网络三者串联时，为串联反馈。

参考答案:

正确

如图所示的功率放大电路中，已知管子的饱和压降为2V，最大不失真输出电压为（）V。【图片】

参考答案:

7

电路如图所示，如果电容【图片】开路，电路的电压放大倍数将（）。【图片】

参考答案:

减小

乙类推挽功率放大器的效率为78.5%。

参考答案:

错误

图示电路中，为了使得输出电压稳定，应引入（）负反馈。【图片】

参考答案:

电压并联##%_YZPRLFH_%##并联电压

乙类功率放大器中功率管工作在线性状态。

参考答案:

错误

当OCL电路的最大输出功率为10W时，则功放管的集电极最大耗散功率必须大于10W。

参考答案:

错误

当P区接外加电源正极，N区接外加电源负极时，PN结处于导通状态。

参考答案:

正确

电路如图所示，Rc增加，电压放大倍数将（）。【图片】

参考答案:

增加

输入信号的带宽大于放大器带宽时将出现线性失真。

参考答案:

正确

阻容耦合的放大电路中，影响上限频率的主要因素为（）。

参考答案:

分布电容

图示电路，若想降低输入电阻，则应该在（）引入反馈支路。【图片】

参考答案:

①和③之间

稳压管的稳压区是工作在（）。

参考答案:

反向击穿

N型半导体是在本征半导体中掺入（）元素构成的。

参考答案:

五价

当PN结外加正向电压时，PN的宽度将变（）。

参考答案:

窄##%_YZPRLFH_%##小

温度增加，二极管导通电压变（）。

参考答案:

小##%_YZPRLFH_%##低

P型半导体是电中性的，因此电子数等于空穴数。

参考答案:

错误

本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。

参考答案:

正确

P型半导体和N型半导体放在一起，可以构成了PN结。

参考答案:

错误

测得某NPN管的【图片】，【图片】，由此可判定它工作在（）区。

参考答案:

饱和

单端输出时，如果将负载电阻短路，反馈存在，则为（）。

参考答案:

电流反馈

P型半导体中既有电子，又有空穴。

参考答案:

正确

图示电路为一级放大器电路。【图片】

参考答案:

正确

直接耦合多级放大器中，影响零点漂移最严重的是（）。

参考答案:

输入级

设计一个两级放大电路，要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻至少大于2MΩ，输出电阻应小于100Ω，则第一级和第二级可采用的组态分别为（）。

参考答案:

共源电路，共集电路

差分放大器两个输入端分别输入电压50mV和10mV时，则差模输入电压（）mV。

参考答案:

40

晶体三极管的发射区与集电区是同类型杂质半导体，因此集电极和发射极可以对调使用。

参考答案:

错误

图示电路的输出电阻为（）【图片】。【图片】

参考答案:

20k

P型半导体中多子为（）。

参考答案:

空穴

放大电路如图所示，该电路可以从X端输出。【图片】

参考答案:

错误

放大器输入电阻越大越好，输出电阻越小越好。

参考答案:

正确

电路如图所示，放大器的电压放大倍数与【图片】无关。【图片】

参考答案:

错误

放大电路如图所示，若输入端为X，输出端为Y，Z接地，则该电路的组态为CS组态。【图片】

参考答案:

正确

放大器的非线性失真与静态工作点无关。

参考答案:

错误

随着频率的升高，晶体管【图片】值将（）。

参考答案:

下降

放大器由差分放大电路后接射极跟随器构成，已知差分放大电路的差模放大倍数【图片】=100，共模放大倍数【图片】=0。当【图片】=3mV、【图片】=-3mV时，则放大器的输出电压为（）mV。

参考答案:

600

电路如图所示，【图片】减小，则放大倍数（）。【图片】

参考答案:

增加

共射放大电路如图（a）所示，当输入信号为【图片】mV正弦波时，若输出波形如图（b）所示，该电路发生了（）失真，若只能调整基极电阻【图片】改善失真，则【图片】应（）。【图片】

参考答案:

饱和，增大

具有高输入电阻、低输出电阻的放大器为（）。

参考答案:

CC放大器

如图所示的电路，由于【图片】与【图片】不相等，故该电路的共模抑制能力较差。【图片】

参考答案:

错误

级联放大器总的噪声系数大于第一级放大器的噪声系数。

参考答案:

正确

H参数微变等效电路适用于分析（）。

参考答案:

低频及中频区

图示电路，如果在②和④之间引入反馈支路，则为电流串联（）反馈。【图片】

参考答案:

负

耗尽型绝缘栅场效应管初始时存在导电沟道。

参考答案:

正确

如图所示电路的电压放大倍数为（）。【图片】

参考答案:

-2

如图所示电路中，已知【图片】，要实现【图片】，则【图片】为（）【图片】。【图片】

参考答案:

10

电路如图所示，不考虑三极管的饱和压降，为使输出达到最大不失真输出电压，则输入电压的大小为（）V。【图片】

参考答案:

1.5

电路如图所示，输出电压【图片】为（）mV。【图片】

参考答案:

-250

电路如图所示，电压放大倍数为（）。【图片】

参考答案:

2

电路如图所示，设A1、A2均为理想运放，则该电路的电压放大倍数为（）。【图片】

参考答案:

21

某放大电路在负载开路时的输出电压为6V，当接入2kΩ负载后，其输出电压降为4V，这表明该放大电路的输出电阻为（）kΩ。

参考答案:

1

放大器的噪声系数反映了（）。

参考答案:

放大器内部噪声大小

ＰＮ结外加正向电压时，耗尽层将（）。

参考答案:

变窄

测得放大电路中晶体三极管三个电极的直流电位分别为：①-2.3V，②-3V，③－6.5V，则该晶体管集电极为（）。

参考答案:

③

电路如图所示，设二极管均为理想的二极管，则输出电压为（）V。【图片】

参考答案:

-6

测得放大电路中晶体三极管三个电极的直流电位分别为：①2.3V，②3V，③6V，则该晶体管的集电极为（）。

参考答案:

③

稳压管是利用PN结的（）特性制成。

参考答案:

击穿特性

PN结正向运用时，（）电容起主要作用。

参考答案:

扩散

下面关于绝缘栅场效应管描述正确的是（）。

参考答案:

增强型MOSFET的导电沟道，只有当栅源电压超过某个阈值时才会出现；

某结型场效应管的夹断电压为3V，源极电位1V，栅极电位3V，漏极电位-10V，则下述关于该FET说法正确的是（）。

参考答案:

P沟道管，工作在放大区

测得放大电路中三极管三个管脚的对地电位分别为：①3.3V，②2.6V，③15V，则对该三极管描述正确的是（）。

参考答案:

NPN型Si材料三极管，①B极，②E极，③C极

放大器电路如图所示，若【图片】增加，则【图片】将（）。【图片】

参考答案:

增大

电路如图所示，则晶体管工作于（）。【图片】

参考答案:

饱和区

放大器的输出电阻越大越好。

参考答案:

错误

场效应管放大器的噪声小于晶体三极管放大器的噪声。

参考答案:

正确

本征半导体不具备导电性能。

参考答案:

错误

N型半导体是掺入五价元素形成的，其多数载流子为空穴。

参考答案:

错误

无外加电压时，PN结中没有载流子流动。

参考答案:

错误

晶体三极管在饱和状态下有：发射结正偏，集电结反偏。

参考答案:

错误

N型半导体中存在电子，不存在空穴。

参考答案:

错误

N型半导体中既有电子也有空穴，因此N型半导体带电情况由电子数与空穴数的多少来确定。

参考答案:

错误

二极管正向应用时，直流电阻不随外加电压变化而变化。

参考答案:

错误

稳压管的动态电阻越小，稳压性能越好。

参考答案:

正确

放大器的输出电阻与负载大小无关。

参考答案:

正确

电路如图所示，电路的静态工作点与温度无关。【图片】

参考答案:

错误

电路如图所示，如果将【图片】和【图片】短路，电路的静态工作点不会改变。【图片】

参考答案:

错误

图示电路为CC组态放大器。【图片】

参考答案:

错误

图示电路为CE组态放大器。【图片】

参考答案:

错误

绝缘栅场效应管、结型场效应管和双极型晶体管，三种管子其输入电阻最高的是（）。

参考答案:

绝缘栅场效应管

P型半导体是在本征半导体中掺入（）价元素构成的。

参考答案:

三##%_YZPRLFH_%##3

放大电路如图所示，若输入端为Y，输出端为Z，X接地，则该电路的组态为CS组态。【图片】

参考答案:

错误

如图所示的电路，如果输入信号为正弦信号，则输出信号为（）。【图片】

参考答案:

方波信号

集成运放电路采用直接耦合方式是因为（）。

参考答案:

集成工艺难于制造大容量电容

如图所示的功率放大电路中，已知管子的饱和压降为2V，若要求输出功率不小于4W，负载电阻为8欧，则该电路的电源电压【图片】至少应该为（）V。【图片】

参考答案:

20

在功率放大电路中，输出功率越大，功放管的功耗越大。

参考答案:

错误

如图所示的功率放大电路中，已知管子的饱和压降为3V，最大不失真输出功率为（）W。【图片】

参考答案:

14.4

图示的4种复合管，正确的是（）。【图片】

参考答案:

b

图示电路，如果在①和④之间引入反馈支路，则为电流并联（）反馈。【图片】

参考答案:

正

电路如图所示，存在级间（）负反馈。【图片】

参考答案:

电压串联##%_YZPRLFH_%##串联电压

深度负反馈条件下，图示电路的电压放大倍数为（）。【图片】

参考答案:

81

图示电路【图片】支路没有引入交流负反馈。【图片】

参考答案:

正确

引入负反馈后，输出噪声电压减小，表明信噪比得到了提高。

参考答案:

错误

电压并联负反馈稳定的是输出电流。

参考答案:

错误

图示电路存在（）。【图片】

参考答案:

电压串联负反馈

图示电路存在级间（）反馈。【图片】

参考答案:

无

串联负反馈只有在信号源内阻（）时，其反馈效果才显著；并联负反馈只有在信号源内阻（）时，反馈效果才显著。

参考答案:

小、大

高频区输出回路时间常数越小，上限频率越（）。

参考答案:

高##%_YZPRLFH_%##大

放大器的输入信号幅度改变可能产生线性失真。

参考答案:

错误

输入信号的带宽大于放大器通频带时，一定会出现（）。

参考答案:

线性失真

晶体管高频区频率响应可以采用（）进行分析。

参考答案:

混合型等效电路

已知放大器的中频电压增益为40dB，【图片】，【图片】，最大不失真输出电压幅度为10V，试问当输入信号为【图片】V时，放大器会（）。

参考答案:

产生线性失真，但无非线性失真

图示电路是一个CE组态的放大器。【图片】

参考答案:

正确

电路如图所示，三极管的导通电压均为0.6V。【图片】约为1mA。【图片】

参考答案:

错误

图示电路是一个共源-共集的两级放大器。（）【图片】

参考答案:

正确

对于图示电路，下列说法正确的是（）。【图片】

参考答案:

CS-CC电路

图示电路中，说法正确的是（）。【图片】

参考答案:

CD组态放大器

电路如图所示，【图片】增加，电压放大倍数将（）。【图片】

参考答案:

减小

三极管的三种基本放大组态电路，说法正确的是（）。

参考答案:

CE组态是电压反相放大器

图示电路是一（）组态电路。【图片】

参考答案:

共漏

图示电路的电压放大倍数（）。【图片】

参考答案:

约为1

电路如图所示，这是一（）组态放大器。【图片】

参考答案:

CE

电路如图所示，已知【图片】=50，【图片】=1.23K【图片】，则考虑信号源内阻时电压放大倍数约为（）。【图片】

参考答案:

-41

电路如图所示，已知【图片】=4mS，【图片】=【图片】。电路的电压放大倍数为（）。【图片】

参考答案:

-10

某放大电路在负载开路时的输出电压为6V，当接入2kΩ负载后，其输出电压降为4V，这表明该放大电路的输出电阻（）kΩ。

参考答案:

1

有源负载的特点是：对直流呈现（）电阻，对交流呈现（）电阻。

参考答案:

小，大

图示电路为差分放大器，【图片】和【图片】特性完全相同，则其单端输出共模放大倍数【图片】为（）。【图片】

参考答案:

-0.49

图示电路为差分放大器，【图片】和【图片】特性完全相同，则其差模放大倍数为（）。【图片】

参考答案:

-222.2

电路如图所示，已知【图片】,【图片】,电路的【图片】为（）。【图片】

参考答案:

0

某结型场效应管的夹断电压为-3V，源极电位3V，栅极电位-1V，漏极电位10V，则下述关于该FET说法正确的是（）。

参考答案:

N沟道管，工作在截止区

下列情形下，二极管可以导通的是（）。

参考答案:

P端接+5V，N端接+2V

杂质半导体主要用到了半导体物质的（）特性。

参考答案:

掺杂性

理想二极管电路如图所示，其输出电压为（）。【图片】

参考答案:

-6V

理想二极管电路如图所示，其输出电压为（）。【图片】

参考答案:

-6V

由硅二极管（假设均为理想二极管）组成的电路如图所示，电阻【图片】中的电流I为（）mA。【图片】

参考答案:

-1.5

硅二极管的正向压降在0.7V的基础上增加10%，它的电流将（）。

参考答案:

增加10%以上

电路如图所示，稳压管【图片】，其正向导通电压为0.7V，则【图片】等于（）。【图片】

参考答案:

0.7

晶体三极管工作在放大状态下必须满足（）的状态。

参考答案:

发射结正偏，集电结反偏

场效应晶体管的放大作用表现为（）。

参考答案:

栅源电压控制漏极电流

图示电路中【图片】与【图片】同相。（）【图片】

参考答案:

错误

PN结具有单向导电性。

参考答案:

正确

理想二极管两端正向电压增加，流过二极管的电流将显著增加。

参考答案:

正确

由于稳压二极管稳压时工作在反向击穿状态，因此呈现的电阻阻值较大。

参考答案:

错误

增强型绝缘栅场效应管初始时存在导电沟道。

参考答案:

错误

结型场效应管初始时存在导电沟道。

参考答案:

正确

场效应管的输入电阻（）三极管的输入电阻。

参考答案:

大于

图示电路中，二极管的作用是消除（）失真。【图片】

参考答案:

交越##%_YZPRLFH_%##非线性

如图所示的功率放大电路中，输入为正弦波时，输出电压出现交越失真，则应该调整（）。【图片】

参考答案:

调大电阻

已知某功放的最大输出功率为1W，现仅将电源电压提高一倍，其余条件不变，此时的输出功率为（）W。

参考答案:

1

图示电路，如果在②和③之间引入反馈支路，则为电压串联（）反馈。【图片】

参考答案:

正

阻容耦合的放大电路中，耦合电容的大小影响下限频率。

参考答案:

正确

放大器的下限频率是由（）区等效电路中回路的时间常数所决定。

参考答案:

低频

由于图示电路为单端输出信号，所以共模抑制比不高。【图片】

参考答案:

错误

关于电容耦合多级放大器，说法错误的是（）。

参考答案:

电容耦合多级放大器在集成电路中获得了广泛的应用。

电流源电路作为放大电路的有源负载，主要是为了提高（）。

参考答案:

电压放大倍数

图示电路为（）组态电路。【图片】

参考答案:

CD-CE

电路如图所示，已知【图片】,【图片】,电路的共模输入电阻约为（）【图片】。【图片】

参考答案:

15.5k

H参数等效电路不能用于分析三极管放大器的直流工作点。

参考答案:

正确

放大电路如图所示，若输入端为X，输出端为Z，Y接地，则该电路的组态为CS组态。【图片】

参考答案:

错误

晶体三极管H参数等效电路可以用来分析静态工作点。

参考答案:

错误

放大器的非线性失真与输入信号幅度大小有关。

参考答案:

正确

放大器的非线性失真只与静态工作点有关。

参考答案:

错误

放大器的输入电阻越大越好。

参考答案:

正确

放大器电路如图所示，则【图片】为（）。【图片】

参考答案:

10.7V

电路如图所示，已知【图片】>>1，【图片】=0.7V，图中的【图片】为（）。【图片】

参考答案:

1mA

电路如图所示，【图片】减小，则输入电阻（）【图片】

参考答案:

减小

电路如图所示，已知【图片】=4mS，【图片】=【图片】。电路的输入电阻为（）【图片】。【图片】

参考答案:

5M

图示电路中，已知【图片】，则【图片】等于（）。【图片】

参考答案:

2mA

场效应管放大器的输入电阻（）晶体三极管的输入电阻。

参考答案:

大于

电压串联负反馈稳定的是输出电压。

参考答案:

正确

本征半导体的导电性能主要受掺杂浓度的影响。

参考答案:

错误

晶体三极管在放大状态下有：发射结正偏，集电结反偏。

参考答案:

正确

二极管两端反向电压增加，流过二极管的电流不变。

参考答案:

错误

二极管击穿，一定会损坏二极管。

参考答案:

错误

无外加电压时，由于PN结中有内建电场，因而PN结中有载流子流动，PN结中存在电流。

参考答案:

错误

P型半导体是掺入三价元素形成的，其载流子为空穴。

参考答案:

错误

图示电路的共模抑制比为无穷大。【图片】

参考答案:

正确

差分放大器只有双端输出时才有抑制共模信号的能力。

参考答案:

错误

图示电路中VD1、VD2处于导通状态。【图片】

参考答案:

正确

如图所示的功率放大电路中，已知管子的饱和压降为3V，为使输出功率最大，其输入电压的有效值约为（）V。【图片】

参考答案:

8.5

在正向电压作用下，若流过二极管的电流为2mA，则其交流电阻近似为（）Ω。

参考答案:

13

已知差分放大器的差模电压放大倍数【图片】=100，共模抑制比【图片】=60dB，则共模信号放大倍数【图片】为（）。

参考答案:

0.1

下列方法中，（）不是增大差分放大器共模抑制比的方法。

参考答案:

增大c极电阻

PN结中存在电子空穴对。

参考答案:

错误

电路如图所示，设VZ1与VZ2性能相同，其击穿电压均为7V，正向导通电压均为0.7V，U=（）V。【图片】

参考答案:

7.7

某MOSFET的各极电压如图所示