芯片工艺流程演示文稿课件

芯片工艺流程演示文稿第一页，共五十八页。优选芯片工艺流程ppt第二页，共五十八页。单晶拉制（1）第三页，共五十八页。单晶拉制（2）第四页，共五十八页。单晶拉制（3）第五页，共五十八页。单晶拉制（4）第六页，共五十八页。单晶拉制（5）第七页，共五十八页。环境和着装第八页，共五十八页。单项工艺-扩散(1)卧式4炉管扩散/氧化炉扩散/氧化进炉实景图第九页，共五十八页。单项工艺-扩散(2)立式扩散/氧化炉扩散/氧化进炉实景图第十页，共五十八页。单项工艺-扩散(3)扩散工序作业现场第十一页，共五十八页。单项工艺-光刻(1)先进光刻曝光设备第十二页，共五十八页。单项工艺-光刻(2)现场用光刻曝光设备第十三页，共五十八页。单项工艺-光刻(3)检查用显微镜第十四页，共五十八页。单项工艺-光刻(4)清洗淀积/生长隔离层匀胶（SiO2Si3N4

金属…）-HMDS喷淋（增加Si的粘性）-匀光刻胶第十五页，共五十八页。单项工艺-光刻(5)前烘对版匀胶-对每个圆片必须按要求对版-用弧光灯将光刻版上的图案转移到光刻胶上。-增加黏附作用-促进有机溶剂挥发第十六页，共五十八页。单项工艺-光刻(6)显影/漂洗坚膜腐蚀-硬化光刻胶。-增加与硅片的附着性。-将圆片进行显影/漂洗，不需要的的光刻胶溶解到有机溶剂。去胶-干法腐蚀/湿法腐蚀第十七页，共五十八页。单项工艺-光刻(7)光刻工艺过程第十八页，共五十八页。单项工艺-CVD（1）第十九页，共五十八页。单项工艺-CVD（2）初级离子气体被吸收到硅片表面第二十页，共五十八页。单项工艺-CVD（3）初级离子气体在硅片表面分解第二十一页，共五十八页。单项工艺-CVD（4）玻璃的解吸第二十二页，共五十八页。单项工艺-CVD（5）第二十三页，共五十八页。单相工艺-离子注入（1）第二十四页，共五十八页。单相工艺-离子注入（2）第二十五页，共五十八页。单相工艺-离子注入（3）第二十六页，共五十八页。单相工艺-蒸发（1）蒸发原理示意图第二十七页，共五十八页。单相工艺-蒸发（2）溅射原理示意图第二十八页，共五十八页。单相工艺-蒸发（3）第二十九页，共五十八页。单相工艺-清洗第三十页，共五十八页。基础认知第三十一页，共五十八页。衬底材料扩散层外延层单晶片扩散片外延片第三十二页，共五十八页。一次氧化sio外延层第三十三页，共五十八页。基区光刻sio外延层第三十四页，共五十八页。干氧氧化sio外延层第三十五页，共五十八页。离子注入sio外延层杂质注入第三十六页，共五十八页。基区扩散sio外延层基区第三十七页，共五十八页。发射区光刻sio外延层基区第三十八页，共五十八页。发射区预淀积sio外延层基区发射区集电区第三十九页，共五十八页。发射区扩散（*）sio外延层基区发射区集电区第四十页，共五十八页。发射区低温氧化（*）sio外延层基区发射区集电区第四十一页，共五十八页。氢气处理sio外延层基区发射区集电区第四十二页，共五十八页。N+光刻（适用于P型片）sio外延层基区发射区集电区第四十三页，共五十八页。N+淀积扩散（适用P型片）sio外延层基区发射区集电区第四十四页，共五十八页。N+低温氧化（适用P型片）sio外延层基区发射区集电区第四十五页，共五十八页。氢气处理（适用P型片）sio外延层基区发射区集电区第四十六页，共五十八页。3B光刻sio外延层基区发射区集电区第四十七页，共五十八页。铝蒸发AL外延层基区发射区集电区第四十八页，共五十八页。四次光刻AL外延层基区发射区集电区第四十九页，共五十八页。氮氢合金AL外延层基区发射区集电区第五十页，共五十八页。AL上CVDSiO外延层基区发射区集电区2第五十一页，共五十八页。氮气烘焙（适用N型片）SiO外延层基区发射区集电区2第五十二页，共五十八页。五次光刻SiO外延层基区发射区集电区2第五十三页，共五十八页。中测抽测SiO外延层基区发射区集电区2测试系统第五十四页，共五十八页。减薄、抛光SiO外延层基区发射区集电区2减薄和抛光部分第五十五页，共五十八页。蒸金/银S