GB/T 42709.19-2023半导体器件微电子机械器件第19部分：电子罗盘

ICS31200

CCSL.40

中华人民共和国国家标准

GB/T4270919—2023/IEC62047-192013

.:

半导体器件微电子机械器件

第19部分电子罗盘

:

Semiconductordevices—Micro-electromechanicaldevices—

Part19Electroniccomasses

:p

IEC62047-192013IDT

(:,)

2023-08-06发布2024-03-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T4270919—2023/IEC62047-192013

.:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

基本额定值和特性

4………………………2

电子罗盘的组成

4.1……………………2

额定值极限值

4.2()……………………3

推荐工作条件

4.3………………………3

电特性参数

4.4…………………………4

测试方法

5…………………5

磁传感器部分的灵敏度

5.1……………5

磁传感器部分的线性度

5.2……………6

零磁场环境下磁传感器部分的输出

5.3………………8

磁传感器部分的交叉轴灵敏度

5.4……………………10

加速度传感器部分的偏移量和灵敏度

5.5……………13

磁传感器部分的频带宽度模拟输出

5.6()……………14

电流损耗

5.7……………16

附录资料性基本额定值和特性的注意事项

A()………18

附录资料性电子罗盘终端坐标系

B()…………………19

附录资料性图表示俯仰角滚动角与偏航角说明

C()、………………20

参考文献

……………………22

Ⅰ

GB/T4270919—2023/IEC62047-192013

.:

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件是半导体器件微电子机械器件的第部分已经发布了以

GB/T42709《》19。GB/T42709

下部分

:

第部分射频开关

———5:MEMS;

第部分用于射频控制和选择的体声波滤波器和双工器

———7:MEMS;

第部分电子罗盘

———19:。

本文件等同采用半导体器件微电子机械器件第部分电子罗盘

IEC62047-19:2013《19:》。

本文件做了下列最小限度的编辑性改动

:

为便于理解表增加了两个脚注

———,1。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出并归口

。

本文件起草单位中国电子技术标准化研究院中国电子信息产业集团有限公司江苏多维科技有

:、、

限公司北京大学河北美泰电子科技有限公司北京必创科技股份有限公司

、、、。

本文件主要起草人刘若冰李博薛松生张威崔波王伟强陈得民

:、、、、、、。

Ⅲ

GB/T4270919—2023/IEC62047-192013

.:

引言

本文件适用于电子罗盘明确了电子罗盘的术语定义基本额定值和特性以及测试方法等有利

,、、,,

于更好地指导相关行业从业人员进行产品开发测试使用等工作半导体器件微电子

、、。GB/T42709《

机械器件拟由以下部分构成

》:

第部分薄膜材料的拉伸试验方法目的在于规定薄膜材料的拉伸试验方法

———2:。MEMS。

第部分拉伸试验用的薄膜标准试验片目的在于规定薄膜材料拉伸试验用试验片

———3:。MEMS

的相关要求

。

第部分射频开关目的在于规定射频开关的术语定义特性要求测试方

———5:MEMS。MEMS、、

法等

。

第部分薄膜材料轴向疲劳试验方法目的在于规定薄膜材料的轴向疲劳试验

———6:。MEMS

方法

。

第部分用于射频控制和选择的体声波滤波器和双工器目的在于规定体

———7:MEMS。MEMS

声波谐振器滤波器和双工器的术语定义特性要求测试方法等

、、、。

第部分薄膜拉伸特性测量的带材弯曲试验方法目的在于规定用于测量薄膜拉伸特性的

———8:。

带材弯曲试验方法

。

第部分晶圆键合强度试验方法目的在于规定晶圆的键合强度试验方法

———9:MEMS。MEMS。

第部分悬空材料的线性热膨胀系数测试方法目的在于规定悬空材料的

———11:MEMS。MEMS

线性热膨胀系数测试方法

。

第部分采用结构谐振法的薄膜材料挠曲疲劳试验方法目的在于规定薄

———12:MEMS。MEMS

膜材料挠曲疲劳试验方法

。

第部分结构黏附强度试验方法目的在于规定结构的黏附强度试验

———13:MEMS。MEMS

方法

。

第部分薄膜残余应力的晶圆曲率和悬臂梁挠度试验方法目的在于规定

———16:MEMS。

薄膜残余应力的晶圆曲率和悬臂梁挠度两种试验方法

MEMS。

第部分电子罗盘目的在于规定电子罗盘的术语定义特性要求测试方法等

———19:。、、。

第部分薄膜材料泊松比测试方法目的在于规定薄膜材料的泊松比测试

———21:MEMS。MEMS

方法

。

第部分柔性衬底导电薄膜的机电拉伸测试方法目的在于规定导电薄膜材料的

———22:。MEMS

机电性能拉伸试验方法

。

第部分微沟槽和针结构的描述和试验方法目的在于规定微沟槽和针结构的描

———26:。MEMS

述和试验方法

。

第部分玻璃熔结结构的粘结强度试验方法目的在于规定玻璃熔结结构的粘结强

———27:MCT。

度的试验方法

MCT。

第部分室温下悬空导电薄膜的机电松弛试验方法目的在于规定器件的悬空导

———29:。MEMS

电薄膜在室温下的机电松弛试验方法

。

第部分谐振器非线性振动测试方法目的在于规定谐振器的非线性振动

———32:MEMS。MEMS

性能测试方法

。

第部分柔性机电器件弯曲变形电特性测试方法目的在于规定柔性机电器件的弯曲变形

———35:。

状态电特性测试方法

。

Ⅳ

GB/T4270919—2023/IEC62047-192013

.:

第部分压电薄膜的环境及介电耐受试验方法目的在于规定压电薄膜的

———36:MEMS。MEMS

环境及介电耐受性能试验方法

。

第部分互连中金属粉末膏体黏附强度试验方法目的在于规定互连中金

———38:MEMS。MEMS

属粉末膏体黏附强度的试验方法

。

第部分惯性冲击开关阈值测试方法目的在于规定惯性冲击开关的阈值

———40:MEMS。MEMS

测试方法

。

Ⅴ

GB/T4270919—2023/IEC62047-192013

.:

半导体器件微电子机械器件

第19部分电子罗盘

:

1范围

本文件界定了电子罗盘的术语和定义规定了基本额定值和特性描述了相应测试方法本文件适

,,。

用于由磁传感器和加速度传感器组成的电子罗盘或单独由磁传感器组成的电子罗盘本文件适用于

,。

移动电子设备用电子罗盘

。

对于海洋电子罗盘的相关要求见

ISO11606。

本文件适用的电子罗盘种类包括两轴电子罗盘三轴电子罗盘和六轴电子罗盘等