正性光刻胶与5mask简介课件

OutlineArray5maskArray4maskPRPR的工作原理PRTestOutlineArray5maskArray4ma1Metal1(GATE):镀上Mo(钼)，Al(铝)2.G:GateSiNx(氮矽化合物，绝缘层)

I:

-Si(非结晶矽，通道层)

N:N+

-Si(高浓度磷(PH3)的矽)降低界面电位差,

使成为欧姆接触(ohmiccontact)

3.Metal2(source,drain):Mo(钼),Al

4.Passivation(Via):SiNx，保护层,把金属盖住,另有Via和ITO连通5.ITO(画素电极)1Array5mask简介Metal1(GATE):镀上Mo(钼)，Al(铝)2工艺流程PhotoResistThinFilmGlass曝光LightPhotoMask剥膜ThinFilmGlass成膜PhotoResist显影蚀刻工艺流程PhotoResistThinFilmGlass32023/9/13UPK(清洗玻璃)M1Suppter(PVD)涂布,曝光,显影WetetchSTP(去光阻)Metal1processABMo/AlMo在Al上层避免Al氧化2.38%TMAHAl蚀刻液(磷酸，醋酸，硝酸)Stripper-剥离液：MEA+DMSO(7:3)2023/8/3UPK(清洗玻璃)M1Suppter(PVD42023/9/13GINprocessABGIN

sputterCVD（化学气相沉积）Photo(涂布,曝光,显影)DryetchSTP(去光阻)SF6/Cl2，SiF4，SiCl42023/8/3GINprocessABGINsputt52023/9/13Metalsputter（Mo/Al/Mo)Photo(涂布,曝光,显影)WET(M2湿蚀刻)DET(N+蚀刻)STP(去光阻)ABMetal2

process2023/8/3Metalsputter（Mo/Al/Mo62023/9/13ABCVDSiNxPhoto(涂布,曝光,显影)DET(Pass蚀刻)STP(去光阻)Pass

process2023/8/3ABCVDSiNxPhoto(涂布,曝光,72023/9/13ABITOsputter(PVD)Photo(涂布,曝光,显影)WET(ITO湿蚀刻))STP(去光阻)OVN(ITOoven)ITOprocess2023/8/3ABITOsputter(PVD)Pho82023/9/132Array4mask2023/8/32Array4mask92023/9/132023/8/3102023/9/133正型PR成份介绍定义光刻胶(Photoresist简称PR)又称光致抗蚀剂，它是一种对光敏感的有机化合物，它受紫外光曝光后，在显影液中的溶解度会发生变化。作用

a、将掩膜板上的图形转移到晶圆表面顶层的光刻胶中；

b、在后续工序中，保护下面的材料（刻蚀或离子注入）。2023/8/33正型PR成份介绍定义112023/9/13成份

树脂感光剂溶剂添加剂粘附性、胶膜厚度曝光时间、光线强度赋予组合物流动性如防止PR反射等特性2023/8/3成份树脂感光剂溶剂添加剂粘附性、胶膜122023/9/134正型PR的工作原理Esterification2023/8/34正型PR的工作原理132023/9/13UVN2Wolff重组H2ONaOH(CH3)4NOHTMAH2023/8/3UVN2Wolff重组H2ONaOH(CH142023/9/135PRTestTestEOPMarginThermalStabilityFilmLossStripperTestResoluti-on涂布Pre-bake曝光显影Post-bakeStripper2023/8/35PRTestTestEOPMargin152023/9/13EOPTestEOPTest：将光罩上的图案按1/1比例映射在PR上的光罩能量2023/8/3EOPTestEOPTest：将光罩上的162023/9/13MarginTestMarginTest：不同显影时间、软烤温度及软烤时间下，PR显影

后的CD变化2023/8/3MarginTestMarginTest172023/9/132023/8/3182023/9/13ThermalStabilityTestThermalStabilityTest：post-bask后PR形状的变化测试2023/8/3ThermalStabilityTest192023/9/13Stripper

TestStripper

Test：PR的剥离时间2023/8/3StripperTestStripper202023/9/13Resolution

TestResolution

Test：能显影出完整图像的较小CD（a.图案完整性；b.CD变化）2023/8/3ResolutionTestResolut212023/9/13H/T