模拟电子技术题库-答案分解

￥模拟电子技术试题汇编。成都理工大学工程技术学院电子技术基础教研室2010-9第一章半导体器件一、填空题1、本征硅中若掺入5价元素的原子，则多数载流子应是电子，少数载流子应是空穴。2、在N型半导体中，电子浓度大于空穴浓度，而在P型半导体中，电子浓度小于空穴浓度。3、PN结反向偏置时，空间电荷区将变宽。4、双极型三极管输出特性的三个区域分别是_____饱和_____区、______放大___区、__截止________区。5、场效应管分为两大类：一类称为_结型场效应管___________，另一类称为__绝缘栅场效应管_______。6、PN结外加反向电压，即电源的正极接N区，电源的负极接P区,这种接法称为___反向接法_______或_反向偏置_________。7、半导体二极管的基本特性是单向导电性____，在电路中可以起___整流____和___检波____等作用。8、双极型半导体三极管按结构可分为__NPN_____型和__PNP_____型两种，它们的符号分别为_______和________。9、PN结中进行着两种载流子的运动：多数载流子的扩散运动和少数载流子的___漂移_____运动。10、硅二极管的死区电压约为，锗二极管的死区电压约为。11、晶体管穿透电流是反向饱和电流的___1+β_______倍，在选用晶体管的时候，一般希望尽量___小_______。12、场效应管实现放大作用的重要参数是___跨导_______。13、PN结具有__单向导电_______特性。14、双极型三极管有两个PN结，分别是___集电结____和_发射结______。15、为了保证三极管工作在放大区，应使发射结_____正向________偏置，集电路______反向_______偏置。16、场效应管是____电压______控制型元件，而双极型三极管是____电流_______控制型元件。17、本征硅中若掺入3价元素的原子，则多数载流子应是空穴，少数载流子应是电子。18、P型半导体的多数载流子是空穴，少数载流子是电子。19、PN结外加正向电压，即电源的正极接P区，电源的负极接N区,这种接法称为正向接法或_正向偏置______。20、从双极型三极管内部三个区引出三个电极，分别是_集电极______、___发射极____和__基极______。21、双极型三极管起放大作用的外部条件是：（1）发射结外加_正____________向电压；（2）集电结外加___反________向电压。22、N型半导体可用___正________离子和等量的___负电子________来简化表示。23、PN结正向偏置时，空间电荷区将变___窄________。24、二极管的两个电极分别称为__阳____极和__阴____极，二极管的符号是________。25、当温度升高时，三极管的输入特性曲线会__左___移，输出特性曲线会上________移，而且输出特性曲线之间的间隔将__增大_________。26、影响双极型三极管参数变化的主要因素是___温度__________。27、P型半导体可用_负______离子和等量的___空穴_____来简化表示。28、主要半导体材料是_硅_____和__锗____；两种载流子是__空穴_______和__电子_______；两种杂质半导体是_P型________和___N型________。29、二极管外加正向电压导通，外加反向电压截止。30、当温度升高时，三极管的参数β会变大________，会增加________，导通电压会变小_________。31、双极型三极管有两种载流子导电，即____多数载流子_________和_少数载流子____________导电，而单极型三极管只有一种载流子导电，即__多数载流子___________导电。32、N型半导体的多数载流子是电子，少数载流子是___空穴_____。33、某晶体管的极限参数，，。若它的工作电压，则工作电流不得超过__15_____；若工作电压，则工作电流不得超过____100___；若工作电流，则工作电压不得超过___30____。34、放大电路中，已知三极管三个电极的对地电位为=－9V，=－，=－6V，则该三极管是______PNP_______型三极管，A为_______集电______极，B为_____基________极，C为______发射_______极。35、双极型三极管实现放大作用的重要参数是_____。36、场效应管输出特性的三个区域分别是_______恒流______区、____可变电阻_________区、___夹断__________区。37、纯净的、不含其他杂质的半导体称为_____本征半导体_____。38、场效应管与晶体管比较，场效应管的热稳定好，输入电阻高，晶体管的放大能力强。39、双极型三极管内部有三个掺杂区域，分别是__发射区_______、___基区_______和___集电区_______。二、选择题1、从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（B）时处于正偏导通状态。A．0B．死区电压C．反向击穿电压D．正向压降2、杂质半导体中（A）的浓度对温度敏感。A．少子B．多子C．杂质离子D．空穴3、晶体管的集电结反向偏置、发射结正向偏置，它的工作状态是（B），若集电结和发射结都反向偏置，它的工作状态是（A），若集电结和发射结均正向偏置，则它的工作状态是（C）。A．截止B．放大C．饱和D．损毁4、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为(B)。A．前者反偏、后者也反偏B．前者正偏、后者反偏C．前者正偏、后者也正偏D．前者反偏、后者也正偏5、双极型晶体管工作时有（A）和（B）两种载流子参与导电,而场效应管所导电过程仅仅取决于（A）的流动。A．多子B．少子C．自由电子D.空穴6、当NPN型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为（A）（A）。A．>B．<C．=D．≤7、对二极管正向电阻和反向电阻的要求是（C）A．、都大B．、都小C．很小，很大D．大，小8、稳压二极管动态电阻（B），稳压性能愈好。A．愈大B．愈小C．为任意值9、三极管当发射结和集电结都正偏时工作于（C）状态。A．放大B．截止C．饱和D．无法确定10．结型场效应管放大电路的偏置方式是（A、D）A．自给偏压电路B．外加偏压电路C．无须偏置电路 D．栅极分压与源极自偏结合11、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（A），而少数载流子的浓度与（B）有很大关系。A．温度B．掺杂工艺C．杂质浓度D．晶体管缺陷12、场效应管属于（B）控制型器件，而晶体管若用简化h参数来分析，则可认为是（C）控制型器件。A．电荷B．电压C．电流13、当PN节外加反向电压时，扩散电流（B）漂移电流，耗尽层（D）。A．大于B．小于C．等于D．变宽E．变窄F．不变14、当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（D）。A．左移，下移B．右移，上移C．左移，上移D．右移，下移15、PN结加正向电压时导通，此时空间电荷区将（A）。A．变窄B．基本不变C．变宽D.先变窄，后变宽16、在25ºC时，某二极管的死区电压Uth≈，反向饱和电流Is≈，则在35ºC时，下列哪组数据可能正确：（D）。AUth≈，Is≈BUth≈，Is≈CUth≈，Is≈DUth≈，Is≈17、用万用表判断放大电路中处于正常工作的某个晶体管的类型（NPN或PNP）与三个电极时，最为方便的测试方法为（B）。A．测试各极间电阻B．测试各极间、对地电压C．测试各极电流三、判断题 1、三极管在工作频率大于最高工作频率时会损坏。（╳）2、稳压管正常稳压时应工作在正向导通区域。（╳）3、与三极管放大电路相比，场效应管放大电路具有输入电阻很高、噪声低、温度稳定性好等优点。（√）4、P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。（╳）5、有人测得晶体管在=时，=5，因此认为在此工作点上的大约为。（√）6、通常结型场效应管JFET在漏极和源极互换使用时，仍有正常的放大作用。（√）7、通常的双极型晶体管BJT在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。（╳）8、在N型半导体中，掺入高浓度的三阶杂质可以改型为P型半导体。（√）9、P型半导体带正电，N型半导体带负电。（╳）10、PN结内扩散电流是载流子在电场作用下形成的。（╳）11、漂移电流是少数载流子在电场作用下形成的。（√）12、由于PN结交界面两边存在电位差，所以当把PN结两端短路时，就有电流流过。（╳）13、PN结方程可以描述PN结的正向特性和反向特性，也可以描述PN结的反向击穿特性。（╳）14、场效应管的突出优点是具有特别高的输出电阻（╳）15、有人测试晶体管的，方法是通过测得晶体管的，，推算出。（╳）四、综合题1、放大电路中测得晶体管各电极电位如下表所示，试将表格填写完整。（10分）管脚（各电极）电位晶体管1晶体管23V6V-4V电极(e或b或c)ebccbeNPN或PNPNPNPNP材料（Si或Ge）SiGe2、判断下列管子的工作状态（a.饱和；b.放大；c.截止；d.损坏）（共8分）管子类型NPNPNPNPNPNP各电极电位（V）UeUbUcUeUbUcUeUbUcUeUbUc26-3046状态cbda3、如下图，试确定二极管D是正偏还是反偏设二极管正偏时的正向压降为,试计算UX和UY的值（共9分）（a） （b）答案：（a）D正偏导通I=2RI==（b）D仅偏截止I=0=0=10V4、如下图，设硅稳压管、的稳压值分别为6V和9V，求Uo为多少（共3分）答：=9-6=3V5、（3分）图示电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出u0。D导通，6、判断下列电路能否放大电压信号。（设图中所有电容对交流信号视为短路）（9分）都不能放大电压信号（a）（b） （c）输入交流短路 无直流基极偏压输入交流短路7、如下图，设硅稳压管、的稳压值分别为6V和9V，稳压管的正向压降为，试写出输出电压Uo为多少（共8分）（a） （b）（c）（d）8、设二极管理想化，试判断下列各图二极管是否导通还是截止并求出UO=（a）D导通 （b）D截止（c） 导通截止（d）先导通截止=0V=-3V第二章放大电路原理一、填空题1、BJT放大电路的三种基本组态中，_共集________组态带负载能力强，_共基____________组态频率响应好，__共射___________组态有倒相作用，__共集___________组态向信号源索取的电流小。2、多级放大电路的对数增益等于其各级对数增益的_之和______。3、BJT放大电路的三种组态是___共射__________、___共基__________、____共集_________。4、影响放大电路工作点稳定的主要原因是___温度变化__________。5、三极管___共集_________组态的放大电路具有输入电阻高、输出电阻低的特点。6、放大电路最常用的基本分析方法，就是__图解法________和_微变等效电路法___________。7、共集电极放大电路又称为___射极输出器或射随器_________。8、多级放大电路常用的耦合方式有三种：即___阻容耦合_________、__直接耦合__________、___变压器耦合_________。9、放大电路的三种基本组态中，__共射___________组态既具有电压放大能力又具有电流放大能力，___共集__________只具有电流放大能力，__共基___________组态只具有电压放大能力。10、放大的本质首先是实现_能量_____的控制；所谓放大作用，其放大的对象是_变化量_____。11、产生零点漂移的主要原因是放大器件的参数受__温度_______的影响而发生波动，导致放大电路的__静态工作点________不稳定。12、输出电压离开零点，缓慢地发生不规则的变化，这种现象称为__零点漂移_______。二、选择题1、关于BJT放大电路中的静态工作点（简称Q点），下列说法中不正确的是（D）。A．Q点过高会产生饱和失真B．Q点过低会产生截止失真C．导致Q点不稳定的主要原因是温度变化D．Q点可采用微变等效电路法求得2、双极型三极管放大电路中，输入电阻最大的是___B________电路。A．共发射极B．共集电极C．共基极D．不能确定3、晶体管放大电路中，高频特性最好的电路是（D）。A.共射电路 B.共集电路 C.共源电路 D.共基电路4、有两个放大倍数（电路相同，采用同一晶体管）相同，输入和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大，在负载开路的条件下测得A的输出电压小，这说明A的（B）。A．输入电阻大B．输入电阻小C．输出电阻大D．输出电阻小5、多极放大电路的增益是（B）、输入电阻是（A）、输出电阻是（C）。A．由第一级确定B.由各级共同确定C.由末级电路确定6、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入3K的负载电阻的输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为（C）A．10KB．2KC1KD7、放大电路产生零点漂移的主要原因是（A）。A．环境温度变化引起参数变化B．放大倍数太大C．晶体管的噪声太大D．外界存在干扰源8、在多级放大电路常见的三种耦合方式中选择合适者：（本题可多选）（1）要求各级静态工作点互不影响，可选用（A,C）。（2）要求能放大直流信号，可选用（B）。（3）要求能放大高频交流信号，可选用（A,B）。（4）要求电路的温漂小，可选用（A,C）。（5）为了实现阻抗交换，使信号与负载间有较好的耦合，应采用（C）。A．阻容耦合B．直接耦合C．变压器耦合9、用微变等效电路法分析放大电路（B）A．只能分析静态工作点B.只能分析动态参数C．既可分析静态，也能分析动态10、在下列电路中输入电阻最大的电路是（B）；既能放大电流，又能放大电压的电路是（C）。A．共基放大电路B．共集放大电路C．共射放大电路11、对于基本共射放大电路，如下图，试判断某一参数变化时放大电路动态性能的变化情况,选择正确答案填入空格（1）减小时，输入电阻_B____。（2）增大时，输出电阻____A_。（3）信号源内阻增大时，输入电阻___C___。（4）信号源远内阻减小时，电压放大倍数__A____。（5）负载电阻增大时，电压放大倍数__A___；（6）负载电阻减小时，输出电阻Ro____C__;(7)若Rb减小，则静态的将__A____，将__B__电压放大倍数将__A____。(8)若换一个值较小的晶体管，则静态的将___C__。(9)增大时，将_A_____。(10)增大时，将__B____。(11)增大时，将__C____。(12)增大时，将__C____。A.增大B.减小C.不变12、由NPN晶体管组成的基本放大电路，如图：输出电压波形出现了顶部削平的失真，则：（1）这种失真是___B______A.饱和失真B.截止失真C.交越失真D.频率失真。（2）为了消除这种失真，应___D_____A．减小集电极电阻B.改换小的管子C.增大基极偏置电阻RbD．减小基极偏置电阻Rb,E.减小电源电压。13、由PNP晶体管组成的基本放大电路，如图：电压波形出现了顶部削平的失真:则(1)这种失真是___A______A.饱和失真B.截止失真C交越失真D频率失真。（2）为了消除这种失真，应___A，B，C______A．减小集电极电阻B.改换小的管子C增大基极偏置电阻RbD.减小基极偏置电阻RbE.减小电源电压。14、如下图，选择正确答案填空（1）要使静态工作电流减小，则应_A_____。（2）在适当范围内增大，则||_B_____，_A_____，_C_____。（3)在适当范围内增大，则||_C_____，__C____，_C_____。(4)从输出端开路，到接上，静态工作点将_C_____，_B_____，（设静态工作点偏低）(5)减小时，直流负载线斜率__C____。(6)减小时，直流负载线斜率__A____。A.增大B.减小C.不变(7)若=10V,=4，=6，=，=2，、足够大，设则:①Vi=0，管压降大约是__B____（A．4VB．C7VD5V)②使管子由50改为100，则|是__A__________（A.约为原来的2倍B.约为原来的C.基本不变D约为原来的4倍）③保持=50不变，将由改为，则||_C_____。（A约为原来的2倍B约为原来的C基本不变D约为原来的4倍E约为原来的）15、两级放大电路=-40，=-50，若输入电压,则输出电压为_C_____A．-200mV三、判断题1、试判断图示各电路能否放大交流电压信号（能放大的√，不能正常放大的画×）。√××2、测得某些电路中几个三极管各极的电位如下图所示，试判断各三极管晶体管分别工作在截止区、放大区还是饱和区。放大截止饱和放大3、判断三极管的工作状态（放大、截止、饱和）。（6分）(a)放大(b)截止4、判断图示电路是否有信号放大作用（用“√”，“×”表示。每图3分，共12分）(a)×