微电子学技术调研报告范本

微电子前沿技术报告1张磊微电子学技术调研报告摘要：介绍微电子学的进展历史、产业现状，及将来的进展趋势和必需连续摩尔定律。引言起来的一门的技术。微电子技术包括系统电路设计、器件物理、工艺技术、材料制备、自动测试以及封装、组装等一系列特地的技术，微电子技术是微电子学中的各项工艺技术的总和。微电子技术的核石油、钢铁为代表的传统产业，因此，集成电路产业已成为改造传统产业，奔向数字时代的强大引擎。现代经济进展的数据说明，每l～210100元的GDP增长。估量将来1015%的速度增长，20236000～8000成为经济进展的命脉和国际竞争的筹码。然而，摩尔定律进展至今，术为实现集成电路微型化供给了方向。微电子学技术的进展1956建立在以集成电路为核心的各种半导体器件根底上的高电子技术。1959工作速度快。代的进展过程。集成电路的诞生，使电子技术消灭了划时代的革命，它是现代电子技术和计算机进展的根底，也是微电子技术进展的标志。10010的集成电路称为小规模集成电路；而将元件数在100100010100门数有100─100000个元件的称大规模集成电路LS，门数超过500010万个的则称超大规模集成电〔VLS。1952上，从而构成一块具有预定功能的电路。19584的通路。同年，另一家美国著名的仙童电子公司也宣称研制成功集成电路。由该公司赫尔尼等人所制造的一整套制作微型晶体管的工艺室研制试验阶段转入工业生产阶段。1959路生产线。1962这预示着第三代电子器件已正式登上电子学舞台。片为1.25毫米见方。60年月初，国际上消灭的集成电路产品，每1001967100019761万多个晶体管；进入80管的大规模集成电路已经很普遍了，并且正在超大规模集成电路发展。如今，已消灭属于第五代的产品，在不到50200微电子技术及其特点微电子技术一般是将半导体材料置于超净环境中,通过极精细的路技术。有人直接称集成电路技术为微电子技术,也有人称芯片技术为微电子技术。微电子产品的特点是尺寸小、重量轻、耗电少、牢靠集成电路大生产技术的加工尺寸为0.25微米(相当于一根头发直径的千分之2.54GDRAM存贮器的加工精度为0.15微米,芯片尺寸为34毫米×29毫米(相当一块矩形手表的大小),由88亿个元1.6万页报纸,假设是8版的日报,一块这样的存贮器就可存贮5年半的报纸,重量却仅有几克。集成电路的功耗为微瓦级,开关能量(速度×功耗)已到达0.005微微焦耳,这比人脑神经活动一次所需能量还低40用特别工艺制造的固体集成产品,其牢靠性可达宇航级,失效率可低到10-10ö元件·小时。假设依据确定值计算,寿命已达112万年。这比人脑神经细胞的平均失效率还低1在两方面:一是由原材料加工到成为产品,价值大幅度提高;二是应用后价值的增加。集成电路的进展趋势统化和关联性的态势。器件特征尺寸不断缩小1965182～3缩小的原则，同时促进了其它工艺参数的提高。估量在将来的10～15CMOS100nm50nm2023系统集成芯片随着集成电路技术的持续进展，不同类型的集成电路相互镶嵌，已形成了各种嵌入式系统和片上系统(SoC)技术。也就是说，在实现系统集成在一个芯片上，从而完成信息的加工与处理功能。SoC作为系统级集成电路，它可在单一芯片上实现信号采集、转换、存储、处理和I/O等功能，它将数字电路、存储器、MPU、MCU、DSP等集成在一块芯片上，从而实现一个完整的系统功能。SoC以IP4以系统芯片为特色的信息产业革命。集成电路进展的关键技术按目前状况推想，15年后，半导体上一个实体的栅长将只有9nm，这就需要更微细且准确的技术突破，这首先会集中在生产材料列而成的微小圆柱体，比现在的硅晶体管小100倍，而且不用对他筒状，可形成单层构造—单壁碳纳米管或多层构造—多层碳纳米管。碳纳米管晶体管相当于由来自碳纳米管与金电极之间的接触电Rc和碳纳米管本身的电阻RNTRNT将会随着栅压而变化。碳纳米管晶体管转移特性p沟道MOSFET大，纳米管内的空穴渐渐被耗尽〔相当于被正电场排开〕，纳米管传统场效应晶体管的角色。碳纳米管晶体管输出特性碳纳米管晶体管完全有力气实现传统的MOS管。碳纳米管的开关特性管中的电流能够在外加电场的把握下实现从“开启”到“关闭”或相反的转变。这正是碳纳米管能够作为场效应晶体管沟道的物理根底MOS原理。一步提高，这也是作为沟道的碳纳