模拟电子技术教学案

学校

教案

2011〜2012学年第二学期

机电工程学院

学院（系、部）

教研室（实验电气工程

室）

模拟电子技术

课程名称

授课班级

主讲教师

职称

使用教材

泰州师范高等专科学校

二O一二年二月

模拟电子技术课程教案

第1讲

［课程类别］理论课

［授课题目］

1.1半导体基础知识

［教学目的与要求］

1.了解PN结的形成；

2.理解PN结的单向导电性。

［教学重点与难点］

重点：PN结的单向导电性；

难点：1.掺杂半导体中的多子和少子的概念；

2.PN结的形成；

3.半导体的导电机理：两种载流子参与导电；

［教具和媒体使用］多媒体课件。

［教学方法］讲授法、问题教学法。

［教学时数］2学时。

［教学过程］

导入：

介绍日常生活中由半导体器件构成的物品。

新授:

一、半导体基本概念

1'半导体及其导电性能

根据物体的导电能力的不同，电工材料可分为三类：导体、半导体和绝缘体。

半导体可以定义为导电性能介于导体和绝缘体之间的电工材料，半导体的电阻率为

103〜109Q・cm。典型的半导体有珪Si和错Ge以及碑化钱GaAs等。

半导体的导电能力在不同的条件下有很大的差别：当受外界热和光的作用时，它的

导电能力明显变化；往纯净的半导体中掺入某些特定的杂质元素时，会使它的导电能力

具有可控性，这些特殊的性质决定了半导体可以制成各种器件。

2、本征半导体的结构及其导电性能

本征半导体是纯净的、没有结构缺陷的半导体单晶。制造半导体器件的半导体材料

的纯度要达到99.9999999%，常称为“九个9”，它在物理结构上为共价键、呈单晶体

形态。在热力学温度零度和没有外界激发时，本征半导体不导电。

3、半导体的本征激发与复合现象

当导体处于热力学温度0K时，导体中没有自由电子。当温度升高或受到光的照射

时，价电子能量增高，有的价电子可以挣脱原子核的束缚而参与导电，成为自由电子。

这一现象称为本征激发（也称热激发）。因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对

出现的，称为电子空穴对。

游离的部分自由电子也可能回到空穴中去，称为篆金。

在一定温度下本征激发和复合会达到动态平衡，此时，载流子浓度一定，且自由电

子数和空穴数相等。

4'半导体的导电机理

自由电子的定向运动形成了电子电流，空穴的定向运动也可形成空穴电流，因此，

在半导体中有自由电子和空穴两种承载电流的粒子（即载流子），这是半导体的特殊性

质。空穴导电的实质是：相邻原子中的价电子（共价键中的束缚电子）依次填补空穴而

形成电流。由于电子带负电，而电子的运动与空穴的运动方向相反，因此认为空穴带正

电。

5、杂质半导体

掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体°杂质半导体是半导体器件的基本材料。在

本征半导体中掺入五价元素（如磷），就形成N型（电子型）半导体；掺入三价元素（如

硼、钱、锢等）就形成P型（空穴型）半导体。杂质半导体的导电性能与其掺杂浓度和

温度有关，掺杂浓度越大、温度越高，其导电能力越强。

在N型半导体中，电子是多数载流子，空穴是少数截流子。

多子（自由电子）的数量=正离子数+少子（空穴）的数量

在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。

多子（空穴）的数量=负离子数+少子（自由电子）的数量

二、PN结的形成及其单向导电性

1、PN结的形成

半导体中的载流子有两种有序运动:载流子在浓度差作用下的扩散运动和电场作用

下的漂移运动。

PN结的形成：在同一块半导体上形成P型和N型半导体区域，在这两个区域的交界

处，当多子扩散与少子漂移达到动态平衡时，空间电荷区（亦称为耗尽层或势垒区）的

宽度基本上稳定下来，PN结就形成了。

2、PN结的单相导电性

当P区的电位高于N区的电位时，称为加正向电压（或称为正向偏置），此时，PN

结导通，呈现低电阻，流过mA级电流，相当于开关闭合；

当N区的电位高于P区的电位时，称为加反向电压（或称为反向偏置），此时，PN

结截止，呈现高电阻，流过“A级电流，相当于开关断开。

PN结是半导体的基本结构单元，其基本特性是单向导电性：即当外加电压极性不同

时，PN结表现出截然不同的导电性能。

PN结的单向导电性:PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流；

PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。

PN结的反向击穿特性:当PN结的反向电压增大到一定值时，反向电流随电压数值

的增加而急剧增大。

PN结的反向击穿有两类：齐纳击穿和雪崩击穿。无论发生哪种击穿，若对其电流不

加以限制，都可能造成PN结的永久性损坏。

2、PN结温度特性

当温度升高时，PN结的反向电流增大，正向导通电压减小，这也是半导体器件热稳

定性差的主要原因。

3、PN结电容效应

PN结具有一定的电容效应，它由两方面的因素决定：一是势垒电容金，二是扩散

电容G，它们均为非线性电容。

*势垒电容是耗尽层变化所等效的电容。势垒电容与PN结的面积、空间电荷区的宽

度和外加电压等因素有关。

扩散电容是扩散区内电荷的积累和释放所等效的电容。扩散电容与PN结正向电流

和温度等因素有关。

PN结电容由势垒电容和扩散电容组成。PN结正向偏置时，以扩散电容为主；反向

偏置时以势垒电容为主。只有在信号频率较高时，才考虑结电容的作用。

作业:

1.复习PN结的形成过程；

2.预习下一小节“半导体二极管”相关内容。

［教学反思］

模拟电子技术课程教案

第2讲

［课程类别］理论课

［授课题目］

1.1半导体二极管

1.2特殊二极管

［教学目的与要求］

1.掌握二极管的特性和主要参数；

2.掌握稳压管的工作原理；

3.了解发光二极管、光敏二极管等特殊二极管的功能和用途。

［教学重点与难点］

重点：1.二极管的伏安特性、单向导电性及等效电路；

2,稳压管稳压原理及简单稳压应用电路；

3.二极管的箝位、限幅和小信号应用举例。

难点：1.二极管在电路中导通与否的判断方法；

2,稳压管稳压原理

［教具和媒体使用］多媒体课件。

［教学方法］讲授法、问题教学法。

［教学时数］2学时。

［教学过程］

导入：

思考：P型和N型半导体中，多子或少子各指什么？

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思考：PN结是如何形成的？

新授:

-、二极管的特性和主要参数

1'半导体二极管的几种常见结构及其应用场合

在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分为点接触型、面

接触型和平面型三大类。

点接触型二极管PN结面积小，结电容小，常用于检波和变频等高频电路；

面接触型二极管PN结面积大，结电容大，用于工频大电流整流电路；

平面型二极管PN结面积可大可小，PN结面积大的，主要用于功率整流；结面积小

的可作为数字脉冲电路中的开关管。

2、二极管的伏安特性

半导体二极管的伏安特性曲线如P5图1-10所示，处于第一象限的是正向伏安特性

曲线，处于第三象限的是反向伏安特性曲线。

1)正向特性：当，＞0，即处于正向特性区域，正向区又分为两段：

(1)当0〈如时，正向电流为零，如称为死区电压或开启电压。

(2)当/＞偏时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。

2)反向特性：当F＜0时，即处于反向特性区域，反向区也分两个区域：

(1)当陈＜时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的

反向电流也称反向饱和电流/sat。

(2)当代以时，反向电流急剧增加，除称为反向击穿电压。

从击穿的机理上看，硅二极管若|"R|27V时，主要是雪崩击穿；若IBRW4V则

主要是齐纳击穿，当在4V〜7V之间两种击穿都有，有可能获得零温度系数点。

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3、温度对二极管伏安特性的影响

温度对二极管的性能有较大的影响，温度升高时，反向电流将呈指数规律增加，珪

二极管温度每增加8℃，反向电流将约增加一倍；错二极管温度每增加12℃，反向电流

大约增加一倍。

另外，温度升高时，二极管的正向压降将减小，每增加1℃，正向压降保大约减小

2mV，即具有负的温度系数。

4、二极管的等效电路（或称为等效模型）

1）理想模型：即正向偏置时管压降为0，导通电阻为0；反向偏置时，电流为0，

电阻为8。适用于信号电压远大于二极管压降时的近似分析。

2）简化电路模型：是根据二极管伏安特性曲线近似建立的模型，它用两段直线逼

近伏安特性，即正向导通时压降为一个常量Uon；截止时反向电流为0。

3）小信号电路模型：即在微小变化范围内，将二极管近似看成线性器件而将它等

效为一个动态电阻n。这种模型仅限于用来计算叠加在直流工作点Q上的微小电压或电

流变化时的响应。

5、二极管的主要参数

1）最大整流电流h:二极管长期工作允许通过的最大正向平均电流。在规定的散

热条件下）二极管正向平均电流若超过此值，则会因结温过高而烧坏。

2）最高反向工作电压如：二极管工作时允许外加的最大反向电压。若超过此值，

则二极管可能因反向击穿而损坏。一般取决值的一半。

3）电流h:二极管未击穿时的反向电流。对温度敏感。人越小，则二极管的单向

导电性越好。

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4）最高工作频率A:二极管正常工作的上限频率。若超过此值，会因结电容的作

用而影响其单向导电性。6、稳压二极管（稳压管）及其伏安特性

二、稳压管

稳压管是一种特殊的面接触型半导体二极管，通过反向击穿特性实现稳压作用。稳

压管的伏安特性与普通二极管类似，其正向特性为指数曲线；当外加反压的数值增大到

一定程度时则发生击穿，击穿曲线很陡，几乎平行于纵轴＞当电流在一定范围内时，稳

压管表现出很好的稳压特性。

1、稳压管等效电路

稳压管等效电路由两条并联支路构成：

①加正向电压以及加反向电压而未击穿时，与普通硅管的特性相同；

②加反向电压且击穿后，相当于理想二极管、电压源反和动态电阻rz的串联。如

P7图1-11所示。

2、稳压管的主要参数

1）稳定电压以：规定电流下稳压管的反向击穿电压。

2）最大稳定工作电流TZMAX和最小稳定工作电流/加、：稳压管的最大稳定工作电流取

决于京大耗散功率，即Plxcs.=Ukhas.,而/zmin对应"min1若II.V/znin，则不能稳压。

3）额定功耗用：为1=4/ZMAX»超过此值1管子会因结温升太高而烧坏。

4）动态电阻n:n＞其概念与一般二极管的动态电阻相同，只不过稳压

二极管的动态电阻是从它的反向特性上求取的。腹愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡，

稳压效果愈好。

5）温度系数a:温度的变化将使必改变，在稳压管中，当I切〉7V时，〃具有正

温度系数，反向击穿是雪崩击穿；当I血＜4V时，〃具有负温度系数，反向击穿是齐

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纳击穿；当4V<I向<7V时，稳压管可以获得接近零的温度系数。这样的稳压二极管

可以作为标准稳压管使用。9、稳压管稳压电路

稳压二极管在工作时应反接，并串入一只电阻。电阻有两个作用：

一是起限流作用，以保护稳压管；

二是当输入电压或负载电流变化时，通过该电阻上电压降的变化，取出误差信号以

调节稳压管的工作电流，从而起到稳压作用。

三、其他特殊二极管

如上节利用PN结击穿时的特性可制成稳压二极管，利用发光材料还可制成发光二

极管，利用PN结的光敏特性可制成光电二极管，等等。

作业:教材pl9习题4、5、6、7、8。

［教学反思］

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模拟电子技术课程教案

第3讲

［课程类别］理论课

［授课题目］

1.4晶体管

［教学目的与要求］

1.理解晶体管的电流分配及放大原理；

2.掌握晶体管的输入输出特性；

3,熟悉晶体管的主要参数。

［教学重点与难点］

重点：1.晶体管电流放大原理及其电流分配关系式；

2.晶体管的输入、输出特性；

3.晶体管三种工作状态的判断方法。

难点：1.晶体管放大原理及电流分配关系式；

2.晶体管的特性曲线的理解。

［教具和媒体使用］多媒体课件。

［教学方法］讲授法、问题教学法。

［教学时数］2学时。

［教学过程］

导入：

思考：温度对二极管伏安特性的影响主要体现在什么区域？

思考：稳压管是利用二极管的什么特性来稳定电压的？

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新授:

一、晶体管的主要类型和应用场合

双极型晶体管BJT（简称晶体管）是通过一定的工艺，将两个PN结接合在一起而构

成的器件，是放大电路的核心元件，它能控制能量的转换，将输入的任何微小变化不失

真地放大输出，放大的对象是变化量。

BJT常见外形有四种，分别应用于小功率、中功率或大功率，高频或低频等不同场

合。

二、BJT的电流分配及放大原理

1•BJT具有放大作用的内部条件和外部条件

1）BJT的内部条件为：

结构：BJT有三个区（发射区、集电区和基区）、两个PN结（发射结和集电结）、三

个电极（发射极、集电极和基极）组成；

制造工艺：并且发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度'基区厚度很小。

2）BJT放大的外部条件为：发射结正偏，集电结反偏。

2•BJT的电流放大作用及电流分配关系

晶体管具有电流放大作用。当发射结正向偏置而集电结反向偏置时，从发射区注入

到基区的非平衡少子中仅有很少部分与基区的多子复合，形成基极电流，而大部分在集

电结外电场作用下形成漂移电流入，体现出人对的人控制作用。此时，可将A看成电

流入控制的电流源。

三个重要的电流分配关系式：

k=7B+k

人=£/B+TCEO%8/B

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Ic—4/A+ABO%ah.

3•晶体管的输入特性和榆出特性

晶体管的输入特性和输出特性表明各电极之间电流与电压的关系。现以共射电路为

例说明。

1）共射输入特性：f（ZAF.）IVcE=#ttj如P14图1T8所示。输入特性曲线分为三

个区：死区、非线性区和线性区。其中汰E=0V的那一条相当于发射结的正向特性曲线。

当KE21V时，特性曲线将会向右稍微移动一些。但让E再增加时，曲线右移很不明显。

曲线的右移是三极管内部反馈所致，右移不明显说明内部反馈很小。

2）共射输出特性：ic—f（汰E）I1K如P14图1T9所示,它是以血为参变量的

一族特性曲线。对于其中某一条曲线，当/E=0V时，兀=0；当位E微微增大时，人主要由

&E决定；当的增加到使集电结反偏电压较大时，特性曲线进入与出：轴基本平行的区域

（这与输入特性曲线随ZXE增大而右移的原因是一致的）。因此，输出特性曲线可以分为

三个区域：饱和区、截止区和放大区。

3）晶体管工作在三种不同工作区外部的条件和特点

工作状态NPN型PNP型特点

E结、C结均反偏E结、C结均反偏

截止状态7c心0

VB<VE、VB<VCVB>VE、VB〉VC

E结正偏、C结均反偏E结正偏、C结均反偏

放大状态k26h

Vc>VB>VEVc<VB<VE

E结、C结均正偏E结、C结均正偏

饱和状态VCE=VCES

VB>VE'VB>VCVB<VE'VB<VC

三、晶体管的主要参数

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1•直流参数

(1)共射直流电流放大系数：1=(A—Aw)/I^IdR|VcE=const»।在放大区基

本不变。

(2)共基直流放大系数：b=(A-ABO)/IdR

显然万与.之间有如下关系：出=人/人=.78/(1+1)人=1/(1+1)(3)穿透电流加：

届=(1+1)人B0；式中向)相当于集电结的反向饱和电流。

2•交流参数

(1)共射交流电流放大系数8:户△人/A/BI"CE=const,在放大区£值基本不变。

(2)共基交流放大系数Q:^AA/A/E|"CB=const

当人BO和TCEO很小时，。ga、By/3，可以不加区分。

(3)特征频率并：三极管的/?值不仅与工作电流有关，而且与工作频率有关。由于

结电容的影响，当信号频率增加时，三极管的p将会下降。当p下降到1时所对应的

频率称为特征频率。

3•极限参数和三极管的安全工作区

(1)最大集电极电流AM:当集电极电流增加时、p就要下降，当P值下降到线性

放大区月值的70〜30%时，所对应的集电极电流称为最大集电极电流AM。至于A值下

降多少，不同型号的三极管，不同的厂家的规定有所差别。可见，当人〉人时，并不表

示三极管会损坏。

(2)最大集电极耗散功率用：为=。对于确定型号的晶体管，外是一个定

值。当硅管的结温大于150℃、错管的结温大于70℃时，管子的特性明显变坏，甚至烧

坏。

(3)极间反向击穿电压：晶体管某一级开路时，另外两个电极之间所允许加的最

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高反向电压，即为极间反向击穿电压，超过此值管子会发生击穿现象。极间反向电压有

三种：及B0、%0和a0°由于各击穿电压中Zfa）值最小，选用时应使其大于放大电路的工

作电源。

（4）三极管的安全工作区：由R,、几和击穿电压淼BRXTO在输出特性曲线上可以确

定四个区：过损耗区、过电流区、击穿区和安全工作区。使用时应保证三极管工作在安

全区。如P28图1.29所示。

4.温度对晶体管特性及参数的影响

1）温度对反向饱和电流的影响：温度对TCBO和TCEO等由本征激发产生的平衡少子形

成的电流影响非常严重。

2）温度对输入特性的影响：当温度上升时，正向特性左移。当温度变化1℃时，“

大约下降2〜2.5mV，偏具有负温度系数。

3）温度对输出特性的影响温度升高时,由于/CEO和/3增大,且输入特性左移，导

致集电极电流入增大，输出特性上移。

总之，当温度升高时，入印和£增大，输入特性左移，最终导致集电极电流增大。

作业:教材pl9习题9-11。

［教学反思］

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模拟电子技术课程教案

第4讲

［课程类别］理论课

［授课题目］

2.1放大电路的基本概念

2.2共射固定偏置基本放大电路

［教学目的与要求］

1.了解放大电路的基本概念；

2.掌握共射固定偏置基本放大电路的电路组成和工作原理；

3.熟悉基本放大电路的静态分析方法、动态分析方法；

［教学重点与难点］

重点：1.放大的本质

2.放大电路工作原理及静态工作点的作用；

利用放大电路的组成原则判断放大电路能否正常工作；

难点：1.放大电路静态工作点的设置方法；

2.放大电路的微变等效电路的画法；

［教具和媒体使用］多媒体课件。

［教学方法］讲授法、问题教学法。

［教学时数］2学时。

［教学过程］

导入：

思考：晶体管的放大条件？

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新授:

一、放大的基本概念

在电子电路中，放大的对象是变化量，常用的测试信号是正弦波。放大电路放大的

本质是在输入信号的作用下>通过有源元件（BJT或FET）对直流电源的能量进行控制

和转换，使负载从电源中获得输出信号的能量，比信号源向放大电路提供的能量大的多。

因此，电子电路放大的基本特征是功率放大，表现为输出电压大于输入电压，输出电流

大于输入电流，或者二者兼而有之。

在放大电路中必须存在能够控制能量的元件，即有源元件，如BJT和FET等。放大

的前提是不失真，只有在不失真的情况下放大才有意义。

1、电路的主要性能指标

1）输入电阻飞：从输入端看进去的等效电阻，反映放大电路从信号源索取电流的大小。

2）输出电阻R。：从输出端看进去的等效输出信号源内阻，说明放大电路带负载的能力。

3）放大倍数（或增益）：输出变化量幅值与输入变化量幅值之比；或二者的正弦交流值

之比,用以衡量电路的放大能力。根据放大电路输入量和输出量为电压或电流的不同，

有四种不同的放大倍数：电压放大倍数、电流放大倍数、互阻放大倍数和互导放大倍数。

电压放大倍数定义为：°，；电流放大倍数定义为：人

4U。A,-.

互阻放大倍数定义为：/，；互导放大倍数定义为：

注意：放大倍数、输入电阻、输出电阻通常都是在正弦信号下的交流参数，只有在

放大电路处于放大状态且输出不失真的条件下才有意义。

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4)最大不失真输出电压：未产生截止失真和饱和失真时，最大输出信号的正弦有

效值或峰值。一般用有效值小I表示；也可以用峰一峰值ZP表示。

5)上限频率、下限频率和通频带：由于放大电路中存在电感、电容及半导体器件

结电容，在输入信号频率较低或较高时，放大倍数的幅值会下降并产生相移。一般，放

大电路只适合于放大某一特定频率范围内的信号。如P22图2-5所示。

上限频率加(或称为上限截止频率)：在信号频率下降到一定程度时，放大倍数的

数值等于中频段的0.707倍时的频率值即为上限频率。

下限频率九(或称为下限截止频率)：在信号频率上升到一定程度时，放大倍数的

数值等于中频段的0.707倍时的频率值即为上限频率。

通频带危：6=f«-A通频带越宽，表明放大电路对不同频率信号的适应能力越

强。

二、共射固定偏置基本放大电路

1、电路组成

阻容耦合共射放大电路：信号源与放大电路、放大电路与负载之间均通过耦合电容

相连。不能放大直流信号和变化缓慢的交流信号；只能放大某一频段范围的信号。如P22

图2-6所示。

放大电路中元件及作用：

(1)三极管T---起放大作用。

(2)集电极负载电阻今一一将变化的集电极电流转换为电压输出。

(3)偏置电路的，A——使三极管工作在放大区，丘还为输出提供能量。

(4)耦合电容G、&——输入电容61保证信号加到发射结'不影响发射结偏置。

输出电容62保证信号输送到负载，不影响集电结偏置。

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2、放大电路的组成原则

1)为了使BJT工作于放大区、FET工作于恒流区，必须给放大电路设置合适的静态

工作点，以保证放大电路不失真；

2)在输入回路加入Ui应能引起URV.的变化，从而引起血和/c的变化；

3)输出回路的接法应当使人尽可能多地流到负载相中去，或者说应将集电极电流

的变化转化为电压的变化送到输出端。

3、放大电路的基本分析

(1)静态工作点设置的必要性

对放大电路的基本要求一是不失真，二是能放大。只有保证在交流信号的整个周期

内三极管均处于放大状态，输出信号才不会产生失真。故需要设置合适的静态工作点。

Q点不仅电路是否会产生失真'而且影响放大电路几乎所有的动态参数。

(2)基本共射放大电路的工作原理及波形分析

对于基本放大电路，只有设置合适的静态工作点，使交流信号驮载在直流分量之上，

以保证晶体管在输入信号的整个周期内始终工作在放大状态，输出电压波形才不会产生

非线性失真。

(3)直流通路、交流通路及其画法

直流通路：在直流电源的作用下，直流电流流经的通路，用于求解静态工作点Q的

值。

直流通路的画法：电容视为开路、电感视为短路；信号源视为短路，但应保留内阻。

交流通路：在输入信号作用下，交流信号流经的通路，用于研究和求解动态参数。

交流通路的画法：耦合电容视为短路；无内阻直流电源视为短路；

(4)放大电路的静态分析和动态分析

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静态分析：就是求解静态工作点Q，在输入信号为零时，BJT或FET各电极间的电

流和电压就是Q点，可用估算法或图解法求解。

动态分析：就是求解各动态参数和分析输出波形。通常，利用三极管等效模型画出

放大电路在小信号作用下的微变等效电路，并进而计算输入电阻、输出电阻与电压放大

倍数；或利用图解法确定最大不失真输出电压的幅值、分析非线性失真等情况。

放大电路的分析应遵循“先静态，后动态”的原则，只有静态工作点合适，动态分

析才有意义；Q点不但影响电路输出信号是否失真，而且与动态参数密切相关。

(5)等效电路法求解静态工作点

即利用直流通路估算静态工作点UBW、/8。、/。和Ue。。其中硅管的UBEOMO.7V；

错管的，无须求解；其余三个参数的求解方法为：

A.列放大电路输入回路电压方程可求得(°;

B.根据放大区三极管电流方程=优BQ可求得；

C.列放大电路输出回路电压方程可求得“CEO；

【思考】：什么是微变等效信号？为什么分析动态特性采用微变等效信号？

【思考】：交流负载线是什么运动轨迹？与静态工作点的关系？

作业:教材p46习题1-4。

［教学反思］

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模拟电子技术课程教案

第5讲

［课程类别］理论课

［授课题目］

2.3共射分压偏置基本放大电路

［教学目的与要求］

1.掌握共射分压偏置基本放大电路的电路组成和工作原理；

2.掌握共射分压偏置基本放大电路的动、静态分析方法

［教学重点与难点］

重点：1.掌握共射分压偏置基本放大电路的电路结构特点；

2.分压式偏置电路Q的估算；

3.分压式偏置电路动态性能指标的计算；

难点：1.稳定静态工作点的原理；

2.分压式偏置电路微变等效电路画法及动态性能指标的计算。

［教具和媒体使用］多媒体课件。

［教学方法］讲授法、问题教学法。

［教学时数］2学时。

［教学过程］

导入：

1.静态等效电路的画法，静态点的估算方法，静态分析时的两个电压回路；

2.三极管的微变等效电路的画法；

3.静态工作点对放大器工作波形的影响。

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新授:

一、分压式偏置放大电路的原理

1）Q点稳定原理

分压偏置电路如P28图2-15所示。

稳定静态工作点的条件为:L〉〉八和％〉〉加；此时，

UBQ»—%—xVcc

%+&2，即当温度变化时，“32基本不变。

静态工作点的稳定过程为：

T（℃）t-'ctt）-0E=/ERet（因为“82基本不变）f3

Ic!«----------------------------------------------------------------------1

当温度降低时，各物理量向相反方向变化。这种将输出量（/c）通过一定的方式（利

用（将人的变化转化为电压0E的变化）引回到输入回路来影响输入量0BE的措施称为

反馈。可见，在Q点稳定过程中，（作为负反馈电阻起着重要的作用。典型静态工作点

稳定电路利用直流负反馈来稳定Q点。

二、分压式偏置电路的静态分析

分压式偏置电路的静态分析有两种方法：一是戴维南等效电路法；二是估算法，这

种方法的使用条件为L>>IBE，或者（1+尸）凡》&>.

三、分压式偏置电路的动态分析

动态分析时，射极旁路电容应看成短路。

画放大电路的微变等效电路时，要特别注意射极电阻有无被射极旁路电容旁路，正

确画出“交流地”的位置，根据实际电路进行计算即可。

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作业:习题6、7。

［教学反思］

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模拟电子技术课程教案

第6讲

［课程类别］理论课

［授课题目］

2.4共集电路

2.5共基放大电路及三种基本组态的比较

［教学目的与要求］

1.了解共集、共基放大电路的电路结构组成及工作原理；

2.熟悉共集、共基放大电路的分析方法和电路特点；

3.了解三种接法放大电路的特点及应用场合。

［教学重点与难点］

重点：1.共集、共基放大电路的静、动态特性的分析。

难点：1.共集放大电路微变等效电路分析法。

［教具和媒体使用］多媒体课件。

［教学方法］讲授法、问题教学法。

［教学时数］2学时。

［教学过程］

导入：

思考：共射分压偏置基本放大电路中，p28图2-15，电阻RBI和电容CE的作用？

新授：

—、共集放大电路的组成及静态和动态分析

1.共集放大电路的组成

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共集放大电路(亦称为射极输出器)如P33图2-24(a)所示，为了保证晶体管工

作在放大区，在晶体管的输入回路，凡、尺与取•共同确定合适的静态基极电流；晶体

管输出回路中，电源股，提供集电极电流和输出电流，并与此配合提供合适的管压降

lh.°

2.共集放大电路的静态分析

与共射电路静态分析方法基本相同：

(1)列放大电路输入方程可求得,阳；

(2)根据放大区三极管电流方程［£°="+,"即可求得及。；

(3)列放大电路输出方程可求得；

3•共集放大电路的动态分析

共集放大电路的动态分析方法与共射电路基本相同，只是由于共集放大电路的“交

流地”是集电极，一般习惯将“地”画在下方，所以微变等效电路的画法略有不同，如

图P33图2-24(c)

二、共基放大电路的组成及静态和动态分析

1•共基放大电路的静态分析

共基放大电路的静态分析与共射电路静态分析方法基本相同：

(1)列放大电路输入回路电压方程可求得及。；

,_/

(2)根据放大区三极管电流方程1+,可求得他；

(3)列放大电路输出回路电压方程可求得“CE。；

2•共基放大电路的动态分析

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共基放大电路的动态分析方法与共射电路基本相同，只是由于共基放大电路的“交

流地”是基极，一般习惯将“地”画在下方，所以微变等效电路的画法略有不同。如P37

图2-26所示。

三、三极管放大电路的基本接法

1.三种接法

三极管放大电路的基本接法亦称为基本组态，有共射（包括工作点稳定电路）、共

基和共集三种：

共射放大电路以发射极为公共端，通过对人的控制作用实现功率放大；

共集放大电路以集电极为公共端，通过九对八的控制作用实现功率放大；

共基放大电路以基极为公共端，通过九对人的控制作用实现功率放大。

2.三种接法的比较

共射放大电路既有电压放大作用又有电流放大作用，输入电阻居三种电路之中，输

出电阻较大，适用于一般放大；

共集放大电路只有电流放大作用而没有电压放大作用，因其输入电阻高而常做为多

级放大电路的输入级，因其输出电阻低而常做为多级放大电路的输出级，因其放大倍数

接近于1而用于信号的跟随；

共基放大电路只有电压放大作用而没有电流放大作用，输入电阻小，高频特性好，

适用于宽频带放大电路。

【课堂讨论】：三种放大电路组态的特点及应用场合。

作业:练习题8、9，请写出详细过程。

［教学反思］

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模拟电子技术课程教案

第7讲

［课程类别］理论课

［授课题目］

3.2绝缘棚型场效应晶体管

［教学目的与要求］

1,熟悉绝缘栅场效应管的结构特点、工作原理；

2.熟悉绝缘棚场效应管的伏安特性；

3.了解场效应管的主要参数。

［教学重点与难点］

重点：1.N沟道增强型MOS管的结构特点、工作原理；

2.N沟道增强型MOS管的伏安特性及其特性曲线。

难点：1.绝缘栅场效应管的结构特点、工作原理。

［教具和媒体使用］多媒体课件。

［教学方法］讲授法、问题教学法。

［教学时数］2学时。

［教学过程］

导入：

回忆：晶体管的工作原理和特性？

新授:

一、场效应管及其类型

场效应管FET是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导体器件。

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根据结构不同可分为两大类：结型场效应管（JFET）和金属一氧化物一半导体场效

应管（MOSFET简称MOS管）；每一类又有N沟道和P沟道两种类型，其中MOS管又可分

为增强型和耗尽型两种。

二、MOS管的结构、原理

1、N沟道增强型MOS管结构

N沟道增强型MOSFET基本上是一种左右对称的拓扑结构，它是在P型半导体上生成

一层Si02薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区，从N型区引出两个

电极，漏极D，和源极S。在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G。P型

半导体称为衬底，用符号B表示。因为这种MOS管在除=0V时4=0；只有当公〉公皿后

才会出现漏极电流，所以称为增强型MOS管。

2、N沟道增强型MOS管的工作原理

1）夹断区工作条件

a=0时，D与S之间是两个PN结反向串联，没有导电沟道，无论D与S之间加什么

极性的电压，漏极电流均接近于零；当及SW时，由栅极指向衬底方向的电场使

空穴向下移动，电子向上移动，在P型硅衬底的上表面形成耗尽层，仍然没有漏极电流。

1）可变电阻区工作条件

如〉&（th）时，栅极下P型半导体表面形成N型导电沟道（反型层），若D、S间加上

正向电压后可产生漏极电流To。若U）s<zxs-〃s（th），则沟道没夹断，对应不同的Ms'ds

间等效成不同阻值的电阻，此时'FET相当于压控电阻。

3）恒流区（或饱和区）工作条件

当ZAs=Ws-Ws（th）时，沟道预夹断；若Ut>s>U:,s-&（th）'则沟道已夹断，人仅仅决定

于Ms，而与。s无关。此时，人近似看成汰s控制的电流源，FET相当于压控流源。

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可见，对于N沟道增强型MOS管