半导体器件的机械标准化 第6-19部分：高温下封装翘曲度的测量方法和最大允许翘曲度 编制说明

《半导体器件的机械标准化第6-19部分：高温下封装翘曲度的测量方法和最大允许翘曲度》编制说明标准资料进行研究、分析，按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写》和GB/T1.2-2020《标准化工作导则第2部分：以ISO/IEC标广电计量检测集团等4家反馈的修改意见。编制组对修改意见进行分析和研究，其中技术性修改意见共4条，1条采纳，3条未采纳；编辑性修改意见共6条，4条升温下封装翘曲度的测量方法和最大允许翘曲度》，同时该标准按照GB/T准化工作导则第2部分：以ISO/IEC除编辑性修改外，标准的结构和内容与IEC60191-6-19:2010保持一致。本2）规范性引用文件：规范性引用了IEC60191-6半导体器件的机械标准化第6部分：表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则、IEC60191-6-2半规则1.50mm，1.27mm，1.00mm节距的焊球和焊柱阵列封装设计指南、IEC3）术语和定义：分别对封装翘曲度测量区域、凸翘曲度4）样品制备：规定了样品数量、样品测量前的预处理条件及预处理后的处5）测量：规定了封装翘曲度的测量温度条件、测量装6）升温下的最大允许封装翘曲度：规定了不同封装形式、封装7）封装翘曲度的推荐数据手册：规定了封装翘曲度的数据目前国内无关于升温下封装翘曲度的测量方法和最大允许翘曲度的相关国体集成电路封装研制生产对于封装翘曲度的管控要求，推动产品翘曲度问题改三、试验验证的分析、综述报告，技术经济论证，预期的经济效益、社会度测量，所选样品在85℃相对湿度85%的预处理条件下贮存160h后，进行常温下对角线曲线轮廓，测试两条对角曲线轮廓的最大正位移和负位移（见下图1），图（见下图2）并建立基准平面，测量距离基准面的最大正位移A及最大负位移B两条对角曲线轮廓的最大正位移和负位移（见下图3），ABMAX=0.0189mm、ABMIN=-0.0008mm、CDMAX属于凹翘曲度，提取待测样品的3D轮廓图（见下图4）并建立基准平面，测量距离基准面的最大正位移A及最大负位移B分别为0.0177mm、-0.0011mm，计算得出室温下封装翘曲度数值为0.0177+0.0011=0.0188mm，则此样品150℃下封装翘曲按照本标准所述的测量方法可测量BGA196N样品室温及150℃下的封装翘曲度情翘曲度方向的测量与计算方法的准确性，本标准所述测量方法符合实际使用需消除对外贸易技术壁垒。本标准等同采用IEC60191-6-19，明确焊球阵列封装（BGA）、密节距焊球阵列封装（FBGA）和密节距焊盘阵列封装（FLGA）升增强国际竞争力。本标准等同采用IEC60191-6-19，规定的升温下封装翘本标准等同采用IEC60191-6-19：2010Mechanicalstandardizationof度的测量方法和最大允许翘曲度，此标准与IEC60191-6-19标准的内容基本一五、以国际标准为基础的起草情况，以及是否合规引用或者采用国际国外本标准使用翻译法，本标准等同采用IEC60191-6-19：2010Mechanical2）SJ/Z9021.2-1987半导体器件的机械标准化第2部分：尺寸（IEC装外形图类型的划分以及编码体系（IEC1装外形的分类和编码体系（IEC601载带自动焊（TAB）的推荐值（IEC60半导体器件封装外形图绘制的一般规则焊球阵列（BGA）封装的尺寸测量方法列封装（FLGA）在升温下封装翘曲度的测量方法和最本标准为半导体器件的机械标准