物理学：半导体材料考试题库与答案

物理学:半导体材料考试题库与答案

（最新版）

1s问答题X射线衍射与光反射的区别？

正确答案：光反射光在两种物质分界面上改变传播方向又返回原来物质中

本题解析：光反射光在两种物质分界面上改变传播方向又返回原来物质中的

现象，叫做光的反射。

X射线的衍射X射线是一种波长很短（约为20~0.06埃）的电磁波，能穿

透一定厚度的物质，并能使荧光物质发光、照相乳胶感光、气体电离。在用高能

电子束轰击金属“靶”材产生X射线，它具有与靶中元素相对应的特定波长，称

为特征（或标识）X射线。

2、问答题珅化钱相对于硅的优点是什么？

正确答案：碑化钱具有比硅更高的电子迁移率，因此多数载流子也移动得

本题解析：神化钱具有比硅更高的电子迁移率，因此多数载流子也移动得比

硅中的更快。碎化钱也有减小寄生电容和信号损耗的特性。这些特性使得集成电

路的速度比由硅制成的电路更快。GaAs器件增进的信号速度允许它们在通信系

统中响应高频微波信号并精确地把它们转换成电信号。硅基半导体速度太慢以至

于不能响应微波频率。珅化钱的材料电阻率更大，这使得神化钱衬底上制造的半

导体器件之间很容易实现隔离，不会产生电学性能的损失。

3、问答题X射线的衍射和可见光的反射有什莫不同？

正确答案：1X射线的衍射仅有一定数量的入射角能引起衍射，而可见光

本题解析：1X射线的衍射仅有一定数量的入射角能引起衍射，而可见光可

在任意的入射角反射2X射线被晶体的原子平面衍射时，晶体表面，晶体内原子

平面都参与衍射作用，而可见光仅在物体表面产生反射。

4、单项选择题参杂硼元素的半导体是（）.

A.p型半导体

B.本征半导体

C.N型半导体

D.pn结

正确答案：A

本题解析：暂无解析

5、问答题描述热氧化过程。

正确答案：①干氧：Si+O2SiO2

氧化速度慢，氧化

本题解析：①干氧：Si+O2SiO2

氧化速度慢，氧化层干燥、致密，均匀性、重复性好，与光刻胶的粘附性好

②水汽氧化：Si+H2OSiO2（固）+H2（气）

氧化速度快，氧化层疏松，均匀性差，与光刻胶的粘附性差

③湿氧：氧气携带水汽，故既有Si与氧气反应，又有与水汽反应氧化速度、

氧化质量介于以上两种方法之间

6、填空题半导体材料的电阻率与()，以及载流子迁移率有关。

正确答案：载流子的浓度

本题解析：载流子的浓度

7、问答题例举并描述6种不同的塑料封装形式。陶瓷封装的两种主要封

装方法是什么？

正确答案：6种不同的塑料封装形式：

(1)双列直插封装

本题解析：6种不同的塑料封装形式：

(1)双列直插封装(DIP)：典型有两列插孔式管脚向下弯，穿过电路板上

的孔。

(2)单列直插封装(SIP):是DIP的替代品，用以减小集成电路组件本体所

占据电路板的空间。

(3)薄小型封装(TSOP)：广泛用于存储器和智能卡具有鸥翼型表面贴装技

术的管脚沿两边粘贴在电路板上相应的压点。

(4)西边形扁平封装(QFP)：是一种在外壳四边都有高密度分布的管脚表

面贴装组件。

(5)具有〕性管脚的塑封电极芯片载体(PLCC.

(6)无引线芯片载体(LCC.：是一种电极被管壳周围包起来以保持低刨面

的封装形式

8、问答题缺陷显示的意义？

正确答案：显示漩涡缺陷，检测体层错，位错，晶体原有的滑移，掺杂剂或

杂志

本题解析：显示漩涡缺陷，检测体层错，位错，晶体原有的滑移，掺杂剂或

杂志浓度周期性变化形成的电阻率条纹等。

9、问答题解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？

正确答案：光刻胶显影是指用化学显影液溶解由曝光造成的光刻胶的可溶

本题解析：光刻胶显影是指用化学显影液溶解由曝光造成的光刻胶的可溶解

区域，其主要目的是把掩膜版图形准确复制到光刻胶中。

10、问答题哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步

骤。

正确答案：多晶硅等离子刻蚀用的化学气体通常是氯气、漠气或二者混合

本题解析：多晶硅等离子刻蚀用的化学气体通常是氯气、浪气或二者混合气

体。刻蚀多晶硅的三步工艺：

1.预刻蚀，用于去除自然氧化层、硬的掩蔽层和表面污染物来获得均匀的刻

蚀。

2.接下来的是刻至终点的主刻蚀。这一步用来刻蚀掉大部分的多晶硅膜，并

不损伤栅氧化层和获得理想的各向异性的侧壁剖面。

3.最后一步是过刻蚀，用于去除刻蚀残留和剩余多晶硅，并保证对栅氧化层

的高选择比。这一步应避免在多晶硅周围的栅氧化层形成微槽。

II、单项选择题在晶体凝固过程中，存在温度梯度的是0.

A.上部和边缘部分

B.中部和边缘部分

C.上部和底部

D.底部和边缘部分

正确答案：B

本题解析：暂无解析

12、填空题目前测定硅单晶中的氧，碳含量最常用的方法()收法。

正确答案：红外吸

本题解析：红外吸

13、名词解释互连

正确答案：由导电材料，如铝、多晶硅和铜制成的连线将电信号传输到芯

本题解析：由导电材料，如铝、多晶硅和铜制成的连线将电信号传输到芯片

的不同部分。互连也被用于芯片上器件和器件整个封装之间的金属连接。

14、问答题例举并描述光刻中使用的两种曝光光源。

正确答案：汞灯，高压汞灯，电流通过装有债汞气体的管子产生电弧放电

本题解析：汞灯，高压汞灯，电流通过装有伍汞气体的管子产生电弧放电,

这个电弧发射出一个特征光谱，包括240纳米到500纳米之间有用的紫外辐射

准分子激光，准分子是不稳定分子是有惰性气体原子和卤素构成只存在与准稳定

激发态。

15、问答题金相显微镜的构成？

正确答案：由光字系统，照明系统，机械系统三部分组成。

本题解析：由光字系统，照明系统，机械系统三部分组成。

16、问答题说明水汽氧化的化学反应，水汽氧化与干氧氧化相比速度是快

还是慢？为什么？

正确答案：化学反应：Si+2H2O->SiO2+2H2<b

本题解析：化学反应：Si+2H2O->SiO2+2H2

水汽氧化与干氧氧化相比速度更快，因为水蒸气比氧气在二氧化硅中扩散更

快、溶解度更高。

17、单项选择题下列不属于非晶硅优点的是().

A.制备方法简单

B.工艺成本低

C.制备温度局

D.可大面积制备

正确答案：C

本题解析：暂无解析

18、问答题冷热探笔法测试硅单晶的原理是什么？

正确答案：温差电动势法，温差电流法.

本题解析：温差电动势法，温差电流法.

19、问答题将圆柱形的单晶硅锭制备成硅片需要哪些工艺流程？

正确答案：整形处理，切片，磨片和倒角，刻蚀，抛光，清洗，硅片评估

本题解析：整形处理，切片，磨片和倒角，刻蚀，抛光，清洗，硅片评估,

包装。

20、单项选择题通过()改变驱动力场，借以控制生长系统中的成核率,

这是晶体生长工艺中经常使用的方法。

A、温度场

B、磁场

C、重力场

D、电场

正确答案：A

本题解析：暂无解析

21、问答题简述光图定向的基本原理。

正确答案：当平行光入射到处理后的硅单晶上，形成反射再次反射光路上放

置一

本题解析：当平行光入射到处理后的硅单晶上，形成反射再次反射光路上放

置一光屏，先出晶体的光像。根据晶体反射光像的对称性以及光图中心的偏离角，

可以确定晶体的生长方向和晶体的晶向偏离角度。

22、问答题什么是无源元件？例举出两个无源元件的例子。什么是有源元

件？例举出两个有源元件的例子。

正确答案：无源元件：在不需要外加电源的条件下，就可以显示其特性的

本题解析：无源元件：在不需要外加电源的条件下，就可以显示其特性的电

子元件。这些元件无论如何和电源相连，都可以传输电流。如电阻，电容。

有源元件：内部有电源存在，不需要能量的来源而实行它特定的功能，而且

可以控制电流方向，可放大信号。如二极管，晶体管。

23、单项选择题下列不属于三氯氢硅性质的是（）。

A、无色透明

B、易燃易爆

C、不易挥发和水解

D、有刺激性气味

本题答案：C

本题解析：暂无解析

24、问答题简述悬浮区熔法检验硅多晶中硼、磷含量的原理.

正确答案：利用硅熔体中杂质的分凝效应和蒸发效应，在真空条件下，在

本题解析：利用硅熔体中杂质的分凝效应和蒸发效应，在真空条件下，在硅

棒上建立一个熔区，熔区温度为1410C0,并使之从一端移至另一端，以达到提

纯和控制杂质的目的。

25、问答题从微观上看，漩涡缺陷与错位缺陷有什么区别？

正确答案：漩涡缺陷：微观上漩涡条纹由大量的浅蚀坑组成。是条纹处出现

密集

本题解析：漩涡缺陷：微观上漩涡条纹由大量的浅蚀坑组成。是条纹处出现

密集的平底浅坑单晶或腐蚀小丘单晶。

位错缺陷：它属于线缺陷，一般称为位错线。位错线有一定的长度，它的两

端必须终止与晶体的表面上，也可以头尾自己相接构成位错环。

26、问答题硅片关键尺寸测量的主要工具是什么？

正确答案：硅片关键尺寸测量的主要工具是扫描电子显微镜（SEM）,

本题解析：硅片关键尺寸测量的主要工具是扫描电子显微镜（SEM）,它能

放大10万到30万倍，这明显高于光学显微镜，用扫描电子显微镜观测硅片的横

截面部分能提供缺陷的信息，常与其他分析技术结合使用，如EDX或FIB。

27、问答题例举得到半导体级硅的三个步骤。半导体级硅的纯度能达到多

少？

正确答案：第一步：用碳加热硅石来制备冶金级硅

第二步：

本题解析：第一步：用碳加热硅石来制备冶金级硅

第二步：通过化学反应将冶金级硅提纯以生成三氯硅烷

第三步：利用西门子方法，通过三氯硅烷和氢气反应来生产半导体级硅

纯度能达到99.99999999%

28、单项选择题光图定向法结果直观，操作（），误差（）。

A.简单较大

B.复杂较大

C.简单较小

D.复杂较小

正确答案：A

本题解析：暂无解析

29、问答题什么是外延层？为什么硅片上要使用外延层？

正确答案：外延层是指在硅的外延中以硅基片为籽晶生长一薄膜层，新的

本题解析：外延层是指在硅的外延中以硅基片为籽晶生长一薄膜层，新的外

延层会复制硅片的晶体结构，并且结构比原硅片更加规则。外延为器件设计者在

优化器件性能方面提供了很大的灵活性，例如可以控制外延层掺杂厚度、浓度、

轮廓，而这些因素与硅片衬底无关的，这种控制可以通过外延生长过程中的掺杂

来实现。外延层还可以减少CMOS器件中的闩锁效应。

30、问答题二氧化硅薄膜在集成电路中具有怎样的应用？

正确答案：①器件保护（避免划伤和污染），因sio2致密；

<br

本题解析：①器件保护（避免划伤和污染），因sio2致密；

②表面钝化（饱和悬挂键，降低界面态；需一定厚度，降低漏电流等）；

③用作绝缘介质和隔离（LOCOS,STI）如：隔离（如场氧，需要一定的厚

度）、

④绝缘栅（膜厚均匀，无电荷和杂质，需干氧氧化）、多层布线绝缘层、电

容介质等；

⑤选择性扩散掺杂的掩膜

31、单项选择题列多晶硅生长过程中需要通入鼠气做保护气的是（）.

A.加热

B.化料

C.晶体生长

D冷却

正确答案：B

本题解析：暂无解析

32、单项选择题如果半导体中存在多种杂质，在通常情况下，可以认为基

本上属于杂质饱和电离范围，其电阻率与杂质浓度的关系可近似表示为（）.

A.l/（NA-ND.eup

B.1/（NA-ND.eC.up/（NA-ND.e

D.l/(NA+ND.eup

正确答案:A

本题解析：暂无解析

33、单项选择题当晶体生长的较快，内土甘蜗中杂质量变少，晶体的电阻率

().

A.上升

B.下降

C不变

D.不确定

正确答案：A

本题解析：暂无解析

34、问答题解释扫描投影光刻机是怎样工作的？扫描投影光刻机努力解决

什么问题？

正确答案：扫描投影光刻机的概念是利用反射镜系统把有1：1图像的整

本题解析：扫描投影光刻机的概念是利用反射镜系统把有1：1图像的整个

掩膜图形投影到硅片表面，其原理是，紫外光线通过一个狭缝聚焦在硅片上，能

够获得均匀的光源，掩膜版和带胶硅片被放置在扫描架上，并且一致的通过窄紫

外光束对硅片上的光刻胶曝光由于发生扫描运动，掩膜版图像最终被光刻在硅片

表面。扫描光刻机主要挑战是制造良好的包括硅片上所有芯片的一倍掩膜版。

35、单项选择题制备单晶硅薄膜方面的主要工艺方法是()

A.汽-固

B.液-固

C.固-固

D.汽-液

正确答案：A

本题解析：暂无解析

36、问答题x射线性质都有哪些？

正确答案：感光作用，荧光作用，电离作用，穿透能力强。x射线的折射率

近视

本题解析：感光作用，荧光作用，电离作用，穿透能力强。x射线的折射率

近视于L衍射作用。

37、问答题什么是印刷电路板？

正确答案：印刷电路板(PCB.又称为底板或载体，用焊料将载有芯片

本题解析：印刷电路板(PCB.又称为底板或载体，用焊料将载有芯片的集成

电路块粘贴在板上的电路互连，同时使用连接作为其余产品的电子子系统的接口。

38、问答题例举在线参数测试的4个主要子系统。

正确答案：在线参数测试的4个主要子系统为：

(1)探针

本题解析：在线参数测试的4个主要子系统为：

(1)探针卡接口：是自动测试仪与待测器件之间的接口。

(2)硅片定位：为测试硅片，首先要确与探针接触的硅片的探针仪位置。

(3)测试仪器：高级集成电路需要能够在测试结构上快速、准确、重复地

测量亚微安级电流和微法级电容的自动测试设备，它控制测试过程

(4)作为网络主机或客户机的计算机：指导测试系统操作的计算机包括测

试软件算法、自动测试设备、用于硅片定位的探查控制软件、测试数据的保存和

控制、系统校准和故障诊断。

39、问答题解释投射电子能显微镜。

正确答案：TEM把加速和聚集的电子束投射到非常薄的样品上，电子与

本题解析：TEM把加速和聚集的电子束投射到非常薄的样品上，电子与样品

中的电子碰撞而电子与样品中的原子的碰撞而改变方向，从而产生立体角散射,

散射角的大小与样品的密度、厚度有关，因此可以形成明暗不同的影像。TEM是

惟一定量测量硅片上一些非常小特征尺寸的测量工具。

40、问答题晶半导体中的缺陷都有哪些？

正确答案：微观缺陷：点缺陷，残缺陷，杂志缺陷。

宏观缺陷：

本题解析：微观缺陷：点缺陷，残缺陷，杂志缺陷。

宏观缺陷：小角度晶界和系属结构，位错排与星形结构，杂质析出与夹杂物。

41、填空题当任何一种高速运动的()与一块金属物质相撞时，都会产生

X射线。

正确答案：带电粒子

本题解析：带电粒子

42、单项选择题下列不属于工业吸附要求的是()。

A.具有较大的内表面，吸附容量大

B.具有一定的机械强度，耐热冲击，耐腐蚀

C.不易得，昂贵

D.容易再生

正确答案：C

本题解析：暂无解析

43、问答题例举硅片制造厂房中的7种玷污源。

正确答案：硅片制造厂房中的七中沾污源：

(1)空气：净

本题解析：硅片制造厂房中的七中沾污源：

(1)空气：净化级别标定了净化间的空气质量级别，它是由净化室空气中

的颗粒尺寸和密度表征的；

(2)人：人是颗粒的产生者，人员持续不断的进出净化间，是净化间沾污

的最大来源；

(3)厂房：为了是半导体制造在一个超洁净的环境中进行，有必要采用系

统方法来控制净化间区域的输入和输出；

(4)水：需要大量高质量、超纯去离子水，城市用水含有大量的沾污以致

不能用于硅片生产。去离子水是硅片生产中用得最多的化学品

(5)工艺用化学品：为了保证成功的器件成品率和性能，半导体工艺所用

的液态化学品必须不含沾污；

(6)工艺气体：气体流经提纯器和气体过滤器以去除杂质和颗粒；

(7)生产设备：用来制造半导体硅片的生产设备是硅片生产中最大的颗粒

来源。

44、问答题伸缩振动与弯曲振动的频率哪个高？

正确答案：从振动频率和能量看，伸缩振动高。

本题解析：从振动频率和能量看，伸缩振动高。

45、问答题例举出硅片厂中使用的五种通用气体。

正确答案：氧气92)、氤气(Ar)、氮气(N2)、氢气(H2)

本题解析：氧气(02)、氨气(Ar)、氮气(N2)、氢气(H2)和氨气(HE.

46、问答题解释什么是暗场掩模板。

正确答案：暗场掩膜版是指一个掩膜版，它的石英版上大部分被貉覆盖，

本题解析：暗场掩膜版是指一个掩膜版，它的石英版上大部分被貉覆盖，并

且不透光。

47、问答题为什么电化学腐蚀会产生电位差？它的原因是什么？

正确答案：电化学腐蚀是指金属或半导体材料在电解质水溶液中所受到的腐

蚀,

本题解析：电化学腐蚀是指金属或半导体材料在电解质水溶液中所受到的腐

蚀，被腐蚀的半导体各个部分或区域之间存在电位差，构成正极和负极。电极电

位低是负极，电极电位高是正极，负极被腐蚀溶解。

48、问答题解释水的去离子化。在什么电阻率级别下水被认为已经去离子

化？

正确答案：用以制造去离子水的去离子化过程是指，用特制的离子交换树

本题解析：用以制造去离子水的去离子化过程是指，用特制的离子交换树脂

去除电活性盐类的离子。18Mw-cm电阻率级别下水被认为已经去离子化。

49、问答题什么是硅片的自然氧化层？由自然氧化层引起的三种问题是什

么？

正确答案：自然氧化层：如果曝露于室温下的空气或含溶解氧的去离子水

本题解析：自然氧化层如果曝露于室温下的空气或含溶解氧的去离子水中，

硅片的表面将被氧化。这一薄氧化层称为自然氧化层。硅片上最初的自然氧化层

生长始于潮湿，当硅片表面暴露在空气中时，一秒钟内就有几十层水分子吸附在

硅片上并渗透到硅表面，这引起硅表面甚至在室温下就发生氧化。自然氧化层引

起的问题是：

①将妨碍其他工艺步骤，如硅片上单晶薄膜的生长和超薄氧化层的生长。

②另一个问题在于金属导体的接触区，如果有氧化层的存在，将增加接触电

阻，减少甚至可能阻止电流流过。

③对半导体性能和可靠性有很大的影响

50、问答题描述净化间的舞厅式布局。

正确答案：净化间的舞厅式布局为大的制造间具有10000级的级别，

本题解析：净化间的舞厅式布局为大的制造间具有10000级的级别，层流工

作台则提供一个100级的生产环境。

51、问答题光电导衰退法分为哪几种?都有什么优点？

正确答案：可分为高频光电导和直流光电导；高频光电导的优点，无须切

本题解析：可分为高频光电导和直流光电导；高频光电导的优点，无须切割

成一定的几何形状，样品较少受到污染，测试方法简单，得到广泛应用。直流光

电带衰退法的优点，测量精度高。测量下限比高频光电衰退法低。

52、问答题离子源的目的是什么？最常用的离子源是什么？

正确答案：目的：使待注入的物质以带电粒子束的形式存在

本题解析：目的：使待注入的物质以带电粒子束的形式存在

最常用的源：Freeman离子源和Bernas离子源

53、单项选择题测量硅中氧浓度常用的方法是().

A.带电粒子活化法

B.熔化分析法

C.离子质谱法

D.红外光谱分析法

正确答案：D

本题解析：暂无解析

54、问答题解释铝已经被选择作为微芯片互连金属的原因。

正确答案：(1)铝与P型硅及高浓度N型硅均能形成低欧姆接触；＜b

本题解析：(1)铝与P型硅及高浓度N型硅均能形成低欧姆接触；

(2)电阻率低

(3)与SQ2粘附性强，无需粘附层—铝很容易和二氧化硅反应，加热

形成氧化铝；

(4)能单独作为金属化布线，工艺简单；

(5)能用电阻丝加热蒸发，工艺简单；

(6)铝互连线与内引线键合容易；

(7)能轻易淀积在硅片上，可用湿法刻蚀而不影响下层薄膜。综上所述，

在硅IC制造业中，铝和它的主要过程是兼容的，电阻低，可不加接触层、粘附

层和阻挡层等，工艺简单，产品价格低廉。

55、问答题从微观上看，漩涡缺陷与位错蚀坑有什么区别？

正确答案：漩涡缺陷是浅的平底坑，显微镜下呈白亮的芯，而位错蚀坑是深

的尖

本题解析：漩涡缺陷是浅的平底坑，显微镜下呈白亮的芯，而位错蚀坑是深

的尖底坑，显微镜下呈黑三角形。

56、单项选择题X射线定向法的误差可以控制在范围内，准确度高。()

A+10'

B+15'

C+20'

D+30'

正确答案：B

本题解析：暂无解析

57、填空题四探针法测试，C的大小取决于四探针的()和针距。

正确答案：排列方式

本题解析：排列方式

58、问答题例举并解释硅中固态杂质扩散的三个步骤。

正确答案：硅中固态杂质扩散的三个步骤：

(1)预淀积：

本题解析：硅中固态杂质扩散的三个步骤：

(1)预淀积：表面的杂质浓度浓度最高，并随着深度的加大而减小，从而

形成梯度。这种梯度使杂质剖面得以建立

(2)推进：这是个高温过程，用以使淀积的杂质穿过硅晶体，在硅片中形

成期望的结深

(3)激活：这时的温度要稍微提升一点，使杂质原子与晶格中的硅原子键

合形成替位式杂质。这个过程激活了杂质原子，改变了硅的电导率。

59、问答题叙述氮化硅的湿法化学去除工艺。

正确答案：去除氮化硅使用热磷酸进行湿法化学剥离掉的。这种酸槽一般

本题解析：去除氮化硅使用热磷酸进行湿法化学剥离掉的。这种酸槽一般始

终维持在160℃左右并对露出的氧化硅具有所希望的高选择比。用热磷酸去除

氮化硅是难以控制的，通过使用检控样片来进行定时操作。在曝露的氮化硅上常

常会形成一层氮氧化硅，因此在去除氮化硅前,需要再HF酸中进行短时间处理。

如果这一层氮氧化硅没有去掉，或许就不能均匀地去除氮化硅。

60、问答题为什么要采用LDD工艺？它是如何减小沟道漏电流的？

正确答案：沟道长度的缩短增加了源漏穿通的可能性，将引起不需要的漏

本题解析：沟道长度的缩短增加了源漏穿通的可能性，将引起不需要的漏电

流，所以需要采用LDD工艺。轻掺杂漏注入使珅和BF2这些较大质量的掺杂材

料使硅片的上表面成为非晶态。大质量材料和表面非晶态的结合有助于维持浅结,

从而减少源漏间的沟道漏电流效应。

61、问答题产生红外吸收的条件是什么？

正确答案：(1)振动频率与红外光谱段的某段频率相等。

(2

本题解析：（1）振动频率与红外光谱段的某段频率相等。

（2）偶极距的变化。

62、问答题立式炉系统的五部分是什么？例举并简单描述？

正确答案：工艺腔、硅片传输系统、气体分配系统、尾气系统、温控系统

本题解析：工艺腔、硅片传输系统、气体分配系统、尾气系统、温控系统

工艺腔是对硅片加热的场所，由垂直的石英罩钟、多区加热电阻丝和加热管

套组成硅片传输系统在工艺腔中装卸硅片，自动机械在片架台、炉台、装片台、

冷却台之间移动气体分配系统通过将正确的气体通到炉管中来维持炉中气氛控

制系统控制炉子所有操作，如工艺时间和温度控制、工艺步骤的顺序、气体种类、

气流速率、升降温速率、装卸硅片。

63、问答题什么是色相色谱法？

正确答案：以气体为流动相的柱色谱分离技术。

本题解析：以气体为流动相的柱色谱分离技术。

64、填空题测出的就是点接触外表面的导电类型。要求（），无氧化层，

清洁无油污。

正确答案：表面无反型层

本题解析：表面无反型层

65、单项选择题半导体工业所用的硅单晶（）是用CZ法生长的。

A.70%

B.80%

C.90%

D.60%

正确答案：C

本题解析：暂无解析

66、问答题定义刻蚀速率并描述它的计算公式。为什么希望有高的刻蚀速

率？

正确答案：刻蚀速率=4丁八（A/min）AT=去掉材料的厚度t

本题解析：刻蚀速率=4T/t（A/min）Z\T=去掉材料的厚度t=刻蚀所用的时

间高的刻蚀速率，可以通过精确控制刻蚀时间来控制刻蚀的厚度。

67、问答题描述曝光波长和图像分辨率之间的关系。

正确答案：减少曝光光源的波长对提高分辨率非常重要，波长的越小图像

本题解析：减少曝光光源的波长对提高分辨率非常重要，波长的越小图像的

分辨率就越高图像就越精确。

68、填空题非平衡载流子的寿命乙就是反映（）的参数。

正确答案：复合强弱

本题解析：复合强弱

69、单项选择题下列与硼氧复合体缺陷无关的是（）。

A、氧

B、硼

C、温度

D、湿度

正确答案：D

本题解析：暂无解析

70、问答题影响树脂再生的因素有哪些？

正确答案：1）再生剂的类型、强度、浓度、用量、流速、酸碱液与离子交

换树

本题解析：1）再生剂的类型、强度、浓度、用量、流速、酸碱液与离子交

换树脂接触的时间等；

2）终点PH值得大小；

3）离子交换树脂的分离、反洗结果、混合程度、清洁卫生等。

71、填空题氧和碳在硅晶体中都呈（）分布。

正确答案：螺旋纹状

本题解析：螺旋纹状

72、单项选择题硅的晶格结构和能带结构分别是（）.

A.金刚石型和直接禁带型

B.闪锌矿型和直接禁带型

C.金刚石型和间接禁带型

D.闪锌矿型和间接禁带型

正确答案：C

本题解析：暂无解析

73、填空题晶体中最邻近的两个平行晶面间的距离称为晶面间距，晶面指

数最低的晶面总是具有（）的晶面间距。

正确答案：最大

本题解析：最大

74、问答题光刻和刻蚀的目的是什么？

正确答案：光刻的目的是将电路图形转移到覆盖于硅片表面的光刻胶上，

本题解析：光刻的目的是将电路图形转移到覆盖于硅片表面的光刻胶上，而

刻蚀的目的是在硅片上无光刻胶保护的地方留下永久的图形。即将图形转移到硅

片表面。

75、问答题解释空气质量净化级别。

正确答案：净化级别标定了净化间的空气质量级别，它是由净化室空气中

本题解析：净化级别标定了净化间的空气质量级别，它是由净化室空气中的

颗粒尺寸和密度表征的。这一数字描绘了要怎样控制颗粒以减少颗粒玷污。净化

级别起源于美国联邦标准2009.如果净化间级别仅用颗粒数来说明，例如1级

净化间，则只接受1个0.5um的颗粒。这意味着每立方英尺中尺寸等于或大于

0.5um的颗粒最多允许一个。

76、问答题半导体单晶中的点缺陷包括什么？

正确答案：空位、填隙原子、络合体、外来原子。

本题解析：空位、填隙原子、络合体、外来原子。

77、问答题对净化间做一般性描述。

正确答案：净化间是硅片制造设备与外部环境隔离，免受诸如颗粒、金属

本题解析：净化间是硅片制造设备与外部环境隔离，免受诸如颗粒、金属、

有机分子和静电释放（ESD.的玷污。一般来讲，那意味着这些玷污在最先进测试

仪器的检测水平范围内都检测不到。净化间还意味着遵循广泛的规程和实践，以

确保用于半导体制造的硅片生产设施免受玷污。

78、单项选择题（）是影响硅器件成品率的一个重要因素，也是影响器件

性能的稳定性和可靠性的重要因素。

A.点缺陷

B.线缺陷

C.面缺陷

D.微缺陷

正确答案：D

本题解析：暂无解析

79、填空题（）是半导体单晶重要电学参数之一，它反映了补偿后的杂质

浓度，与半导体中的载流子浓度有直接关系。

正确答案：电阻率

本题解析：电阻率

80、问答题例举出传统装配的4个步骤。

正确答案：传统装配的4个步骤：1.背面减薄；2.分片；3.装架；

本题解析：传统装配的4个步骤：1.背面减薄；2.分片；3.装架；4.弓|线键合

81、问答题最通常的半导体材料是什么？该材料使用最普遍的原因是什么？

正确答案：最通常的半导体材料是硅。原因：

工硅的丰裕

本题解析：最通常的半导体材料是硅。原因：

L硅的丰裕度；

2.更高的融化温度允许更高的工艺容限；

3.更宽的工作温度范围；

4.氧化硅的自然生成.

82、问答题影响硅单晶电化学腐蚀速度的因素有哪些？

正确答案：腐蚀液的成分、电极电位、缓冲剂的影响、腐蚀处理的温度和搅

拌的

本题解析：腐蚀液的成分、电极电位、缓冲剂的影响、腐蚀处理的温度和搅

拌的影响、光照的影响。

83、问答题离子注入前一般需要先生长氧化层，其目的是什么？

正确答案：氧化层保护表面免污染，免注入损伤，控制注入温度。＜/p

本题解析：氧化层保护表面免污染，免注入损伤，控制注入温度。

84、单项选择题正常凝固是最宽熔区的区域提纯,在进行第一次熔化过后,

能不能进入第二次提纯这个阶段（）.

A、能

B、不能

C、不确定

D、有时可以，有时不可以

正确答案：A

本题解析：暂无解析

85、问答题例举出两种最广泛使用的集成电路封装材料。

正确答案：两种最广泛使用的集成电路封装材料是塑料封装和陶瓷封装。

本题解析：两种最广泛使用的集成电路封装材料是塑料封装和陶瓷封装。

86、问答题什么是结深？

正确答案：硅片中p型杂质和n型杂质相遇的深度被称为结深。

本题解析：硅片中p型杂质和n型杂质相遇的深度被称为结深。

87、问答题在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？

正确答案：一，将掩膜版图案转移到硅片表面顶层的光刻胶中

<br/

本题解析：一，将掩膜版图案转移到硅片表面顶层的光刻胶中

二，在后续工艺中，保护下面的材料

88、问答题为什么晶体管栅结构的形成是非常关键的工艺？更小的栅长会

引发什么问题？

正确答案：因来源:91考试网为它包括了最薄的栅氧化层的热生长以及多晶

硅栅的刻印和

本题解析：因为它包括了最薄的栅氧化层的热生长以及多晶硅栅的刻印和刻

蚀，而后者是整个集成电路工艺中物理尺度最小的结构。多晶硅栅的宽度通常是

整个硅片上最关键的CD线宽。

随着栅的宽度不断减少，栅结构(源漏间的硅区域)下的沟道长度也不断减

少。晶体管中沟道长度的减少增加了源漏间电荷穿通的可能性，并弓I起了不希望

的沟道漏电流。

89、填空题硅单晶的()是一个重要的基本电学参数。根据单晶制备时所

参杂的元素，它们是三价的还是五价的，可以将单晶化分为P型和N型两大类。

正确答案：导电类型

本题解析：导电类型

90、填空题快速腐蚀时一般不受光照影响，而慢速腐蚀时（）影响比较大。

正确答案：光照

本题解析：光照

91、问答题解释离子束扩展和空间电荷中和。

正确答案：由于电荷之间的相互排斥，所以一束仅包括正电荷的离子束本

本题解析：由于电荷之间的相互排斥，所以一束仅包括正电荷的离子束本身

是不稳定的，容易造成离子束的膨胀即离子束的直径在行进过程中不断的增大,

最终导致注入不均匀。离子束可以用二次电子中和离子的方法缓解，被称为空间

电荷中和

92、问答题给出半导体质量测量的定义。例出在集成电路制造中12种不

同的质量测量。

正确答案：半导体质量测量定义了硅片制造的规范要求，以确保满足器件

本题解析：半导体质量测量定义了硅片制造的规范要求，以确保满足器件的

性能和可靠性。集成电路制造中的12种不同的质量测量：

1.膜厚

2.方块电阻

3.膜应力

4.折射率

5.掺杂浓度

6.无图形表面缺陷

7.有图形表面缺陷

8.关键尺寸

9.台阶覆盖

10.套刻标记

11.电容-电压特性

12.接触的角度

93、填空题自然界存在的水（江水，河水，湖水）称为（）。

正确答案：天然水

本题解析：天然水

94、问答题离子注入后为什么要进行退火？

正确答案：推进，激活杂质，修复损伤。

本题解析：推进，激活杂质，修复损伤。

95、单项选择题尽量提高晶转可以改善晶体中杂质分布的径向均匀性，如

果晶转过高，会导致固液界面的形状（）。

A、形状太凹

B、形状太凸

C、过于平整

D、无变化

正确答案:A

本题解析：暂无解析

96、单项选择题一下哪一种属于金刚石结构（）.

A.Si

B.Cu

C.Fe

D.AI

正确答案：A

本题解析：暂无解析

97、问答题例举并描述薄膜生长的三个阶段。

正确答案：（1）晶核形成

分离的小膜层形成于衬底表面，

本题解析：（1）晶核形成

分离的小膜层形成于衬底表面，是薄膜进一步生长的基础。

（2）凝聚成束

形成（Si）岛，且岛不断长大

（3）连续成膜

岛束汇合并形成固态的连续的薄膜淀积的薄膜可以是单晶（如外延层）、多

晶（多晶硅栅）和无定形（隔离介质，金属膜）的。

98、填空题在晶体学上，选取与宏观晶体有同样对称性的平行六面体来作

为（），它构成体的最小单位。

正确答案：晶胞

本题解析：晶胞

99、问答题例举并描出旋转涂胶的4个基本步骤。

正确答案：1,分滴，当硅片静止或者旋转得非常缓慢时，光刻胶被分滴

本题解析：1,分滴，当硅片静止或者旋转得非常缓慢时，光刻胶被分滴在

硅片上

2,旋转铺开，快速加速硅片的旋转到一高的转速使光刻胶伸展到整个硅片

表面

3,旋转甩掉，甩去多余的光刻胶，在硅片上得到均匀的光刻胶胶膜覆盖层

4,溶剂挥发，以固定转速继续旋转已涂胶的硅片，直至溶剂挥发，光刻胶

胶膜几乎干燥。

100、问答题例举并描述硅片拣选测试中的三种典型电学测试（第十九章）

正确答案：硅片拣选测试中的三种典型电学测试：

⑴D

本题解析：硅片拣选测试中的三种典型电学测试：

（1）DC测试：第一电学测试是确保探针和压焊点之间良好电学接触的连接

性检查。这项检查保证了技术员的测试仪安装正常。

(2)输出检查：硅片挑选测试用来测试输出信号以检验芯片性能。主要验

证输出显示的位电平(逻辑“1”或高电平，逻辑“0”或低电平)，是否和预期

的一致。

(3)功能测试：功能测试检验芯片是否按照产品数据规范的要求工作。功

能测试软件程序测试芯片的所有方面，它将二进制测试图形加入被测器件并验证

其输出的正确性。

卷二：

1、填空题四探针法测试，C的大小取决于四探针的（）和针距。

正确答案：排列方式

本题解析：排列方式

2、问答题什么是CMOS技术？什么是ASIC?

正确答案：CMOS（互补型金属氧化物半导体）技术：将成对的金属氧

本题解析：CMOS（互补型金属氧化物半导体）技术：将成对的金属氧化物

半导体场效应晶体管（MOSFET）集成在一块硅片上。使集成电路有功耗低，工

作电压范围宽，逻辑摆幅大，使电路抗干扰能力强，隔离栅结构使CMOS器件

的输入电阻极大,从而使CMOS期间驱动同类逻辑门的能力比其他系列强得多。

ASIC:（ApplicationSpecificIntegratedCircuits）专用集成电路，是指应特定

用户要求或特定电子系统的需要而设计、制造的集成电路。优点是：体积小，重

量轻，功耗低，可靠性好，易于获得高性能，保密性好，大批量应用时显著降低

成本。

3、问答题解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？

正确答案：光刻胶显影是指用化学显影液溶解由曝光造成的光刻胶的可溶

本题解析：光刻胶显影是指用化学显影液溶解由曝光造成的光刻胶的可溶解

区域，其主要目的是把掩膜版图形准确复制到光刻胶中。

4、单项选择题硅元素的原子序数是（）

A.13

B.14

C.15

D.16

正确答案：B

本题解析：暂无解析

5、问答题例出光刻的8个步骤，并对每一步做出简要解释。

正确答案：第一步：气相成底膜处理，其目的是增强硅片和光刻胶之间的

本题解析：第一步：气相成底膜处理，其目的是增强硅片和光刻胶之间的粘

附性。

第二步：旋转涂胶，将硅片被固定在载片台上，一定数量的液体光刻胶滴在

硅片上，然后硅片旋转得到一层均匀的光刻胶图层

第三步：软烘，去除光刻胶中的溶剂

第四步：对准和曝光，把掩膜版图形转移到涂胶的硅片上

第五步：曝光后烘培，将光刻胶在100到110的热板上进行曝光后烘培

第六步：显影，在硅片表面光刻胶中产生图形

第七步：坚膜烘培，挥发掉存留的光刻胶溶剂，提高光刻胶对硅片表面的粘

附性

第八步：显影后检查，检查光刻胶图形的质量，找出有质量问题的硅片，描

述光刻胶工艺性能以满足规范要求。

6、单项选择题半导体工业所用的硅单晶（）是用CZ法生长的。

A.70%

B.80%

C.90%

D.60%

正确答案：C

本题解析：暂无解析

7、问答题影响氧化速度的因素有哪些？

正确答案：掺杂物、晶体晶向、压力、温度、水蒸气。

本题解析：掺杂物、晶体晶向、压力、温度、水蒸气。

8、问答题例举并描述光刻中使用的两种曝光光源。

正确答案：汞灯，高压汞灯，电流通过装有包汞气体的管子产生电弧放电

本题解析：汞灯，高压汞灯，电流通过装有管汞气体的管子产生电弧放电，

这个电弧发射出一个特征光谱，包括240纳米到500纳米之间有用的紫外辐射

准分子激光，准分子是不稳定分子是有惰性气体原子和卤素构成只存在与准稳定

激发态。

9、问答题例举在线参数测试的4个主要子系统。

正确答案：在线参数测试的4个主要子系统为：

(1)探针

本题解析：在线参数测试的4个主要子系统为：

(1)探针卡接口：是自动测试仪与待测器件之间的接口。

(2)硅片定位：为测试硅片，首先要确与探针接触的硅片的探针仪位置。

(3)测试仪器：高级集成电路需要能够在测试结构上快速、准确、重复地

测量亚微安级电流和微法级电容的自动测试设备，它控制测试过程

(4)作为网络主机或客户机的计算机：指导测试系统操作的计算机包括测

试软件算法、自动测试设备、用于硅片定位的探查控制软件、测试数据的保存和

控制、系统校准和故障诊断。

10、单项选择题列多晶硅生长过程中需要通入鼠气做保护气的是().

A.加热

B.化料

C.晶体生长

D冷却

正确答案：B

本题解析：暂无解析

11、填空题目前测定硅单晶中的氧，碳含量最常用的方法0收法。

正确答案：红外吸

本题解析：红外吸

12、单项选择题失效表明离子交换树脂可供交换的()大为减少。

A.C1"

B.NA

C.H+和OH

D.CA

正确答案：C

本题解析：暂无解析

13、问答题例举出硅片厂中使用的五种通用气体。

正确答案：氧气92）、基气（Ar）、氮气（N2）、氢气（H2）

本题解析：氧气（02）、僦气（Ar）、氮气（N2）、氢气（H2）和氨气（HE.

14、问答题测定晶体取向的方法？

正确答案：工从晶体外观判断

2根据单晶棱线的位置

<br

本题解析：工从晶体外观判断

2根据单晶棱线的位置

3依据解理面或碎裂面

4根据腐蚀坑的形态确定

15、问答题&n来源:91考试网91EXAbsp;半导体单晶中的点缺陷包

括什么？

正确答案：空位、填隙原子、络合体、外来原子。

本题解析：空位、填隙原子、络合体、外来原子。

16、单项选择题下列与硼氧复合体缺陷无关的是（）。

A、氧

B、硼

C、温度

D、湿度

正确答案：D

本题解析：暂无解析

17、问答题为什么电化学腐蚀会产生电位差？它的原因是什么？

正确答案：电化学腐蚀是指金属或半导体材料在电解质水溶液中所受到的腐

蚀，

本题解析：电化学腐蚀是指金属或半导体材料在电解质水溶液中所受到的腐

蚀，被腐蚀的半导体各个部分或区域之间存在电位差，构成正极和负极。电极电

位低是负极，电极电位高是正极，负极被腐蚀溶解。

18、问答题离子源的目的是什么？最常用的离子源是什么？

正确答案：目的：使待注入的物质以带电粒子束的形式存在

本题解析：目的：使待注入的物质以带电粒子束的形式存在

最常用的源：Freeman离子源和Bernas离子源

19、单项选择题下列不属于三氯氢硅性质的是()。

A、无色透明

B、易燃易爆

C、不易挥发和水解

D、有刺激性气味

正确答案：C

本题解析：暂无解析

20、问答题描述金属复合层中用到的材料？

正确答案：采用三明治金属结构，包括：

(1)淀积Ti,

本题解析：采用三明治金属结构，包括：

(1)淀积Ti,使铝塞和下一层金属良好键合，层间介质良好键合；

(2)Al,Au合金，加入铜抗电迁移；

(3)TiN作为下一次光刻的抗反射层；

21、问答题什么是薄膜？例举并描述可接受的薄膜的8个特性。

正确答案：薄膜：指某一维尺寸远小于另外两维上的尺寸的固体物质。<

本题解析：薄膜：指某一维尺寸远小于另外两维上的尺寸的固体物质。

好的台阶覆盖能力、高的深宽比填隙能力(>3：1)

厚度均匀（避免针孔、缺陷）、高纯度和高密度、受控的化学剂量

结构完整和低应力、好的粘附性（避免分层、开裂致漏电）

22、问答题解释投射电子能显微镜。

正确答案：TEM把加速和聚集的电子束投射到非常薄的样品上，电子与

本题解析：TEM把加速和聚集的电子束投射到非常薄的样品上，电子与样品

中的电子碰撞而电子与样品中的原子的碰撞而改变方向，从而产生立体角散射,

散射角的大小与样品的密度、厚度有关，因此可以形成明暗不同的影像。TEM是

惟一定量测量硅片上一些非常小特征尺寸的测量工具。

23、问答题例举出传统装配的4个步骤。

正确答案：传统装配的4个步骤：1.背面减薄；2.分片；3.装架；

本题解析：传统装配的4个步骤：1.背面减薄；2.分片；3.装架；4.引线键合

24、问答题对净化间做一般性描述。

正确答案：净化间是硅片制造设备与外部环境隔离，免受诸如颗粒、金属

本题解析：净化间是硅片制造设备与外部环境隔离，免受诸如颗粒、金属、

有机分子和静电释放（ESD.的玷污。一般来讲，那意味着这些玷污在最先进测试

仪器的检测水平范围内都检测不到。净化间还意味着遵循广泛的规程和实践，以

确保用于半导体制造的硅片生产设施免受玷污。

25、问答题解释什么是暗场掩模板。

正确答案：暗场掩膜版是指一个掩膜版，它的石英版上大部分被铭覆盖，

本题解析：暗场掩膜版是指一个掩膜版，它的石英版上大部分被络覆盖，并

且不透光。

26、单项选择题直拉单晶中氧含量头部和尾部相比（）。

A.较高

B.相同

C.较低

D.无法判断

正确答案：A

本题解析：暂无解析

27、问答题简诉连续X射线谱的特征？

正确答案：（1.）当增加X射线管压时，各波长射线的相对强度一至增

本题解析：（1.）当增加X射线管压时，各波长射线的相对强度一至增高，

最大强度波长入m和短波限入0变小。

（2.）当管压保持不变，增加管流时，各种波长的X射线相对强度一至增高，

但入m和X0数值大小不变。

（3.）当改变阳极靶元素时，各种波长的相对强度随元素的原子序数的增加

而增加。

28、填空题非平衡载流子的寿命4就是反映（）的参数。

正确答案：复合强弱

本题解析：复合强弱

29、问答题最通常的半导体材料是什么？该材料使用最普遍的原因是什么？

正确答案：最通常的半导体材料是硅。原因：

1.硅的丰裕

本题解析：最通常的半导体材料是硅。原因：

L硅的丰裕度；

2.更高的融化温度允许更高的工艺容限；

3.更宽的工作温度范围；

4.氧化硅的自然生成.

30、单项选择题（）是影响硅器件成品率的一个重要因素，也是影响器件

性能的稳定性和可靠性的重要因素。

A.点缺陷

B.线缺陷

C.面缺陷

D.微缺陷

正确答案：D

本题解析：暂无解析

31、填空题硅半导体的导电过程存在（）和空穴两种载流子。

正确答案：电子

本题解析：电子

32、单项选择题其中不属于多晶硅的生产方法的是（）.

A.SiCI4法

B.硅烷法

C.直拉法

D.西门子改良法

正确答案：C

本题解析：暂无解析

33、问答题为什么晶体管栅结构的形成是非常关键的工艺？更小的栅长会

引发什么问题？

正确答案：因为它包括了最薄的栅氧化层的热生长以及多晶硅栅的刻印和

本题解析：因为它包括了最薄的栅氧化层的热生长以及多晶硅栅的刻印和刻

蚀，而后者是整个集成电路工艺中物理尺度最小的结构。多晶硅栅的宽度通常是

整个硅片上最关键的CD线宽。

随着栅的宽度不断减少，栅结构（源漏间的硅区域）下的沟道长度也不断减

少。晶体管中沟道长度的减少增加了源漏间电荷穿通的可能性，并引起了不希望

的沟道漏电流。

34、单项选择题尽量提高晶转可以改善晶体中杂质分布的径向均匀性，如

果晶转过高，会导致固液界面的形状（）。

A、形状太凹

B、形状太凸

C、过于平整

D、