材料物理性能（山东联盟）知到智慧树章节测试课后答案2024年秋青岛科技大学

材料物理性能（山东联盟）知到智慧树章节测试课后答案2024年秋青岛科技大学第一章单元测试

关于影响材料导电性因素的描述合理的有（）。

A:一般情况下，固溶体的电阻率高于组元的电阻率。B:“热塑性变形＋退火态的电阻率”的电阻率高于“热塑性变形＋淬火态”C:冷塑性变形对金属电阻率的影响没有一定规律。D:由于晶格振动加剧散射增大，金属和半导体电阻率均随温度上升而升高。

答案:一般情况下，固溶体的电阻率高于组元的电阻率。一般情况下，当合金形成固溶体时其导电性（），并遵循50%原则。（）。

A:先增加后下降B:增加C:下降D:不变

答案:下降下列选项中不属于超导体性质的选项是（）。

A:完全抗磁性B:热释电性C:通量量子化D:完全导电性

答案:热释电性电介质极化类型有（）

A:驰豫极化B:空间电荷极化C:弹性位移极化D:取向极化

答案:驰豫极化；空间电荷极化；弹性位移极化；取向极化量子自由电子理论和能带理论均认为电子随能量的分布服从费密-狄拉克定律。（）

A:对B:错

答案:对

第二章单元测试

下面列举的磁性中属于强磁性的是（）。

A:反铁磁性B:顺磁性C:抗磁性D:亚铁磁性

答案:亚铁磁性关于影响材料铁磁性的因素，下列说法中正确的是（）。

A:冷塑性变形使得MS、BR、HC均降低。μB:冷塑性变形使得μi增加C:温度升高使得MS、BR降低D:温度升高使得MS、BR、HC均升高

答案:温度升高使得MS、BR降低关于材料磁化过程的说法正确的是（）。

A:为减小体系的能量，畴壁向静磁能较小的那个磁畴迁移，使静磁能较大的磁畴增大B:磁畴壁迁移的实质是壁内原子磁矩的逐渐转向C:技术磁化是指在外磁场的作用下铁磁体被赋予磁性的过程D:在交换能的作用下，磁矩趋于平行反向排列

答案:为减小体系的能量，畴壁向静磁能较小的那个磁畴迁移，使静磁能较大的磁畴增大关于铁磁性金属的磁致伸缩现象，下列说法正确的是（）。

A:磁场退火将令磁畴在室温磁化时沿应伸长的方向预先伸长，磁致伸缩将不妨碍磁化，获得较高的磁导率B:磁致伸缩是由材料的形状各项异性引起的C:对于负磁致伸缩材料，膨胀系数随温度变化曲线上存在负反常现象D:对于正磁致伸缩的材料，磁化强度将转向压应力方向

答案:磁场退火将令磁畴在室温磁化时沿应伸长的方向预先伸长，磁致伸缩将不妨碍磁化，获得较高的磁导率铁磁体的形状各向异性是由退磁场引起的。长棒状的铁磁体试样越（），形状各向异性越明显（）。

A:不规则B:圆C:短粗D:细长

答案:短粗

第三章单元测试

光与固体相互作用的本质有两种方式（）。

A:电子极化B:电子能态转变C:偶极子取向极化D:离子极化

答案:电子极化；电子能态转变影响材料折射率的因素有（）。

A:材料元素的离子半径B:材料的结构、晶型C:材料的内应力D:同质异构体

答案:材料元素的离子半径；材料的结构、晶型；材料的内应力；同质异构体当α+γ=900时，tan(α+γ)=∞，RP=0，表示反射光中没有平行入射面的矢量成分，此时的入射角称为布儒斯特角（）。

A:错B:对

答案:对光在介质中光强随传播距离呈指数式增加（）。

A:错B:对

答案:错关于光谱下列说法正确的是（）。

A:发射光谱指在一定的激发条件下发射光强按波长的分布。B:能够引起材料发光的激发波长也一定是材料可以吸收的波长。C:材料吸收光之后一定会发射光，所以激发光谱=吸收光谱。D:激发光谱指材料发射某一特定谱线（或谱带）的发光强度随激发光的波长而变化的曲线。

答案:发射光谱指在一定的激发条件下发射光强按波长的分布。；能够引起材料发光的激发波长也一定是材料可以吸收的波长。；激发光谱指材料发射某一特定谱线（或谱带）的发光强度随激发光的波长而变化的曲线。

第四章单元测试

德拜理论认为低温时，C与（）成正比（）。

A:T2B:T3C:TD:T-1

答案:T3合金材料的导热机构是（）。

A:光子B:声子C:电子D:电子和声子

答案:电子和声子下列变化属于二级相变的是（）。

A:同素异构转变B:固溶体有序—无序转变C:纯金属的三态变化D:共晶转变

答案:固溶体有序—无序转变金属热导率和电导率之间遵循魏德曼-弗兰兹定律，其数学表达式为（）。

A:T/ke=L0σB:L0/σ=keTC:ke/σ=L0TD:σ/ke=L0T

答案:ke/σ=L0T格律乃森提出了固态的体热膨胀极限方程。指出一般纯金属由温度0K加热到熔点TM，膨胀量随熔点增加而增加（）。

A:错B:对

答案:错

第五章单元测试

通过测量材料电阻率变化可以研究材料的内部组织结构及缺陷，下列叙述不正确的是。（）。

A:利用电阻率的变化规律可以测量固溶体溶解度曲线B:利用电阻率的变化规律可以研究材料的疲劳和裂纹扩展情况C:直流四探针法主要用于电介质或绝缘体等高电阻率的测试D:与双电桥法相比较，电位差计法更适合于测试金属电阻随温度的变化

答案:直流四探针法主要用于电介质或绝缘体等高电阻率的测试直流电位差计法和四点探针法测量电阻率均可以消除接触电阻的影响（）。

A:错B:对

答案:错用电阻法研究金属的晶体缺陷（冷加工或高温淬火）时电阻测量要在低温下