2025年半导体芯片制造中、高级工考试题库

2025年半导体芯片制造中、高级工考

试题库（完整版）

1.【单项选择题】在温度相同的情况下，制备相同厚度的氧化层，分

别用干氧，湿氧和水汽氧化，哪个需要的时间最长？o

A、干氧

B、湿氧

C、水汽氧化

D、不能确定哪个使用的时间长

【答案】A

2.【填空题】化学清洗中是利用硝酸的强（）和强（）将吸附在硅片

表面的杂质除去。

【答案】酸性；氧化性

3.【填空题】大容量可编程逻辑器件分为O和（）。

【答案】复杂可编程逻辑器件；现场可编程门阵列

4.1多项选择题】下列材料属于N型半导体是（）。

A.硅中掺有元素杂质磷（P）、碑（As）

B.硅中掺有元素杂质硼B.、铝（A1）

C.碑化钱掺有元素杂质硅（Si）、硅（TE）

D.碑化钱中掺元素杂质锌、镉、镁

【答案】A,C

5.【填空题】在一个晶圆上分布着许多块集成电路，在封装时将各块

集成电路切开时的切口叫（）。

【答案】划片槽

6.【问答题】叙述H2还原SiC14外延的原理，写出化学方程式。

【答案】在气相外延生长过程中，首先是反应剂输运到衬底表面；接

着是它在衬底便面发生反应释放出硅原子，硅原子按衬底晶向成核,

长大成为单晶层。化学方程式如下：

7.【单项选择题】离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。

A.能量

B.剂量

【答案】B

8.【多项选择题】硅外延生长工艺包括（）。

A.衬底制备

B.原位HC1腐蚀

C.生长温度，生长压力，生长速度

D.尾气的处理

【答案】A,B,C,D

9.【填空题】腐蚀V形槽一般采用（）的湿法化学腐蚀方法。

【答案】各向异性

10.【单项选择题】介质隔离是以绝缘性能良好的电介质作为〃隔离墙

〃来实现电路中各元器件间彼此电绝缘的一种隔离方法。常用的电介

质是（）层。

A.多晶硅

B.氮化硅

C.二氧化硅

【答案】C

n.【单项选择题】属于绝缘体的正确答案是（）。

A.金属、石墨、人体、大地

B.橡胶、塑料、玻璃、云母、陶瓷

C.硅、楮、碑化钱、磷化锢

D.各种酸、碱、盐的水溶液

【答案】B

12•【问答题】操作人员的质量职责是什么？

【答案】操作人员的质量职责是：（1）按规定接受培训考核，以达到

所要求的技能、能力和知识；（2）严格按工艺规范和工艺文件进行操

作，对工艺质量负责；（3）按规定填写质量记录，对其准确性、完整

性负责；（4）做好所使用的仪器、设备、工具的日常维护保养工作;

（6）对违章作业造成的质量事故负直接责任。

13.【单项选择题】位错的形成原因是（）。

A.位错就是由弹性形变造成的

B.位错就是由重力造成的

C.位错就是由范性形变造成的

D.以上答案都不对

【答案】C

14.【填空题】如果热压楔形键合小于引线直径1.5倍或大于3.0倍，

其长度小于L5倍或大于6.0倍，判引线键合（）。

【答案】不合格

15.【单项选择题】金属封装主要采用金属和玻璃密封工艺，金属作

封装底盘、管帽和引线，（）做绝缘和密封。

A.塑料

B.玻璃

C.金属

【答案】B

16•【问答题】简述你所在工艺的工艺质量要求？你如何检查你的工

艺质量？

【答案】外延要求：

1.集电极击穿电压要求

2.集电极串联电阻要小.

3.高频大功率小型化.刻蚀要求：

1.图形转换的保真度高

2.选择比高.

3.刻蚀速率高.

4.刻蚀剖面.

5.刻蚀偏差.

6.刻蚀因子大.

7.均匀性.

17.【单项选择题】反应离子腐蚀是（）。

A.化学刻蚀机理

B.物理刻蚀机理

C.物理的溅射刻蚀和化学的反应刻蚀相结合

【答案】C

18.【单项选择题】金属封装主要用于混合集成电路封装，外壳零件

一般有底盘、管帽、引线和玻璃绝缘子组成。底盘、管帽和引线的材

料常常是（）。

A.合金A-42

B.4J29可伐

C.4J34可伐

【答案】B

19.【单项选择题】双极晶体管的高频参数是（）。

A.hFEVces

B.BVce

C.ftfm

【答案】C

20.【单项选择题】在低温玻璃密封工艺中，常用的运载剂由2%（质

量比）的硝化纤维素溶解于98%（质量比）的醋酸异戊酯或松油醇中

制得，再将20%的运载剂与（）的玻璃料均匀混合，配成印刷浆料。

A.80%〜90%

B.10%〜20%

C.40%-50%

【答案】A

21.【填空题】离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是（）

和（）。

【答案】平均投影射程；平均投影标准差

22.【单项选择题】pn结的击穿电压和反向漏电流既是晶体管的重要

直流参数，也是评价（）的重要标志。

A.扩散层质量

B.设计

C.光刻

【答案】A

23.【填空题】钎焊包括合金烧结、共晶焊；聚合物焊又可分为（）、

【答案】导电胶粘接；银浆烧结

24•【问答题】简述在芯片制造中对金属电极材料有什么要求?

【答案】

能很好的阻挡材料扩散；

高电导率，低欧姆接触电阻；

在半导体和金属之间有很好的附着能力；

抗电迁能力强；

在很薄和高温下具有很好的稳定性；

抗侵蚀和抗氧化性好。

具有高的导电率和纯度。

与下层存底(通常是二氧化硅或氮化硅)具有良好的粘附性。

与半导体材料连接时接触电阻低。

能够淀积出均匀而且没有〃空洞〃的薄膜，易于填充通孔。

易于光刻和刻蚀，容易制备出精细图形。

很好的耐腐蚀性。

在处理和应用过程中具有长期的稳定性。

25.【填空题】热分解化学气相淀积二氧化硅是利用O化合物，经过

热分解反应，在基片表面淀积二氧化硅。

【答案】含有硅的化合物

26.【填空题】外延层的迁移率低的因素有原材料纯度()；反应室漏

气；外延层的晶体()；系统沾污等；载气纯度不够；外延层晶体缺陷

多；生长工艺条件不适宜。

【答案】不够；质量差1

27.【填空题】气中的一个小尘埃将影响整个芯片的()性、()率,

并影响其电学性能和O性，所以半导体芯片制造工艺需在超净厂房

内进行。

【答案】完整；成品；可靠性

28.【填空题】禁带宽度的大小决定着()的难易，一般半导体材料的

禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因

素，如高温和辐射等的干扰而产生变化。

【答案】电子从价带跳到导带

29.【单项选择题】塑封中注塑成型工艺主要工艺参数有()、模具温

度、合模压力、注射压力、注射速度和成型时间。

A.准备工具

B.准备模塑料

C.模塑料预热

【答案】C

30.【填空题】半导体材料可根据其性能、晶体结构、结晶程度、化学

组成分类。比较通用的则是根据其化学组成可分为O半导体、()半

导体、固溶半导体三大类。

【答案】元素；化合物

31.【单项选择题】在突缘电阻焊工艺中，要获得良好的焊接质量，

必须确定的基本规范包括()

A.焊接电流、焊接电压和电极压力

B.焊接电流、焊接时间和电极压力

C.焊接电流、焊接电压和焊接时间

【答案】B

32.【单项选择题】溅射法是由O轰击靶材表面，使靶原子从靶表面

飞溅出来淀积在衬底上形成薄膜。

A.电子

B.中性粒子

C.带能离子

【答案】C

33.【单项选择题】器件的横向尺寸控制几乎全由()来实现。

A.掩膜版

B.扩散

C.光刻

【答案】C

34.【填空题】杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂，但主要可

分为()扩散和()扩散两种。

【答案】替位；间隙

35.【填空题】钎焊密封工艺主要工艺条件有钎焊气氛控制、温度控

制和密封腔体内()控制。

【答案】湿度

36.【单项选择题】双极晶体管的lc7r噪声与()有关。

A.基区宽度

B.外延层厚度

C.表面界面状态

【答案】C

37.【单项选择题】恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为()分

布。

A.高斯

B.余误差

C.指数

【答案】B

38•【问答题】洁净区工作人员应注意些什么？

【答案】保持部件与工具洁净，保持个人清洁卫生.不能把洁净服提

来提去，人员不能触摸或翻动洁净服.禁止吃喝，禁止用手表，首饰，

指甲油，吸烟，化妆，工作只能在洁净面上进行。

39.【填空题】硅片减薄腐蚀液为氢氟酸和硝酸系腐蚀液。碎化钱片

用（）

系、氢氧化氨系蚀腐蚀液。

【答案】硫酸

40.【单项选择题】厚膜元件烧结时，浆料中的固体颗粒由接触到结

合、自由表面的收缩、空隙的排除、晶体缺陷的消除等都会使系统的

自由能O,从而使系统转变为热力学中更稳定的状态。

A.降低

B.升高

C.保持不变

【答案】A

41.【填空题】二氧化硅的制备方法很多，其中最常用的是高温（）、

O

淀积、PECVD淀积。

【答案】氧化；气相

42•【问答题】粘封工艺中，常用的材料有哪几类？

【答案】常用胶粘剂有热固性树脂、热塑性树脂和橡胶型胶粘剂3大

类。

43•【问答题】有哪几种常用的化学气相淀积薄膜的方法？

【答案】常压化学气相淀积(APCVD.,低压化学气相淀积(LPCVD.,

等离子体辅助CVDO

44.【填空题】最常用的金属膜制备方法有()加热蒸发、()蒸发、

()。

【答案】电阻；电子束；溅射

45.【填空题】金丝球焊的优点是无方向性，键合强度一般()同类电

极系统的楔刀焊接。

【答案】大于

46.【填空题】外壳设计包括电性能设计、热性能设计和结构设计三

部分，而()设计也包含在这三部分中间。

【答案】可靠性

47.【填空题】半导体集成电路生产中，元件之间隔离有OOO隔

离等三种基本方法.

【答案】Pn结介质；Pn结隔离；Pn结介质混合

48.【填空题】延生长方法比较多，其中主要的有O外延、O外延、

金属有机化学气相外延、()外延、原子束外延、固相外延等。

【答案】化学气相；液相；分子束

49.【单项选择题】平行缝焊的工艺参数有焊接电流、焊接速度、焊

轮压力和焊轮椎顶角。焊轮压力影响盖板和焊环之间高阻点的O。

压力太大，电阻值下降，对形成焊点不利，焊轮压力太小，则造成接

触不良，不但形不成良好点。

A.电流值

B.电阻值

C.电压值

【答案】B

50.【单项选择题】禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难

易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流

子O外界因素（如高温和辐射等）的干扰而产生变化。

A.越不容易受

B.越容易受

C.基本不受

【答案】A

51•【问答题】什么叫晶体缺陷？

【答案】晶体机构中质点排列的某种不规则性或不完善性。又称晶格

缺陷。

52.【填空题】铝丝与铝金属化层之间用加热、加压的方法不能获得

牢固的焊接，甚至根本无法实现焊接的原因是铝的表面在空气中极易

生成一层O,它们阻挡了铝原子之间的紧密接触，达不到原子之间

引力范围的间距。

【答案】氧化物

53•【问答题】单晶片切割的质量要求有哪些？

【答案】晶向偏离度总厚度误差，平衡度，翘曲度等

54.【单项选择题】外壳设计包括（）设计、热性能设计和结构设计三

部分，而可靠性设计也包含在这三部分中间。

A.电性能

B.电阻

C.电感

【答案】A

55.【填空题】芯片焊接质量通常进行镜检和()两项试验。

【答案】剪切强度

56•【问答题】引线焊接有哪些质量要求？

【答案】可靠性好，易保持一定形状，化学稳定性好。尽量少形成金

属间化合物，键合引线和焊盘金属间形成低电阻欧姆接触。平整度倾

斜度，平行度焊接时间焊接界面的清润。

57.【单项选择题】超声热压焊的主要应用对象是超小型镀金外壳与

镀金管帽的焊接，焊接处依靠()封接，因而外壳零件的平整度和镀

金层厚度是实现可靠性封接的关键因素。

A.管帽变形

B.镀金层的变形

C.底座变形

【答案】B

58.【单项选择题】非接触式厚膜电路丝网印刷时，丝网与基片之间

有一定的距离，称为间隙，通常为O。

A.小于0.1mm

B.0,5〜2.0mm

C.大于2.Omm

【答案】B

59.【填空题】厚膜混合集成电路的基片种类很多，目前常用的有：

氧化铝陶瓷，（），氮化铝（A1N）陶瓷。

【答案】氧化镀陶瓷

60•【问答题】简述光刻工艺原理及在芯片制造中的重要性？

【答案】

1.光刻是通过一系列生产步骤将晶圆表面薄膜的特定部分除去并得

到所需图形的工艺。

2.光刻的重要性是在二氧化硅或金属薄膜上面刻蚀出与掩膜版完全

对应的几何图形，从而实现选择性扩散和金属薄膜布线的目的，它是

晶圆加工过程的中心，为后面的刻蚀和离子注入做准备。决定了芯片

的性能，成品率，可靠性。

61.【单项选择题】半导体分立器件、集成电路对外壳的主要要求之

一是：良好的热性能。外壳应有小的O,使芯片的热量有效地散逸

出去，保证器件在正常结温下工作。

A.热阻

B.阻抗

C.结构参数

【答案】A

62.【判断题】没有经济收入或交纳党费有困难的党员，由本人提出

申请，经党支部委员会同意，可以少交或免交。

【答案】对

63.【单项选择题】常用胶粘剂有热固性树脂、热塑性树脂和橡胶型

胶粘剂3大类。半导体器件的粘封工艺一般选用O。

A.热塑性树脂

B.热固性或橡胶型胶粘剂

【答案】B

64.【单项选择题】变容二极管的电容量随()变化。

A.正偏电流

B.反偏电压

C.结温

【答案】B

65•【问答题】简述光刻工艺原理及在芯片制造中的重要性？

【答案】

1.光刻是通过一系列生产步骤将晶圆表面薄膜的特定部分除去并得

到所需图形的工艺。

2.光刻的重要性是在二氧化硅或金属薄膜上面刻蚀出与掩膜版完全

对应的几何图形，从而实现选择性扩散和金属薄膜布线的目的，它是

晶圆加工过程的中心，为后面的刻蚀和离子注入做准备。决定了芯片

的性能，成品率，可靠性。

66.【填空题】铝丝与铝金属化层之间用加热、加压的方法不能获得

牢固的焊接，甚至根本无法实现焊接的原因是铝的表面在空气中极易

生成一层()，它们阻挡了铝原子之间的紧密接触，达不到原子之间

引力范围的间距。

【答案】氧化物

67.【单项选择题】金属封装主要用于混合集成电路封装，外壳零件

一般有底盘、管帽、引线和玻璃绝缘子组成。底盘、管帽和引线的材

料常常是()。

A.合金A-42

B.4J29可伐

C.4J34可伐

【答案】B

68.【填空题】钎焊密封工艺主要工艺条件有钎焊气氛控制、温度控

制和密封腔体内()控制。

【答案】湿度

69.【单项选择题】双极晶体管的lc7r噪声与()有关。

A.基区宽度

B.外延层厚度

C.表面界面状态

【答案】C

70•【问答题】什么叫晶体缺陷？

【答案】晶体机构中质点排列的某种不规则性或不完善性。又称晶格

缺陷。

71.【填空题】离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是()

和()。

【答案】平均投影射程；平均投影标准差

72.【填空题】禁带宽度的大小决定着O的难易，一般半导体材料的

禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因

素，如高温和辐射等的干扰而产生变化。

【答案】电子从价带跳到导带

73.【单项选择题】变容二极管的电容量随（）变化。

A.正偏电流

B.反偏电压

C.结温

【答案】B

74•【问答题】洁净区工作人员应注意些什么？

【答案】保持部件与工具洁净，保持个人清洁卫生.不能把洁净服提

来提去，人员不能触摸或翻动洁净服.禁止吃喝，禁止用手表，首饰，

指甲油，吸烟，化妆，工作只能在洁净面上进行。

75.【单项选择题】塑封中注塑成型工艺主要工艺参数有（）、模具温

度、合模压力、注射压力、注射速度和成型时间。

A.准备工具

B.准备模塑料

C.模塑料预热

【答案】C

76.【单项选择题】在低温玻璃密封工艺中，常用的运载剂由2%（质

量比）的硝化纤维素溶解于98%（质量比）的醋酸异戊酯或松油醇中

制得，再将20%的运载剂与()的玻璃料均匀混合，配成印刷浆料。

A.80%〜90%

B.10%〜20%

C.40%-50%

【答案】A

77.【判断题】没有经济收入或交纳党费有困难的党员，由本人提出

申请，经党支部委员会同意，可以少交或免交。

【答案】对

78.【单项选择题】溅射法是由O轰击靶材表面，使靶原子从靶表面

飞溅出来淀积在衬底上形成薄膜。

A.电子

B.中性粒子

C.带能离子

【答案】C

79.【填空题】延生长方法比较多，其中主要的有O外延、O外延、

金属有机化学气相外延、()外延、原子束外延、固相外延等。

【答案】化学气相；液相；分子束

80.【单项选择题】恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为()分

布。

A.高斯

B.余误差

C.指数

【答案】B

81.【单项选择题】超声热压焊的主要应用对象是超小型镀金外壳与

镀金管帽的焊接，焊接处依靠()封接，因而外壳零件的平整度和镀

金层厚度是实现可靠性封接的关键因素。

A.管帽变形

B.镀金层的变形

C.底座变形

【答案】B

82.【填空题】最常用的金属膜制备方法有()加热蒸发、()蒸发、

()。

【答案】电阻；电子束；溅射

83.【单项选择题】金属封装主要采用金属和玻璃密封工艺，金属作

封装底盘、管帽和引线，O做绝缘和密封。

A.塑料

B.玻璃

C.金属

【答案】B

84.【单项选择题】pn结的击穿电压和反向漏电流既是晶体管的重要

直流参数，也是评价()的重要标志。

A.扩散层质量

B.设计

C.光刻

【答案】A

85.【填空题】硅片减薄腐蚀液为氢氟酸和硝酸系腐蚀液。碎化钱片

用（）

系、氢氧化氨系蚀腐蚀液。

【答案】硫酸

86.【单项选择题】常用胶粘剂有热固性树脂、热塑性树脂和橡胶型

胶粘剂3大类。半导体器件的粘封工艺一般选用O。

A.热塑性树脂

B.热固性或橡胶型胶粘剂

【答案】B

87.【单项选择题】双极晶体管的高频参数是（）。

A.hFEVces

B.BVce

C.ftfm

【答案】C

88.【填空题】二氧化硅的制备方法很多，其中最常用的是高温（）、

O

淀积、PECVD淀积。

【答案】氧化；气相

89.【填空题】钎焊包括合金烧结、共晶焊；聚合物焊又可分为（）、

【答案】导电胶粘接；银浆烧结

90.【填空题】如果热压楔形键合小于引线直径1.5倍或大于3.0倍，

其长度小于1.5倍或大于6.0倍，判引线键合（）。

【答案】不合格

91•【问答题】粘封工艺中，常用的材料有哪几类？

【答案】常用胶粘剂有热固性树脂、热塑性树脂和橡胶型胶粘剂3大

类。

92.【填空题】厚膜混合集成电路的基片种类很多，目前常用的有：

氧化铝陶瓷，（），氮化铝（A1N）陶瓷。

【答案】氧化镀陶瓷

93.【填空题】芯片焊接质量通常进行镜检和（）两项试验。

【答案】剪切强度

94•【问答题】引线焊接有哪些质量要求？

【答案】可靠性好，易保持一定形状，化学稳定性好。尽量少形成金

属间化合物，键合引线和焊盘金属间形成低电阻欧姆接触。平整度倾

斜度，平行度焊接时间焊接界面的清润。

95.【填空题】杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂，但主要可

分为（）扩散和（）扩散两种。

【答案】替位；间隙

96.【单项选择题】厚膜元件烧结时，浆料中的固体颗粒由接触到结

合、自由表面的收缩、空隙的排除、晶体缺陷的消除等都会使系统的

自由能O,从而使系统转变为热力学中更稳定的状态。

A.降低

B.升高

C.保持不变

【答案】A

97.【单项选择题】禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难

易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流

子()外界因素(如高温和辐射等)的干扰而产生变化。

A.越不容易受

B.越容易受

C.基本不受

【答案】A

98•【问答题】简述你所在工艺的工艺质量要求？你如何检查你的工

艺质量？

【答案】外延要求：

L集电极击穿电压要求

2.集电极串联电阻要小.

3.高频大功率小型化.刻蚀要求：

1.图形转换的保真度高

2.选择比高.

3.刻蚀速率高.

4.刻蚀剖面.

5.刻蚀偏差.

6.刻蚀因子大.

7.均匀性.

99.【填空题】外壳设计包括电性能设计、热性能设计和结构设计三

部分，而（）设计也包含在这三部分中间。

【答案】可靠性

100.【单项选择题】器件的横向尺寸控制几乎全由（）来实现。

A.掩膜版

B.扩散

C.光刻

【答案】C

101.【填空题】外延层的迁移率低的因素有原材料纯度O；反应室

漏气；外延层的晶体（）；系统沾污等；载气纯度不够；外延层晶体缺

陷多；生长工艺条件不适宜。

【答案】不够；质量差

102.【填空题】热分解化学气相淀积二氧化硅是利用（）化合物，经

过热分解反应，在基片表面淀积二氧化硅。

【答案】含有硅的化合物

103.【问答题】单晶片切割的质量要求有哪些？

【答案】晶向偏离度总厚度误差，平衡度，翘曲度等

104.【问答题】有哪几种常用的化学气相淀积薄膜的方法？

【答案】常压化学气相淀积（APCVD.,低压化学气相淀积（LPCVD.,

等离子体辅助CVDo

105.【填空题】大容量可编程逻辑器件分为（）和（）。

【答案】复杂可编程逻辑器件；现场可编程门阵列

106.【单项选择题】人们规定：O电压为安全电压.

A.36伏以下

B.50伏以下

C.24伏以下

【答案】A

107.【问答题】对于大尺寸的MOS管版图设计，适合采用什么样的版

图结构？简述原因。

【答案】（1）S管的版图一般采用并联晶体管结构。

采用并联晶体管结构后，可共用源区和漏区，使得在同样宽长比的情

况下，漏区和源区的面积被减小，并因此使得器件源极和漏极的PN

结电容被减小，对提高电路的动态性能很有好处。

（2）寸器件在版图设计时还采用折叠的方式减小一维方向上的尺寸。

因为器件的尺寸大，即叉指的个数较多，如果采用简单并列的方式，

将由于叉指到信号引入点的距离不同引起信号强度的差异。同时，由

于在一维方向上的工艺离散性，也将导致最左端的叉指和最右端的叉

指所对应的并联器件在参数和结构上产生失配。

108.【填空题】在一个晶圆上分布着许多块集成电路，在封装时将各

块集成电路切开时的切口叫O。

【答案】划片槽

109.【填空题】半导体材料可根据其性能、晶体结构、结晶程度、化

学组成分类。比较通用的则是根据其化学组成可分为元素（）、（）半

导体、固溶半导体三大类。

【答案】半导体；化合物

110•【问答题】叙述H2还原SiC14外延的原理，写出化学方程式。

【答案】在气相外延生长过程中，首先是反应剂输运到衬底表面；接

着是它在衬底便面发生反应释放出硅原子，硅原子按衬底晶向成核,

长大成为单晶层。化学方程式如下：

111.【填空题】化学清洗中是利用硝酸的强O和强()将吸附在硅

片表面的杂质除去。

【答案】酸性；氧化性

H2.【问答题】集成电路封装有哪些作用？

【答案】(1)机械支撑和机械保护作用。

(2)传输信号和分配电源的作用。

(3)热耗散的作用。

(4)环境保护的作用。

H3.【填空题】外延生长方法比较多，其中主要的有()外延、()外

延、金属有机化学气相外延、分子束外延、O、固相外延等。

【答案】化学气相；液相；原子束外延

H4.【填空题】半导体材料有两种载流子参加导电，具有两种导电类

型。

一种是O,另一种是()。

【答案】电子；空穴

115.【填空题】对标准单元设计EDA系统而言，标准单元库应包含以

下内容：()、和()、()、()0

【答案】逻辑单元符号库；功能单元库；拓扑单元库；版图单元库

116.【单项选择题】属于绝缘体的正确答案是()。

A.金属、石墨、人体、大地

B.橡胶、塑料、玻璃、云母、陶瓷

C.硅、楮、碎化钱、磷化锢

D.各种酸、碱、盐的水溶液

【答案】B

H7.【填空题】腐蚀V形槽一般采用()的湿法化学腐蚀方法。

【答案】各向异性

H8.【问答题】什么叫光刻？光刻工艺质量的基本要求是什么？

【答案】光刻是一种图形复印和化学腐蚀相结合的精密表面加工技术。

对光刻工艺质量的基本要求是：刻蚀的图形完整、尺寸准确、边缘整

齐、线条陡直；图片内无小岛、不染色、腐蚀干净；图形套合十分准

确；介质膜或金属膜上无针孔；硅片表面清洁、不发花、无残留的被

腐蚀物质。

H9.【填空题】离子注入是借其()强行进入靶材料中的一个()物

理过程。

【答案】动能；非平衡

120.【多项选择题】硅外延生长工艺包括()。

A.衬底制备

B.原位HC1腐蚀

C.生长温度，生长压力，生长速度

D.尾气的处理

【答案】A,B,C,D

121.【单项选择题】二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行（）

扩散。

A.预

B.再

C.选择

【答案】C

122.【填空题】用肉眼或显微镜可观察二氧化硅的以下质量:颜色O、

结构（）；表面无（）、无（）、不发花；表面无裂纹、（）。

【答案】是否均匀；是否致密；斑点；白雾；无针孔

123.【单项选择题】在温度相同的情况下，制备相同厚度的氧化层,

分别用干氧，湿氧和水汽氧化，哪个需要的时间最长？（）

A、干氧

B、湿氧

C、水汽氧化

D、不能确定哪个使用的时间长

【答案】A

124.【单项选择题】离子注入层的深度主要取决于离子注入的（）。

A.能量

B.剂量

【答案】A

125.【填空题】光刻工艺一般都要经过涂胶、O、曝光、O、坚膜、

腐蚀、()等步骤。

【答案】前烘；显影；去胶

126.1多项选择题】下列材料属于N型半导体是()。

A.硅中掺有元素杂质磷(P)、碑(As)

B.硅中掺有元素杂质硼

B.、铝(A1)

C.碑化钱掺有元素杂质硅(Si)、牖(TE)

D.碑化钱中掺元素杂质锌、镉、镁

【答案】A,C

127.【单项选择题】恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为什么分

布？O

A、高斯函数

B、余误差函数

C、指数函数

D、线性函数

【答案】B

128.1多项选择题】按蒸发源加热方法的不同，真空蒸发工艺可分为：

O蒸发、()蒸发、离子束蒸发等。

A.电阻加热

B.电子束

C.蒸气原子

【答案】A,B

129.【填空题】在半导体工艺中，硫酸常用于去除O和配制O等。

【答案】光刻胶；洗液

130.【单项选择题】离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。

A.能量

B.剂量

【答案】B

131.【问答题】为什么说洁净技术是半导体芯片制造过程中的一项重

要技术？

【答案】半导体芯片制造，尤其是随着高度集成复杂电路和微波器件

的发展，要求获得细线条、高精度、大面积的图形，各种形式的污染

都将严重影响半导体芯片成品率和可靠性。生产中的污染，除了由于

化学试剂不纯、气体纯化不良、去离子质量不佳引入之外，环境中的

尘埃、杂质及有害气体、工作人员、设备、工具、日用杂品等引入的

尘埃、毛发、皮屑、油脂、手汗、烟雾等都是重要污染来源。例如,

PN结表面污染上尘埃、皮屑、油脂等将引起反向漏电或表面沟道，手

汗引起的Na离子沾污会使MOS器件阈值电压飘移，甚至导致晶体管

电流放大系数不稳定，空气中尘埃的沾污将引起器件性能下降，以致

失效；光刻涂胶后尘埃的沾污将使二氧化硅层形成针孔或小岛；大颗

粒尘埃附着在光刻胶表面，会使掩膜版与芯片间距不一致，使光刻图

形模糊；高温扩散过程中，附着在硅片上的尘埃将引起局部掺杂和快

速扩散，使结特性变坏。所以洁净技术是半导体芯片制造过程中的一

项重要技术。

132.【问答题】衬底清洗过程包括哪几个步骤？

【答案】（1）擦洗表面的大块污物；（2）浸泡；（3）化学腐蚀；（4）

水清洗；（5）干燥。

133.【填空题】白光照射二氧化硅时，不同的厚度有不同的O。

【答案】干涉色

134.【单项选择题】腐蚀二氧化硅的水溶液一般是用（）

A、盐酸

B、硫酸

C、硝酸

D、氢氟酸

【答案】D

135.【单项选择题】人们规定：O电压为安全电压.

A.36伏以下

B.50伏以下

C.24伏以下

【答案】A

136.【多项选择题】硅外延生长工艺包括（）。

A.衬底制备

B.原位HC1腐蚀

C.生长温度，生长压力，生长速度

D.尾气的处理

【答案】A,B,C,D

137.【填空题】半导体材料有两种载流子参加导电，具有两种导电类

型。一种是O,另一种是（）。

【答案】电子；空穴

138.【问答题】衬底清洗过程包括哪几个步骤？

【答案】（1）擦洗表面的大块污物；（2）浸泡；（3）化学腐蚀；（4）

水清洗；（5）干燥。

139.【问答题】集成电路封装有哪些作用？

【答案】（1）机械支撑和机械保护作用。

（2）传输信号和分配电源的作用。

（3）热耗散的作用。

（4）环境保护的作用。

140.【问答题】对于大尺寸的MOS管版图设计，适合采用什么样的版

图结构？简述原因。

【答案】（1）S管的版图一般采用并联晶体管结构。

采用并联晶体管结构后，可共用源区和漏区，使得在同样宽长比的情

况下，漏区和源区的面积被减小，并因此使得器件源极和漏极的PN

结电容被减小，对提高电路的动态性能很有好处。

（2）寸器件在版图设计时还采用折叠的方式减小一维方向上的尺寸。

因为器件的尺寸大，即叉指的个数较多，如果采用简单并列的方式，

将由于叉指到信号引入点的距离不同引起信号强度的差异。同时，由

于在一维方向上的工艺离散性，也将导致最左端的叉指和最右端的叉

指所对应的并联器件在参数和结构上产生失配。

141.【问答题】集成电容主要有哪几种结构？

【答案】①金属-绝缘体-金属(MIM)结构；

②多晶硅/金属-绝缘体-多晶硅结构；

③金属叉指结构；

④PN结电容；

⑤MOS电容。

142.【单项选择题】腐蚀二氧化硅的水溶液一般是用()

A、盐酸

B、硫酸

C、硝酸

D、氢氟酸

【答案】D

143.【问答题】为什么说洁净技术是半导体芯片制造过程中的一项重

要技术？

【答案】半导体芯片制造，尤其是随着高度集成复杂电路和微波器件

的发展，要求获得细线条、高精度、大面积的图形，各种形式的污染

都将严重影响半导体芯片成品率和可靠性。生产中的污染，除了由于

化学试剂不纯、气体纯化不良、去离子质量不佳引入之外，环境中的

尘埃、杂质及有害气体、工作人员、设备、工具、日用杂品等引入的

尘埃、毛发、皮屑、油脂、手汗、烟雾等都是重要污染来源。例如,

PN结表面污染上尘埃、皮屑、油脂等将引起反向漏电或表面沟道，手

汗引起的Na离子沾污会使MOS器件阈值电压飘移，甚至导致晶体管

电流放大系数不稳定，空气中尘埃的沾污将引起器件性能下降，以致

失效；光刻涂胶后尘埃的沾污将使二氧化硅层形成针孔或小岛；大颗

粒尘埃附着在光刻胶表面，会使掩膜版与芯片间距不一致，使光刻图

形模糊；高温扩散过程中，附着在硅片上的尘埃将引起局部掺杂和快

速扩散，使结特性变坏。所以洁净技术是半导体芯片制造过程中的一

项重要技术。

144.【填空题】半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂O加速到的需

要的O,直接注入到半导体晶片中，并经适当温度的O。

【答案】离子；能量；退火处理

145.【单项选择题】介质隔离是以绝缘性能良好的电介质作为〃隔离

墙〃来实现电路中各元器件间彼此电绝缘的一种隔离方法。常用的电

介质是（）层。

A.多晶硅

B.氮化硅

C.二氧化硅

【答案】C

146.【填空题】工艺人员完成工艺操作后要认真、及时填写工艺记录，

做到记录内容详细、（）、（）、书写工整、（）。

【答案】真实；完整；数据准确

147•【问答题】什么叫光刻？光刻工艺质量的基本要求是什么？

【答案】光刻是一种图形复印和化学腐蚀相结合的精密表面加工技术。

对光刻工艺质量的基本要求是：刻蚀的图形完整、尺寸准确、边缘整

齐、线条陡直；图片内无小岛、不染色、腐蚀干净；图形套合十分准

确；介质膜或金属膜上无针孔；硅片表面清洁、不发花、无残留的被

腐蚀物质。

148.【填空题】在一个晶圆上分布着许多块集成电路，在封装时将各

块集成电路切开时的切口叫O。

【答案】划片槽

149.【填空题】抛光片的质量检测项目包括：几何参数，直径、O、

主参考面、副参考面、平整度、弯曲度等；O,电阻率，载流子浓度，

迁移率等；晶体质量，晶向，位错密度。

【答案】厚度；电学参数

150.1多项选择题】下列材料属于N型半导体是（）。

A.硅中掺有元素杂质磷（P）、碑（As）

B.硅中掺有元素杂质硼

B.、铝（A1）

C.碑化钱掺有元素杂质硅（Si）、牖（TE）

D.碑化钱中掺元素杂质锌、镉、镁

【答案】A,C

151.【填空题】全定制、半定制版图设计中用到的单元库包含O、

（）、（）和（）。

【答案】符号图；抽象图；线路图；版图

152.【单项选择题】二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行()

扩散。

A.预

B.再

C.选择

【答案】C

153.【单项选择题】离子注入层的深度主要取决于离子注入的()。

A.能量

B.剂量

【答案】A

154.【单项选择题】恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为什么分

布？O

A、高斯函数

B、余误差函数

C、指数函数

D、线性函数

【答案】B

155.【问答题】简述你所在工艺的工艺质量要求？你如何检查你的工

艺质量？

【答案】外延要求：

1.集电极击穿电压要求

2.集电极串联电阻要小.

3.高频大功率小型化.刻蚀要求：

1.图形转换的保真度高

2.选择比高.

3.刻蚀速率高.

4.刻蚀剖面.

5.刻蚀偏差.

6.刻蚀因子大.

7.均匀性.

156.【问答题】有哪几种常用的化学气相淀积薄膜的方法？

【答案】常压化学气相淀积（APCVD.,低压化学气相淀积（LPCVD.,

等离子体辅助CVDO

157.【填空题】杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂，但主要可

分为（）扩散和（）扩散两种。

【答案】替位；间隙

158.【单项选择题】反应离子腐蚀是（）。

A.化学刻蚀机理

B.物理刻蚀机理

C.物理的溅射刻蚀和化学的反应刻蚀相结合

【答案】C

159.【填空题】外壳设计包括电性能设计、热性能设计和结构设计三

部分，而（）设计也包含在这三部分中间。

【答案】可靠性

160.【单项选择题】在突缘电阻焊工艺中，要获得良好的焊接质量,

必须确定的基本规范包括()

A.焊接电流、焊接电压和电极压力

B.焊接电流、焊接时间和电极压力

C.焊接电流、焊接电压和焊接时间

【答案】B

161.【填空题】离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是O

和()。

【答案】平均投影射程；平均投影标准差

162.【判断题】没有经济收入或交纳党费有困难的党员，由本人提出

申请，经党支部委员会同意，可以少交或免交。

【答案】对

163.【单项选择题】溅射法是由()轰击靶材表面，使靶原子从靶表

面飞溅出来淀积在衬底上形成薄膜。

A.电子

B.中性粒子

C.带能离子

【答案】C

164.【问答题】简述光刻工艺原理及在芯片制造中的重要性？

【答案】

1.光刻是通过一系列生产步骤将晶圆表面薄膜的特定部分除去并得

到所需图形的工艺。

2.光刻的重要性是在二氧化硅或金属薄膜上面刻蚀出与掩膜版完全

对应的几何图形，从而实现选择性扩散和金属薄膜布线的目的，它是

晶圆加工过程的中心，为后面的刻蚀和离子注入做准备。决定了芯片

的性能，成品率，可靠性。

165.【单项选择题】禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难

易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流

子O外界因素(如高温和辐射等)的干扰而产生变化。

A.越不容易受

B.越容易受

C.基本不受

【答案】A

166.【填空题】钎焊密封工艺主要工艺条件有钎焊气氛控制、温度控

制和密封腔体内()控制。

【答案】湿度

167.【问答题】简述光刻工艺原理及在芯片制造中的重要性？

【答案】

1.光刻是通过一系列生产步骤将晶圆外表薄膜的特定局部除

1.光刻是通过一系列生产步骤将晶圆外表薄膜的特定局部除去并得

到所需图形的工艺.

2.光刻的重要性是在二氧化硅或金属薄膜上面刻蚀出与掩膜版完全

对应的几何图形,从而实现选择性扩散和金属薄膜布线的目的，它是

晶圆加工过程的中央,为后面的刻蚀和离子注入做准备.决定了芯片

的性能,成品率,可靠性.

168.【填空题】题铝丝与铝金属化层之间用加热、加压的方法不能获

得牢固的焊接,甚至根本无法实现焊接的原因是铝的外表在空气中极

易生成一层0，它们阻挡了铝原子之间的紧密接触，达不到原子之间

引力范围的间距.

【答案】氧化物

169.【单项选择题】金属封装主要用于混合集成电路封装，外壳零件

一般有底盘、管帽、引线和玻璃绝缘子组成.底盘、管帽和引线的材

料常常是0.

A.合金A-42

B.4J29可伐

C.4J34可伐

170.【填空题】题钎焊密封工艺主要工艺条件有钎焊气氛限制、温度

限制和密封腔体内0控制.

【答案】湿度

171.【单项选择题】双极晶体管的lc7r噪声与0有关.

A.基区宽度

B.外延层厚度

C.外表界面状态

【答案】C

172.【问答题】什么叫晶体缺陷？

【答案】晶体机构中质点排列的某种不规那么性或不完善性.又称晶

格缺

173.【填空题】题离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是

()和。.

【答案】平均投影射程；平均投影标准差

174.【填空题】题禁带宽度的大小决定着0的难易，一般半导体材

料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外

界因素,如高温和辐射等的干扰而产生变化.

【答案】电子从价带跳到导带

175.【单项选择题】变容二极管的电容量随0变化.

A.正偏电流

B.反偏电压C结温

【答案】B

176.【填空题】题半导体集成电路生产中，元件之间隔离有000

隔离等三种基本方法.

【答案】Pn结介质；Pn结隔离；Pn结介质混合【答案】Pn结介质；

Pn结隔离；Pn结介质混合

177.【问答题】洁净区工作人员应注意些什么？

【答案】保持部件与工具洁净，保持个人清洁卫生.不能把洁净服提来

【答案】保持部件与工具洁净，保持个人清洁卫生.不能把洁净服提来

提去,人员不能触摸或翻动洁净服.禁止吃喝,禁止用手表,首饰,指甲

油，吸烟,化妆,工作只能在洁净面上进行.

178.【单项选择题】塑封中注塑成型工艺主要工艺参数有()、模具

温度、合模压力、注射压力、注射速度和成型时间.

A.准备工具

B.准备模塑料

C.模塑料预热

【答案】C

179.【问答题】简述在芯片制造中对金属电极材料有什么要求?

【答案】

1能很好的阻挡材料扩散；

2高电导率，低

1能很好的阻挡材料扩散；

2高电导率，低欧姆接触电阻；

3在半导体和金属之间有很好的附着水平；

4抗电迁水平强；

5在很薄和高温下具有很好的稳定性；

6抗侵蚀和抗氧化性好.

7具有高的导电率和纯度.

8与下层存底（通常是二氧化硅或氮化硅）具有良好的粘附性.

9与半导体材料连接时接触电阻低.

10能够淀积出均匀而且没有空洞的薄膜，易于填充通孔.

11易于光刻和刻蚀，容易制备出精细图形.

12很好的耐腐蚀性.

13在处理和应用过程中具有长期的稳定性.

180.【单项选择题】在低温玻璃密封工艺中，常用的运载剂由2%（质

量比〕的硝化纤维素溶解于98%（质量比）的醋酸异戊酯或松油醇中

制得，再将20%的运载剂与0的玻璃料均匀混合，配成印刷浆料.

A.80婷90%

B.10%"20%

C.40%-50%

【答案】A

181•【判断题】没有经济收入或交纳党费有困难的党员，由本人提出

申请,经党支部委员会同意,可以少交或免交.

【答案】对

182.【单项选择题】溅射法是由0轰击靶材外表，使靶原子从靶外

表飞溅出来淀积在衬底上形成薄膜.

A.电子

B.中性粒子

C.带能离子

【答案】C

183.【填空题】题延生长方法比拟多，其中主要的有0外延、0外

延、金属有机化学气相外延、（）外延、原子束外延、固相外延等.

【答案】化学气相；液相；分子束

184.【单项选择题】恒定外表源扩散的杂质分布在数学上称为0分

布.

A.高斯

B.余误差

C指数

【答案】B

185.【单项选择题】超声热压焊的主要应用对象是超小型镀金外壳与

镀金管帽的焊接,焊接处依靠（）封接，因而外壳零件的平整度和镀金

层厚度是实现可靠性封接的关键因素.

A.管帽变形

B.镀金层的变形

C.底座变形

【答案】B

186.【填空题】题最常用的金属膜制备方法有0加热蒸发、0蒸

发、（）.

【答案】电阻；电子束；溅射

187.【单项选择题】金属封装主要采用金属和玻璃密封工艺，金属作

封装底盘、管帽和引线，（）做绝缘和密封.

A.塑料

B.玻璃

C金属

【答案】B

188.【单项选择题】pn结的击穿电压和反向漏电流既是晶体管的重要

直流参数，也是评价0的重要标志.

A.扩散层质量

B.设计

C.光刻

【答案】A

189.【填空题】题硅片减薄腐蚀液为氢氟酸和硝酸系腐蚀液.碎化钱

片用（）系、氢氧化氨系蚀腐蚀液.

【答案】硫酸

190.【单项选择题】常用胶粘剂有热固性树脂、热塑性树脂和橡胶型

胶粘剂3大类.半导体器件的粘封工艺一般选用0.

A.热塑性树脂

B.热固性或橡胶型胶粘剂

【答案】B

191.【单项选择题】双极晶体管的高频参数是0.

A.hFEVces

B.BVce

C.ftfm

【答案】C

192.【填空题】题二氧化硅的制备方法很多，其中最常用的是高温（）、

（）淀积、PECVD淀积.

【答案】氧化；气相

193.【填空题】题钎焊包括合金烧结、共晶焊；聚合物焊又可分为（）、

0等.

【答案】导电胶粘接；银浆烧结

194.【填空题】题如果热压楔形键合小于引线直径1.5倍或大于3.0

倍，其长度小于1.5倍或大于6.0倍，判引线键合0.

【答案】不合格

195•【问答题】粘封工艺中，常用的材料有哪几类？

【答案】常用胶粘剂有热固性树脂、热塑性树脂和橡胶型胶粘剂3大

类

196.【填空题】题厚膜混合集成电路的基片种类很多，目前常用的有：

氧化铝陶瓷，（），氮化铝（A1N）陶瓷.

【答案】氧化镀陶瓷

197.【填空题】题芯片焊接质量通常进行镜检和0两项试验.

【答案】剪切强度

198.【问答题】引线焊接有哪些质量要求？

【答案】可靠性好，易保持一定形状，化学稳定性好.尽量少形成金属

间化合物,键合引线和焊盘金属间形成低电阻欧姆接触.平整度倾斜

度,平行度焊接时间焊接界面的清润.

199.【填空题】题杂质原子在半导体中的扩散机理比拟复杂，但主要

可分为0扩散和0扩散两种.

【答案】替位；间隙

200.【单项选择题】厚膜元件烧结时，浆料中的固体颗粒由接触到结

合、自由外表的收缩、空隙的排除、晶体缺陷的消除等都会使系统的

自由能（），从而使系统转变为热力学中更稳定的状态.

A.降低

B.升高

C.保持不变

【答案】A

201.【单项选择题】禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难

易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流

子0外界因素（如高温和辐射等）的干扰而产生变化.

A.越不容易受

B.越容易受

C.根本不受

【答案】A

202.【填空题】题气中的一个小尘埃将影响整个芯片的（）性、（）

率,并影响其电学性能和（）性，所以半导体芯片制造工艺需在超净厂

房内进行.

【答案】完整；成品；可靠性

203.【问答题】简述你所在工艺的工艺质量要求？你如何检查你的工

艺质量？

【答案】外延要求：

L集电极击穿电压要求

2.集电解析：外延要求：

1.集电极击穿电压要求

2.集电极串联电阻要小.

3.高频大功率小型化.刻蚀要求：

1.图形转换的保真度高

2.选择比高.

3.刻蚀速率高.

4.刻蚀剖面.

5.刻蚀偏差.

6.刻蚀因子大.

7.均匀性.

204.【填空题】题外壳设计包括电性能设计、热性能设计和结构设计

三局部，而0设计也包含在这三局部中间.

【答案】可靠性

205.【单项选择题】器件的横向尺寸限制几乎全由0来实现.

A.掩膜版

B扩散

C.光刻

【答案】C

206.【填空题】题外延层的迁移率低的因素有原材料纯度0；反响

室漏气；外延层的晶体（）；系统沾污等；载气纯度不够；外延层晶体

缺陷多；生长工艺条件不适宜.

【答案】不够；质量差

207.【填空题】题热分解化学气相淀积二氧化硅是利用0化合物,

经过热分解反响,在基片外表淀积二氧化硅.

【答案】含有硅的化合物

208.【问答题】单晶片切割的质量要求有哪些？

【答案】晶向偏离度总厚度误差,平衡度，翘曲度等

209.【单项选择题】平行缝焊的工艺参数有焊接电流、焊接速度、焊

轮压力和焊轮椎顶角.焊轮压力影响盖板和焊环之间高阻点的（）.压

力太大，电阻值下降,对形成焊点不利，焊轮压力太小，那么造成接触

不良,不但形不成良好点.

A.电流值

B.电阻值

C.电压值

【答案】B

210.【单项选择题】反响离子腐蚀是0.

A.化学刻蚀机理

B.物理刻蚀机理

C.物理的溅射刻蚀和化学的反响刻蚀相结合

【答案】C

2n.【单项选择题】在突缘电阻焊工艺中，要获得良好的焊接质量,必

须确定的根本标准包括0A.焊接电流、焊接电压和电极压力

B.焊接电流、焊接时间和电极压力

C.焊接电流、焊接电压和焊接时间

【答案】B

212.【填空题】题金丝球1

【答案】A

213.【单项选择题】半导体分立器件、集成电路对外壳的主要要求之

一是：良好的热性能.外壳应有小的0，使芯片的热量有效地散逸出

去，保证器件在正常结温下工作.A热阻

B.阻抗

C.结构参数

【答案】A

214.【单项选择题】说明构成每个单元所需的基本门和基本单元的集

成电路设计过程叫O：

A、逻辑设计

B、物理设计

C、电路设计

D、系统设计

【答案】A

215.【填空题】对标准单元设计EDA系统而言，标准单元库应包含以

下内容:()、和()、()、()0

【答案】逻辑单元符号库；功能单元库；拓扑单元库；版图单元库

216.【单项选择题】将预先制好的掩膜直接和涂有光致抗蚀剂的晶片

表面接触，再用紫外光照射来进行曝光的方法，称为()曝光。

A.接触

B.接近式

C.投影

【答案】A

217.【单项选择题】从离子源引出的是：（）

A、原子束

B、分子束

C、中子束

D、离子束

【答案】D

218.【单项选择题】在温度相同的情况下，制备相同厚度的氧化层,

分别用干氧，湿氧和水汽氧化，哪个需要的时间最长？（）

A、干氧

B、湿氧

C、水汽氧化

D、不能确定哪个使用的时间长

【答案】A

219.【单项选择题】位错的形成原因是O。

A.位错就是由弹性形变造成的

B.位错就是由重力造成的

C.位错就是由范性形变造成的

D.以上答案都不对

【答案】C

220.【填空题】在扩散之前在硅表面先沉积一层杂质，在整个过程中

这层杂质作为扩散的杂质源，不再有新的杂质补充，这种扩散方式称

为：（）

【答案】恒定表面源扩散

221.【填空题】外延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外

延、金属有机化学气相外延、分子束外延、O、固相外延等。

【答案】化学气相；液相；原子束外延

222.【填空题】用肉眼或显微镜可观察二氧化硅的以下质量:颜色O、

结构（）；表面无（）、无（）、不发花；表面无裂纹、（）。

【答案】是否均匀；是否致密；斑点；白雾；无针孔

223.【单项选择题】单相3线插座接线有严格规定（）

A.〃左零〃〃右火〃

B.〃左火〃〃右零〃

【答案】A

224.【问答题】衬底清洗过程包括哪几个步骤？

【答案】（1）擦洗表面的大块污物；（2）浸泡；（3）化学腐蚀；（4）

水清洗；（5）干燥。

225.【单项选择题】恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为什么分

布？O

A、高斯函数

B、余误差函数

C、指数函数

D、线性函数

【答案】B

226.【填空题】工艺人员完成工艺操作后要认真、及时填写工艺记录，

做到记录内容详细、（）、（）、书写工整、（）。

【答案】真实；完整；数据准确

227.【单项选择题】离子注入层的深度主要取决于离子注入的（）。

A.能量

B.剂量

【答案】A

228.【填空题】白光照射二氧化硅时，不同的厚度有不同的（）。

【答案】干涉色

229.【单项选择题】从离子源引出的是：O

A、原子束

B、分子束

C、中子束

D、离子束

【答案】D

230.【单项选择题】人们规定：O电压为安全电压.

A.36伏以下

B.50伏以下

C.24伏以下

【答案】A

231•【问答题】为什么说洁净技术是半导体芯片制造过程中的一项重

要技术？

【答案】半导体芯片制造，尤其是随着高度集成复杂电路和微波器件

的发展，要求获得细线条、高精度、大面积的图形，各种形式的污染

都将严重影响半导体芯片成品率和可靠性。生产中的污染，除了由于

化学试剂不纯、气体纯化不良、去离子质量不佳引入之外，环境中的

尘埃、杂质及有害气体、工作人员、设备、工具、日用杂品等引入的

尘埃、毛发、皮屑、油脂、手汗、烟雾等都是重要污染来源。例如,

PN结表面污染上尘埃、皮屑、油脂等将引起反向漏电或表面沟道，手

汗引起的Na离子沾污会使MOS器件阈值电压飘移，甚至导致晶体管

电流放大系数不稳定，空气中尘埃的沾污将引起器件性能下降，以致

失效；光刻涂胶后尘埃的沾污将使二氧化硅层形成针孔或小岛；大颗

粒尘埃附着在光刻胶表面，会使掩膜版与芯片间距不一致，使光刻图

形模糊；高温扩散过程中，附着在硅片上的尘埃将引起局部掺杂和快

速扩散，使结特性变坏。所以洁净技术是半导体芯片制造过程中的一

项重要技术。

232.【单项选择题】二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行()

扩散。

A.预

B.再

C.选择

【答案】C

233.【填空题】抛光片的质量检测项目包括：几何参数，直径、()、

主参考面、副参考面、平整度、弯曲度等；O,电阻率，载流子浓度，

迁移率等；晶体质量，晶向，位错密度。

【答案】厚度；电学参数

234.【填空题】半导体材料的主要晶体结构有()型、闪锌矿型、()

型。

【答案】金刚石；纤锌矿

235.【单项选择题】光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半

导体晶片表面的掩膜层上的工艺()

A.刻制图形

B.绘制图形

C.制作图形

【答案】A

236.【单项选择题】将预先制好的掩膜直接和涂有光致抗蚀剂的晶片

表面接触，再用紫外光照射来进行曝光的方法，称为()曝光。

A.接触

B.接近式

C.投影

【答案】A

237.【填空题】对标准单元设计EDA系统而言，标准单元库应包含以

下内容:()、和()、()、()。

【答案】逻辑单元符号库；功能单元库；拓扑单元库；版图单元库

238•【问答题】集成电容主要有哪几种结构？

【答案】①金属-绝缘体-金属(MIM)结构；

②多晶硅/金属-绝缘体-多晶硅结构；

③金属叉指结构；

④PN结电容；

⑤MOS电容。

239.【填空题】全定制、半定制版图设计中用到的单元库包含O、

（）、（）和（）。

【答案】符号图；抽象图；线路图；版图

240.【填空题】半导体材料有两种载流子参加导电，具有两种导电类

型。

一种是O,另一种是（）。

【答案】电子；空穴

241.【填空题】离子注入是借其（）强行进入靶材料中的一个（）物

理过程。

【答案】动能；非平衡

242.【单项选择题】下列晶体管结构中，在晶体管输出电流很大时常

使用的是：O

A、单基极条图形

B、双基极条图形

C、基极和集电极引线孔都是马蹄形结构

D、梳状结构

【答案】D

243.【填空题】光刻工艺一般都要经过涂胶、O、曝光、O、坚膜、

腐蚀、（）等步骤。

【答案】前烘；显影；去胶

244.【填空题】外延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、O外

延、金属有机化学气相外延、分子束外延、O、固相外延等。

【答案】化学气相；液相；原子束外延

245.【问答题】对于大尺寸的MOS管版图设计，适合采用什么样的版

图结构？简述原因。

【答案】（1）S管的版图一般采用并联晶体管结构。

采用并联晶体管结构后，可共用源区和漏区，使得在同样宽长比的情

况下，漏区和源区的面积被减小，并因此使得器件源极和漏极的PN

结电容被减小，对提高电路的动态性能很有好处。

（2）寸器件在版图设计时还采用折叠的方式减小一维方向上的尺寸。

因为器件的尺寸大，即叉指的个数较多，如果采用简单并列的方式，

将由于叉指到信号引入点的距离不同引起信号强度的差异。同时，由

于在一维方向上的工艺离散性，也将导致最左端的叉指和最右端的叉

指所对应的并联器件在参数和结构上产生失配。

246.【填空题】半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂O加速到的需

要的O,直接注入到半导体晶片中，并经适当温度的O。

【答案】离子；能量；退火处理

247.【填空题】在半导体工艺中，硫酸常用于去除O和配制O等。

【答案】光刻胶；洗液

248.【填空题】用肉眼或显微镜可观察二氧化硅的以下质量:颜色O、

结构（）；表面无（）、无（）、不发花；表面无裂纹、（）。

【答案】是否均匀；是否致密；斑点；白雾；无针孔

249.【问答题】什么叫光刻？光刻工艺质量的基本要求是什么？

【答案】光刻是一种图形复印和化学腐蚀相结合的精密表面加工技术。

对光刻工艺质量的基本要求是：刻蚀的图形完整、尺寸准确、边缘整

齐、线条陡直；图片内无小岛、不染色、腐蚀干净；图形套合十分准

确；介质膜或金属膜上无针孔；硅片表面清洁、不发花、无残留的被

腐蚀物质。

250.【单项选择题】说明构成每个单元所需的基本门和基本单元的集

成电路设计过程叫O：

A、逻辑设计

B、物理设计

C、电路设计

D、系统设计

【答案】A

251.【问答题】集成电路封装有哪些作用？

【答案】（1）机械支撑和机械保护作用。

（2）传输信号和分配电源的作用。

（3）热耗散的作用。

（4）环境保护的作用。

252.【填空题】在扩散之前在硅表面先沉积一层杂质，在整个过程中

这层杂质作为扩散的杂质源，不再有新的杂质补充，这种扩散方式称

为：（）

【答案】恒定表面源扩散

253.【单项选择题】腐蚀二氧化硅的水溶液一般是用O

A、盐酸

B、硫酸

C、硝酸

D、氢氟酸

【答案】D

254.1多项选择题】硅外延片的应用包括（）。

A.二极管和三极管

B.电力电子器件

C.大规模集成电路

D.超大规模集成电路

【答案】A,B,C,D

255.【填空题】半导体材料可根据其性能、晶体结构、结晶程度、化

学组成分类。比较通用的则是根据其化学组成可分为元素（）、O