模拟电子技术模拟习题（含参考答案）

模拟电子技术模拟习题（含参考答案）一、单选题（共103题，每题1分，共103分）1.二极管只要发生击穿现象，一定会造成二极管的永久性损坏。A、正确;B、错误正确答案：B答案解析：当二极管发生电击穿时，如果能及时限制电流，二极管不会损坏；只有发生热击穿时，才会造成二极管的永久性损坏。2.集成运算放大器的反馈深度|1+AF|=0时，运放处于（）A、深度负反馈B、正反馈C、负反馈D、自激振荡正确答案：D答案解析：当集成运算放大器的反馈深度|1+AF|=0时，意味着AF=-1，此时运放处于自激振荡状态。因为当满足AF=-1这个条件时，放大器会产生持续的等幅振荡，这就是自激振荡的特征。3.共模信号和差模信号都是电路传输和放大的有用信号。（）A、对:B、错正确答案：B答案解析：共模信号通常是需要抑制的干扰信号，而不是有用信号，差模信号是有用信号，所以题干说法错误。4.微变等效电路中不但有交流量,也存在直流量。()A、正确;B、错误正确答案：B答案解析：微变等效电路是在交流小信号下对放大电路进行分析的模型，主要分析的是交流量，直流量通过设置合适的静态工作点来保证晶体管工作在放大区等合适的状态，在微变等效电路中不考虑直流量的具体作用过程，只关注交流量的变化情况。5.射极输出器的特点是（）A、只有电流放大而没有电压放大，输出电阻小、输入电阻大B、只有电压放大而没有电流放大，输出电阻小、输入电阻大C、既有电流放大也有电压放大，输出电阻小、输入电阻大D、只有电流放大而没有电压放大，输出电阻大、输入电阻小正确答案：A答案解析：射极输出器的特点是电压放大倍数近似为1，所以只有电流放大而没有电压放大。其输出电阻小，带负载能力强；输入电阻大，对前级信号源的影响小。6.共射放大电路输出波形出现上削波，说明电路出现了饱和失真。（）A、错B、对:正确答案：A答案解析：输出波形出现上削波，说明电路出现了截止失真；而饱和失真会导致输出波形出现下削波。7.正弦电流经过二极管整流后的波形为（）。A、矩形方波；B、等腰三角波；C、仍为正弦波。D、正弦半波；正确答案：D答案解析：正弦电流经过二极管整流后，二极管具有单向导电性，会使电流只能单向通过，从而将正弦波的负半周削去，得到正弦半波。8.分压式偏置的共发射极放大电路中,若VB点电位过高,电路易出现()。A、饱和失真B、截止失真C、晶体管被烧损正确答案：A9.如果两个信号,它们的大小相等,相位相同,则它们是()信号。A、模拟B、差模C、共模正确答案：C10.双极型半导体器件是()。A、二极管;B、场效应管;C、稳压管。D、晶体三极管;正确答案：D答案解析：双极型半导体器件主要指的是晶体三极管，它内部同时存在电子和空穴两种载流子参与导电。二极管只有一种载流子参与导电，场效应管是单极型器件，依靠一种载流子导电，稳压管本质上也是二极管。11.场效应管的g极是它的()。A、栅极B、漏极C、源极D、发射极正确答案：A答案解析：场效应管有三个极，分别是栅极（g极）、漏极（d极）和源极（s极），发射极是三极管的电极，所以g极是栅极，答案选A。12.测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA，3.6mA和3.66mA，该晶体管的β等于（）A、50B、60C、61D、100正确答案：B答案解析：根据晶体管电流分配关系\(I_E=I_B+I_C\)，已知三个电极电流分别为\(0.06mA\)，\(3.6mA\)和\(3.66mA\)，可得\(I_B=0.06mA\)，\(I_C=3.6mA\)。则\(\beta=\frac{I_C}{I_B}=\frac{3.6}{0.06}=60\)，所以\(\beta\gt60\)。13.集成运放电路采用直接耦合方式是因为（）A、可防止交越失真的产生B、可获得很大的放大倍数C、集成工艺难于制造大容量电容D、可最大限度的减小零点漂移正确答案：C14.PN结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。（）A、对:B、错正确答案：A答案解析：PN结的单向导电性是指在PN结上加正向电压时，PN结导通，呈现低电阻，有较大电流通过；加反向电压时，PN结截止，呈现高电阻，只有很小的反向电流。所以只有在外加电压时才能体现出其单向导电性，该说法正确。15.放大电路只有既放大电压又放大电流时，才能称为具有放大作用。A、错误B、正确;正确答案：A答案解析：放大电路只要有电压放大作用或者电流放大作用，就可以称为具有放大作用，不一定要同时具备电压和电流放大作用。16.基本放大电路中的主要放大对象是()。A、交流信号B、交直流信号均有C、直流信号正确答案：A答案解析：在基本放大电路中，主要放大对象是交流信号。直流信号主要用于设置静态工作点，以保证晶体管处于合适的工作状态，使电路能够对交流信号进行不失真放大。而放大电路的核心功能是对变化的交流信号进行放大处理，所以主要放大对象是交流信号。17.集成运放一般分为两个工作区，它们分别是（）。A、线性与非线性；B、正反馈与负反馈；C、虚断和虚短。正确答案：A答案解析：集成运放一般分为线性与非线性两个工作区。在线性区，集成运放满足虚断和虚短的特性；在非线性区，集成运放处于开环或正反馈状态，输出电压只有两种可能，即正饱和值或负饱和值，不满足虚断和虚短的特性。正反馈与负反馈是电路的反馈类型，不是集成运放的工作区分类。虚断和虚短是集成运放在线性区的特性，不是工作区分类。18.NPN型三极管工作在放大状态时，其发射极电位最高，集电极电位最低。（）A、对:B、错正确答案：B答案解析：当NPN型三极管工作在放大状态时，集电极电位最高，发射极电位最低。因为在放大状态下，集电结反偏，集电极电位高于基极电位；发射结正偏，基极电位高于发射极电位，所以集电极电位最高，发射极电位最低。19.射极输出器是典型的（）。A、电流串联负反馈；B、电压并联负反馈；C、电压串联负反馈。正确答案：C答案解析：射极输出器的输出电压与输入电压同相，输出电压跟随输入电压变化，且输出电压小于输入电压，具有电压跟随特性。从反馈类型来看，它是通过电阻Rb将输出电压反馈到输入端，与输入电压串联，属于电压串联负反馈。这种反馈方式能稳定输出电压，提高输入电阻，降低输出电阻等。20.晶体管的电流放大倍数通常等于放大电路的电压放大倍数。()A、正确;B、错误正确答案：B答案解析：晶体管的电流放大倍数与放大电路的电压放大倍数是两个不同的概念，它们之间没有必然的相等关系。电流放大倍数主要描述晶体管对电流的放大能力，而电压放大倍数与电路的结构、元件参数等有关，由输入电压与输出电压的比值决定。21.分析集成运放的非线性应用电路时，不能使用的概念是（）。A、虚地；B、虚短；C、虚断。正确答案：B答案解析：集成运放工作在线性区时存在虚短现象，即同相输入端和反相输入端电位近似相等。而在非线性应用电路中，集成运放处于开环或正反馈状态，输出电压不是处于正向饱和值就是处于负向饱和值，不再满足虚短的条件，所以不能使用虚短这个概念。而虚地是虚短在特定情况下的一种表现形式，虚断在非线性应用中依然成立。22.NPN型晶体管构成的共射极放大电路的交流输出波形出现顶削波时的失真为（）失真。A、截止B、频率C、饱和D、交越正确答案：A23.放大电路的集电极电流超过极限值ICM,就会造成管子烧损。()A、正确;B、错误正确答案：B24.场效应管正常工作时,电路中的电流是由()构成的。A、少子B、自由电子载流子C、多子D、空穴载流子正确答案：C答案解析：场效应管正常工作时，电路中的电流是由多子构成的。场效应管是利用多数载流子导电的，这与双极型三极管利用两种载流子导电不同。多子的浓度基本不受温度等因素影响，所以场效应管具有较好的热稳定性等特点。25.共发射极放大电路的反馈元件是（）。A、电阻RB；B、电阻RE；C、电阻RC。正确答案：B答案解析：反馈元件是对放大器输出信号进行取样并送回到输入端参与信号比较和调整的元件。在共发射极放大电路中，电阻RE接在发射极，它对输出信号进行取样并反馈到输入端，起到稳定静态工作点等反馈作用。而电阻RB主要是给三极管提供基极偏置电流，电阻RC主要是将集电极电流的变化转换为电压变化输出到负载，它们都不是反馈元件。26.P型半导体中的少数载流子是()A、自由电子B、空穴C、正离子D、负离子正确答案：A答案解析：P型半导体是在本征半导体中掺入少量的三价元素形成的。在P型半导体中，空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。所以答案选A。27.射极输出器的输出电阻小，说明该电路的（）A、带负载能力强；B、减轻前级或信号源负荷。C、带负载能力差；正确答案：A答案解析：射极输出器输出电阻小，意味着它能够较为轻松地驱动负载，即带负载能力强。当负载变化时，输出电阻小可以使输出电压相对稳定，从而更好地为负载提供稳定的信号，所以带负载能力强。28.在本征半导体中加入_____元素可形成P型半导体。A、五价B、四价C、三价正确答案：C答案解析：在本征半导体中加入三价元素可形成P型半导体。三价元素最外层有3个电子，在与硅或锗组成晶体时，会产生一个空穴，空穴很容易吸引电子，从而形成以空穴导电为主的P型半导体。而五价元素形成的是N型半导体，四价元素一般用于本征半导体，加入三价元素才会形成P型半导体，所以选[C]。29.稳压二极管的正常工作状态是()。A、任意状态B、导通状态C、反向击穿状态D、截止状态正确答案：C答案解析：稳压二极管正常工作在反向击穿状态，当反向电压达到其击穿电压时，稳压二极管会击穿，通过很大的反向电流，且在一定范围内，即使电流变化，其两端电压基本保持稳定，从而起到稳压作用。30.N型半导体中多数载流子是_____。A、空穴B、自由电子C、PN结正确答案：B答案解析：N型半导体是在本征半导体中掺入五价杂质元素后形成的，五价杂质原子最外层有5个电子，在与硅原子组成共价键时，会多出一个电子，这个电子很容易成为自由电子，所以N型半导体中多数载流子是自由电子。31.射极输出器是典型的电压串联负反馈放大电路。（）A、对:B、错正确答案：A答案解析：射极输出器的反馈信号取自输出电压，与输入电压串联后加在晶体管的输入回路，使净输入电压减小，是电压串联负反馈放大电路，所以该说法正确。32.N沟道场效应管的电流ID是由沟道中的（）在漏源极之间电场作用下形成的。A、电子；B、空穴；C、电子和空穴。正确答案：A答案解析：N沟道场效应管中参与导电的主要是电子，其电流ID是由沟道中的电子在漏源极之间电场作用下形成的。空穴主要在P型半导体中参与导电，在N沟道场效应管中不是主要的导电载流子。所以答案是[A、]>电子；33.N型半导体是在本征半导体中加入微量的()元素构成的。A、三价;B、四价;C、五价;D、六价。正确答案：C答案解析：N型半导体是在本征半导体中加入微量的五价元素构成的。五价元素最外层有5个电子，在与硅或锗组成晶体时，会有一个多余的电子，这个电子很容易成为自由电子，从而使半导体中自由电子的数量增加，形成以电子导电为主的N型半导体。34.若分压偏置式共射放大电路的上偏流电阻RB1短路，则电路中晶体三极管处于（）。A、截止状态；B、饱和状态；C、放大状态。正确答案：B答案解析：当分压偏置式共射放大电路的上偏流电阻\(R_{B1}\)短路时，三极管基极电位\(V_{B}\)会升高，导致基极电流\(I_{B}\)增大。根据三极管的特性曲线，当\(I_{B}\)增大到一定程度时，三极管会进入饱和状态。此时，集电极电流\(I_{C}\)不再随着基极电流的增加而线性增加，三极管失去了放大作用。35.若使三极管具有电流放大能力,必须满足的外部条件是()A、发射结正偏、集电结反偏B、发射结反偏、集电结反偏C、发射结反偏、集电结正偏D、发射结正偏、集电结正偏正确答案：A答案解析：要使三极管具有电流放大能力，必须满足发射结正偏，集电结反偏。发射结正偏能使发射区向基区发射电子，集电结反偏可将基区扩散过来的电子收集到集电区，从而实现电流放大作用。36.因放大电路对不同频率信号成分的放大能力和相移能力不同而造成输出畸变的现象称为（）A、截止失真B、交越失真C、饱和失真D、频率失真正确答案：D答案解析：频率失真是指由于放大电路对不同频率信号成分的放大能力和相移能力不同，从而导致输出信号产生畸变的现象。截止失真和饱和失真是由于静态工作点设置不当导致的非线性失真；交越失真是乙类功率放大电路中特有的一种非线性失真，与频率无关。37.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（）A、对:B、错正确答案：B答案解析：N型半导体中多子是自由电子，但整个半导体呈电中性。因为虽然自由电子带负电，但半导体中还有带正电的原子核，正负电荷总量相等，所以N型半导体不带电。38.对于工作在放大区的晶体三极管而言，下列式子正确的是：A、Ie=βIbB、Ic=βIbC、I=βIb正确答案：B答案解析：在放大区，晶体三极管的基极电流\(I_b\)、集电极电流\(I_c\)和发射极电流\(I_e\)满足\(I_e=I_b+I_c\)，且\(I_c=\betaI_b\)，\(\beta\)是电流放大倍数。所以在放大区晶体三极管的电流关系为\(I_c=\betaI_b\)。39.PN结两端加正向电压时,其正向电流是()而成。A、多子扩散B、少子扩散C、少子漂移D、多子漂移正确答案：A答案解析：当PN结两端加正向电压时，P区的多子空穴会向N区扩散，N区的多子电子会向P区扩散，形成正向电流，所以正向电流是多子扩散而成。40.三极管超过()所示极限参数时,必定被损坏。A、集电极最大允许电流ICMB、集—射极间反向击穿电压U(BR)CEOC、集电极最大允许耗散功率PCMD、管子的电流放大倍数正确答案：C答案解析：当三极管的集电极最大允许耗散功率PCM超过时，三极管因过热必定被损坏。集电极最大允许电流ICM超过时不一定马上损坏；集—射极间反向击穿电压U(BR)CEO超过时是被击穿，但不一定就损坏；管子的电流放大倍数不是极限参数，且超过也不一定损坏。41.基本放大电路中,经过晶体管的信号有()。A、交流成分B、直流成分C、交直流成分均有正确答案：C答案解析：基本放大电路中，晶体管工作在放大区，输入的交流信号通过晶体管进行放大，同时晶体管的直流偏置确保其正常工作在放大状态，所以经过晶体管的信号有交直流成分均有。42.基本放大电路通常都存在零点漂移现象。()A、正确;B、错误正确答案：A答案解析：基本放大电路中，由于晶体管参数受温度影响以及电源电压波动等原因，确实存在零点漂移现象，特别是在直接耦合放大电路中更为明显。所以该说法正确，答案选A。43.NPN型晶体管构成的共射极放大电路的交流输出波形顶部出现失真为（）失真。A、频率B、交越C、饱和D、截止正确答案：D答案解析：顶部出现失真是截止失真，当静态工作点设置过低，使晶体管在输入信号负半周时进入截止区，导致输出波形顶部失真。而饱和失真出现在波形底部，交越失真主要出现在乙类或甲乙类功率放大电路中，频率失真与波形顶部或底部失真无关。44.集成运放在开环状态下，输入与输出之间存在线性关系。（）A、错B、对:正确答案：A答案解析：集成运放在开环状态下，电压放大倍数非常大，输入信号很微弱时输出就会进入饱和区或截止区，输出与输入之间不存在线性关系，只有引入深度负反馈时，输入与输出之间才存在线性关系。45.PN结两端加正向电压时,其正向电流是()而成。A、多子扩散;B、少子扩散;C、少子漂移;D、多子漂移。正确答案：A答案解析：当PN结两端加正向电压时，P区的多子空穴会向N区扩散，N区的多子电子会向P区扩散，形成正向电流，所以正向电流是多子扩散而成。46.分压式偏置的共射放大电路，若VB点电位偏高，电路易出现（）。A、截止失真B、饱和失真C、交越失真D、不会失真正确答案：B答案解析：当VB点电位偏高时，会导致基极电流IB增大，集电极电流IC也会增大，使得三极管容易进入饱和区，从而出现饱和失真。47.N型半导体中的少数载流子是()A、自由电子B、空穴C、正离子D、负离子正确答案：B答案解析：N型半导体中多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴。48.测得NPN三极管各电极对地电压分别为VE＝2.1V，VB＝2.8V，VC＝4.4V，则该管必工作在（）。A、放大区B、饱和区C、截止区D、反向击穿区正确答案：A答案解析：三极管工作在放大区时，发射结正偏，集电结反偏，此时UBE=VB-VE>0，UBC=VC-VB<0。已知VE＝2.1V，VB＝2.8V，VC＝4.4V，UBE=2.8V-2.1V=0.7V>0，UBC=4.4V-2.8V=1.6V<0，满足放大区条件。而饱和区时UBC≥0，截止区时UBE≤0，反向击穿区是集电极和发射极之间反向电压过大导致的特殊情况，本题均不符合，所以该管工作在放大区。49.微变等效电路不能进行静态分析,也不能用于功放电路分析。()A、正确;B、错误正确答案：A答案解析：微变等效电路是在交流小信号下对放大电路进行分析的方法，主要用于分析放大电路的动态性能，不能进行静态分析。功放电路工作在大信号状态，微变等效电路不适用于大信号分析，所以该说法正确。50.集成运放的非线性应用存在()现象。A、虚地;B、虚断;C、虚断和虚短。正确答案：B51.“虚短”和“虚断”两个重要概念，无论是分析运放的线性电路还是非线性电路均适用。（）A、对:B、错正确答案：B答案解析：“虚短”和“虚断”仅适用于分析运放的线性电路，在非线性电路中不适用，所以该说法错误，答案选B。52.具有输入、输出反相关系的小信号放大电路是()A、共集电放大电路B、共射放大电路C、射极输出器D、共基放大电路正确答案：B答案解析：共射放大电路的输入信号与输出信号相位相反，即具有输入、输出反相关系。共基放大电路输入与输出同相；共集电极放大电路（射极输出器）输入与输出同相。53.P型半导体中的多数载流子是（）A、自由电子B、空穴C、正离子D、负离子正确答案：B答案解析：P型半导体是在本征半导体中掺入少量的三价元素形成的，三价元素最外层有3个电子，在与硅或锗组成晶体时，会产生一个空穴。因此P型半导体中的多数载流子是空穴。54.绝缘栅型场效应管的输入电流()。A、无法判断。B、为零;C、较大;D、较小;正确答案：B答案解析：绝缘栅型场效应管的栅极与源极、漏极之间是绝缘的，不存在直流输入电流，其输入电流为零。55.P型半导体是在本征半导体中加入微量的（）元素构成的。A、三价；B、四价；C、五价；D、六价。正确答案：A答案解析：P型半导体是在本征半导体中加入微量的三价元素构成的。在本征半导体中加入三价元素后，会形成大量空穴，空穴成为多数载流子，所以P型半导体也叫空穴型半导体。56.晶体三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。（）A、对:B、错正确答案：B答案解析：晶体三极管的集电极和发射极结构不同，其掺杂浓度、面积等存在差异，互换使用会导致三极管无法正常工作，失去放大等功能，所以不能互换使用。57.差分放大电路能够有效地抑制零漂,因此具有很高的共模抑制比。()A、错误B、正确;正确答案：B答案解析：差分放大电路通过电路结构的设计有效地抑制了零漂，而共模抑制比是衡量差分放大电路对共模信号抑制能力的指标，抑制零漂能力强也就意味着对共模信号的抑制能力强，所以具有很高的共模抑制比，该说法正确。58.若使晶体三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（）A、发射结正偏、集电结正偏；B、发射结反偏、集电结正偏。C、发射结正偏、集电结反偏；D、发射结反偏、集电结反偏；正确答案：C答案解析：三极管要具有电流放大能力，必须满足发射结正偏，这样才能有足够的载流子注入到基区，同时集电结反偏，以便将基区的载流子收集到集电极，形成较大的集电极电流，从而实现电流放大作用。59.共集放大电路的特点是()A、只有电流放大而没有电压放大,输出电阻大、输入电阻小B、只有电压放大而没有电流放大,输出电阻小、输入电阻大C、只有电流放大而没有电压放大,输出电阻小、输入电阻大D、既有电流放大也有电压放大,输出电阻小、输入电阻大正确答案：C答案解析：共集放大电路的特点是电压放大倍数小于近似等于1，即只有电流放大而没有电压放大。其输出电阻小，带负载能力强；输入电阻大，对信号源影响小。所以选项C正确。60.N型半导体是在本征半导体中掺入微量的（）价杂质元素构成的。A、三价B、四价C、五价D、六价正确答案：C答案解析：N型半导体是在本征半导体中掺入微量的五价杂质元素构成的。五价杂质原子最外层有5个电子，在与硅原子组成晶体时，会多余一个电子，这个电子很容易成为自由电子，从而使半导体中自由电子的数量增加，主要以电子导电为主，形成N型半导体。61.P型半导体中的多数载流子是()A、自由电子B、空穴C、正离子D、负离子正确答案：B答案解析：P型半导体是在本征半导体中掺入硼等三价杂质元素后形成的。掺入的三价杂质原子因缺少一个价电子而在共价键中留下一个空穴，这个空穴很容易被相邻原子中的价电子填补，从而使杂质原子成为负离子，同时在该原子的共价键中产生一个空穴。这样，空穴成为P型半导体中的多数载流子，而自由电子成为少数载流子。62.基极电流iB的数值较大时,易引起静态工作点Q接近()。A、截止区;B、饱和区;C、死区。正确答案：B答案解析：当基极电流iB数值较大时，三极管容易进入饱和状态，此时静态工作点Q接近饱和区。63.单极型半导体器件是()。A、二极管B、双极型三极管C、场效应管D、稳压管正确答案：C答案解析：场效应管是单极型半导体器件，它依靠一种载流子（多数载流子）导电。二极管是两端器件，双极型三极管依靠电子和空穴两种载流子导电，稳压管是特殊的二极管，所以选项A、B、D都不符合单极型半导体器件的定义。64.具有输入、输出反相关系的小信号放大电路是（）A、共集电放大电路B、共基放大电路C、射极输出器D、共射放大电路正确答案：D答案解析：共射放大电路的输入信号与输出信号相位相反，即具有输入、输出反相关系。共基放大电路输入与输出同相；共集电放大电路（射极输出器）输入与输出同相。65.测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE=2.1V,VB=2.8V,VC=4.4V,说明此三极管处在()。A、放大区;B、饱和区;C、截止区;D、反向击穿区。正确答案：A答案解析：因为发射结正偏（\(V_{B}-V_{E}=2.8V-2.1V=0.7V\)），集电结反偏（\(V_{C}-V_{B}=4.4V-2.8V=1.6V\)），所以三极管处于放大区。66.PN结两端加正向偏置电压时，其正向电流是由（）而成。A、多子漂移B、少子漂移C、多子扩散D、少子扩散正确答案：C答案解析：当PN结两端加正向偏置电压时，外电场与内电场方向相反，削弱了内电场，使得多子的扩散运动增强，形成正向电流，所以正向电流是由多子扩散而成。67.差动放大电路利用其对称性，可以有效地抑制零点漂移现象。（）A、对:B、错正确答案：A答案解析：差动放大电路的对称性使得两边的电路结构和参数相同，在输入信号为零时，两边输出信号大小相等、极性相反，相互抵消，从而有效地抑制了零点漂移现象。68.二极管只要发生击穿现象，一定会造成二极管的永久性损坏。（）A、错B、对:正确答案：A答案解析：二极管击穿分为电击穿和热击穿。电击穿一般是可逆的，当反向电压降低后，二极管仍可恢复正常工作；而热击穿是不可逆的，会造成二极管永久性损坏。所以题干说二极管只要发生击穿现象就一定会造成永久性损坏是错误的。69.分压式偏置的共发射极放大电路中，若VB点电位过高，电路易出现（）。A、截止失真；B、饱和失真；C、晶体管被烧损。正确答案：B答案解析：当VB点电位过高时，基极电流IB会增大，导致集电极电流IC也增大，从而使晶体管容易进入饱和区，出现饱和失真。70.PNP型三极管用于放大时，应使发射结、集电结处于（）。A、发射结正偏、集电结反偏B、发射结正偏、集电结正偏C、发射结反偏、集电结正偏D、发射结反偏、集电结反偏正确答案：A答案解析：三极管用于放大时，对于PNP型三极管，应使发射结正偏，集电结反偏，这样才能保证三极管处于放大状态，实现电流的放大作用。选项B发射结和集电结都正偏时，三极管处于饱和状态；选项C发射结反偏、集电结正偏不符合三极管放大的条件；选项D发射结和集电结都反偏时，三极管处于截止状态。71.低频小信号放大电路中，输入、输出具有反相关系的放大电路是（）A、共射放大电路B、共漏放大电路C、共基放大电路D、共集电放大电路正确答案：A答案解析：共射放大电路的特点是输入信号与输出信号反相，即具有180°的相位差，所以输入、输出具有反相关系。共基放大电路输入与输出同相；共集电极放大电路和共漏放大电路输入与输出也同相。72.正常工作在反向击穿区的特殊二极管是()。A、变容二极管B、稳压二极管C、光电二极管D、发光二极管正确答案：B答案解析：稳压二极管工作在反向击穿区，在击穿状态下能起到稳定电压的作用。发光二极管是将电能转化为光能，工作在正向导通状态；变容二极管主要利用其电容随反向偏压变化的特性，一般不工作在反向击穿区；光电二极管是在光照射下产生电流，工作在反向偏置状态，但不是利用反向击穿特性。73.放大电路中的所有电容器的作用均为通交隔直。()A、正确;B、错误正确答案：A74.集成运放的非线性应用存在（）现象。A、虚断和虚短。B、虚地；C、虚断；正确答案：C75.放大电路中的所有电容器，起的作用均为通交隔直。（）A、对:B、错正确答案：A76.共射组态的放大电路，如果输出波形出现下削波，一定发生了截止失真。（）A、对:B、错正确答案：B答案解析：输出波形出现下削波，说明输出电压的负半周被削去，这是由于静态工作点设置过高，导致晶体管进入饱和区，发生了饱和失真，而不是截止失真。截止失真是输出波形的正半周被削去。77.基本放大电路中，经过晶体管的信号有（）。A、直流成分；B、交流成分；C、交直流成分均有。正确答案：B78.分析集成运放的非线性应用电路时,不能使用的概念是()。A、虚地;B、虚短;C、虚断。正确答案：B答案解析：集成运放工作在非线性区时，输出电压不是输入电压的线性放大关系，不存在“虚短”现象，即\(u_{+}\nequ_{-}\)。而“虚断”概念仍然适用，因为集成运放的输入电阻很大，流入输入端的电流近似为零；“虚地”在某些非线性应用电路中也可能出现，比如反相比例运算放大器工作在非线性区且输入电压为负时可能会出现虚地情况。所以不能使用的概念是虚短。79.绝缘栅型场效应管的输入电流（）。A、无法判断。B、较大；C、为零；D、较小；正确答案：C答案解析：绝缘栅型场效应管的栅极与其他电极之间是绝缘的，不存在栅极电流，所以输入电流为零。80.测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE＝2.1V，VB＝2.8V，VC＝4.4V，说明此三极管处在（）。A、放大区；B、饱和区；C、截止区；D、反向击穿区。正确答案：A答案解析：三极管工作在放大区时，发射结正偏，集电结反偏，对于NPN型三极管，满足\(V_{B}>V_{E}\)且\(V_{C}>V_{B}\)。此三极管\(V_{B}=2.8V\)，\(V_{E}=2.1V\)，\(V_{C}=4.4V\)，符合放大区的电位关系，所以处于放大区。81.MOS管形成导电沟道时，总是有两种载流子同时参与导电。（）A、对:B、错正确答案：B答案解析：MOS管分为N沟道MOS管和P沟道MOS管。N沟道MOS管形成导电沟道时，主要是电子参与导电；P沟道MOS管形成导电沟道时，主要是空穴参与导电。所以MOS管形成导电沟道时，并非总是有两种载流子同时参与导电。82.基极电流iB的数值较大时，易引起静态工作点Q接近（）。A、截止区；B、饱和区；C、死区。正确答案：B答案解析：当基极电流\(iB\)数值较大时，三极管容易进入饱和状态，此时静态工作点\(Q\)接近饱和区。截止区是基极电流很小甚至为零时的状态；死区是指二极管等器件在正向电压较小时没有电流导通的区域，与本题中基极电流较大的情况无关。83.虚短”就是两点并不真正短接，但具有相等的电位。（）A、对:B、错正确答案：A答案解析：“虚短”是指在理想运放中，其同相输入端和反相输入端电位近似相等，就好像两点短接在一起，但实际上并没有真正短接，所以该说法正确，答案选A。84.本征半导体中掺入五价杂质元素后，生成N型半导体，其多子是自由电子载流子。（）A、对:B、错正确答案：A答案解析：在本征半导体中掺入五价杂质元素后，会形成N型半导体。在N型半导体中，多子是自由电子，少子是空穴。所以该说法正确，答案选A。85.“虚短”和“虚断”两个重要概念，无论是分析运放的线性电路还是非线性电路均适用。A、正确;B、错误正确答案：B答案解析：“虚短”和“虚断”是分析运放线性电路时的重要概念，在分析运放非线性电路时不适用，因为非线性电路中运放工作在非线性区，不满足“虚短”和“虚断”的条件。86.差动放大电路能够有效地抑制零漂，因此具有很高的共模抑制比。（）A、对:B、错正确答案：A答案解析：差动放大电路对共模信号有很强的抑制能力，能有效抑制零漂，共模抑制比很高，所以该说法正确，答案选A。差动放大电路通过电路结构的对称性，使得共模信号在输出端相互抵消，而差模信号得到放大，从而实现抑制零漂和高共模抑制比的特性。87.NPN型晶体管构成的共射极放大电路的交流输出波形顶部出现失真为()失真。A、交越B、频率C、饱和D、截止正确答案：D答案解析：顶部失真是截止失真，底部失真是饱和失真。当输入信号幅度增大时，NPN型晶体管共射极放大电路输出波形顶部出现失真，说明晶体管在信号负半周时进入截止区，工作点设置过高，导致输出信号无法跟随输入信号变化，这种失真为截止失真。88.基本放大电路中,经过晶体管的信号有()。A、直流成分;B、交流成分;C、交直流成分均有。正确答案：C答案解析：在基本放大电路中，晶体管工作在放大区，输入的交流信号叠加在直流偏置上，经过晶体管后，输出信号中既有反映输入信号变化的交流成分，又有直流偏置所决定的直流成分，所以经过晶体管的信号交直流成分均有。89.共发射极放大电路的反馈元件是()。A、电阻REB、电阻RCC、电阻RB正确答案：A答案解析：共发射极放大电路中，电阻RE是反馈元件，它引入了直流负反馈和交流负反馈，对稳定静态工作点和改善放大器性能有重要作用；电阻RC主要用于将集电极电流的变化转换为电压变化以实现电压放大；电阻RB是为三极管提供合适的基极偏置电流。90.测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE=2.1V,VB=2.8V,VC=4.4V,说明此三极管处在()。A、放大区B、饱和区C、截止区D、反向击穿区正确答案：A答案解析：三极管工作在放大区时，发射结正偏，集电结反偏，满足\(V_{B}>V_{E}\)且\(V_{C}>V_{B}\)。此三极管中\(V_{B}=2.8V\)，\(V_{E}=2.1V\)，\(V_{C}=4.4V\)，满足\(V_{B}>V_{E}\)且\(V_{C}>V_{B}\)，所以三极管处在放大区。91.PN结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。A、正确;B、错误正确答案：A答案解析：PN结的单向导电性是指在正向偏置时导通，反向偏置时截止，只有在外加电压形成正向偏置或反向偏置的情况下才能体现出这种特性，所以该说法正确。92.分压式偏置的共发射极放大电路中,若VB点电位过高,电路易出现()。A、截止失真;B、饱和失真;C、晶体管被烧损。正确答案：B答案解析：VB点电位过高，会导致基极电流过大，使得三极管容易进入饱和区，从而出现饱和失真。93.输出端交流短路后仍有反馈信号存在，可断定为电流负反馈。（）A、错B、对:正确答案：B答案解析：电流负反馈的特点是当输出端交流短路时，反馈信号依然存在。因为电流负反馈是取样电流来形成反馈信号，输出短路时电流仍然可能存在，所以会有反馈信号。而电压负反馈取样的是电压，输出短路时电压为零，反馈信号就不存在了。所以当输出端交流短路后仍有反馈信号存在，可断定为电流负反馈，该说法正确。94.普通放大电路中存在的失真均为交越失真。()A、正确;B、错误正确答案：B答案解析：交越失真是乙类功率放大电路特有的失真，普通放大电路中存在的失真有饱和失真、截止失真等多种，并非均为交越失