1+X集成电路理论考试模拟题（含参考答案）

1+X集成电路理论考试模拟题（含参考答案）一、单选题（共39题，每题1分，共39分）1.“5s”中第4个s是（）。A、整顿B、清扫C、清洁D、安全正确答案：C答案解析：“5S”中第1个S是整理，第2个S是整顿，第3个S是清扫，第4个S是清洁，第5个S是修养。2.通常情况下，一个内盒中装入的DIP管装芯片()颗。A、3000B、1000C、5000D、2000正确答案：D答案解析：一般情况下，一个内盒中装入的DIP管装芯片2000颗。3.当测压手臂未吸起芯片，经检查有芯片在入料梭上后，需按“()”键继续吸取一次。A、SKIPB、RESTARTC、RETRYD、STOP正确答案：C答案解析：当测压手臂未吸起芯片，经检查有芯片在入料梭上后，需按“RETRY”键继续吸取一次。4.若遇到需要编带的芯片，在测试完成后的操作是()。A、测试B、上料C、编带D、外观检查正确答案：C答案解析：转塔式分选机的操作步骤一般为：上料→测试→编带→外观检查→真空包装。5.在半自动探针台进行扎针调试时，当针尖悬于待测点上方，先调节()旋钮。A、X轴B、Y轴C、Z轴D、X-Y-Z微调正确答案：B答案解析：在半自动探针台上进行扎针调试时，当针尖悬于待测点上方，先用Y轴旋钮将探针退后少许，再用Z轴旋钮下针，最后用X轴旋钮。6.晶圆切割的作用是（）。A、对晶圆边缘进行修正B、将完整的晶圆分割成单独的晶粒C、在完整的晶圆上划出切割道的痕迹，方便后续晶粒的分离D、切除电气性能不良的晶粒正确答案：B答案解析：晶圆切割将整片晶圆切割成一颗颗独立的晶粒，用于后续集成电路的制造。7.对准和曝光过程中，套准精度是指形成的图形层与前层的最大相对位移大约是关键尺寸的（）。A、二分之一B、三分之一C、四分之一D、五分之一正确答案：B答案解析：版图套准过程有了对准规范，也就是常说的套准容差或套准精度。具体是指要形成的图形层与前层的最大相对位移。一般而言大约是关键尺寸的三分之一。8.窄间距小外形封装的英文简称为（）。A、SIPB、SOPC、SSOPD、QFP正确答案：C答案解析：SIP-单列直插式封装；SOP-小外形封装；SSOP-窄间距小外形封装；QFP-四侧引脚扁平封装。9.探针台上的()处于()状态时不能进行其他操作，容易引起探针台死机，导致晶圆撞击探针测试卡。A、红色指示灯、亮灯B、指示灯、亮灯C、绿色指示灯、亮灯D、红色指示灯、灭灯正确答案：B答案解析：探针台上的指示灯处于亮灯状态时不能进行其他操作，容易引起探针台死机，导致晶圆撞击探针测试卡。其中红色指示灯表示下降，绿色指示灯表示上升，当至少有一盏指示灯处于亮灯状态时不能进行其他操作。10.转塔式分选机常见故障不包括（）。A、真空吸嘴无芯片B、测试卡与测试机调用的测试程序错误C、料轨堵塞D、IC定位错误正确答案：D11.分选机选择依据是（）。A、芯片的应用等级B、芯片封装类型C、芯片的电气特性D、芯片的管脚数量正确答案：B12.芯片粘接过程中点银浆之后进入（）步骤。A、框架上料B、芯片拾取C、框架收料D、银浆固化正确答案：B答案解析：芯片粘接流程为：放置引线框架和晶圆→参数设置→框架上料→点银浆→芯片拾取→框架收料→银浆固化（烘烤箱内进行）。13.()即方形扁平无引脚封装，表面贴装型封装之一。现在多称为LCC。封装四侧配置有电极触点。A、QFNB、QFPC、LGAD、DIP正确答案：A答案解析：QFN即方形扁平无引脚封装，表面贴装型封装之一。现在多称为LCC。封装四侧配置有电极触点，由于无引脚，贴装占有面积比QFP小，高度比QFP低。14.扎针测试时，完成晶圆信息的输入后，需要核对()上的信息，确保三者的信息一致。A、MAP图、测试机操作界面、晶圆测试随件单B、MAP图、探针台界面、晶圆测试随件单C、MAP图、软件检测程序、晶圆测试随件单D、MAP图、软件版本、晶圆测试随件单正确答案：A答案解析：扎针测试时，完成测试机操作界面的晶圆信息输入后，需要核对MAP图、测试机操作界面、晶圆测试随件单上的信息，确保三者的信息一致。15.激光打标文本内容和格式设置好之后，需要（）。A、选择打标文档B、点击保存按钮C、点击开始打标按钮D、调整光具位置正确答案：B答案解析：打标文本内容编辑好后点击“保存”即可，然后开始调整光具位置准备打标。16.在光刻过程中，完成涂胶后需要进行质量评估，以下不属于涂胶质量评估时，光刻胶覆盖硅片的质量缺陷的是（）。A、光刻胶脱落B、光刻胶中有针孔C、光刻胶起皮D、光刻胶的回溅正确答案：A17.PE板函数：_set_drvpin()函数原形：void_set_drvpin(char*logic，unsignedintPin，...)；函数功能：设置输出（驱动）管脚的逻辑状态；参数说明：*logic——逻辑标志（“H”，“L”），H：高电平，L：低电平，pin，...——管脚序列（1，2，3，…64），管脚序列要以0结尾；现设定PIN1，3，5输出高电平，实例代码为：（）。A、_sel_drv_pin(“H”，1，3，5，0)；B、_sel_drv_pin(“L”，1，3，5，1)；C、_sel_drv_pin(“H”，1，5，3，0)；D、_sel_drv_pin(“L”，1，5，3，1)；正确答案：A18.风淋的作用是（）。A、清除进入车间的人或物体表面的灰尘B、检测进入车间人员的体重与生态状况C、降低人体衣物表面的温度D、使衣物保持洁净、平整正确答案：A答案解析：风淋的操作是针对芯片处于裸露状态工艺的车间设计的，其目的是为了清除进入车间的人或物体表面的灰尘，保证车间内的无尘环境不被破坏。19.金属钨在集成电路中通常用于（）。A、填充塞B、金属连线C、阻挡层D、焊接层正确答案：A答案解析：金属钨在集成电路中通常用于钨填充塞。20.装片机上料区上料时，是将（）的引线框架传送到进料槽。A、最顶层B、最底层C、任意位置D、中间层正确答案：B21.以全自动探针台为例，关于上片的步骤，下列所述正确的是：()。A、打开盖子→花篮放置→花篮下降→花篮到位→花篮固定→合上盖子B、打开盖子→花篮放置→花篮到位→花篮下降→花篮固定→合上盖子C、打开盖子→花篮放置→花篮下降→花篮固定→花篮到位→合上盖子D、打开盖子→花篮放置→花篮固定→花篮下降→花篮到位→合上盖子正确答案：D答案解析：以全自动探针台为例，上片的步骤为：打开盖子→花篮放置→花篮固定→花篮下降→花篮到位→合上盖子。22.晶圆检测工艺中，在进行上片之前需要进行()操作。A、导片B、加温、扎针调试C、扎针测试D、打点正确答案：A答案解析：晶圆检测工艺流程：导片→上片→加温、扎针调试→扎针测试→打点→烘烤→外检→真空入库。23.载带的预留长度一般是()。A、50-70cmB、70-90cmC、30-50cmD、10-30cm正确答案：A24.请根据下列图片判断哪幅图片是合格针迹？（）A、图片B、图片C、图片D、图片正确答案：A25.SOP封装的芯片因其体积小等特点，一般采用()。A、料盘包装B、编带包装C、料管包装D、散装正确答案：B答案解析：SOP封装的芯片因其体积小等特点，一般采用编带包装。26.转塔式分选机设备芯片检测工艺流程中，上料之后的环节是()。A、测试B、分选C、编带D、外观检查正确答案：A答案解析：转塔式分选机设备芯片检测工艺的操作步骤一般为：上料→测试→编带→外观检查→真空包装。27.()是使硅片上的局部区域达到平坦化。A、平滑处理B、部分平坦化C、局部平坦化D、全局平坦化正确答案：C答案解析：局部平坦化是将硅片表面局部进行平坦化处理，使其达到较高的平整度。28.在cadence软件中可以按先后次序保存（）个命令在系统中，一旦超出将不会执行。A、7B、10C、5D、3正确答案：C29.先进的平坦化技术有()。A、反刻法B、高温回流法C、旋涂玻璃法D、化学机械抛光法正确答案：D答案解析：反刻法、高温回流法、旋涂玻璃法属于传统平坦化技术,化学机械抛光法属于先进平坦化技术。30.使用转塔式分选设备进行芯片测试时，其测试环节的流程正确的是（）。A、测前光检→测后光检→测试→芯片分选B、测前光检→测后光检→芯片分选→测试C、测前光检→测试→测后光检→芯片分选D、芯片分选→测前光检→测后光检→测试正确答案：C31.引线键合机内完成键合的框架送至出料口的引线框架盒内，引线框架盒每接收完一个引线框架会（）。A、保持不动B、自动上移一定位置C、自动下移一定位置D、自动后移一定位置正确答案：C答案解析：完成引线键合的框架由传输装置送进出料口的引线框架盒内。框架盒每接收完一个引线框架，自动下移一定位置，等待接收下一个引线框架。32.单晶硅生长完成后，需要进行质量检验，其中热探针法可以测量单晶硅的（）参数。A、电阻率B、少数载流子寿命C、导电类型D、直径正确答案：C33.晶圆检测工艺中，在进行打点之前，需要进行的操作是()。A、外检B、扎针调试C、打点D、扎针测试正确答案：D答案解析：晶圆检测工艺流程：导片→上片→加温、扎针调试→扎针测试→打点→烘烤→外检→真空入库。34.通常一个花篮中最多装（）片晶圆。A、30B、25C、20D、15正确答案：B35.编带检查完后，需要以最小内盒数为单位拆批打印标签，一式()份。A、1B、2C、3D、4正确答案：C答案解析：编带检查完后，需要以最小内盒数为单位拆批打印标签，一式三份。36.转塔式分选机日常维护包括（）。A、不易保养的部位进行拆卸检查B、更换磨损部件C、紧固螺丝，电气电路的检查D、ABC选项都包括正确答案：D37.打开安装好的keil软件，点击工具栏“魔术棒”按钮，点击（）选项，选择目标芯片。A、TargetB、C/C++C、DebugD、Device正确答案：D38.平移式分选机进行芯片分选时，吸嘴从()上吸取芯片。A、收料盘B、待测料盘C、入料梭D、出料梭正确答案：D答案解析：平移式分选机进行芯片分选时，吸嘴从出料梭上吸取芯片。39.料盘检查完后，需要以最小内盒数为单位拆批打印标签，一式()份。A、1B、2C、3D、4正确答案：B答案解析：料盘检查完后，需要以最小内盒数为单位拆批打印标签，一式两份。二、多选题（共26题，每题1分，共26分）1.以下刻蚀方法中，不属于各向同性的刻蚀是（）。A、湿法刻蚀B、溅射刻蚀C、等离子体刻蚀D、反应离子刻蚀正确答案：BD答案解析：湿法刻蚀和等离子体刻蚀是各向同性的，溅射刻蚀和反应离子刻蚀属于各向异性。2.辅助运放测试法的注意事项包括以下哪些（）。A、电阻为的平衡电阻（减少输入电流对测量的影响），所以和需精密配对B、与的精度决定测试精度C、测量时被测运放应在指定条件（依据芯片数据手册要求）下工作D、被测芯片的失调电压不超过几毫伏正确答案：ABC3.在单片机程序装载中，使用SW串口下载程序需注意（）。A、需要在魔法棒按钮的debug中选setting设置地址范围B、需要在魔法棒按钮的outout中设置生成batch文件C、需要在魔法棒按钮的debug中选择sw串口而不是j-linkD、需要在魔法棒按钮的output中设置生成hex文件正确答案：AB4.平移式分选机的分选机构主要由()组成。A、出料梭B、吸嘴C、料盘D、收料架正确答案：ABCD答案解析：平移式分选机的分选机构主要由出料梭、吸嘴、料盘、收料架组成。5.LK32T102单片机编写程序并烧录的过程中可能会用到的软件有（）。A、Keil-mdkB、VC++C、串口助手D、Matlab正确答案：AC6.在原理图编辑器内，执行Tools→FootprintManager命令，显示封装管理对话框，在该对话框的元件列表（ComponeneList）区域，显示原理图内的所有元件，鼠标选择每一个元件可以（）当前选中元件的封装。A、添加B、删除C、编辑D、复制正确答案：ABC7.探针卡焊接没到位的情况有（）。A、探针卡针焊不到位。B、探针卡布线断线或短路。C、背面有突起物，焊锡线头。D、基板上铜箔剥落，针焊接不牢固，或焊锡没有焊好而造成针虚焊。正确答案：ABCD8.在使用信号发生器的注意事项包括（）。A、示波器探头接入时，宜用力接入，避免接插端口松动B、注意仪器通道接口静电防护C、严格限制接入信号幅度，有大信号接入示波器时,需要先预估信号电平,并选用合适的衰减器对信号进行衰减,防止大信号烧毁示波器输入通道D、注意使用环境，避免在灰尘过大环境使用设备正确答案：BCD9.5mil的墨管常用于（）的晶圆。A、6英寸B、12英寸C、8英寸D、5英寸正确答案：AD10.塑封工序需要的设备有（）。A、装片机B、转塔式分选机C、显微镜D、排片机E、高频预热机F、注塑机正确答案：DEF答案解析：装片机-芯片粘接工序；转塔式分选机-芯片检测工艺；显微镜-第二道光检和第三道光检；排片机、高频预热机、注塑机-塑封工艺。11.集成电路的品种很多，总的可分为（）。A、模拟电路B、数字电路C、数模混合电路D、单独元器件的单元电路正确答案：ABC12.以下属于抽真空质量不合格的情况的是()。（多选题）A、防静电铝箔袋破损B、防静电铝箔袋褶皱C、防静电铝箔袋周边存在空气残留D、防静电铝箔袋外形整齐正确答案：ABC答案解析：如果发现真空包装好的卷盘不整齐或不光滑，有弯曲、变形现象或铝箔袋周边存在明显的空气残留、褶皱、破损等现象，需要重新抽真空。13.在8个LED灯闪烁实验中“PB->OUT=0xff00;”表示（）。A、PB0~PB7为输出B、PB8~PB15为输出C、输出高电平，点亮LED灯D、输出低电平，点亮LED灯正确答案：AD14.在薄膜制备的过程中，需要检验薄膜的质量，以下属于氧化层表面缺陷的是（）。A、白雾B、斑点C、层错D、针孔正确答案：AB15.ESD防静电门禁支持（）的静电测试。A、手指B、手掌C、左脚D、右脚E、人脸正确答案：ACD答案解析：ESD防静电门禁支持左右脚和手指静电测试。16.在绘制总体电路图的过程中，对电路图的要求是（）。A、清楚地反映出电路的组成B、反映出电路的工作原理C、表现出各个信号的流向D、表现出电路各部分的关系正确答案：ABCD17.封装工艺中，电镀的主要目的是增强暴露在塑封体外面的引线的（）。A、耐高温能力B、抗氧化性C、抗蚀性D、防水性正确答案：BC18.晶圆检测过程中，若其车间内洁净度不达标，则可能会导致（）。A、测试良率降低B、探针测试卡上出现异物C、探针测试卡报废D、晶圆报废正确答案：ABCD答案解析：当车间洁净度不达标时生产中电路质量和设备将受到影响。比如在晶圆检测过程中，可能会使探针测试卡上出现异物，严重时会导致探针测试卡损毁、晶圆报废，因此导致测试良率降低、测试不稳定，带来巨大损失，故A、B、C、D均正确。19.下列描述正确的是（）。A、开环增益越大越好B、共模抑制比越大越好C、静态电源电流越大越好D、输入失调电压越大越好正确答案：AB20.以下是晶圆扎针测试完成后，对于不合格的管芯完成的打点图，请选择合格打点的管芯（）。A、图片B、图片C、图片D、图片正确答案：AB21.单晶硅生长过程中，无位错正常生长的标志有()、()。A、晶棱随细颈转为宽平B、有反光或细颈某一侧向外鼓起C、长出规定尺寸的细颈D、界面出现抖动的光圈正确答案：AB答案解析：晶棱随细颈缩小转为宽平，并可见有反光或细颈某一侧面向外鼓起，这都是无位错单晶正常生长的标志。长出规定尺寸的细颈是缩颈这一过程。界面出现抖动的光圈是在引晶的过程中，籽晶与多晶硅液面熔接后会出现的情况，熔接后出现抖动的光圈说明温度太高。22.编带由()和()组成。A、载带B、盖带C、塑料带D、薄膜正确答案：AB答案解析：编带由盖带和载带组成，将待编芯片放入载带内，再对载带上的盖带进行热封，防止芯片散落。23.下列有关输出高低电平测试描述正确的是（）。A、测量VOL时测试机向被测芯片输出管脚施加正电流B、测量VOH时测试机向被测芯片输出管脚施加正电流C、测量VOL时测试机向被测芯片输出管脚施加负电流D、测量VOH时测试机向被测芯片输出管脚施加负电流正确答案：AD24.封装工艺前期的晶圆研磨的主要目的是（）和（）。A、减小晶圆体积，节省空间B、提高晶圆散热性C、降低后续工艺中的设备损害和原料成本D、使晶圆表面保持光滑规整正确答案：BC答案解析：晶圆磨片后不仅可以提高晶圆散热性，而且可以降低对切割机造成的损害以及降低引线键合和塑料封装过程中原材料成本。25.进入风淋室之前，要确定（）后，在进入。A、风淋室内部无人B、身上无灰尘C、风淋室运行正常D、脚上无鞋子正确答案：AC答案解析：进入风淋室前，确认风淋室内无人且运行正常后，打开风淋室外门，进入其内，进行风淋除尘，此时穿有无尘鞋。26.去飞边的工艺方法有（）。A、水去飞边B、等离子体去飞边C、介质去飞边D、溶剂去飞边正确答案：ACD三、判断题（共35题，每题1分，共35分）1.抽真空操作时，可以不用踩真空包装机的踏板。A、正确B、错误正确答案：B答案解析：抽真空时，脚踩踏板进行抽真空操作。2.经转塔式分选机测试的芯片都需要进行编带。A、正确B、错误正确答案：B答案解析：TO封装的芯片不需要进行编带。3.以全自动探针台为例，在上片过程中，需注意花篮位置放置准确，否则有可能导致晶圆探针错位、破片。A、正确B、错误正确答案：A4.作为与加工线之间的接口文件，制版文件主要内容包括芯片的基本信息和工艺层次等。A、正确B、错误正确答案：A5.无铅电镀是在暴露于塑封体外部的引线框架表面镀上浓度高于95.99%的高浓度锡，采用无铅电镀主要是因为其生产成本相对较低。A、正确B、错误正确答案：B答案解析：无铅电镀采用的锡浓度高于99.95%，采用无铅电镀主要是为了减少铅对环境的污染。6.使用并行测试的重力式分选设备进行芯片测试时，只能选择2sites进行测试。A、正确B、错误正确答案：B7.由于电源线、地线非常重要，因此可以尽量增加它们的宽度，以避免电压降和电迁移问题。A、正确B、错误正确答案：A8.进入芯片检测车间前需要换上无尘衣、发罩等。A、正确B、错误正确答案：B答案解析：芯片检测工艺通常在常规千级无尘车间内进行，进入车间前穿戴防静电服和发罩即可，无需穿无尘衣。9.对晶圆的背面也需要进行外观检查，检查是否有沾污、受损等情况。A、正确B、错误正确答案：A10.氮化硅薄膜作为集成电路芯片的钝化保护层，可以保护芯片避免划伤，降低芯片对外界环境的敏感性。A、正确B、错误正确答案：A11.外验和外观检查是同一个部门，为了保证外检的合格率，需要进行抽检。A、正确B、错误正确答案：B答案解析：由于外验和外观检查是由两个部门完成的，进行外验一是根据随件单信息与实物进行核对并进行抽检，二是为了对前面的工序进行验证。12.防静电点检在刷员工上岗证时，需要站在地上保持接，身份证通过后，开始检测静电。A、正确B、错误正确答案：B答案解析：防静电点检时，双脚站在防静电测试仪指定位置，在刷卡位置刷员工上岗证，此时系统会对人员身份进行自动识别。刷员工上岗证时，双脚需要站在防静电测试仪的指定位置，不能直接站在地上。13.编带外观检查时，若发现该批次的不良品率超标，则将该批次的芯片全部报废。A、正确B、错误正确答案：B答案解析：编带外观检查采用抽检的方式，若本次不良品率超标，则需要对整批芯片进行外观检查。14.晶圆具有各向异性特点，切片时要按照一定的方向进行。A、正确B、错误正确答案：A答案解析：晶圆具有各向异性的特点，切片时要按照一定的方向进行，晶圆才能满足集成电路的需求，而且也不易破片。15.光刻过程中，如果涂胶不好，特别是HMDS涂得不好，胶与硅片粘附性差，会造成局部区域的胶脱落，导致图形不完整。A、正确B、错误正确答案：A16.在将原理图信息导入到新的PCB之前，请确保所有与原理图和PCB相关的库都是可用的。A、正确B、错误正确答案：A17.封装工艺中，激光打标可以留下永久性标记。A、正确B、错误正确答案：A18.CMOS集成电路制作工艺中，P阱是用于制作PMOS管的。A、正确B、错误正确答案：B19.进行编带外观检查时，需要用周转盘将检查好的编带进行回卷。A、正确B、错误正确答案：A20.完成二氧化硅薄膜的制备后，需要对薄膜厚度进行检测