电工电子技术（下） 19章习题答案

第19章存储器和可编程逻辑器件自测题一、填空题1．8、122．ROM、RAM3．144．213、8K5．646．电容C上存储的电荷、不断刷新7．字、位8．与门阵列、或门阵列二、判断题1×2×3√4√5√6√7×8√9√三、选择题1a2d3d4a5a6a7a8a19.8解：当RAM芯片的字数和位数均小于系统要求时，需要将上述（字扩展和位扩展）两种扩展方法结合使用。在字、位同时扩展情况下，一般先进行位扩展，然后再对位扩展后的RAM进行字扩展。需用1K?×4位RAM芯片的数量为：下图是将4片1K×4位RAM扩展成2K×8位RAM的连接图。由于扩展后的字数是单片RAM的2倍，所以需增加地址线A10。通过反相器产生两组RAM的片选信号，而每组2片RAM则构成位扩展结构。扩展后，各RAM芯片的十进制地址分配如下：芯片(1)(低4位)和芯片(2)(高4位)的地址为0～1023，芯片(3)(低4位)和芯片(4)(高4位)的地址为1024～2047。19.9解：(1)512×2位：512=29，故有9个地址输入端。(2)1K×8位：1K=1024=210，故有10个地址输入端。(3)2K×1位：2K=2048=211，故有11个地址输入端。(4)16K×1位：16K=214，故有14个地址输入端。(5)256×4位：256=28，故有8个地址输入端。(6)64K×1位：64K=216，故有16个地址输入端。19.10解：先将上式化为最小项和的形式：ROM点阵图如图所示：19.11解：由题中给定的逻辑函数知由此画出实现上述逻辑函数的逻辑图如下图所示。19.12解：(1)(1024K/256K)×(32/32)=4(2)(256K/27K)×(32/4)=2×8=16(3)4×16=6419.13解：它的最大存储容量为：220×16位=1M×16位19.14解：将4片2114扩展成4096×4位的存储器，只须字扩展，位不变，地址线为12个，其中低10位作为2114的地址输入。由于译码器要求采用3-8译码器，故译码器的地址输入端只有两位A10A11，高位设置为0，另外的3个控制信号应如图所示。I/OI/O0I/O1I/O2I/O32114RAMA0A1…A9R/WCSI/O0I/O1I/O2I/O32114RAMA0A1…A9R/WCSI/O0I/O1I/O2I/O32114RAMA0A1…A9R/WCSI/O0I/O1I/O2I/O32114RAMA0A1…A9R/WCSI/O0I/O1I/O2I/O33-8译码器A0A1┇A9A10A110100AY0BY1CY2G1Y3┇Y719.15解：将4片存储容量为1024×4位大小的RAM扩展成一个存储容量为4096×4位大小的RAM，只须字扩展，位不变，地址线为12个，其中低10位作为1024×4位大小的RAM的地址输入。由于译码器要求2-4译码器74LS139，故译码器的地址输入端只有两位A10A11，如图所示。I/OI/O0I/O1I/O2I/O31024×4位RAMA0A1…A9R/WCSI/O0I/O1I/O2I/O31024×4位RAMA0A1…A9R/WCSI/O0I/O1I/O2I/O31024×4位RAMA0A1…A9R/WCSI/O0I/O1I/O2I/O31024×4位RAMA0A1…A9R/WCSI/O0I/O1I/O2I/O32-4译码器74LS139芯片1A0A1┇A9A10A110A0Y0A1Y1Y2Y3S19.16解：DDDD化简之;DDDD19.17解：先将化简得：PAL14H4连接图如图所示：19.18解：（1）FFF（2）应用真值表（穷举法）输入输出A1A0B1B0F1F2F30000000000110000100100011110010010001010100110110011100110000101001110101000110111011100110110100111101011111011由上表知，输出F1~F3实现对以输入的A1A0，B1B0的两位二进制加法运算，下标1的是高位，0的是低位；F1为低位加法结果输出，F2为高位加法结果输出，F3为两位加法结果向高位的进位。（3）将1中的逻辑式化简