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2025年大学(微电子科学与工程)半导体器件毕业综合测试试题及答案

(考试时间:90分钟满分100分)班级______姓名______第I卷(选择题共40分)答题要求:本大题共20小题,每小题2分,共40分。在每小题给出的四个选项中,只有一项是符合题目要求的。请将正确答案的序号填在括号内。1.半导体中起导电作用的主要是()A.自由电子B.空穴C.离子D.自由电子和空穴2.杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()A.温度B.掺杂浓度C.光照D.电场强度3.P型半导体中,空穴是()A.自由电子B.束缚电子C.多数载流子D.少数载流子4.当PN结外加正向电压时,扩散电流()漂移电流。A.大于B.小于C.等于D.不确定5.稳压二极管正常工作时应处于()A.正向导通区B.反向截止区C.反向击穿区D.不确定6.三极管处于放大状态时,其发射结(),集电结()。A.正偏,正偏B.正偏,反偏C.反偏,正偏D.反偏,反偏7.三极管的电流放大倍数β等于()A.Ic/IbB.Ib/IcC.Ie/IbD.Ib/Ie8.场效应管的控制方式是()A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电流D.电压控制电压9.绝缘栅型场效应管的输入电阻()A.较小B.很大C.为零D.不确定10.半导体二极管的反向电流随温度升高而()A.增大B.减小C.不变D.不确定11.半导体三极管的穿透电流Iceo随温度升高而()A.增大B.减小C.不变D.不确定12.集成运算放大器的输入级通常采用()A.共发射极放大电路B.共集电极放大电路C.差分放大电路D.功率放大电路13.集成运算放大器的输出级通常采用()A.共发射极放大电路B.共集电极放大电路C.差分放大电路D.功率放大电路14.晶体三极管工作在放大区时,三个电极的电位关系是()A.发射极电位最高,集电极电位最低B.集电极电位最高,发射极电位最低C.基极电位最高,发射极电位最低D.基极电位最高,集电极电位最低15.场效应管的跨导gm反映了()A.栅源电压对漏极电流的控制能力B.漏源电压对漏极电流的控制能力C.栅源电压对栅极电流的控制能力D.漏源电压对栅极电流的控制能力16.半导体的导电能力随温度升高而()A.增强B.减弱C.不变D.不确定17.当PN结外加反向电压时,空间电荷区()A.变窄B.变宽C.不变D.不确定18.稳压二极管的稳压原理是利用其()A.正向导通特性B.反向截止特性C.反向击穿特性D.不确定19.三极管的输出特性曲线分为()A.放大区、截止区、饱和区B.放大区、导通区、截止区C.放大区、饱和区、导通区D.截止区、饱和区、导通区20.集成运算放大器的开环电压放大倍数通常()A.较小B.很大C.为零D.不确定第II卷(非选择题共60分)21.(10分)简述半导体的导电特性以及本征半导体与杂质半导体的区别。22.(10分)分析PN结的单向导电性原理。23.(10分)画出三极管的共发射极放大电路原理图,并说明各元件的作用。24.(15分)材料:某放大电路中,三极管的β=50,Ic=2mA,Vcc=12V,Rc=3kΩ,Re=1kΩ,Rb=500kΩ。求:(1)三极管的基极电流Ib;(2)放大电路的电压放大倍数Au。25.(15分)材料:有一个场效应管放大电路,已知场效应管的gm=2mS,Rs=1kΩ,RL=5kΩ。求:(1)该放大电路的电压放大倍数Av;(2)若输入电压vi=2mV,求输出电压vo。答案:1.D2.B3.C4.A5.C6.B7.A8.C9.B10.A11.A12.C13.D14.B15.A16.A17.B18.C19.A20.B21.半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间,其导电特性与温度、光照、杂质等因素有关。本征半导体是纯净的半导体,其导电能力较弱,主要靠本征激发产生的自由电子和空穴导电。杂质半导体是在本征半导体中掺入适量杂质形成的,根据掺入杂质的不同,可分为N型半导体和P型半导体。N型半导体中多数载流子是自由电子,P型半导体中多数载流子是空穴。22.PN结具有单向导电性,当外加正向电压时,外电场与内电场方向相反,使空间电荷区变窄,扩散电流大于漂移电流,PN结导通;当外加反向电压时,外电场与内电场方向相同,使空间电荷区变宽,漂移电流大于扩散电流,PN结截止。23.三极管共发射极放大电路原理图:集电极接电源Vcc,通过电阻Rc接地;发射极通过电阻Re接地;基极通过电阻Rb接电源Vcc。Vcc为电路提供能源;Rc将集电极电流的变化转换为电压变化;Re起到稳定静态工作点的作用;Rb为基极提供合适偏置电压,控制基极电流。24.(1)根据Ic=βIb,可得Ib=Ic/β=2mA/50=0.04mA。(2)先求三极管的输入电阻ri,ri=β(rbe),rbe=300+(1+β)26mV/Ie,Ie≈Ic=2mA,rbe=300+(

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