CN114127900B 用于形成焊料凸块的系统和方法 （国际商业机器公司）

(19)国家知识产权局(12)发明专利(65)同一申请的已公布的文献号(30)优先权数据(85)PCT国际申请进入国家阶段日(86)PCT国际申请的申请数据PCT/EP2020/0668032020(87)PCT国际申请的公布数据WO2021/018466EN2(73)专利权人国际商业机器公司地址美国纽约阿芒克(72)发明人E.P.莱万多夫斯基J-W.纳赫姚正邦P.J.索斯(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所专利代理师王蕊瑞H01L21/48(2006.01)H10N60/82(2023.01)(54)发明名称用于形成焊料凸块的系统和方法一种形成焊料凸块的方法，所述方法包括：制备转移模具，所述转移模具具有从模具衬底延伸并且穿过第一光致抗蚀剂层的焊料柱，所述焊料柱具有由第二光致抗蚀剂层部分地限定的形状，其中所述转移模具的所述制备包括去除所述第二光致抗蚀剂层的至少一部分；将器件衬底构造成包括可润湿焊盘；将所述转移模具与所述器件衬底对准，使得所述焊料柱与所述可润湿焊盘对准；在所述焊料柱与所述可润湿焊盘之间形成金属结合；以及去除模具衬底和第一光致抗蚀剂21.一种形成焊料凸块的方法，所述方法包括：制备转移模具，所述转移模具具有从模具衬底延伸并且穿过第一光致抗蚀剂层的焊料柱，所述焊料柱具有由第二光致抗蚀剂层部分地限定的形状，其中所述转移模具的所述制备包括去除所述第二光致抗蚀剂层的至少一部分；将器件衬底构造成包括可润湿焊盘；将所述转移模具与所述器件衬底对准，使得所述焊料柱与所述可润湿焊盘对准；在所述焊料柱与所述可润湿焊盘之间形成金属结合；以及去除模具衬底和第一光致抗蚀剂层。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一光致抗蚀剂层包含永久光致抗蚀剂材料，并且所述第二光致抗蚀剂层包含可剥离光致抗蚀剂材料。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述转移模具的制备包括形成以下中的至少一在模具衬底上方的润湿层；在所述第二光致抗蚀剂层上的非润湿层。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述模具衬底是柔性的，并且所述转移模具的制备包括将所述转移模具形成为柔性转移模具。5.根据权利要求1所述的方法，进一步包括形成穿过所述器件衬底的孔。6.根据权利要求5所述的方法，进一步包括将内插器附接到量子位半导体器件上，其中所述量子位半导体器件包括约瑟夫逊结，并且其中所述内插器附接到所述量子位半导体器件上包括将穿过所述内插器的所述孔与所述约瑟夫逊结对齐，以便提供用于访问所述约瑟夫逊结的路径。7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述焊料柱是围绕所述量子位半导体器件与所述内插器之间的所述孔形成的用于提供所述约瑟夫逊结的热隔离量的多个焊料柱中的一个。8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述器件衬底包括有机衬底，并且进一步包括形成穿过所述器件衬底的孔。9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述焊料柱是所述转移模具的多个焊料柱中的一个，并且其中，所述多个焊料柱包括具有第一直径的第一焊料柱和具有第二直径的第二焊料柱，所述第一直径大于所述第二直径。10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述器件衬底包括半导体衬底，并且所述方法进一步包括在所述半导体衬底中形成深凹部。11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述半导体衬底包括在所述深凹部中的电路组件。12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属结合的形成包括冷焊接工艺，所述冷焊接工艺在所述焊料柱与所述可润湿焊盘之间形成所述金属结合。13.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述金属结合包括在焊料柱和可润湿焊盘之间形成所述金属结合的回流处理。14.根据权利要求1所述的方法，其中，所述转移模具的制备包括：图案化所述第一和第二光致抗蚀剂层以限定延伸通过所述第一和第二光致抗蚀剂层3使用注塑焊接(IMS)用焊料填充所述凹部以形成所述焊料柱。图案化所述第一和第二光致抗蚀剂层以限定延伸穿过所述第一和第二光致抗蚀剂层使用电镀用焊料填充所述凹部并且形成所述焊料柱。16.根据权利要求1所述的方法，其中，所述转移模具的制备包括：制备具有上表面的模具衬底；在所述模具衬底的上表面上方形成第一光致抗蚀剂层，所述第一光致抗蚀剂层由永久性光致抗蚀剂材料形成；在所述第一光致抗蚀剂层上形成由可剥离的光致抗蚀剂材料形成的第二光致抗蚀剂图案化所述第一和第二光致抗蚀剂层以形成延伸穿过所述第二光致抗蚀剂层和所述第一光致抗蚀剂层的至少一部分的凹部；在形成所述焊料柱之后去除所述第二光致抗蚀剂层，留下所述焊料柱的在所述第一光致抗蚀剂层上方延伸的部分。17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述模具衬底是柔性衬底。18.根据权利要求16所述的方法，进一步包括在所述模具衬底之上形成籽晶层，其中，形成所述焊料柱包括使用电镀来形成所述焊料柱。19.根据权利要求16所述的方法，其中，形成所述焊料柱包括使用注塑焊接(IMS)以形成所述焊料柱。连接到该超导芯片的内插器，该内插器限定了穿过该内插器的孔，该孔与该超导芯片多个焊料互连，这些焊料互连形成围绕这些量子位并且在该内插器与超导芯片之间的圆形壁。21.根据权利要求20所述的处理器，其中，所述圆形壁包括穿过其中的至少一个间隙。23.根据权利要求20所述的处理器，其中，所述焊料互连通过各自的金属结合连接至所述超导芯片和所述内插器上。4用于形成焊料凸块的系统和方法技术领域[0001]本发明总体上涉及用于形成焊料凸块的半导体器件、制造方法和制造系统。背景技术算背景下该词或短语的参考。[0003]分子和亚原子粒子遵循量子力学定律，量子力学定律是探索物理世界在最基本的层面上如何工作的物理学分支。在这个水平，颗粒以奇怪的方式表现，同时呈现多于一个状态，并且与非常远的其他颗粒相互作用。量子计算利用这些量子现象来处理信息。[0004]我们今天使用的计算机被称为经典计算机(在此也称为“常规”计算机或常规节算机的处理器是二进制处理器，即，对以1和0表示的二进制数据进行操作。[0005]量子处理器(q处理器)使用纠缠的量子位器件的奇特性质(在此紧凑地称为“量子进制计算限于仅使用接通和断开状态(相当于二进制编码中的1和0)的情况下，量子处理器利用这些量子物质状态来输出可用于数据计算的信号。[0006]常规计算机以位(bits)编码信息。每个位可以取1或0的值。这些1和0充当最终驱动计算机功能的开/关开关。另一方面，量子计算机是基于量子位的，该量子位根据量子物理学的两个关键原理：叠加(superposition)和纠缠(entanglement)来操作。叠加意味着每个量子位可以同时表示1和0两者。纠缠意味着在一个叠加中的量子位能够以一种非经典的方式彼此相关联；也就是说，一个量子位的状态(无论它是一个1还是一个0或者两者)可以取决于另一个量子位的状态，并且当这两个量子位被纠缠时比当它们被单独处理时有更多的信息可以被查明。[0007]使用这两个原理，量子位作为更复杂的信息处理器运行，从而使量子计算机能够以允许它们解决使用传统计算机难以处理的困难问题的方式运行。IBM已经成功地构建并证明了量子处理器的可操作性(IBM是国际商业机器公司在美国和其他国家的注册商标。)[0008]超导量子位可以包括约瑟夫逊结。约瑟夫逊结是通过由非超导材料将两个薄膜超导金属层分离而形成的。当超导层中的金属被致使变为超导(例如通过将该金属的温度降低到一个指定的低温温度)时，电子对可以从一个超导层通过该非超导层隧穿到另一个超导层。在一个超导量子位中，该约瑟夫逊结(它具有一个小的电感)与形成一个非线性谐振器的一个或多个电容性器件并联地电耦连。[0009]由量子位所处理的信息以在微波频率范围内的微波能量的形式被发射。这些微波发射被捕获、处理、和分析以解译其中编码的量子信息。为了使量子位的量子计算是可靠5导量子逻辑电路)必须不能以任何显著的方式改变这些颗粒或微波发射的能量状态。对利用量子信息操作的任何电路的这种操作约束使得在制造在这种电路中使用的半导体结构时需要特别考虑。发明内容[0010]说明性实施例提供了一种形成焊料凸块的方法。在实施例中，该方法包括制备转移模具，该转移模具具有从模具衬底延伸并且穿过第一光致抗蚀剂层的焊料柱，该焊料柱具有部分地由第二光致抗蚀剂层限定的形状，其中转移模具的制备包括去除第二光致抗蚀剂层的至少一部分。在实施例中，模具衬底是柔性的并且增加了转移模具的柔性。在实施例中，在将焊料转移到非平面接收表面时，转移模具是柔性的并且符合非平面接收表面。在实施例中，该方法包括提供具有可润湿垫的器件衬底。在实施例中，该方法包括将转移模具和器件衬底置于对准接触中，使得焊料柱与可润湿焊盘接触。在实施例中，该方法包括在焊料柱与可润湿焊盘之间形成金属结合。在实施例中，该方法包括去除模具衬底和第一光致抗蚀剂层。[0011]在一个实施方式中，所述方法包括包含永久光致抗蚀剂材料的第一光致抗蚀剂层，以及包含可剥离光致抗蚀剂材料的第二光致抗蚀剂层。[0012]在实施例中，该方法包括在模具衬底上形成润湿层。在实施例中，该方法包括在模具衬底上方形成籽晶层。在实施例中，该方法包括在第二光致抗蚀剂层上形成非润湿层。[0013]在实施方式中，模具衬底是柔性的，并且转移模具的制备包括将转移模具形成为柔性转移模具。[0014]在实施例中，该方法包括器件衬底是内插器，并且提供器件衬底包括形成穿过其中的孔。在实施例中，该方法包括将该内插器附接到量子位半导体器件上，其中该量子位半导体器件包括约瑟夫逊结，并且其中将该内插器附接到该量子位半导体器件上包括将穿过该内插器的该孔与该约瑟夫逊结对齐，以便提供用于访问该约瑟夫逊结的路径。在一个实施例中，该方法包括该焊料柱是围绕该量子位半导体器件与该内插器之间的孔形成的多个焊料柱中的一个，用于提供该约瑟夫逊结的一个热隔离量。[0015]在实施例中，该方法包括器件衬底，该器件衬底包括有机衬底，并且形成穿过器件衬底的孔。[0016]在实施例中，所述方法包括：所述焊料柱是所述转移模具的多个焊料柱中的一个，并且所述多个焊料柱包括具有第一直径的第一焊料柱和具有第二直径的第二焊料柱，所述第一直径大于所述第二直径。[0017]在实施例中，该方法包括器件衬底包括半导体衬底，并且还包括在半导体衬底中形成深凹部。在实施例中，该方法包括半导体衬底包括在深凹部中的电路部件。[0018]在实施例中，金属结合的形成包括在焊料柱和可润湿焊盘之间形成金属结合的冷焊接工艺。[0019]在实施例中，金属结合的形成包括执行在焊料柱和可润湿焊盘之间形成金属结合的回流工艺。[0020]在实施例中，该方法包括：对第一光致抗蚀剂层和第二光致抗蚀剂层进行图案化以限定延伸穿过第一光致抗蚀剂层和第二光致抗蚀剂层的凹部；以及使用注塑焊接(IMS)6用焊料填充凹部以形成焊料柱。[0021]在实施例中，所述方法包括：对所述第一光致抗蚀剂层和所述第二光致抗蚀剂层进行图案化以限定延伸穿过所述第一光致抗蚀剂层和所述第二光致抗蚀剂层的凹部；以及形成籽晶层，其中，所述籽晶层的至少一部分设置在所述凹部中；以及使用电镀来用焊料填充所述凹部并且形成所述焊料柱。[0022]实施例包括制造用于将焊料转移到衬底的转移模具的方法。在实施方式中，该方法包括制备具有上表面的模具衬底。在实施例中，该方法包括在模具衬底的上表面上方形成由永久光致抗蚀剂材料形成的第一光致抗蚀剂层。在一个实施方式中，该方法包括在第一光致抗蚀剂层上形成由可剥离的光致抗蚀剂材料形成的第二光致抗蚀剂层。在实施例中，该方法包括图案化第一光致抗蚀剂层和第二光致抗蚀剂层以形成延伸穿过第二光致抗蚀剂层和第一光致抗蚀剂层的至少一部分的凹部。在实施例中，该方法包括在凹部中形成焊料柱。在实施例中，该方法包括在形成焊料柱之后去除第二光致抗蚀剂层，留下焊料柱的在第一光致抗蚀剂层上方延伸的部分。[0023]在实施例中，模具衬底是柔性衬底。在实施例中，该方法包括在模具衬底上方形成籽晶层，其中，焊料柱的形成包括使用电镀来[0024]在实施例中，该方法包括使用注塑焊接(IMS)来形成焊料柱。[0025]实施例包括一种用于将焊料转移到衬底的转移模具装置。在实施例中，装置包括模具衬底、在模具衬底的至少一部分之上由永久光致抗蚀剂材料形成的第一光致抗蚀剂层、以及在模具衬底上方延伸穿过第一光致抗蚀剂层中的间隙的焊料柱。在实施例中，焊料柱包括在第一光致抗蚀剂层上方延伸的挤出件。在一个实施方式中，所述挤出具有部分地由第二光致抗蚀剂层限定的形状，所述第二光致抗蚀剂层由在所述第一光致抗蚀剂层上的可剥离光致抗蚀剂材料形成。在实施例中，第二光致抗蚀剂层基本上不存在于第一光致抗蚀剂层的表面的至少一部分处以限定围绕挤出件的开口区域。[0026]实施例包括一种超导量子处理器，该超导量子处理器包括：超导芯片，该超导芯片包括量子位；连接到该超导芯片上的内插器，该内插器限定了与该超导芯片上的量子位对齐的孔；以及多个焊料互连，这些焊料互连形成围绕这些量子位并且在该内插器与超导芯片之间的圆形壁。[0027]在一个实施例中，圆形壁包括穿过其中的至少一个间隙。[0029]在实施例中，这些焊料互连通过对应的金属结合而连接到该超导芯片和该内插器附图说明[0030]在所附权利要求中阐述了被认为是本发明特征的新颖特征。然而，当结合附图阅读时，通过参考说明性实施例的以下详细描述，将最好地理解本发明本身以及使用的优选[0031]图1描绘了根据示范性实施例的示出了用于形成焊料凸块的示范性方法的示意性[0032]图2A描绘了根据说明性实施例的内插器的平面图；图2B描绘了根据说明性实施例7的插入器的平面图；[0033]图3描绘了根据说明性实施例的半导体封装的横截面视图；[0034]图4描绘了根据说明性实施例的转移模具的截面视图；[0035]图5描绘了根据示范性实施例的示出了用于形成焊料凸块的示例方法的示意性截[0036]图6示出根据说明性实施例的内插器的示意性截面图；以及[0037]图7描绘了根据说明性实施例的用于形成焊料凸块的示例过程的流程图。具体实施方式[0038]并用于描述本发明的说明性实施例总体处理了并解决了在多种多样的半导体或超导体封装(以下紧凑地称为封装或多个封装，除非在使用时明确区分)中结合量子位的问题。量子位已经被成功地结合到丝焊封装中，其中量子位芯片被丝焊到衬底上，其中该约瑟夫逊结背向该衬底。希望将量子位结合到其他类型的封装中，例如倒装芯片封装，这些倒装芯片封装允许在给定的芯片面积中较大数量的量子位并且可以避免串扰问题。然而，在制造该封装体之后不能访问该约瑟夫逊结已经防止了将量子位用于其他类型的封装体中。[0039]例如，令人希望的是访问约瑟夫逊结以便对其设计频率做出调整。然而，某些类型的封装不允许调整设计频率，因为没有视线接入(no-line-of-sight)可用于将热量或反应性种类施加到约瑟夫逊结上。例如，倒装芯片封装件包括面朝下布置在硅内插器上的半导体或超导体器件，因此约瑟夫逊结将面向内插器。该内插器因此阻止对该约瑟夫逊结的访问，由此防止在该约瑟夫逊结上的热或化学过程。这是有问题的，因为令人希望的是能够在制造之后调整该量子位的设计频率，因为该理想频率直到在该器件被组装和冷却之后才是未知的。[0040]用于描述本发明的说明性实施例总体上解决并解决上述通过使用焊料转移方法来调节倒装芯片半导体封装中的量子位的设计频率的问题，该焊料转移方法允许在衬底中的通孔，否则这些通孔将阻止使用传统的图案化技术。[0041]实施例提供了一种用于在衬底上形成焊料凸块的方法。在实施例中，该方法包括制备转移模具，该转移模具在制造过程中使用。在实施方式中，转移模具用于将结构转移到正在制造的封装件的部件上。在实施例中，转移模具具有从模具衬底延伸并且穿过第一光致抗蚀剂层的焊料柱，焊料柱具有由第二光致抗蚀剂层部分地限定的形状，其中转移模具的制备包括去除第二光致抗蚀剂层的至少一部分。在实施例中，该方法包括制备具有可润湿垫的器件衬底。在实施例中，可润湿焊盘是促进液体焊料在其上扩散或与其形成金属结合的焊盘。在实施例中，该方法包括将转移模具和器件衬底置于对准接触中，使得焊料柱与可润湿焊盘接触。在实施例中，该方法包括执行焊接工艺，该焊接工艺在焊料柱与可润湿焊盘之间形成金属结合。在实施例中，该方法包括去除模具衬底和第一光致抗蚀剂层。一元件存在于诸如第二结构的第二元件上，其中，诸如界面结构的中间元件可存在于第一元件与第二元件之间。术语“直接接触”是指诸如第一结构的第一元件和诸如第二结构的第8二元件在两个元件的界面处没有任何中间导电、绝缘或半导体层的情况下连接。术语“基本上”或“基本上相似”是指长度、高度或取向上的差异在明确叙述似的术语)和基本上相似的变化之间没有表达实际差异的情况。在一个实施方式中，大量(及其衍生物)表示对于相似装置普遍接受的工程或制造公差的差异，高达例如10%的值偏[0043]为了描述的清楚，并且不暗示对其的任何限制，使用一些示例配置来描述说明性实施例。根据本公开，本领域普通技术人员将能够设想用于实现所描述的目的的所描述的配置的许多改变、适配和修改，并且在说明性实施例的范围内设想相同的改变、适配和修[0044]此外，仅作为实例，针对特定的实际或假设的部件描述说明性实施例。这些和其他类似产物的任何特定表现不旨在限制本发明。在说明性实施例的范围内，可以选择这些和其他类似产物的任何合适的表现。[0045]本公开中的示例仅用于描述的清晰，并且不限于说明性实施例。在此列出的任何优点仅是实例并且不旨在限制这些说明性实施例。通过具体的说明性实施例可以实现另外的或不同的优点。此外，特定说明性实施例可具有上文所列的优点中的一些、全部或无优根据示范性实施例的用于形成焊料凸块的示例方法。例如，在具体实施例中，根据图1A-1F所示的工艺形成转移模具100,并且然后根据图1H和1J所示的制造工艺，该转移模具100用于在图1G中所示的内插器114上形成焊料凸块。[0047]参见图1A,在特定实施例中，制备衬底102以用于组装。在一个实施例中，衬底102的制备包括用于改善即将出现的光致抗蚀剂材料对衬底102的粘附性的一个或多个工艺。例如，在一个实施例中，以这样的方式制备衬底102,该方式包括以下中的至少一个：(1)清洁以去除污染物，(2)脱水烘烤以去除水分，以及(3)将粘合促进剂添加到衬底。在实施例中，衬底102是由任何合适的材料形成的衬底。例如，在实施例中，衬底102包括在熔融焊料温度下稳定且相对于用于去除光致抗蚀剂材料的剥离溶剂稳定的柔性或刚性材料。例如，在实施例中，衬底102是刚性的并且由以下非限制性示例材料中的一种或多种材料形成：[0048]作为另一个实例，衬底102是由以下非限制性实例材料中的一种或多种形成的非刚性或柔性衬底：(1)聚酰亚胺膜(如Kapton),(2)聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET),(3)聚荼二甲酸乙二醇酯(PEN),(4)聚醚醚酮(PEEK),(5)聚乙烯(PE),(6)聚氯乙烯(PVC),和(7)薄柔性金属或玻璃。在一个实施方式中，衬底102是具有相对低的杨实施例中，衬底102是杨氏模量为60kPa-3MPa的挠性衬底。在实施例中，衬底102包括圆形或其他形状的晶圆尺寸衬底。在实施例中，衬底102是由具有阻焊剂(SR)表面的基础衬底形成[0049]参见图1B,在特定实施例中，使用适合的任何已知的光刻工艺在衬底102上方形成并图案化第一光致抗蚀剂层104。例如，在实施例中，第一光致抗蚀剂层104包括根据已知技术施加的干膜光致抗蚀剂叠层的一个或多个子层。作为另一个实例，在一个实施例中，第一光致抗蚀剂层104通过涂层材料的一个或多个施加形成，包括旋涂涂层材料的每个施加以9形成一个或多个薄的、均匀的子层，所述子层共同形成具有特定的预定厚度的第一光致抗蚀剂层104。在实施例中，第一光致抗蚀剂层104被图案化以选择性地去除光致抗蚀剂材料的部分，从而形成凹部106。在实施例中，凹部106延伸至衬底102。在实施例中，第一光致抗蚀剂层104由相对难以去除的光致抗蚀剂材料构成。例如，在一个实施方式中，第一光致抗蚀剂层104由在熔融焊料温度下稳定并且相对于可剥离溶剂(如高度交联的环氧树脂)稳定的可光图案化的抗蚀剂组成。[0050]在一个实施例中，第一光致抗蚀剂层104由以下非限制性实例材料的一个或多个子层形成：(1)干膜负性光致抗蚀剂，该干膜负性光致抗蚀剂是防水的并且可以形成具有在阻焊掩膜薄膜，以及(3)环氧基负性光致抗蚀剂，该基于环氧树脂的负性光致抗蚀剂可以作为粘性聚合物被旋涂或铺展，该粘性聚合物形成具有在1μm至300μm范围内的厚度的层，例如SU-8环氧基抗蚀剂。例如，在一个实施例中，通过层压和图案化EMSDF-1050的5至10个子层(或具有替代厚度和/或分辨率的其他相关EMS光致抗蚀剂中的一者)来形成第一光致抗厚度的层104。作为另一个实例，在一个实施例中，DuPontVacrel阻焊掩膜膜连同图4中所示的介于第一光致抗蚀剂层与第二光致抗蚀剂层之间的可选的溶剂阻挡或粘附层414被用于第一光致抗蚀剂层104,以保护阻焊掩膜膜不受主要抗蚀剂剥离化学品的影响。在实施例中，第一光致抗蚀剂层104的上表面是平坦的，并且距离衬底102的上表面具有均匀的高度。[0051]参见图1C-1D,在一特定实施例中，根据用于图案化第一光致抗蚀剂层104的相同图案化，使用任何已知的适合的光刻工艺，第二光致抗蚀剂层108形成于第一光致抗蚀剂层104上且图案化第一光致抗蚀剂层104。例如，在一实施例中，第二光致抗蚀剂层108包括根据已知技术施加的一层或多层干膜阻剂迭层。作为另一个实例，在一个实施例中，第二光致抗蚀剂层108通过涂层材料的一个或多个施加形成，包括旋涂涂层材料的每个施加以形成一个或多个薄的、均匀的子层，所述子层共同形成具有特定的预定厚度的第二光致抗蚀剂层108。在实施例中，第二光致抗蚀剂层108被图案化以选择性地去除光致抗蚀剂材料的部分，由此形成凹部110。在实施例中，凹部110延伸至衬底102。在实施例中，第二光致抗蚀剂层108由相对容易去除的光致抗蚀剂材料构成。例如，在一个实施方式中，第二光致抗蚀剂层108由可剥离的可光图案化的抗蚀剂组成，该抗蚀剂在熔融焊料温度下是稳定的，但是也易于用溶剂剥离。[0052]在一个实施例中，第二光致抗蚀剂层108由以下非限制性示例材料的一个或多个蚀剂的子层来形成第二光致抗蚀剂层108,每个子层膜具有50μm至100μm范围内的厚度，以形成具有250μm至1000μm范围内的厚度的层104。在实施例中，第二光致抗蚀剂层104的上表面是平坦的，并且距离衬底102的上表面具有均匀的高度。[0053]在实施例中，第二光致抗蚀剂层108的上表面是平坦的，并且距离衬底102的上表面具有均匀的高度。在实施例中，凹部110在形状上是圆柱形的。在另一实施例中，凹部110的形状为截头圆锥形，凹部110的内径在第二光致抗蚀剂层108的上表面处相对较大，且在衬底102的上表面处的凹部110的底部处相对较小。凹部110的顶部处的相对宽的开口便于[0054]参见图1E,在特定实施例中，使用注塑焊接(IMS)来填充凹部110,其中填充头116横越衬底102并且将熔融焊料注入到凹部110中以形成柱112。在实施例中，凹部110被完全填充到顶部，由此确保所得焊料凸块的高度的均匀性而不在掩模上留下焊料残余物，并且允许柱112固化，符合凹部110的形状。在实施例中，式中，柱112是导电的并且具有相对高的熔点，尽管优选地低于285℃或者与衬底102不兼容的铟合金的无铅焊料。具有在括号中表示的相[0055]在一个实施例中，用于柱112的材料被沉积到大于第一光致抗蚀剂层104和第二光致抗蚀剂层108的组合厚度的高度，并且执行背磨、蚀刻或其他平坦化工艺，使得柱112的顶部表面和第二光致抗蚀剂层108的上表面是共面的，如图1E所示。在另一实施例中，导电柱112是通过镀铜或铜柱凸块形成的3D金属柱。[0056]参考图1F,两个不同的光致抗蚀剂层104和108的原因是通过第一光致抗蚀剂层104的存在和第二光致抗蚀剂层108的不存在示出的。在实施例中，根据已知的方法进行用于去除光致抗蚀剂层的剥离工艺，例如上面针对第二光致抗蚀剂层108所述的那些。例如，在实施例中，使用用于适合于晶片级封装(WLP)的抗蚀剂去除器来去除第二光致抗蚀剂层108,该去除器是被配制为有效地去除晶片凸块和WLP中使用的厚光致抗蚀剂的水性有机混合物，例如DuPontTEKC162T抗蚀剂去除器。由于第一光致抗蚀剂层104由相对于这样的抗蚀剂去除是稳定的光致抗蚀剂材料形成，所以第一光致抗蚀剂层104保留，而第二光致抗蚀剂层108的剩余部分被剥离而留下导电柱112。在实施例中，在去除第二光致抗蚀剂层108之后，柱112的挤压保持在第一光致抗蚀剂层104上方。剩余的结构在图1F中示出并且是用于在内插器114上形成焊料凸块122的转移模具100的实施例的示例。[0057]参考图1G和图2A和2B,图1G示出了根据说明性实施例的内插器114的截面图，并且图2A和2B示出了根据说明性实施例的内插器114的平面图。在特定实施例中，内插器114由晶圆或由合适的半导体衬底材料形成的衬底形成。例如，在一个实施方式中，内插器114由以下非限制性示例材料中的一种或多种形成：(1)硅，(2)玻璃例中，内插器114包括在内插器114的上表面和下表面之间提供高密度互连的导电结构。例如，在实施例中，内插器114包括连接上表面和下表面上的金属化层的多个穿硅过孔(TSV)。[0058]在实施例中，内插器114限定了多个通孔118,这些通孔被选择性地定位成与将以倒装芯片的方式连接至内插器114上的半导体器件上的多个量子位对齐，如以下讨论的并中，内插器114还包括多个可润湿焊盘120。例如，在实施例中，内插器114包括凸块下冶金移模具100的柱112对准并且连接至90该柱。在实施例中，通过蚀刻光刻工艺或激光钻孔形成各种通孔。11[0059]参考图1H,该图示出了根据示意性实施方式的将内插器114安装到转移模具100上的结果。在特定实施例中，内插器114在转移模具100上方对准，并且执行焊接工艺，其在内插器UBM焊盘120相应的模柱112之间形成金属结合。[0060]如在此所使用的术语“金属结合”通常是指结合的金属物品之间的冶金结合，其中这些结合的金属物品通过存在于金属的相邻电子之间的相同吸引而保持在一起，并且其中这些结合的金属物品的价电子在这些结合的金属物品之间是自由移动的。[0061]金属结合的实例包括，但不限于，通过在填料-金属/衬底-金属界面处的焊接产生的结合，其中，焊料与少量的衬底金属反应并且通过形成金属间化合物润湿金属，并且在固化时，焊料接合是焊料和衬底金属之间的大于粘附或机械附接的金属结合。[0062]除非另外指明，如在此所使用的术语“焊接工艺”总体上是指用于联接金属的任何工艺，该工艺导致金属结合。焊接工艺的实例包括但不限于在填料-金属/衬底-金属界面处通过焊接产生的结合，其中，焊料与少量的衬底金属反应并且通过形成金属间化合物润湿金属，并且在固化时，焊料接合是焊料和衬底金属之间的大于粘附或机械附接的金属结合。[0063]在一个实施例中，使用回流工艺将柱112附接到相应的UBM焊盘120,回流工艺加热柱112直到它们在与UBM焊盘120接触时开始熔化，并且然后允许它们冷却和重新固化。该过程导致柱112与相应的UBM焊盘120之间的焊接。在另一实施例的金属结合通过冷焊接工艺来形成，冷焊接工艺在低于回流温度的温度下接合某些金属，盘120之间的金属结合通过冷焊接工艺形成，冷焊接工艺包括在室温下施加压力或者施加一定量的热量。[0064]参见图1J,该图示出了在去除衬底102和第一光致抗蚀剂层104之后具有通孔118和焊料凸块122的内插器114。在特定实施例中，衬底102和第一光致抗蚀剂层104可以被提离内插器114并且留下附接至内插器114的柱112,因为柱112中的焊料与UBM焊盘120之间的金属结合比将柱112保持至衬底102的第二类型的力(诸如力的分散或范德华类型)强得多。[0065]参见图2A和2B,这些图描绘了图1J所示的内插器114的实施例的平面图，其中焊料凸块122形成于其上。在图2A所示的说明性实施例中，配置200a包括由间隙202分隔开的多个焊料凸块122,这些焊料凸块形成在通孔118周围。在图2B所示的示范性实施例中，配置200b包括多个焊料凸块122,每个焊料凸块与相邻的凸块122接触并且形成在通孔118周围。配置200a和200b中的焊料凸点122共同改进了约瑟夫逊结304(在图3中示出)在以下描述的热或化学操作过程中的热隔离，由此帮助防止来自退火操作的热量影响或损坏其他部件。[0066]在实施例中，焊料凸块122的配置200a被布置为围绕通孔118而不彼此物理接触，从而在相邻的焊料凸块122之间存在间隙202。例如，在配置200a的实施例中，在通孔118周围形成的焊料凸块122阻挡与通孔118对准并且在内插器114和安装在其上的衬底302之间延伸的圆柱形区域的至少一半。在实施例中，焊料凸块122的配置200b被布置为围绕通孔118而没有间隙202.然而，虽然这样的实施例提供了良好的热隔离，但是如果这些焊料凸点122形成连续的环，则难以例如通过总线接入这些量子位。因此，优选的是形成一个几乎连足够小以使热传递和质量传递最小化。在实施例中，间隙202的数量取决于量子位的连接性(例如，读出共振器的数量加上量子位到量子位总线的数量)。在实施例中，通过光刻和IMS或电镀任何形状的一个或多个环段来形成连续或几乎连续的焊料凸块122的环。在另一实施例中，通过将球形凸块122转移到具有图案化的可润湿分段环的衬底来形成连续或几乎连续的焊料凸块122的环，然后在移除转移模具之后执行第二回流将引起焊料润湿分段环。在又另实施例中，通过在该分段的环周边内以紧密的间距对凸块进行图案化来形成连续或几乎连续的焊料凸块122的环，这样使得当该内插器被附接到该超导芯片300(或其他衬底)上时，这些凸块122根据施加的压力和热量(例如，在接合过程中更高的压力产生较短的更宽的凸块，这些凸块彼此物理接触)而合并。[0067]参见图3,该图描绘了根据说明性实施例的示例半导体封装的横截面视图。在具体实施例中，半导体封装是倒装芯片封装，其包括面朝下设置在硅内插器114上的超导芯片300。超导芯片300包括衬底302,该衬底具有多个量子位约瑟夫逊结304。在实施例中，约瑟夫逊结304与由内插器114限定的通孔118对齐。在实施例中，这些通孔118提供一条视线路径308,以允许直接的热量、电磁(EM)辐射、或反应性的化学种类穿过该内插器114,这样使得该结修改系统306可以将这样的热量、辐射、或化学种类引导到约瑟夫逊结304上以便调[0068]在实施例中，在其上形成量子位电路的衬底302是高电阻率(本征)硅晶圆。在另实施例中，这些约瑟夫逊结304是使用铝作为起始化合物来制造在硅(Si)衬底302上以形成Al/A10x/A1结构。例如，在实施例中，选择衬底302以降低低温下的介电损耗角正切在实施例中，衬底302被选择为一种材料，该材料被选择性地蚀刻成用于约瑟夫逊结304的[0069]在实施例中，这些约瑟夫逊结304被调整以便调整这些量子位的频率。在实施例中，约瑟夫逊结304的调节包括对约瑟夫逊结304加热、辐射或施加一种化学物种以便允许在约瑟夫逊结304内发生物理变化，该物理变化导致电阻的变化。[0070]参见图4,该图描绘了根据说明性实施例的示例转移模具的截面图，示出了可以包括的可选层。[0071]例如，实施例包括使用阻止焊料适当填充凹部410的有问题类型的焊料或有问题的柱纵横比来形成柱112。因此，在凹部的底部，润湿层是允许焊料填充凹部并保持在底部的金属的薄层，并且因为焊料正在建立。在这样的实施例中，采用润湿层来通过在层位置412处形成润湿层并且还可选地在层位置418处形成润湿层来纠正问题。润湿层允许以与具有润湿层的表面的最小化交互(即，在层位置412和/或418处)回流后续导电材料。例如，实施例包括润湿层，该润湿层包括在层位置412和418处形成的钛和金、银或铜中的一者或多者，并且包括铝(Al)的柱112随后被沉积和回流以填充凹部410并被允许形成柱112,其中柱112的铝(Al)与层位置412和418处的润湿层之间的相互作用被最小化。例如，实施例包括润湿层，该润湿层包括钛以及金、银和铜中的一种或多种，其中，钛充当衬底与金、银和/或铜之间的粘附层，从而金/银/铜在随后的回流(一段时间)期间将被柱112的材料消耗，并且随后将钛去湿，使得柱112更容易地从衬底402分离。[0072]在实施例中，种子层形成在层位置412处以允许通过已知的电镀工艺形成柱112,作为使用如上文结合图1E描述的注射模制的替代方案。在另一实施例中，在层位置412处形成金层，并且将焊料注入到凹部410中以形成柱；金是高能金属，其与焊料反应以确保焊料以允许更容易的分离，同时在各个处理阶段期间帮助将焊料保持在凹部中，这在转移具有相对较高纵横比的柱112时是有帮助的。[0073]在一个实施例中，层位置412和414中的一个或两个被提供作为帮助将第一光致抗蚀剂层404固定到衬底402(在层位置412处)或帮助将第二光致抗蚀剂层408固定到第一光致抗蚀剂层404(在层位置414处)的金属或粘附层。[0074]在实施例中，提供层位置416作为非润湿层，以防止焊料沉积在第二光致抗蚀剂层并与暴露的钛、钼或石墨接触时，这些材料的非润湿特性导致焊料趋于形成松散的焊球而不是金属结合。例的用于形成焊料凸块的示范性方法。例如，在特定实施例中，转移模具506用于在具有通孔504的有机衬底502上形成焊料凸块514。在实施例中，半导体器件516是倒装芯片安装的，这样使得该约瑟夫逊结518可以通过沿着路径528发射直接热量、电磁(EM)辐射、或反应性化学种类来调谐，该路径528穿过该有机衬底502中的通孔504。[0076]参见图5A和5B,在特定实施例中，提供有机衬底502,并且贯穿其切割、钻出或以其他方式形成通孔504。在实施例中，通孔504通过蚀刻光刻工艺或激光钻孔形成。在一替代实施例中，有机衬底502预先形成有通孔504.在实施方式中，作为非限制性实例，有机衬底502包括由环氧树脂和双马来酰亚胺三嗪(BT)树脂中的玻璃纤维制成的层压材料。在实施例中，通孔504为衬底502中的多个通孔中的一个。[0077]作为另一个实例，衬底502是由以下非限制性实例材料中的一种或多种形成的非刚性或柔性衬底：(1)聚酰亚胺膜(如Kapton),(2)聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET),(3)聚荼二甲酸乙二醇酯(PEN),(4)聚醚醚酮(PEEK),(5)聚乙烯(PE),(6)聚氯乙烯(PVC),和(7)薄柔性金属或玻璃。在一个实施方式中，衬底502是具有相对低的杨实施例中，衬底502是具有在60kPa至3MPa的范围中的杨氏模量的柔性衬底。[0078]参见图5C,如图1A-1F中所示并且如上所述制造转移模具506,导致所展示的结构具有衬底508、第一光致抗蚀剂层510以及多个柱512,包括一对小柱512和一对大柱512。[0079]在一个实施例中，衬底508是由以下非限制性示例材料中的一种或多种材料形成的非刚性或柔性衬底：(1)聚酰亚胺膜(诸如Kapton),(2)聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET),(3)聚荼二甲酸乙二醇酯(PEN),(4)聚醚醚酮(PEEK),(5)聚乙烯(PE),(6)聚氯乙烯(PVC),和(7)薄柔性金属或玻璃。在一个实施方式中，衬底508是具有相对低的杨氏模量的柔性衬底。例如，在实施例中，衬底508是具有在60kPa至3MPa的范围中的杨氏模量的柔性衬底。[0080]在实施例中，转移模具506是柔性的，允许其符合平坦或宏观弯曲的衬底以用于将焊料传递至衬底。例如，在实施例中，转移模具506和衬底508两者都是柔性的并且是非平面的，而焊料被从转移模具506转移到衬底502。在实施例中，衬底508是刚性的但宏观上弯曲，并且转移模具506是柔性的并且弯曲以符合衬底508的形状，同时将焊料传递到衬底502。[0081]参见图5D,转移模具506在有机衬底502上形成焊料凸块514,如以上参见图1H和1J所描述的，使得柱512变成焊料凸块514。在实施例中，有机衬底502可的可润湿垫(未示出),以提供用于与焊料凸块514形成金属结合的接触表面。[0082]参见图5E和5F,这些图描绘了根据说明性实施例的示例半导体封装的横截面视图。在具体实施例中，该半导体封装是倒装芯片封装，该倒装芯片封装包括半导体器件516,该半导体器件具有面朝下布置在有机衬底502上的多个量子位约瑟夫逊结518。[0083]在实施例中，约瑟夫逊结518与由有机衬底502限定的通孔504对齐。在实施例中，通孔504允许结修改系统526沿着路径528发射直接热量、电磁(EM)辐射、或反应性化学物种来调谐每个量子位约瑟夫逊结518。或反应性化学物质发射到约瑟夫逊结518上来修改约瑟夫逊结518以允许在约瑟夫逊结518内发生导致电阻变化的物理变化。[0085]参见图6,该图描绘了在焊料凸块606之间具有深阱特征604的内插器600,该深阱特征604可以以上文结合图1A-1J描述的相同方式使用转移模具形成。在特定实施例中，内插器600包括在凹部604的底部具有凹部电路组件608的衬底602。例如，在实施例中，这些凹部604是微波空腔并且这些电路元件是具有约瑟夫逊结的量子位。在实施例中，焊料凸块606由铟或铟合金形成。在实施例中，使用转移模具(诸如图1F所示的转移模具100)在衬底602上形成焊料凸块606,其中用于焊料凸块606的焊料从转移模具100上的柱112转移。[0086]参见图7,该图描绘了根据说明性实施例的用于焊料凸块的示例过程700的流程括用于改进即将到来的光致抗蚀剂材料对衬底的粘附性的一个或多个工艺。例如，在一个实施方式中，以这样的方式制备衬底，该方式包括以下中的至少一种：(1)清洁以除去污染物，(2)脱水烘焙以除去水分，以及(3)将粘合促进剂加入至衬底。[0088]在实施例中，在框704处，使用适合的任何已知的光刻工艺在衬底之上形成和图案化第一光致抗蚀剂层。在一个实施例中，第一光致抗蚀剂层由相对难以去除的“永久性”光致抗蚀剂材料的一个或多个子层组成。例如，在一个实施方式中，第一光致抗蚀剂层由可光图案化的抗蚀剂组成，该可光图案化的抗蚀剂在熔融焊料温度下是稳定的并且相对于可剥离溶剂(如高度交联的环氧树脂)是稳定的。在一个实施例中，第一光致抗蚀剂层通过一次或多次涂覆涂层材料而形成，包括旋涂涂层材料的每次涂覆以形成一个或多个薄的、均匀的子层，所述子层共同形成具有特定预定厚度的第二光致抗蚀剂层，随后图案化以选择性[0089]在实施例中，在框706处，根据用于使用适当的任何已知光刻工艺来图案化第一光致抗蚀剂层的相同图案化，在第一光致抗蚀剂层上形成并图案化第二光致抗蚀剂层。在一个实施例中，第二光致抗蚀剂层由相对容易去除的光致抗蚀剂材料的一个或多个子层组该抗蚀剂在熔融焊料温度下是稳定的，但是也易于用溶剂剥离。在一个实施例中，第二光致抗蚀剂层通过一次或多次涂覆涂层材料而形成，包括旋涂涂层材料的每次涂覆以形成一个或多个薄的、均匀的子层，所述子层共同形成具有特定预定厚度的第二光致抗蚀剂层，随后图案化以选择性地去除光致抗蚀剂材料的部分，从而形成凹部。[0090]在实施例中，在方框708处，在方框704和706处的图案化包括图案特征，在所述图案特征中，凹部被形成并且被布置成使得在方框704处形成的凹部与在方框706处形成的凹部对准。在实施例中，在框704和706处形成的凹部从第二光致抗蚀剂层的上表面延伸到衬底的上表面。在一些实施例中，框706和708可以任选地包括在位置412、414、416和418处形成参见图4所描述的任何一个或多个层。[0091]在实施例中，在框710处，使用注塑焊接(IMS)来填充凹部，其中填充头横穿衬底并且将熔融焊料注入到凹部中以形成柱。在实施例中，凹部被完全填充到顶部，由此确保所得焊料凸块的高度的均匀性而不在掩模上留下焊料残余物，并且允许柱固化，符合凹部的形[0092]在实施例中，在框712,使用适合于晶圆级封装(WLP)的抗蚀剂去除器来去除第二光致抗蚀剂层。例如，在实施例中，抗蚀剂去除器是水性有机混合物，其被配制以有效地去除在晶圆凸块和WLP中使用的厚光致抗蚀剂，例如DuPontTMEKC162抗蚀剂去除器。由于第一光致抗蚀剂层由相对于这种抗蚀剂去除稳定的光致抗蚀剂材料形成，所以第一光致抗蚀剂层保留，而第二光致抗蚀剂层的剩余部分被剥离而留下导电柱。[0093]在实施例中，在框714处，内插器由晶圆或由合适的半导体衬底材料形成的衬底形成。在实施例中，该内插器限定了多个通孔，这些通孔被选择性地定位成与将以倒装芯片的方式连接到该内插器上的半导体器件上的多个量子位对齐。在实施例中，通过蚀刻光刻工艺或激光钻孔来形成通孔。[0094]在实施例中，在框716,通过翻转内插器使得内插器上的焊接点面向转移模具的柱并与其对准而将内插器安装到转移模具上。[0095]在实施例中，在框718处，通过在内插器UBM焊盘与相应转移模柱之间形成金属结合来将内插器附接至转移模。在一个实施例中，使用回流工艺将柱附接到相应的UBM焊盘，所述回流工艺加热柱直到它们在与UBM焊盘接触时开始熔化，并且然后允许它们冷却和重新固化，从而在柱与相应的UBM焊盘之间产生焊料接合。在另一实施例中，通过在低于回流温度的温度(诸如室温扩散或在室温和回流温度之间的温度下的扩散)接合某些金属的冷焊接工艺来形成柱与UBM焊盘之间的金属结合。例如，在实施例中，柱与UBM焊盘之间的金属结合通过冷焊接工艺形成，冷焊接工艺包括在室温下施加压力或者施加一定量的热量。[0096]在实施例中，在框720,从现在以金属方式接合到内插器的柱去除衬底和第一光致抗蚀剂层。在特定实施例中，衬底和第一光致抗蚀剂层可以被提升远离内插器并且留下附接至内插器的柱，因为柱中的焊料与UBM焊盘之间的金属结合比将柱保持至衬底的力的第二类型强得多，诸如力的分散或范德华类型。[0097]在实施例中，在方框722处，将具有多个量子位约瑟夫逊结的半导体器件面朝下地布置在硅内插器上。在实施例中，这些约瑟夫逊结与由该内插器限定的这些通孔对齐，以允许结修改系统发射直接热量、电磁(EM)辐射、或反应性化学物种来调谐该半导体器件上的这些量子位约瑟夫逊结。[0098]在实施例中，在方框724处，该过程调节该约瑟夫逊结的电阻以便调节该量子位的频率。在实施例中，结修改系统通过使用穿过该内插器中的通孔的路径来施加直接热量、电[0099]以下定义和缩写将用于解释权利要求书和说明书。如在此使用的，术语“包括”设备固有的其他要素。“说明性的”任何实施例或设计不一定被解释为是比其他实施例或设计优选的或有利的。术述的实施方式可以包括特定特征、结构或特性，但是每个实施方式可以包括或可以不包括描述特定特征、结构或特性时，认为结合其他实施例(无论是否明确描述)影响这样的特征、结构或特性在本领域技术人员的知识范围内。特定量的测量相关联的误差程度。例如，“约”可以包括给定值的±8%或5%、或2%的范围。[0103]已经出于说明的目的呈现了本发明的各种实施方式的描述，但并不旨在是详尽的或者限于所公开的实施方式。在不脱离所描述的实施例的范围的情况下，许多修改和变化对于本领域普通技术人员来说是显而易见的。本文使用的术语被选择来最好地解释实施例的原理、实际应用或优于市场中发现的技术的技术改进，或者使得本领域普通技术人员能够理解本文描述的实施例。[0104]已经出于说明的目的呈现了本发明的各种实施方式的描述，但并不旨在是详尽的或者限于所公开的实施方式。在不脱离所描述的实施例的范围的情况下，许多修改和变化对于本领域普通技术人员来说是显而易见的。本文使用的术语被选择来最好地解释实施例的原理、实际应用或优于市场中发现的技术的技术改进，或者使得本领域普通技术人员能够理解本文描述的实施例。[0105]因此，在说明性实施例中提供了用于管理在线社区的参与和其他相关特征、功能或操作的计算机实现的方法、系统或装置以及计算机程序产品。当关于装置的类型描述实施例或其部分时，计算机实施的方法、系统或设备、计算机程序产品或其部分被适配或配置用于与该类型装置的合适且可比较的表现一起使用。[0106]在实施例被描述为在应用中实现的情况下，将软件即服务(SaaS)模型中的应用的传递构想在说明性实施例的范围内。在SaaS模型中，通过在云基础设施中执行应用来将实现实施例的应用的能力提供给用户。用户可通过诸如web浏览器(例如，基于web的电子邮件)或其他轻量级客户机应用之类的瘦客户机接口使用各种客户机设备来访问应用。用户不管理或控制包括网络、服务器、操作系统或云基础设施的存储的底层云基础设施。在一些可允许有限的用户特定应用配置设置的可能异常。[0107]本发明可以是任何可能的技术细节集成度的系统、方法和/或计算机程序产品。计算机程序产品可包括其上具有用于使处理器执行本发明的各方面的计算机可读程序指令的计算机可读存储介质(或多个介质)。[0108]计算机可读存储媒体可为可保留和存储供指令执行装置使用的指令的有形装置。存储设备、半导体存储设备、或者上述的任意合适的组合。计算机可读存储媒质的更具体示例的非穷尽列表包括以下各项：便携式计算机盘、硬盘、随机存取存储器(RAM或者凹部中具有记录在其上的指令的凸起结构、以及上述各项的任何合适的组合。如本文所使用的计算机可读存储媒体不应被解释为暂时性信号本身，例如无线电波或其他自由传播的电磁波、通过波导或其他传输媒体传播的电磁波(例如，穿过光纤电缆的光脉冲)或通过电线发射的电信号。[0109]本文中所描述的计算机可读程序指令可以经由网络(例如，互联网、局域网、广域网和/或无线网络)从计算机可读存储介质下载到相应的计算/处理设备，或者下载到外部计算机或外部存储设备。网络可以包括铜传输电缆、光传输纤维、无线传输、路由器、防火墙、交换机、网关计算机和/或边缘服务器。每个计算/处理设备中的网络适配器卡或网络接口接收来自网络的计算机可读程序指令，并转发计算机可读程序指令以存储在相应计算/处理设备内的计算机可读存储介质中。[0110]用于执行本发明的操作的计算机可读程序指令可以是汇编指令、指令集架构据、或以一种或多种程序设计语言的任何组合编写的源代码或目标代码，这些程序设计语言包括面向对象的程序设计语言(诸如Smalltalk、C++等)和过程程序设计语言(诸如“C”程序设计语言或类似程序设计语言)。计算机可读程序指令可以完全地在用户计算机上执行、部分在用户计算机上执行、作为独立软件包执行、部分在用户计算机上部分在远程计算机上执行或者完全