《车用芯片技术 旋变角转换芯片技术要求及试验方法》征求意见稿

1T/CACCXXXX—XXXX车用芯片技术旋变角转换芯片技术要求及试验方法本文件规定了旋变角转换芯片的技术要求及试验方法。本文件适用于旋变角转换芯片的研制、使用和试验。2规范性引用文件下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件。不注日期的引用文件，其最新版本适用于本文件。GJB548C-2021微电子器件试验方法和程序GJB597/3-2023半导体集成电路轴角型内置参考式解算-数字转换电路详细规范GB/T4937.4-2012半导体器件机械和气候试验方法第4部分：强加速稳态湿热试验（HAST）GB/T4937.12-2018半导体器件机械和气候试验方法第12部分：扫频振动GB/T4937.26半导体器件机械和气候试验方法第26部分：静电放电（ESD）敏感度测试人体模型（HBM）GB/T34590.2-2022道路车辆功能安全第2部分：功能安全管理GB/T36479-2018集成电路焊柱阵列试验方法GB/T42968.1-2023集成电路电磁抗扰度测量第1部分：通用条件和定义AEC-Q100Rev-J:FailureMechanismBasedStressTestQualificationForIntegratedCircuitsANSI/ESDA/JEDECJS-002ChargedDeviceModel(CDM)DeviceLevelIEC60749-3半导体器件机械和气候试验方法第3部分外观检查（SemiconductorDevices-MechanicalandClimaticTestMethods-Part3:ExternalVisualExamination）IEC60749-10半导体器件机械和气候试验方法第10部分：机械冲击（SemiconductorDevices-MechanicalandClimaticTestMethods-Part10:MechanicalShock-DeviceandSubassembly）IEC62373-1半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验第1部分：MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验（SemiconductorDevices-Bias-TemperatureStabilityTestforMetal-Oxide,Semiconductor,Field-EffectTransistors(MOSFET)-Part1:FastBTITestforMOSFET）IEC62374半导体器件栅介质层的时间相关介电击穿（TDDB）试验（SemiconductorDevices-TimeDependentDielectricBreakdown(TDDB)TestforGateDielectricFilms）IEC62374-1半导体器件内部金属层间的时间相关介电击穿（TDDB）试验（SemiconductorDevices-Part1:Time-DependentDielectricBreakdown(TDDB)TestforInter-MetalLayers）IEC62415半导体器件恒流电迁移试验（Semiconductordevices-ConstantCurrentElectromigrationTest）IEC62416半导体器件金属氧化物半导体（MOS）晶体管的热载流子试验（SemiconductorDevices-HotCarrierTestonMOSTransistors）IEC62880-1半导体器件应力迁移试验第1部分：铜应力迁移试验（SemiconductorDevices-StressMigrationTestStandard-Part1:CopperStressMigrationTestStandard）JEDECJ-STD-020湿度敏感等级分类（MoistureSensitivityLevels(MSL)）JESD22-A101稳态温湿度偏置寿命（Steady-StateTemperature-HμmidityBiasLifeTest）2T/CACCXXXX—XXXXJESD22-A103高温贮存寿命（HighTemperatureStorageLife）JESD22-A104温度循环（TemperatureCycling）JESD22-A105上电温循（PowerAndTemperatureCycling）JESD22-A110高加速温湿度应力试验（HighlyAcceleratedTemperatureAndHμmidityStressTest(Hast)）JESD22-A113塑封表贴器件可靠性试验前的预处理（Pre-ConditionofPlasticSurfaceMountDeviceSpriortoReliabilityTesting）JESD22-A118加速水汽抵抗性——无偏压HAST（AcceleratedMoistureResistance-UnbiasedHast）JESD22-A108半导体器件高温工作寿命试验（SemiconductorDevices-HighTemperatureOperatingLifeTest）JESD22-A119半导体器件非易失性存储器的耐久性、数据保持和工作寿命试验（SemiconductorDevices-Non-VolatileMemoryEndurance,DataRetention,andOperatingLifeTest）JESD74A半导体器件早期寿命失效率试验（SemiconductorDevices-EarlyLifeFailureRateTest）JESD78F.02ICLatch-UpTest3术语、定义和缩略语下列术语、定义和缩略语适用于本文件。3.1术语3.1.1旋变角转换芯片resolvertodigitalconversionICs，RDC通过将旋转变压器（resolver）输出的模拟信号转换为数字信号，来监控系统角度、角速度的数据转换芯片。3.1.2积分非线性IntegralNonlinearity，INL指实际转换曲线同理想转换曲线在纵轴方向的差值，单位是LSB，即最低有效位。它表示实际转换曲线偏离理想转换曲线的程度。3.1.3差分非线性DifferentialNonlinearity,DNL指实际量化台阶与对应于1LSB的理想值之间的差异，单位是LSB，即最低有效位。它表示理想刻度与实际刻度的偏差值。3.2缩略语下列缩略语适用于本文件。CDM：带电器件模型（ChargedDeviceModel）Cpk：过程能力K指数（ProcessCapabilityIndex）EOS：过电应力（ElectricalOverstress）ESD：静电放电（ElectrostaticDischarge）HBM：人体模型（Human-BodyModel）MSL：潮湿敏感度等级（MoistureSensitivityLevel）T/CACCXXXX—XXXX3Ppk：过程性能K指数（ProcessPerformanceIndex）4技术要求4.1功能要求4.1.1旋变角转换芯片通过接收旋转变压器输出，实现对系统角度、角速度进行实时监控的作用。4.1.2旋变角转换芯片一般由输入信号处理、Type-II跟踪环、寄存器、逻辑电路等组成。4.1.3旋转变压器产生的正弦、余弦角度输入到旋变角转换芯片中，然后通过Type-II跟踪环实现角度跟踪，将跟踪的角度和速度结果存储到寄存器，通过I/O接口读出上述结果。4.1.4旋变角转换芯片能够直接从端口读取转动方向，数字输出高电平表示正向转动，数字输出低电平表示反向转动。4.1.5旋变角转换芯片的功能框图如图1所示。图1旋变角转换芯片功能框图4.2绝对最大额定值a）电源电压（VCC≤（产品正常工作电源电压+2Vb）模拟输入电压范围（VIN0.3V~VCC＋0.3V；c）贮存温度范围（TS65℃~150℃;T/CACCXXXX—XXXX4d）结温（TJ150℃;e）引线耐焊接温度（TM260℃（10s）。4.3电性能要求按照本文件5.2的试验方法，表1电特性中的特性参数达到满足使用需求的极限值要求。其中应规定电源电压、工作电流、角度精度、速度精度、最大跟踪速率，其他参数指标可根据不同应用场景增加。12ICC345AOUT6789IIHIIL/4.4输入信号要求表2输入信号要求24.5环境可靠性要求4.5.1使用要求等级4.5.1.1产品温度等级旋变角转换芯片产品温度等级应至少满足表A.1温度等级2级要求。T/CACCXXXX—XXXX54.5.1.2潮湿敏感度等级旋变角转换芯片产品潮湿敏感度等级应至少满足表A.2MSL3要求。4.5.2加速环境应力试验要求4.5.2.1预处理按照A.2.1的方法进行试验，试验前后样品外观应满足IEC60749-3的要求，电性参数、功能和性能应符合设计要求。4.5.2.2稳态温湿度偏置寿命试验稳态温湿度偏置寿命试验和强加速稳态湿热试验应任选一个项目进行试验，若选择稳态温湿度偏置寿命试验，应按照A.2.2的方法进行试验。试验前后样品外观应满足IEC60749-3的要求，电性参数、功能和性能应符合设计要求。4.5.2.3强加速稳态湿热试验稳态温湿度偏置寿命试验和强加速稳态湿热试验应任选一个项目进行试验，若选择强加速稳态湿热试验，应按照A.2.3的方法进行试验。试验前后样品外观应满足IEC60749-3的要求，电性参数、功能和性能应符合设计要求。4.5.2.4加速耐湿无偏置强加速应力试验加速耐湿无偏置强加速应力试验和温湿度贮存试验应任选一个项目进行试验，若选择加速耐湿无偏置强加速应力试验，应按照A.2.4的方法进行试验。试验后样品外观应满足IEC60749-3的要求，电性参数、功能和性能应符合设计要求。4.5.2.5温湿度贮存试验加速耐湿无偏置强加速应力试验和温湿度贮存试验应任选一个项目进行试验，若选择温湿度贮存试验，应按照A.2.5的方法进行试验。试验后样品外观应满足IEC60749-3的要求，电性参数、功能和性能应符合设计要求。4.5.2.6温度循环试验按照A.2.6的方法进行试验。试验后样品外观应满足IEC60749-3的要求，电性参数、功能和性能应符合设计要求。4.5.2.7功率温度循环试验按照A.2.7的方法进行试验。试验后样品外观应满足IEC60749-3的要求，电性参数、功能和性能应符合设计要求。4.5.2.8高温贮存寿命试验按照A.2.8的方法进行试验。试验后样品外观应满足IEC60749-3的要求，电性参数、功能和性能应符合设计要求。4.5.3加速寿命模拟试验要求T/CACCXXXX—XXXX64.5.3.1高温工作寿命试验按照A.3.1的方法进行试验。试验中不应发生热关机现象，试验中和试验后样品外观应满足IEC60749-3的要求，功能和性能应符合设计要求。4.5.3.2早期寿命失效率试验按照A.3.2的方法进行试验。试验中不应发生热关机现象，试验中和试验后样品外观应满足IEC60749-3的要求，功能和性能应符合设计要求。4.5.3.3非易失性存储器耐久性、数据保持和工作寿命试验若旋变角转换芯片集成非易失性存储器，按照A.3.3的方法进行试验。实际单次编程/擦除循环用时不应超出指定的单次循环最大时间，循环完成后内存数组中的数据模式应与预期的数据模式保持一致。试验前后样品外观应满足IEC60749-3的要求，电参数、功能和性能应符合设计要求。4.5.4封装完整性试验要求4.5.4.1键合点剪切强度实验若旋变角转换芯片采用打线键合（wirebond）封装，按照A.4.1的方法进行试验。不同键合直径对应的剪切力和平均剪切力不应低于表3的要求。键合点分离模式应为1、2、3或6；分离模式不应为4或5。将测得剪切力的结果汇总正态分布，应满足Cpk＞1.67。开封过程不应影响键合剪切强度或键合拉力。表3键合点剪切最小剪切力要求μmgfgf4.5.4.2破坏性键合拉力试验T/CACCXXXX—XXXX7若旋变角转换芯片采用打线键合封装，按照A.4.2的方法进行试验。温度循环试验（A.2.6）后，键合线线径不小于25.4μm时，温度循环试验后样品金线的最小拉力不应低于3gf；键合线线径小于25.4μm时，不同键合线直径对应的最小拉力不应低于表4的要求。将测得拉力的结果汇总形成正态分布，应满足Cpk＞1.67。表4最小拉力要求μmgf4.5.4.3可焊性试验按照A.4.3的方法进行试验。试验后样品的焊接区域应呈现连续的焊料层，单个端子的焊料层应大于该端子总面积的95%。4.5.4.4物理尺寸量测试验按照A.4.4的方法进行试验。样品的物理尺寸及共面度应符合设计要求，若无共面度要求，共面度不应超过150μm，应满足Cpk＞1.67。4.5.4.5锡球剪切试验按照A.4.5的方法进行试验。不同锡球直径对应的最小剪切力不应低于表5的要求，超过或未定义的球径，最小剪切力不应低于3200gf/mm2。锡球分离模式应为1、2或4，当分离模式为2时锡球分离模式不应超过总面积的5%且剩余面积应为模式1和/或4；分离模式不应为3或5。将测得剪切力的结果汇总正态分布，应满足Cpk＞1.67。表5锡球剪切最小剪切力要求gf4.5.4.6凸块剪切试验若采用凸块（BumP）封装，按照A.4.6的方法进行试验。将测得剪切力的结果汇总形成正态分布，应满足Cpk＞1.67。4.5.5晶圆工艺可靠性试验要求T/CACCXXXX—XXXX84.5.5.1电迁移试验按照A.5.1的方法进行试验，结果由供需双方协商确定。4.5.5.2电介质击穿试验按照A.5.2的方法进行试验，结果由供需双方协商确定。4.5.5.3热载流子注入效应试验按照A.5.3的方法进行试验，结果由供需双方协商确定。4.5.5.4负偏压温度不稳定试验按照A.5.4的方法进行试验，结果由供需双方协商确定。4.5.5.5应力迁移试验按照A.5.5的方法进行试验，结果由供需双方协商确定。4.5.6电性能验证试验要求4.5.6.1功能/电气参数试验按照A.6.1的方法进行试验。试验结果符合产品规格书或使用说明规格书的要求。4.5.6.2人体模型静电放电试验按照A.6.2的方法进行试验。试验后样品外观应满足IEC60749-3的要求，电性参数、功能和性能应符合设计要求，静电放电（ESD）失效阈值应至少达到2级或由供需双方协商确定。（具体等级应与公司交流）4.5.6.3带电器件模型静电放电试验按照A.6.3的方法进行试验。试验后样品外观应满足IEC60749-3的要求，功能和电气参数应符合设计要求，ESD失效阈值应至少达到C2a级或由供需双方协商确定。（具体等级应与公司交流）4.5.6.4闩锁效应试验按照E.6.3的方法进行试验。试验后样品外观应满足IEC60749-3的要求，功能和性能应符合设计要求。试验后电源引脚的电流值Ipose应符合如下要求：a)若|Inor|≤25mA，则|Ipose|≤|Inor|+10mA；b)若|Inor|＞25mA，则|Ipose|≤1.4×|Inor|。4.5.6.5电性参数分布按照A.6.5的方法进行试验。Cpk如果适用，则可相应的增加试验样本量，Cpk＞1.33或/和Ppk>1.67。4.5.6.6故障分级按照A.6.6的方法进行试验。测试覆盖率应满足下列要求：a)模拟电路或混合模式电路的模拟电路块：100%；T/CACCXXXX—XXXX9b)数字电路或混合模式电路的数字电路块逻辑翻转故障模型测试覆盖率：不低于98%；c)具有IDDQ或ISSQ的数字电路或数字电路块辑翻转故障模型测试覆盖率：不低于97%；d)利用扫描设计的数字电路或数字电路块的转换延迟故障覆盖率：不低于80%；e)在IDDQ故障覆盖范围内使用伪固定的数字电路或数字电路块：不低于70%。不满足以上测试覆盖率的技术要求时，由供需双方协商确定测试覆盖率要求并说明。注1：I为电源静态电流。注2：I为电源输入/输出电流。4.5.6.7电特性表征按照A.6.7的方法进行试验，结果由供需双方协商确定。4.5.7缺陷筛选试验要求4.5.7.1参数分布平均测试按照A.7.1的方法进行试验，结果由供需双方协商确定。4.5.7.2统计良率分析按照A.7.2的方法进行试验，结果由供需双方协商确定。4.5.8腔体封装完整性试验要求4.5.8.1机械冲击试验按照A.7.1的方法进行试验。试验前后样品外观应满足IEC60749-3的要求，功能和性能应符合设计要求。4.5.8.2变频振动试验按照A.7.2的方法进行试验。试验前后样品外观应满足IEC60749-3的要求，功能和性能应符合设计要求。4.6功能安全等级要求根据GB/T34590.2-2022的要求，芯片功能安全等级应满足ASIL-B等级要求。4.6.1功能安全机制4.6.1.1正弦/余弦输入削波如果任一旋变输入引脚(SIN、SINLO、COS或COSLO)对RDC的电源轨或接地轨削波，RDC将指示已发生削波错误。如果输入幅度小于0.15V或大于VDD−0.2V并持续4μs以上，它将指示削波故障。4.6.1.2正弦/余弦输入低于LOS阈值任一旋变输入(正弦或余弦)降至指定的LOS正弦/余弦阈值以下。此阈值由用户定义，通过写入内部寄存器进行设置。4.6.1.3正弦/余弦输入超过DOS超量程阈值T/CACCXXXX—XXXX任一旋变输入(正弦或余弦)超过指定的DOS正弦/余弦阈值。此阈值由用户定义，通过写入内部寄存器进行设置。4.6.1.4正弦/余弦输入超过DOS失配阈值正弦与余弦输入信号的幅度失配超过指定的DOS正弦/余弦失配阈值。此阈值由用户定义，通过写入内部寄存器进行设置。4.6.1.5跟踪误差超过LOT阈值RDC的内部误差信号已超过指定的角度阈值。此阈值由用户定义，通过写入内部寄存器进行设置。4.6.1.6速度超过最大跟踪速率输入信号超过最大跟踪速率。最大跟踪速率取决于用户定义的分辨率和CLKIN频率。4.6.1.7相位误差超过锁相范围如果激励频率的相位与正弦和余弦信号的相位二者之差超过指定的锁相范围，RDC将指示已发生锁相错误。4.6.1.8配置奇偶校验错误RDC内包括多个用户可编程寄存器，允许用户对该器件进行配置。RDC的各读/写寄存器由用户利用7位信息进行编程。第8位是保留的奇偶校验位。如果这些寄存器中的数据被破坏，RDC将指示已发生配置奇偶校验错误。4.7贮存要求4.7.1温湿度控制集成电路应存放在干燥、通风、无腐蚀性气体的环境中，推荐的存储温度为15°C至30°C，相对湿度在40%至60%之间。4.7.2防静电和电磁干扰采取措施防止静电的产生和积累，可以使用防静电包装材料，并远离强电磁场。4.7.3定期检查长期存储的集成电路应定期进行外观检查及性能测试，确保无受潮、氧化等现象。4.7.4真空或氮气封装对于特别敏感的集成电路，可采用真空包装或氮气填充包装，进一步隔绝氧气和湿气。4.7.5温度管理仓库中设置恒温恒湿系统，确保长期存放环境稳定，避免极端温度变化引起的材料老化。4.8运输要求T/CACCXXXX—XXXX4.8.1防震包装在运输过程中，应使用防震材料包裹集成电路，以防止运输中的颠簸和震动对集成电路造成损坏。4.8.2稳固固定确保集成电路在运输箱内稳固固定，避免相互碰撞或滑动，可以使用泡沫包装和纸箱等材料进行固4.8.3温湿度监控长途运输尤其是跨国或跨地区运输时，需特别关注运输途中的温湿度变化，必要时可采用带有温湿度记录功能的包装箱。4.8.4防潮防湿加强防潮措施，如使用双层或多层防潮包装，确保集成电路在潮湿环境中不受影响。4.8.5紧急应对计划制定运输过程中的紧急应对计划，包括应对恶劣天气、交通事故等突发情况的措施。5试验方法5.1总则测试环境应符合旋变角转换芯片工作状态下的电磁环境模型。测试项中如有涉及温度工作条件的，所采用的温度范围应该与对应的可靠性测试报告内标称值一致。5.2仪器设备的要求5.2.1校准要求测试设备应按GJB548C-2021中4.5.1的规定进行校准。5.2.2准确度测试设备的准确度符合GJB548C-2021中4.5.2的规定。5.2.3设备的能力测试设备的能力应符合GJB548C-2021中4.5.3的规定。5.2.4测试方法和试验路线除另有规定外，给出的试验方法和路线应作为基本测试方法，不是应采用的唯一试验方法，但承制方应向使用方证明，采用的其他方法和线路与本方法给出的是等效的，且测试结果在希望的测试准确度之内。5.3电性能试验方法5.3.1电源电压VCCT/CACCXXXX—XXXX按照图B.1连接测试电路，根据B.1.3的测试条件和B.1.4的测试程序进行测试。按照图B.1连接测试电路，根据B.2.3的测试条件和B.2.4的测试程序进行测试。5.3.3微分非线性误差DNL按照图B.2连接测试电路，根据B.3.3的测试条件和B.3.4的测试程序进行测试。5.3.4积分非线性误差INL，角度精度AOUT按照图B.2连接测试电路，根据B.4.3的测试条件和B.4.4的测试程序进行测试。5.3.5速度精度VA按照图B.3连接测试电路，根据B.5.3的测试条件和B.5.4的测试程序进行测试。5.3.6最大跟踪速率TR按照图B.3连接测试电路，根据B.6.3的测试条件和B.6.4的测试程序进行测试。5.3.7激磁信号输出电压EV，激磁信号输出中心电压ECV，激磁信号输出交流失配EAM，激磁信号输出直流失配ECM按照图B.4连接测试电路，根据B.7.3的测试条件和B.7.4的测试程序进行测试。5.3.8输入高电平电流IIH，输入低电平电流IIL按照图B.5连接测试电路，根据B.8.3的测试条件和B.8.4的测试程序进行测试。5.3.9输出高电平电压VOH，输出低电平电压VOL按照图B.6连接测试电路，根据B.9.3的测试条件和B.9.4的测试程序进行测试。5.3.10串行/并行接口功能按照图B.2连接测试电路，根据B.10.3的测试条件和B.10.4的测试程序进行测试。5.4环境可靠性试验方法潮湿敏感度分级试验方法按照JEDECJ-STD-020的要求进行。可靠性试验应符合AEC-Q100Rev-J文件规定的采样要求，按照芯片对应品类规定的试验分组和流程，完成全部试验项目并提交完整的试验报告。当芯片的构成要素发生变更时，应符合AEC-Q100Rev-J的要求实施再验证。T/CACCXXXX—XXXX（规范性）环境及可靠性试验方法A.1使用要求等级A.1.1产品温度等级择适用的环境工作温度范围，允许供需双方协商工作温度范围和试验条件，但最低工作温度不应高于－40℃,最高工作温度不应低于85℃。对于适用于多个温度等级的芯片，应使用推荐的最严温度等级进行试验。表A.1环境工作温度等级-40℃~150℃-40℃~125℃-40℃~105℃-40℃~85℃A.1.2潮湿敏感度等级按照表A.2选择适用的潮湿敏感度等级，允许供需双方协商工作潮湿度范围和试验条件，对于适用于多个潮湿敏感度等级的芯片，应使用推荐的最严潮湿敏感度等级进行试验。表A.2潮湿敏感度等级A.2加速环境应力试验要求A.2.1预处理本试验适用于非密封表面贴装器件。对于非密封表面贴装器件，应在恒定温湿度偏压应力/高加速温湿度应力、高压蒸煮/无偏压高加速温湿度应力、温度循环和功率温度循环应力测试之前进行预处理试验。A.2.1.1设备本测试方法需要使用以下设备1.湿度箱温度具备在85℃/85%RH、85℃/60%RH和30℃/60%RH条件下运行的湿度室。在室内的工作区域内，温度容差必须为±2℃,湿度容差必须为±3%RH。具备60℃/60%RH能力的湿度室是加速浸渍条件的可选配置。2.焊锡回流设备a)(优选)具有完全对流回流焊功能的系统，能够维持本文件要求的回流曲线。T/CACCXXXX—XXXXb)红外/对流焊回流设备，能够维持本文件所要求的回流参数。该设备必须使用红外技术仅加热空气，而不会直接触及待测的SMD封装/器件。注：湿敏性分类试验结果取决于包件的体温(而不是回流运输3.光学显微镜(用于外部视觉检查的40倍)4.电气测试设备能够进行室温直流和功能测试的电气测试设备。5.烘烤炉烤箱能够以1255℃的温度运行。6.温度循环室10℃至6010℃的范围内运行。A.2.1.2测试流程使用3个不连续批次（同时满足不连续的晶圆批次、不连续的封装批次，无法满足时由供需双方协商确定）的样品，试验样品数量不应少于需要进行预处理试验项目样品数量的总和，按照下列步骤进行试验：按照A.6.1的方法在室温下进行功能/电气参数检查，替换不合格样品；在不低于40倍光学放大倍率下进行外部目视检查，替换不合格样品；每个批次选取3颗样品进行超声波扫描分层试验；a)按照A.2.7的方法以不高于－40℃的最低温度和不低于60℃的最高温度进行5次温度循环（可选步骤）；b)在125℃+5℃条件下保持24h；可根据器件特性视情况调整试验时间和温度，以确保去除所有水分。c)在步骤e）完成后2h内，按照表A.2的湿度敏感性等级选取相应的条件进行试验；d)在步骤f）完成后15min～4h的时间内，按照图A.1的示意图和表A.3、表A.4的试验条件，完成3次再流焊试验，每次循环间隔时应将样品冷却至室温，间隔时间为5min～60min；e)在不低于40倍光学放大倍率下进行外部目视检查；f)按照B.X.1的方法在室温下进行功能/电气参数检查；g)每个批次选取3颗样品进行超声波扫描分层试验。表A.3回流焊试验参数预热最低温度（Tsmin）在指定分类温度（TC）5℃以内的保持时表A.4封装温度分类TcT/CACCXXXX—XXXXV＜350mm3V＞2000mm3<1.6mm>2.5mm注：V表示体积，体积包括封装体的外部尺寸，不包括外部端子图A.1回流焊试验示意图A.2.2稳态温湿度偏置寿命试验A.2.2.1装置该测试需要一个具备持续保持特定温度和相对湿度功能的温度湿度测试箱，同时要能为待测设备提供特定偏置配置下的电气连接。1.温度和相对湿度该试验室必须能够在升至和降至指定测试条件的过程中，提供稳定的温度和相对湿度环境。注意：务必确保测试箱（干球温度）的温度始终高于湿球温度。2.处于压力状态下的设备处于压力状态下的设备必须放置得当，以尽量减少温度梯度的差异。注意：应采取措施尽量减少设备之间的相对湿度差异，并最大限度地提高设备之间的空气流通量。3.减少污染物的排放在选择板件和插座的材料时必须格外谨慎，以尽量减少污染物的释放，并尽量减少因腐蚀及其他因素导致的材料劣化。4.离子污染测试设备（例如卡架、测试板、插座、布线、存储容器等）所产生的离子污染应得到控制，以避免产生测试误差。5.去离子水应使用在室温下电阻率不低于1MΩ·cm的去离子水。A.2.2.2试验流程对于表面贴装器件，试验前应先按照A.2.1进行预处理试验。按照表A.5的条件进行试验，按照GB/T4937.4-2012中4.2的偏压准则施加偏压。使用3个不连续批次的样品，每批次样品数量不应少于77片。应在3h内达到稳定温度和相对湿度。1.温度、相对湿度和持续时间表A.5稳态温湿度偏置寿命试验条件T/CACCXXXX—XXXX8气压为参考试验条件。试验前后进行外观检查，按照A.6.1的方法依次在室温和表A.1规定的最高工作温度下进行功能/电气参数检查。功能检查应在试验结束后48h内完成。应力条件应连续施加，但中期测量期间可中断。允许试验过程中在室温下对样品进行功能/电气参数检查，中断时间不宜超过96h。可通过将样品放置在密封的防潮袋中（非真空包装、无氮气保护、不使用干燥剂）降低样品的潮气释放速率。当样品放置于密封袋中时，可在144h内进行功能/电气参数检查，中断时间可以延长至288h。2.偏置根据以下指南采用两种偏置方法中的任意一种：a)尽可能减少功率损耗。b)尽可能交替对引脚进行偏置。c)尽可能将电位差分布在芯片金属化层上。d)在工作范围内尽可能增大电压。e)可以使用两种偏置方法中的任意一种来满足这些指南，以更严酷的为准：1)持续偏压：直流偏压应被持续施加。当芯片温度比腔室环境温度高出≤10℃时，持续偏压的严苛程度高于循环偏压。如果芯片温度未知，且被测设备的散热量小于200mW。如果DUT的散热量超过200mW，则应计算芯片温度。如果芯片温度比腔室环境温度高出的幅度超过5℃,则应将芯片温度相对于腔室环境的升高部分纳入测试结果报告中，因为这会影响到加速失效机理的影响。2)循环偏压：施加到被测器件上的直流电压应通过适当的频率和占空比进行周期性中断。如果偏压配置导致器件温度升高超过腔室环境温度ΔTja，且升高幅度超过10℃,那么针对特定器件类型进行优化的循环偏压，其影响将比连续偏压更为显著。由于功率耗散导致的加热效应倾向于将水分驱离芯片，从而阻碍与水分相关的故障机制。循环偏压使得在设备功率耗散不存在的非工作时段内，芯片表面能够保留水分。对于大多数塑料封装的微电路而言，让DUT的偏压有1小时的接通和1小时的断开时间是最优的。根据已知的热阻抗和耗散率计算出的芯片温度，如果超过腔室环境温度5℃或以上，则应在报告中注明这一信息。A.2.3强加速稳态湿热试验A.2.3.1设备该测试要求有一个压力室，能够持续维持特定的温度和相对湿度，同时以指定的偏压配置提供与待测设备的电气连接。1.控制条件该腔室必须能够在升温和降温过程中提供受控的压力、温度和相对湿度条件，以达到指定的测试条件。校准记录应证实设备在最大热质量负载和最小(零)被测设备功率损耗的升温和降温过程中，不会使被测设备表面温度高于50℃,从而避免冷凝现象。校准记录还应证实，在稳定状态条件和最大热质量负载下，测试条件保持在3.1中规定的公差范围内。2.温度曲线建议对每个测试周期的温度分布进行永久记录，以便验证应力的有效性。3.应力下的设备T/CACCXXXX—XXXX处于应力状态下的设备必须在物理上被妥善安置，以最小化温度梯度。处于应力状态下的设备与内腔壁面的距离不应少于3cm，且不得受到来自加热器的直接辐射热影响安装设备的板面应被定向，以尽量减少对蒸汽循环的干扰。4.最小化污染释放在选择电路板和插座材料时必须格外小心，以最大限度地减少污染物的释放，并尽可能降低因腐蚀和其他机制导致的性能退化。5.离子污染应控制测试仪器(卡箱、测试板、插件箱、接线盒等)的离子污染，以避免测试伪影。6.去离子水应使用室温下最小电阻率为1MΩ·cm的去离子水。A.2.3.2试验流程对于表面贴装器件，试验前应先按照A.2.1进行预处理试验。按照GB/T4937.4的方法进行试验。试验前后进行外观检查，按照A.6.1的方法依次在室温和表A.1规定的最高工作温度下进行功能/电气参数检查。功能检查应在样品恢复室温后48h内完成。应力条件应连续施加，但中期测量期间可中断。允许试验过程中在室温下对样品进行功能/电气参数检查，中断时间不宜超过96h。可通过将样品放置在密封的防潮袋中（非真空包装、无氮气保护、不使用干燥剂）降低样品的潮气释放速率。当样品放置于密封袋中时，可在144h内完成功能检查，中断时间可以延长至288h。A.2.4加速耐湿无偏置强加速试验A.2.4.1设备该测试要求有一个压力室，能够在升温和降温过程中保持指定的温度和相对湿度，直至达到或脱离指定的测试条件。建议为每个测试周期建立温度分布的永久记录，以便验证应力条件。校准记录应证实设备在最大热质量负载条件下，在升温和降温过程中不会使被测设备(DUT)表面温度高于50℃,从而避免冷凝。校准记录还应证实，在稳定状态和最大热质量负载条件下，测试条件保持在表1中规定的公差范围内。2.压力下的设备处于应力状态下的设备必须以最小化温度梯度放置在试验箱内。处于应力状态下的设备与内部试验箱壁面的距离不应少于3cm，且不得受到来自加热器的直接辐射热影响。如果设备被安装在板上，则应调整板的方向，以尽量减少对蒸汽循环的干扰。3.离子污染引入试验室的任何材料应最大限度地减少污染物的释放，并最大程度地降低因腐蚀等机制导致的退化。应控制试验设备的离子污染，以避免人为因素导致的试验结果偏差。4.蒸馏水或去离子水应使用蒸馏或去离子水，其在室温下的最小电阻率为1MΩ·cm。A.2.4.2试验流程对于表面贴装器件，试验前应先按照A.2.1进行预处理试验。从表A.6中选择合适的条件进行试验，使用3个不连续批次的样品，每批次样品数量不应少于77片。应在3h内达到稳定温度和相对湿度。对于塑料封装的样品，试验温度不应高于有效玻璃化转变温度。T/CACCXXXX—XXXX表A.6加速耐湿无偏置强加速应力试验条件12试验前后进行外观检查，并按照A.6.1的方法在室温下进行功能/电气参数检查。功能检查应在试验结束后48h内完成。应力条件应连续施加，但中期测量期间可中断。允许在试验过程中对样品进行功能/电气参数检查，中断时间不宜超过96h。可通过将样品放置在密封的防潮袋中（非真空包装、无氮气保护、不使用干燥剂）降低样品的潮气释放速率。当样品放置于密封袋中时，可在144h内进行功能/电气参数检查，中断时间可以延长至288h。A.2.5温湿度贮存试验对于表面贴装器件，试验前应先按照A.2.1进行预处理试验。按照表A.7的条件进行试验，使用3个不连续批次的样品，每批次样品数量不应少于77片。应在3h内达到稳定温度和相对湿度。表A.7温湿度贮存试验条件8试验前后进行外观检查，按照A.6.1的方法在室温下进行功能/电气参数检查。功能检查应在试验结束后48h内完成。应力条件应连续施加，但中期测量期间可中断。允许在试验过程中对样品进行功能/电气参数检查，中断时间不宜超过96h。可通过将样品放置在密封的防潮袋中（非真空包装、无氮气保护、不使用干燥剂）降低样品的潮气释放速率。当样品放置于密封袋中时，可在144h内进行功能/电气参数检查，中断时间可以延长至288h。A.2.6温度循环试验A.2.6.1设备所使用的腔室应能够在腔室满载时提供并控制工作区域内的指定温度和循环时序。应尽量减少对样品的热直接传导。应通过以下一种或两种方法中的任一种验证每个腔室达到样品温度要求的能力：a)使用配备仪器的部件和最大负载进行定期校准，并在每次测试期间持续监测此类固定工具热电偶的温度测量，以确保测试结果的重复性。b)在每次测试期间，持续监测置于最不利温度位置(例如载荷的角部和中部)的已安装仪器的部件。A.2.6.2试验流程对于表面贴装器件，试验前应先按照A.2.1进行预处理试验。按照表A.8的要求进行试验，使用3个不连续批次的样品，每批次样品数量不应少于77片。使用热电偶或其他温度测量装置监控样品的温度和保持时间。允许在试验过程中中断，但中断总次数不应超过总循环数的10%。注：如果使用热电偶测量温度，宜使用导热胶或铝箔胶带，试验前后进行外观检查，按照A.6.1的方法依次在室温和表A.1规定的最高工作温度下进行功能/电气参数检查。功能检查应在恢复室温后96h内完成。应力条件应连续施加，但中期测量期间可中断。T/CACCXXXX—XXXX允许在试验过程中对样品进行功能/电气参数检查，中断时间不宜超过96h。试验后，每批样品随机抽取3颗对晶粒粘接和键合区域进行分层扫描；从一批样品中取出五个样品进行开封，对每个样品的角键（每个角2个键）和每侧一个中间键按照A.4.2的方法进行键合点拉力试验。表A.8温度循环试验条件0212223度，从而引发在设计应用条件下通常不会见到的失效机制，2)应避免被测设备(DUT)之间以及它们与测试板之间的巨大热梯度，以保持测试数据的完整性，3)在测试条件温度范围内，热膨胀系数的差异可能导致测试板上的电镀通孔过早失每小时循环次数可参考如下文件：1.组件循环速率典型的元件级温度循环速率在每小时1至3个循环(cph)之间。典型的失效机制包括但不限于疲劳(如金属电路疲劳)和分层。对于某些失效机制，如球焊点完整性，如果温度循环箱能够符合特定测试条件下的TS标称值和浸泡要求，则可采用更高的循环速率，即>3cph。2.焊接互连循环速率典型的焊接互连循环速率较慢，通常在1cph到2cph之间，在进行焊点疲劳评估时适用。这包括倒装芯片、球栅阵列和堆叠封装中的焊点互连。循环频率和浸泡时间对焊点互连的影响更为显著。A.2.7功率温度循环试验A.2.7.1设备进行此项测试所需的设备应包括一个可控温室，该温室能够在规定的转换时间内达到指定的温度。在温室内应配备插座或其他安装装置，以便能够按照规定的电路配置可靠地实现与设备端子的电连接。电源和偏压网络应能够在整个测试期间维持规定的运行条件，而不会受到线路电压或环境温度的正常变化影响。测试电路的设计还应确保即使存在异常或故障设备，也不会影响其他待测单元的指定条件。应特别注意避免瞬态电压尖峰或其他可能导致电气、热或机械过载的条件造成的潜在损害。A.2.7.2试验流程对于表面贴装器件，试验前应先按照A.2.1进行预处理试验。按照表A.9的试验条件和GB/T4937.34的方法进行试验，使用1个批次的样品，样品数量不应少于45片。使用热电偶或其他温度测量装置监控样品的温度。试验前后进行外观检查，按照A.6.1的方法进依次在室温和表A.1规定的最高工作温度下进行功能/电气参数检查。T/CACCXXXX—XXXX表A.9功率温度循环试验条件0-40°C21-40°C22-40°C2~33-40°C2~3可任选一个条件进行试验。*注：由于某些器件的壳温和接合点温度可能显著高于环境温度，因此电路的设计应确保不会超过最大额定壳温或测试设置应在测试周期的初始阶段和结束阶段进行监控，以确保所有设备都按要求承受了应力的考验。在继续循环测试之前，必须纠正任何偏差，以确保资质数据的有效性。采用焊料互连的器件，其循环速率通常在<1cph到2cph之间。这包括倒装芯片、球栅阵列以及带有焊料互连的堆叠封装。循环斜坡率和浸泡时间对于焊料互连更为关键。在测试这些器件时，重要的是要避免测试样品中的瞬时热梯度。热质量大且热传递效率低的样品，需要斜坡速率足够慢，以补偿热质量的影响。在温度斜坡期间，样品的温度应保持在比环境温度低几度以内。在这种情况下，典型的升温速率应为每分钟15℃或更低，适用于循环过程中的任何阶段。对于不受热质量约束的样品，升温速率可以更快。A.2.8高温贮存寿命试验A.2.8.1设备1.高温存储室进行此项测试所需的设备应包括一个可控温箱，能够在整个待测样品组中维持指定的温度。2.电气测试设备能够进行所测试设备相应测量的电气设备，包括写入并验证非易失性存储器所需的保留数据模元。A.2.8.2试验流程按照表A.10的要求进行试验，使用1个批次的样品，样品数量不应少于45片。使用热电偶或其他温度测量装置监控样品的温度。表A.10高温贮存寿命试验条件01T/CACCXXXX—XXXX0~3试验前后进行外观检查，按照A.6.1的方法进依次在室温和表A.1规定的最高工作温度下进行功能/电气参数检查，功能检查应在恢复室温后48h内完成。应力条件应连续施加，但中期测量期间可中断。允许在试验过程中对样品进行功能/电气参数检查，中断时间不宜超过168h。超出的中断时间应在继续试验时增加相同的时间进行补偿。注：在选择加速测试条件时需格外谨慎，因为使用的加速温度可能超出设至少应考虑以下几点：a)金属的熔点，特别是焊料。包括冶金界面在内的金属降解。b)封装退化。例如：任何聚合物材料的玻璃化转变温度和热稳定性(在空气中)c)封装的湿度等级。d)硅器件的温度限制。例如:非易失性存储器中的电荷损失。e)应选择适当的测试条件(温度、时间)，以涵盖相应故障机制的加速过程以及该设备的预期寿命(运行时间)。对于非易失性存储器，如果其编程擦除耐久性，数据保留和使用寿命试验（EDR）试验选择的温度不低于本试验温度，可不进行本试验。A.3加速寿命模拟试验要求A.3.1高温工作寿命试验A.3.1.1试验要求按照表A.11的要求进行试验，使用3个不连续批次的样品,每批次样品数量不应少于77片。使用热电偶或其他温度测量装置监控样品的温度。应力条件应连续施加，但允许在中期测量期间中断，中断总时间不应超过总试验时间的10%。应在样品冷却至55℃或更低时切断电压。宜在试验过程中（如试验的168h和500h时）对样品进行功能/电气参数检查。0123T/CACCXXXX—XXXX试验时，样品应处于运行状态，且试验中不应发生热关机现象。宜通过调整输入参数（例如：电源电之后再进行本试验。最低工作温度和表A.1规定的最高工作温度条件下测试，或依次在在室温、表A.1规定的最高工作温度和表A.1规定的最低工作温度条件下测试。如果适用，宜对试验后的关键性能和可靠性相关电气参数进行漂移分析。高压器件（加电电压大于10V的样品）功能检查的时间不宜超过96h，其他器件功能检查的时间不宜超过168h。超出的时间应按照表A.12的要求进行补偿。表A.12功能检查的时间超过规定时长的补偿方式A.3.2早期寿命失效试验A.3.2.1试验要求按照表A.15的要求进行试验，使用3个不连续批次的样品,每批次样品数量不应少于800片。使用热电偶或其他温度测量装置监控样品的温度。表A.15早期寿命失效试验条件c0123T/CACCXXXX—XXXX试验时，样品应处于运行状态，且试验中不应发生热关机现象。宜通过压、时钟频率、输入信号等）来控制内部功耗。在试验前和试验后48h内，按照A.6.1的方法进依次在室温和表A.1规定的最高工作温度下进行功能/电气参数检查。通过本试验后合格的样品，可用于开展其他应力试验。A.3.3非易失性存储器耐久性、数据保持和工作寿命试验A.3.3.1一般规定本试验适用于非易失性存储器（NVM）或带有非易失性存储器模块的芯片（如微处理器闪存），对于一次性可编程（OTP）非易失性存储器或内部存储单元，本试验中的部分方法不适用，可由供需双方协商。a)第1组：高温编程/擦除耐久性试验，高温数据保持试验（HTDR）；b)第2组：高温编程/擦除耐久性试验，高温偏压寿命试验（HTOL）；c)第3组：低温编程/擦除耐久性试验，低温数据保留试验（LTDR）。A.3.3.2编程/擦除耐久性试验按照GB/T35003-2018中5.2的方法在不低于85℃的温度条件下进行高温编程/擦除耐久性试验，在不超过55℃的温度条件下进行低温编程/擦除耐久性试验，试验时长按照GB/T35003-2018中公式（1）计算。试验前和试验后，依次在室温和表A.1规定的最高工作温度下进行功能/电气参数检查。试验后，应在96h内完成检查并进行编程。A.3.3.3高温数据保持试验按照表A.1的温度要求和A.2.8的方法进行1000h高温寿命存储试验。试验后96h内，依次在室温和表A.1规定的最高工作温度下进行功能/电气参数检查。应力条件应连续施加，但中期测量期间可中断。允许在试验中对样品进行读取功能检查，但不应对样品进行编程、擦除且中断时间不应超过96h。A.3.3.4高温工作寿命试验按照A.3.1的方法进行高温工作寿命试验。试验后168h内，依次在室温、表A.1规定的最低工作温度和最高工作温度下进行功能/电气参数检查。应力条件应连续施加，但中期测量期间可中断。允许在试验中对样品进行读取功能检查，但不应对样品进行编程、擦除且中断时间不应超过168h。A.3.3.5低温数据保留试验在不高于55℃的条件下进行1000h试验。使用热电偶或其他温度测量装置监控样品的温度。试验前后进行外观检查，按照A.6.1的方法进依次在室温和表A.1规定的最高工作温度下进行读取、编程、擦除等功能检查，功能检查应在恢复室温后96h内完成。应力条件应连续施加，但中期测量期间可中断。允许在试验过程中（如500h时）对样品进行功能/电气参数检查，但不应对样品进行编程、擦除且中断时间不宜超过168h，超出的中断时间应在继续试验时增加相同的时间进行补偿。A.4封装完整性试验A.4.1键合剪切强度试验本试验适用于键合球高度不低于31.75μm的样品，示意图见图A.2。试验样品数量不应少于5片，每片T/CACCXXXX—XXXX样品选择不少于6个位置在适当的时间间隔内进行试验，开封过程不应影响键合剪切强度或键合拉力。推刀抬高高度应在焊盘上方2.54μm处至待测键合球高度的1/2处范围内选取，剪切速度应在280～500μm/s范围内选取，同时测量每个选定位置的剪切力。试验后使用不低于30倍光学放大倍率的显微镜进行分离模式的判定，分离模式见表A.16。图A.2键合球剪切试验示意图表A.16分离模式12T/CACCXXXX—XXXX3456A.4.2破坏性键合拉力试验试验样品数量不应少于5片，每片样品选择不少于6个位置进行试验。从下列两个试验方法中任选一个进行试验。单键合点键合线拉力试验：切断连接芯片或基板与框架上的引线，使两端键合点都能进行拉力试验。对引线施加垂直于芯片表面的拉力，使引线断裂并记录分离模式与拉力大小，分离模式见图A.3。双键合点键合线拉力试验：当键合线线径不小于25.4μm时，在引线中跨和顶部之间插入钩针施加拉力，见图A.4；当键合线线径小于25.4μm时，在键合球上方插入钩针施加拉力；当键合线线径大于127μm且钩针不适用时，可使用适当的夹子代替钩针。对引线施加垂直于芯片表面的拉力，使引线断裂并记录分离模式与拉力大小。T/CACCXXXX—XXXX图A.3键合点拉力试验分离模式图a)将钩针置于中跨与顶点之间b)将钩针置于中跨附近c)将钩针置于中跨附近d)如果中跨与顶点所在位置大致相同，则将钩针放在中跨附件。如位置不同，则将钩针放在中跨与顶端之间的近似中点处。e)将钩针置于中跨附近f)将钩针置于所有中跨附近图A.4键合点拉力试验示意图T/CACCXXXX—XXXXA.4.3可焊性试验本试验使用1个批次的样品，样品数量不应少于15片进行试验。试验前应从表A.17中选择适当的条件进行预处理，预处理后应在2h内进行试验或将器件存放于氮气箱中，并在72h内进行试验。对于使用蒸汽老化预处理的样品，当试验样品从蒸汽老化设备中移出时,可以按照下述方法之一干燥样品：a)在干燥环境中(推荐用干燥氮气)，最高100℃烘焙不超过1h；b)在室温环境下的空气中干燥至少15min。表A.17预处理条件ABCDE表A.18蒸汽温度试验时，应使用Sn96.5Ag3.0Cu0.5（SAC305）焊料，允许Ag含量在3.0wt%～4.0wt%之间、Cu0.5wt%~1.0wt%之间变化；助焊剂成分应符合表A.19的规定。对于不同类型的样品，使用下列不同的方法进行试验。有引线元器件焊料槽浸焊观察试验：先将样品以20°~45°的角度浸入助焊剂中，待样品表面浸没在助焊剂中保持5s～10s后，将样品引线与焊料面呈90°方向，以（25±6）mm/s的速度浸入焊料槽，并在焊料面与样品本体在距离1.27mm以内停止，在（245±5）℃条件下保持50—0.5s。将样品取出冷却5s以上后，在不低于30倍光学放大倍率下进行观察焊料层细节。T/CACCXXXX—XXXX无引线元器件焊料槽浸焊观察试验：先将样品以20°~45°的角度浸入助焊剂中，待器件表面浸没在助焊剂中保持5s～10s后，将样品与焊料面呈20°~45°方向，以（25±6）mm/s的速度浸入焊料槽，在（245±5）℃条件下保持50—0.5s。将样品取出冷却5s以上后，在不低于30倍光学放大倍率下进行观察焊料层细节。焊球、柱阵列封装器件表面贴装工艺模拟试验：使用开模丝网将锡膏印至试验基板，取下丝网后将样品置于印刷好的基板上，在确认样品位置无误后进行再流焊接，待冷却后将样品从基板上取下，在不低于30倍光学放大倍率下进行观察焊料层细节。表A.19助焊剂成分A.4.4物理尺寸量测试验本试验包括物理尺寸量测和共面性测量两个部分。使用3个不连续批次的样品，每批次样品数量不应少于10片。使用千分尺、卡尺、量规、轮廓投影仪或其他能够确定实际设备尺寸的测量设备对样品进行尺寸量测。对于焊柱阵列（CGA）封装产品按照GB/T36479-2018中5.1的方法对样品进行共面度测量。对于焊球阵列（BGA）封装产品采用基准平面法测量，具体步骤如下：a)应小心处置器件，确保不会损伤焊球。b)器件水平放置，焊球朝上，如图A.5所示。c)测量时，不允许对器件施加外力。d)测量每一个焊球顶点。e)测定三个具有到植球面最大的垂直距离的焊球顶点，这三个点形成基准平面，如图A.5所示。f)由焊球形成的三角形基准平面应包括器件重心。如果构建的基准平面不包括器件重心，则使用下一个和植球面具有最大的垂直距离的焊球来构建有效的基准平面。如果基准平面三角形包括了器件重心，则认为此基准平面是有效的。但也可能存在多个基准平面。如果存在多个基准平面，应使用能产生最坏测量结果的基准平面来进行共面度测量。g)测量每个焊球顶点和基准平面之间的距离，其最大测量差值就是共面度，如图A.6所示。T/CACCXXXX—XXXX图A.5基准平面图A.6BGA共平面A.4.5锡球剪切试验使用3个不连续批次的样品，每批次样品数量不应少于10片，每片样品选择不少于5个位置进行试验。试验前应先按照A.2.1步骤g）的方法进行两次封装体峰值温度（rP）为220℃的再流焊试验，待样品冷却恢复常温后进行试验。本试验的示意图见图A.7。推刀抬高高度为待测焊球的1/3处，剪切速度在280μm/s～500μm/s范围内选取，试验后在不低于40倍光学放大倍率下进行分离模式的判定，分离模式见表A.20。T/CACCXXXX—XXXX图A.7锡球剪切试验示意图表A.20分离模式123T/CACCXXXX—XXXX45A.4.6凸块剪切试验本试验使用1个批次的样品，样品数量不应少于5片，每片样品选择不少于4个凸块进行试验，按照A.4.5锡球剪切试验的方法进行试验，测试有效载荷由供需双方协商确定，试验前后测量样品Cpk参数。A.5晶圆可靠性试验A.5.1电迁移试验参考IEC62415的方法进行试验。A.5.2电介质击穿试验参考IEC62374、IEC62374-1的方法进行试验。A.5.3热载流子注入效应试验参考IEC62416的方法进行试验。A.5.4负偏压温度不稳定试验参考IEC62373-1的方法进行试验。A.5.5应力迁移试验参考IEC62880-1的方法进行试验。A.6电性能验证试验A.6.1功能/电气参数试验使用足够精度的硬件测试板对样品的功能/电气参数进行检测。硬件测试板测试程序应参考供应商数据手册或者用户规格说明书编制。（具体参数应与公司沟通）A.6.2人体模型静电放电试验T/CACCXXXX—XXXX依据GB/T4937.26第5节的方法对HBM测试仪器进行认证。认证完成后引脚可按照GB/T4937.26中6.3节与6.4节部分进行分类与分组。测试电压点的选择应从500V开始，通过后继续进行下一等级的电压点测试，不允许跳过某个电压点，若500V的测试未通过则应进行250V的测试，若是250V的测试未通过则应进行125V的测试，若此时依然未通过125V的测试，则将该器件的HBMESD等级设为0A级。每个电压点至少使用3个样品进行试验。不同引脚组合同一电压可使用同一个样品进行试验。按照GB/T4937.26第6节的方法进行试验，且应当按照表A.21的引脚连接顺序进行测试。特别的，若是使用低寄生测试仪进行HBM试验应当验证每个引脚组合的连接性且必须测试相邻非电源引脚，但是此时允许采用表A.22进行简化测试。试验前后进行外观检查，按照A.6.1的方法进依次在室温和表A.1规定的最高工作温度下进行功能/电气参数检查，功能检查应在试验结束后96h内进行。验证通过后按照表A.23进行HBMESD等级分类。表A.21传统引脚组合集12………NN+1表A.22简化引脚组合集12………NN+1表A.23HBMESD等级分类表电压范围(V)<50T/CACCXXXX—XXXX2A.6.3人体模型静电放电试验应对CDM测试中的各个仪器和部件进行按照JS-002中第6节的要求进行认证，保证CDM测试的输出波形满足要求。应当准备全新待测器件，并在测试前对设备和待测器件进行清洁与ESD防护避免非测试流程中的意外静电事件。应依据JS-002中的测试步骤对所有引脚进行试验，测试电压点的选择应从250V开始，依次为±250V、±500V、±750V，不允许跳级测试，也可由供需双方协商确定试验电压，若250V的测试未通过则应进行125V的测试，若此时依然未通过125V的测试，则将该器件的CDMESD等级设为C0a级。每个引脚至少进行3次正电压和3次负电压的试验，施加电压的时间间隔不应少于0.3s。每个电压点至少使用3个样品进行试验，不同电压可使用同一个样品进行试验。器件ESD失效阈值等级见表A.24。特别的，若C2b(750V)失败但C2(500V)通过，那么可对角引脚进行750V测试，若测试通过CDMESD等级设为C2a级。（有没有角引脚应与公司沟通）。试验前后进行外观检查，按照A.6.1的方法进依次在室温和表A.1规定的最高工作温度下进行功能/电气参数检查，功能检查应在试验结束后96h内进行。表A.24带电器件模型静电放电试验条件电压范围UT/CACCXXXX—XXXXA.6.4闩锁效应试验进行测试前应将引脚进行分类，根据引脚特性分为电源引脚、信号引脚和特殊引脚（是否有特殊引脚应向公司确认信号引脚又可分为输入引脚和输出引脚。使用1个批次的3个样品进行试验。本试验可采用电流试验或电压试验，由于可以避免EOS失效干扰，推荐使用电压试验。在表A.1规定的最高工作温度下进行试验，同时设定最大电流Ilimit避免EOS失效引起对闩锁测试的误判。对样品施加产品规定的最大工作电压，测量样品电源引脚的电流初始值（Inor），按照表A.25与JESD78X中5.6与5.7节的要求对信号引脚与电源引脚按顺序进行连接与测试，测试完成后测量施加电压或电流后电源引脚的电流值是否满足4.3.6.4中的要求。试验前后进行外观检查，按照A.6.1的方法进依次在室温和表A.1规定的最高工作温度下进行功能/电气参数检查。表A.25闩锁试验条件A.6.5电性参数分布从正常生产批次中随机抽取样品，若需跟踪个体参数漂移，需对每个样品编号。测量的电参数和通过准则由供需双方协商确定。关键参数可根据技术、工艺、设计和实际应用等信息确定。在不同温度（室温、表A.1规定的最高环境工作温度和最低环境工作温度）、频率和/或电压的组合下的进行测量，测量数据宜包括参数、单位、平均值、文件差、最小值和最大值、最小和最大规格限值、Cpk/Ppk（如果适用，则可相应的增加试验样本量）。若某参数不符合器件规格要求或未达到用户与供应商约定的统计验收文件，供应商应提供资质总结报告进行说明。A.6.6故障分级参考下列流程进行故障分级：a)确定使用的设备仿真模型；b)参考下述故障模型和故障种类进行故障注入与仿真；c)故障检测，若无故障模型与故障模型的逻辑输出存在差异则表示故障被检测到；d)故障列表记录；e)明确模拟器/测试仪的差异；f)指定可以模块化的设计。g)覆盖率根据以下公式计算：覆盖率(%)=检测到的故障数/(所有可能故障数-不可检测故障数)×100%………（1）T/CACCXXXX—XXXX其中所有可能故障数=2×(门电路输入数+门电路输出数)……（2）h)依据文件进行验收。故障模型主要包括：a)随机逻辑故障（逻辑翻转故障、功能故障、伪逻辑翻转故障、转换和延迟故障b)存储故障。故障种类：c)无法检测的故障：1)种类1（冗余故障、并接故障、未使用的故障、阻塞故障）;2)种类2（推挽配置、存储配置、线接线配置、CMOS传输门故障）;d)通过间接方式检测到的故障（隐含故障、控制线路故障、过渡活跃故障）;e)可检测的故障：1)随机逻辑故障（逻辑翻转故障、功能故障、伪逻辑翻转故障、转换和延迟故障）;2)存储故障。A.6.7电特性表征适用于新产品、新芯片布置或对现有产品变更、新单元结构、新工艺方法或材料、新工作偏压条件等情况。特性表征流程包括：对特性表征检查清单评审，确定特性表征法，建立参数和条件，形成特性表征计划；执行特性表征计划，形成特性表征报告（主要包括特性表征方法、参数和条件、数据分析和结论、仿真结果、器件薄弱点和可靠性分析）。A.7缺陷筛选试验A.7.1参数分布平均测试A.7.1.1一般规定可按照静态或动态方式设置测试限值。静态限值根据一定量可用的测试数据确定，并在一段时间内不晶片）测试不断修改。当晶圆级设计变更、制程微缩或工艺变更时，应确定新的静态和动态测试限值。A.7.1.2静态零件平均测试从已通过产品规范规定的测试限值的至少六个批次中收集测试数据。从每个批次的至少30个产品中随机选择测试数据，确定每个测试的鲁棒平均值和文件差。测试数据是晶圆级数据时，至少从5个位于晶片的不同区域裸片中选择数据（每批至少30个裸片）。在生产的早期，当不够六个批次的数据时，可使用特性批次的数据。一旦生产批次的数据可用，应立即更新数据。静态零件平均测试限值＝鲁棒平均值±6×鲁棒文件差静态零件平均测试限值应在生产的前6个月或至少8个晶圆批次（以先发生的条件为准）期间根据需要T/CACCXXXX—XXXX并根据需要进行更新。A.7.1.3动态零件平均测试由于参考样本与正在测试的零件相同，动态零件平均测试限值通常优于静态零件平均测试限值。动态零件平均测试可提供更严格的限值，避免正常零件误剔除，因为它不需要考虑作为静态零件平均测试限值批次间的变化。动态零件平均测试限值以与静态零件平均测试限值相同的方式确定，但当新批次（或晶片）的零件数据已通过测试时，动态零件平均测试限值应使用新批次（或晶片）的零件数据重新计算。这些限值通过对测试数据的进一步统计分析定义，为特定批次（或晶片）建立了新的更严格的测试限值，并剔除其他的异常值。动态零件平均测试限值＝鲁棒平均值±6×鲁棒文件差对于在最后阶段无法保持可追溯性的零件，使用动态零件平均测试应对已通过的零件重新测试。A.7.2统计良率分析从至少六个批次收集统计数据。在零件生产的早期，当不够六个批次的数据时，可使用（晶圆）特性化/矩阵批次的数据（类似于现有产品和设计仿真）设定初始限值。一旦当前生产批次的数据可用，应立即更新初始限值。应在生产的前6个月使用当前生产数据定期进行检查和更新。初始限值更新频率应根据产品量产提升率的实际情况进行，例如每2个扩散批次后或每30天进行。当前使用的数据应包括最近一次更新后的数据或至少最近个8批次的数据，不应使用旧数据。在生产开始的6个月后，限值应至少每年更新两次，或按照供需双方协商进行更新。这些数据决定的统计良率限值和统计仓限值（基于晶片、晶圆批次和封装批次）如下：统计良率上、下限值＝平均值±3×文件差统计仓上、下限值＝平均值±4×文件差如果统计结果符合正态分布，确定每批通过的零件百分比的平均值和文件差，以及每批次（指每个晶片、一个晶圆批次或一个封装批次）失效裸片的百分比。如果统计结果不符合正态分布，可使用数学转换等替代方法使正态分布适用，或将数据拟合到另一个合适的分布（威布尔分布、伽玛分布、泊松分布等），并建立统计良率限值，实现与正态分布在统计良率或统计仓相同的风险概率。A.8腔体封装完整性试验A.8.1机械冲击试验A.8.1.1自由状态测试半导体器件或子组件需在三个正交轴向上各进行30次冲击测试（5次/方向测试等级分为A-H共8个服务条件，如表A.21所示。表A.26冲击测试等级T/CACCXXXX—XXXXA.8.1.2装配状态测试子组件需模拟实际使用条件进行12次冲击测试（2次/方向采用1-14级服务条件，典型参数包括：a）脉冲持续时间：5.0ms～8.0msb）速度变化：1.00m/s～5.44m/sc）推荐使用JEDEC文件热测试卡作为测试载体A.8.1.3关键设备要求冲击测试装置必须满足以下技术指标：a）峰值加速度：≤29,000m/s²b）加速度波形：半正弦波（偏差≤±10%）c）传感器自然频率5倍冲击脉冲频率d）测试前需进行设备校准验证文件特别强调测试夹具的设计要求：自由状态测试需刚性固定，装配状态测试需允许适度弯曲以模拟实际使用条件。A.8.1.4失效判据与实施建议典型失效模式：a）密封性失效（适用气密封装器件）b）电气参数超出规范限值c）功能性失效d）芯片开裂、引脚断裂等机械损伤e）焊点脱落或PCB连接失效（装配状态）A.8.1.5实施建议a）优先采用实际应用板卡而非文件测试板b）测试前应施加预处理应力（如回流焊、老化等）c）记录组件最低共振频率等动态特性d）建立黄金样品组用于设备校准A8.1.6文件应用价值本文件为半导体器件制造商和终端用户提供了统一的机械冲击可靠性评估方法，特别适用于：a）汽车电子元件资格认证b）工业设备抗冲击设计验证c）运输包装方案优化A.8.1.7机械冲击试验使用1个批次不少于15个样品，将样品安装在夹具上，按照IEC60749-10的方法进行试验。仅在Y1方向（芯片方向示意图见图A.8）进行5次冲击，加速度峰值为1500g，脉冲时间为0.5ms。试验前后进行外T/CACCXXXX—XXXX观检查，按照附录B的方法进在室温下进行性能试验。图A