CN112779498B 掩模组件、用于制造显示设备的装置和方法 （三星显示有限公司）

US2016343944A1,2016并且沉积开口中的每一个的宽度与虚设开口中2掩模，被布置在所述掩模框架上，在第一方向上被拉紧，并且包括第一所述第二区域包括虚设开口，其中，所述虚设开口中的至少一些包括所述沉积开口中的每一个的宽度与所述虚设开口中的每一个的宽且所述第一开口包括被布置成从连接所述沉积开口的所述中心的所述直线所述第一开口和所述第二开口交替布置在从所述沉积开口到所述虚设开口的所述第第一距离与所述虚设开口当中的邻近的虚设开口之间所述掩模组件包括多个掩模，所述多个掩模包括被布置在所述掩模框架上的所述掩掩模，被布置在所述掩模框架上，在第一方向上被拉紧，并且包括第一其中，所述第一区域包括被配置为遮挡所述沉积材料并且在所述多个第一部分当中的第一部分从所述第一区域延伸到所述第二区域3所述多个第一部分当中的第一部分的宽度与所述多个第二部分当中的第二部分的宽在与所述第一方向交叉的第三方向上延伸的多个第三部分当掩模组件，面向所述沉积源并且被配置为使所述沉积材料穿过所述掩模，被布置在所述掩模框架上，在第一方向上被拉紧，并且包括第一所述第二区域包括虚设开口，其中，所述虚设开口中的至少一些包括所述沉积开口中的每一个的宽度与所述虚设开口中的每一个的宽所述第一开口和所述第二开口交替布置在从所述沉积开口到所述虚设开口的所述第一距离与所述虚设开口当中的邻近的虚设开口之间通过使用穿过面向所述沉积源的掩模组件的所述沉积材料在所述基板上形4掩模，被布置在所述掩模框架上，在第一方向上被拉紧，并且包括第一所述第二区域包括虚设开口，其中，所述虚设开口中的至少一些包括所述沉积开口中的每一个的宽度与所述虚设开口中的每一个的宽所述第一开口和所述第二开口交替布置在从所述沉积开口到所述虚设开口的所述第一距离与所述虚设开口当中的邻近的虚设开口之间所述掩模组件包括多个掩模，所述多个掩模包括被布置在所述掩模框架上的所述掩29.根据权利要求20所述的方法，其中，所述第二区域围绕所述第一区域的至少一部5[0002]本申请要求于2019年11月5日向韩国知识产权局提交的第10-2019-0140322号韩[0007]额外的方面将部分地在下面的描述中阐述，并且部分地将根据该描述而显而易开口和第二开口可以交替布置在从沉积开口到虚设开[0014]沉积开口当中的邻近的沉积开口之间的第一距离可以与虚设开口当中的邻近的6部分当中的第一部分的宽度与多个第二部分当中的第二部分的[0020]多个第一部分当中的第一部分可以连接到在与第一方向交叉的第三方向上延伸开口和第二开口可以交替布置在从沉积开口到虚设开[0027]沉积开口当中的邻近的沉积开口之间的第一距离可以与虚设开口当中的邻近的7开口和第二开口可以交替布置在从沉积开口到虚设开[0035]沉积开口当中的邻近的沉积开口之间的第一距离可以与虚设开口当中的邻近的[0051]图11是示意性地图示根据实施例的通过用于制造显示设备的装置而制造的显示8[0062]图1是图示根据实施例的用于制造显示设备的装置1的截面图。图2是图示根据实[0063]参考图1，根据实施例的用于制造显示设备的装置1可以包括腔室210、遮挡单元的遮挡单元220可以位于腔室210的打开的部分中，并且因此可以选择性地被打开或被关[0065]用于在基板101上形成有机层的沉积材料可以被容纳在沉积源230中。在实施例9元250包括被固定在腔室210中的框架并且掩模组件1000被安置在框架上并被支撑在框架[0070]压力控制单元270可以连接到腔室210，以便控制腔室210内部的压力。在实施例以在y方向上与第四框架1140隔开。第一框架1110可以连接到第三框架1130和第四框架可以在y方向上延伸，并且可以连接到图2中的第三框架1130和/或第四框架1140。支撑棒[0078]掩模1200可以被连续地布置在第三框架1130与第四框架11掩模1200的两个末端可以被焊接到并且被固定到第一框架1110和第二框架1120上。掩模区域1220与焊接区域1210之间。在实施例中，掩模1200中除了第一区域1220和焊接区域直线L1彼此隔开一定距离。在实施例中，多个邻近的沉积开口AOP可以以规则的间隔被布[0087]第二区域1230可以包括第一虚设区域DA1和第二虚设区域DA2。第一虚设区域DA1可以包括多个邻近开口DOP1，并且第二虚设区域DA2可以包括第一开口DOP2-1和第二开口第一开口DOP2-1的一部分的中心可以沿着在第一方向上延伸的第二直线L2彼此隔开一定个沉积开口AOP的另一部分的中心可以沿着在第一方向上延伸的第三直线L3彼此隔开一定第一开口DOP2-1可以被布置成不与沉积开口AO个第二开口DOP2-2的一部分的中心可以沿着第一直线L1或第三直线L3彼此隔开一定距离。积开口AOP和第二开口DOP2-2的布置可以在与第一直线L1或第三直线L3垂直的方向(例如，此隔开一定距离，并且第二开口DOP2-2的中心可以在y方向上的第五直线L5上彼此隔开一开口DOP1的宽度DM1、第一开口DOP2-1的宽度DM2-1和第二开口DOP2-2的宽度DM2-2可以相[0095]从不同的视角来看，掩模1200可以包括第一部分PR1、第二部分PR2和第三部分[0096]第一区域1220可以包括遮挡沉积材料并且在第一方向上延伸的多个第一部分[0097]第一部分PR1当中的第一部分PR1可以连接到第二区域1230中的在与第一方向交义为掩模1200的各部分当中的在第二方向上在邻近开口DOP1和第一开口DOP2-1之间经过[0098]第一部分PR1当中的第一部分PR1可以连接到在与第一方向交叉的第三方向上延部分当中的在第三方向上在邻近开口DOP1和第一开口DOP2-1之间经过的区域。第三部分开口AOP之间的垂直距离。第二部分PR2的宽度W2中的每一个和第三部分PR3的宽度W3中的每一个可以是邻近开口DOP1和第一开口DOP2-1之间[0102]在实施例中，沉积开口AOP的宽度DM可以与邻近开口DOP1的宽度DM1和第二开口[0104]第一区域1220中的沉积开口AOP的形状与第二区域1230中的邻近开口DOP1和第二[0105]在实施例中，沉积开口AOP的形状与邻近开口DOP1、第一开口DOP2-1和第二开口开口DOP中的至少一些可以包括被布置成从连接沉积开口AOP的中心的假想直线偏离的中[0109]第一区域1220可以包括沉积开口AOP，并且第二区域1230可以包括虚设开口DO虚设开口DOP可以包括邻近开口DOP1(如图4中所示)、第一开口DOP2-1和第二开口DOP2-2。[0110]第一开口DOP2-1可以包括被布置成从连接沉积开口AOP的中心的假想直线偏离的基本防止基板101和掩模组件1000的[0113]从不同的视角来看，第二部分PR2和第三部分PR3可以提供在与第一部分PR1被提生单元260产生的磁力可以均匀地或基本均匀地形成在整个掩DA2可以包括第一开口DOP2-1和第二开口的第一部分PR1可以连接到在第二方向上延伸的第二部分PR2和在第三方向上延伸的第三[0119]第一区域1220可以包括遮挡沉积材料并且在第一方向上延伸的多个第一部分[0120]第一部分PR1当中的第一部分PR1可以连接到第二区域1230中的在与第一方向交义为掩模1200的各部分当中的在第二方向上在邻近开口DOP1和第一开口DOP2-1之间经过[0121]第一部分PR1当中的第一部分PR1可以连接到在与第一方向交叉的第三方向上延[0122]第一部分PR1的宽度W1、第二部分PR2的宽度W2和第三部分PR3的宽度W3可以相同[0124]在本实施例中，第二部分PR2和第三部分PR3提供在与第一部分PR1被提供的方向括沉积材料可以穿过的开口2150以及围绕开口2150的多个框架或框架部分。图8的掩模框二虚设区域DA2'可以包括第一开口DOP2-1'和第二开口DOP2-2'。AOP'中的一些的中心可以被布置成沿着第一直线L1'彼此隔开一定距离，并且第一开口DOP2-1'的一部分的中心可以被布置成沿着在第一方向上延伸的第二直线L2'彼此隔开一直线L2'与第三直线L3'之间的距离相同。沉积开口AOP'和第一开口DOP2-1'的布置可以在多个第二开口DOP2-2'中的一些的中心可以被布置成沿着第一直线L1'或第三直线L3'彼此三直线L3'重叠。沉积开口AOP'和第二开口DOP2-2'的布置可以在与第一直线L1'或第三直在这种情况下，布置在与焊接区域2210邻近的第二区域2230中的第二开口DOP2-2'可以被布置成从连接第一开口DOP2-1'的中心的假想直线偏离，使得张力可以在掩模2200基本防止基板101和掩模组件2000的单元260产生的磁力可以均匀地或基本均匀地形成在整[0146]在本文中，将描述可以使用以上描述的用于制造显示设备的装置1制造的显示设[0147]作为用于显示图像的设备的显示设备100可以用在诸如游戏机、多媒体设备或个[0148]图11是示意性地图示根据实施例的通过用于制造显示设备的装置1制造的显示设[0151]阻挡层(未示出)可以进一步包括在显示层DL与基板101之间。是用于防止或基本防止外部异物渗透的阻挡层的阻挡层(未示出)可以具有包括诸如氮化硅(SiNx，其中x>0)[0152]像素电路层PCL位于基板101上。图11图示了像素电路层PCL包括薄膜晶体管TFT、[0153]在实施例中，缓冲层111可以包括诸如氮化硅、氧氮化硅和氧化硅的无机绝缘材[0155]栅电极114可以包括低电阻金属材料中的任意一种。栅电极114可以包括包含钼[0156]半导体层112与栅电极114之间的第一栅绝缘层113a可以包括诸如氧化硅(SiO2)、(HfO2)或氧化锌(ZnO2)的无机绝缘[0157]第二栅绝缘层113b可以覆盖栅电极114。第二栅绝缘层113b可以包括诸如氧化硅(SiO2x[0158]存储电容器Cst的上电极Cst2可以位于第二栅绝缘层113b上。上电极Cst2可以与其下的栅电极114重叠。在实施例中，彼此重叠且在之间具有第二栅绝缘层113b的栅电极或氧化锌(ZnO2)。层间绝缘层115可以具有包括以上描述的无机绝缘材料中的任意一种的[0162]漏电极116a和源电极116b中的每一个可以位于层间绝缘层115上。漏电极116a和物以及诸如它们的混合物的有机绝缘材料中的任[0164]显示元件层DEL位于具有以上描述的结构的像素电路层PCL上。显示元件层DEL可以包括有机发光二极管OLED，并且有机发光二极管OLED的像素电极121可以经由平坦化绝[0165]像素P可以包括有机发光二极管OLED和薄膜晶体管TFT。每个像素P可以经由有机2O3的层。[0167]具有用于暴露像素电极121的中心的开口119OP的像素限定层119位于像素电极特定颜色的光的聚合物或小分子量有机材料。以上描述的发射层122可以使用用于制造显元件的第二功能层是可选的。第二功能层可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层[0171]在实施例中，薄膜封装层TFE可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装输入而获取坐标信息。光学功能层可以降低从外部入射到显示设备100上的光(外部光)的每个实施例中的特征或方面的描述通常应被认为可用于其它实施例中的其它相似特征或离所附权利要求所阐述的精神和范围的情况下对其进行形式和细节