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CN210640236U,2020.05.29绝缘支撑层包括第一区域以及围绕第一区域的任一第二沟槽与环形沟槽以及任一第一沟槽均2绝缘支撑层，包括第一区域以及围绕所述第一区域的环形沟槽导电层，填充于所述环形沟槽和各所述第一沟槽内，所述导2.根据权利要求1所述的存储器的衬垫结构，其特征在于，多个所述第一沟槽均呈直在所述绝缘支撑层的第一区域形成多个第一沟槽和多个第二沟345且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组沟槽2以及任一第一沟槽3均不相通，从而使填充于第二沟槽4内的金属层6不与导电层5电不以此为限。该绝缘支撑层1可以设于存储器的衬底结构上。该衬底结构上可以设有晶体6个第一沟槽3中部分第一沟槽3可以沿着第一方向延伸，其余第一沟槽3可以沿着第二方向方向延伸的第一沟槽3的数量。沿着第一方向延伸的多个第一沟槽3可以沿着第二方向分量可以大于沿着第二方向延伸的第二沟槽4的数量。各沟槽组中沿着第一方向延伸的多个槽组中沿着第二方向延伸的多个第二沟槽4可以沿着第一方向分布，且任意相邻的两个第二沟槽4之间的距离均相同。此外，各沟槽组中的任一第一沟槽3和其余第二沟槽4均不相7缘支撑层1上环形沟槽2所围绕的区域为第一区域，也就是第一区域的边界为环形沟槽2的以沿着第一方向延伸，其余第一沟槽3可以沿着第二方向延伸。该第一方向和第二方向垂8量可以大于沿着第二方向延伸的第二沟槽4的数量。各沟槽组中沿着第一方向延伸的多个槽组中沿着第二方向延伸的多个第二沟槽4可以沿着第一方向分布，且任意相邻的两个第二沟槽4之间的距离均相同。此外，各沟槽组中的任一第一沟槽3和其余第二沟槽4均不相成有多个纵向连接通道(via)7。该纵向连接通道7内可以填满导电材料，例如钨栓塞结构9

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