CN113257789B 集成芯片、晶片结合的方法以及在晶片上形成标记的方法 （台湾积体电路制造股份有限公司）

JP2015018919A,2015US2005079689A1,2005US2012313236A1,2012.由第一衬底的布置在第一衬底的最上表面与第二对齐标记直接位于第一对齐标记之下且结合结构直接布置在第一对齐标记与第二对齐标记2第一对齐标记，位于所述第一衬底的外侧区上且包一对齐标记由所述第一衬底的布置在所述第一衬底的最上表面与所述第一衬底的最下表第二对齐标记，位于所述第二衬底的外侧区上，其中所结合结构，直接布置在所述第一衬底的所述最上表面且直接布置在所述第一对齐标记与所述第二其中所述第一对齐标记包括：布置在所述第一衬底的所述其中所述第一对齐标记的所述最下表面的宽度等于第一距离2.根据权利要求1所述的集成芯片，其中所述第二衬底及所述第二对齐标记包含第二将第一晶片装载到第一晶片夹盘上且将第二晶片装载到第二其中所述第一晶片包括第一对齐标记，所述第一对齐标记包最下表面的第一侧壁，以及将所述第二中间表面直接连接到所述第一中间表面的第二侧其中所述第一对齐标记的所述最下表面的宽度等于第一距离3在对所述第一晶片施加所述第一光的同时，使用第一相机拍摄在对所述第二晶片施加所述第二光的同时，使用第二相机拍摄分析所述第二图像，以识别所述第二晶片上的第二对齐使用定位电路移动所述第一晶片夹盘及所述第二晶片夹盘，以6.根据权利要求4所述的方法，其中所述第一图像中的所述第一对齐标记呈现十字形在透明晶片的最顶表面上形成第一遮蔽结构，其中所述第一遮蔽结构包括第一开口，所述第一开口直接布置在所述透明晶片的所述最顶表面的外根据所述第一遮蔽结构中的所述第一开口执行第一移除工艺，在所述对齐标记的所述第二中间表面之上形成第二遮蔽结构，其中根据所述第二遮蔽结构的所述第二开口执行第二移除工艺其中所述对齐标记包括：布置在所述透明晶片的最下表面与所述其中所述对齐标记的所述最下表面的宽度等于第一距离，45表面之间且直接布置在第一对齐标记与第二对6[0007]图1示出包括第一对齐标记及第二对齐标记的透明晶片的一些实施例的俯视图，[0008]图2到图5示出位于包含透明材料的透明晶片上的包含透明材料的第一对齐标记[0009]图6到图9示出包括第一对齐标记及第二对齐标记的透明晶片的替代实施例的俯[0011]图12A示出位于透明晶片上的集成芯片的一些实施例的俯视图，其中透明晶片的[0013]图13到图18示出根据位于第一晶片上的透明的第一对齐标记及位于第二晶片上的透明的第二对齐标记将透明的第一晶片与透明的第二晶片对齐的方法的一些实施例的是自身指示所论述的各种实施例和/或配置之间的在除图中所绘示的取向外还囊括装置在使用或操作中的不同取向。设备可具有其他取向(旋转90度或处于其他取向)，且本文中所使用的空间相对性描述语可同样相应地进行解7晶片包含透明材料的此种实施例中，金属接触件或金属配线可能干扰第一晶片的透明度。[0021]本公开的各种实施例涉及通过将第一晶片图案化而在透明的第一晶片上形成第第一表面及位于第一晶片的第一表面之下的第一晶片夹盘反射的光可相长地干涉机可基于相消干涉(destructiveinterference)与相长干涉(constructiveinterference)之间的对比来识别[0024]图1示出包括透明的第一对齐标记及透明的第二对齐标记的透明晶片的一些实施[0025]图1的俯视图100包括位于透明晶片102上的第一对齐标记104及第二对齐标记8齐标记104及第二对齐标记106可布置在透明晶片102的外侧区上且尽可能靠近透明晶片可能在形成第一对齐标记104及第二对齐标记106时破裂。由于第一对齐标记104及第二对高度h1标记104具有介于近似20微米与近似300微米之间的范围内的第一宽度w1。在一些实施例从透明晶片102的最顶表面朝透明晶片102的最底表面的第二深度(例如，图2的第二深度d2)处一表面108及第二表面110与透明晶片102包含相同实施例中，第三宽度w3可介于近似0.25微米与近似1.5微3可介于近似0.55微米与近似0.75微米之间的范围内。在一些实施例93可介于近似0.55微米与近似0.75微米之间的范3[0032]在一些实施例中，透明晶片102包含透明材料，例如(举例来说)熔融二氧化硅在一些实施例中，透明晶片102具有介于例如近似200微米与近似750微米之间的范围内的一平均表面粗糙度及第二平均表面粗糙度可大于透明晶片102的最顶表面102t的第三平均原子力显微镜(atomicforcemicroscopy，AFM))计算沿着表面的等分线且测量表面上的来说，如图4的剖视图400中所示，在一些实施例中，第一对齐标记104可还包括第三表面例中，第六距离d6可介于例如近似0.25微米与近似1.[0042]如图6的俯视图600中所示，在一些实施例中，第一对齐标记104及第二对齐标记[0043]如图7的俯视图700中所示，在一些实施例中，第一对齐标记104及第二对齐标记[0044]如图8的俯视图800中所示，在一些实施例中，第一对齐标记104及第二对齐标记[0045]如图9的俯视图900中所示，在一些实施例中，第一对齐标记104及第二对齐标记w2[0046]应理解，在第一对齐标记104及第二对齐标记106中可包括其他整体形状和/或设一晶片1002和/或第二晶片1004可在第一晶片1002和/或第二晶片1004上形成电路和/或半片1002和/或第二晶片1004上形成电路和/或半导体装一种或多种材料和/或层。此外，在一些实施例中，结合结构1006直接接触第一对齐标记记1016可具有第一宽度w1；第三对齐标记10覆在第四对齐标记1022的第四中点1030上。在一些实施例中，第一中点1024、第二中点一对齐标记1016与第三对齐标记1020的对齐以及第二对齐标记1018与第四对齐标记1022对齐标记1018与第四对齐标记1022对齐时，第一晶片1002的第一边缘1002e直接上覆在第[0051]图11示出结合到不透明的第三晶片的透明的第一晶片的一些实施例的剖视图其上和/或与其相关联的任何其他类型的半导体和/或外一对齐标记1016及第二对齐标记1018之下且与第一晶片1002的第一对齐标记1016及第二一对齐标记1016与第一金属对齐标记1108的对齐可意味着第一对齐标记1016的第一中点对齐标记1018与第二金属对齐标记1110的对齐可意味着第二对齐标记1018的第二中点对齐标记1016与第一金属对齐标记1108对齐且当第二对齐标记1018与第二金属对齐标记施例中，有源层结构1101在第一晶片1002结合到第三晶片1106之前形成在第一晶片1002在第二晶片1004之上形成多个集成芯片1201之后，第二晶片1004可经历划切工艺(dicing边界1208划切之后，所述多个集成芯片1201的边缘集成芯片1201e将包括第三对齐标记视图1200C及剖视图1200D可与图12A的横截线B于第一衬底1202的第一对齐标记1016之下且与第一衬底1202的第一对齐标记1016对齐的衬底1202的第一对齐标记1016对齐的第二衬底1204的第三对齐标记1020。在一些实施例[0061]图13到图18示出将包括第一对齐标记的第一晶片与包括第三对齐标记的第二晶被配置成对第二晶片夹盘1308上的物体施加光且拍摄所述物体的图像。在一些实施例中，1308且被配置成至少在第一方向1314及第二方向1316上移动第一晶片夹盘1306和/或第二[0064]图14A到图16将示出将第一对齐标记1016与第三对齐标记1020对齐以将第一晶片与第三对齐标记1020对齐之后将第一晶片1002结合[0067]图14B示出第一光1402如何与第二晶片1004的第三对齐标记1020及第二晶片夹盘二晶片1004的上表面反射和/或穿行过第二晶片1004且作为第二反射光线1408从第二晶片夹盘1308反射。在一些实施例中，可从第一相机1310的第一透镜部分1310a施加第一光镜部分1310a不同的部分上的光源施加第一光[0069]在一些实施例中，从第三对齐标记1020反射的第一反射光线1406和/或穿行过第片1004的最顶表面1004t反射的第一反射光线1406和/或穿行过第二晶片1004的最顶表面一对齐标记(图2的第一对齐标记104)具有大约等于第一光1402的波长的第二宽度(图2的第一对齐标记(图2的第一对齐标记104)施加第一光1402时的相消干涉。在其他实施例中，离d6化当对第一对齐标记(图5的第一对齐标记104)施加第一光1402时的相消干[0070]图14C示出由第一相机(图14B的第一相机1310)拍摄的第一图像的一些实施例的相机1310)拍摄的第一图像包括第三对齐标记1020，第三对齐标记1020由与第一图像的亮14B的第一相机1310)能够检测小于100纳米的特征。在一些实施例中，图像处理电路系统一晶片夹盘1306之间。在一些实施例中，第二晶片夹盘1308可直接上覆在第一晶片夹盘齐标记1020将第一晶片1002与第二晶片1004对齐的精度及准向1314上移动第一晶片夹盘1306和/或第二晶片夹盘1308以基于第一晶片1002上的第一对齐标记1016的存储位置及第二晶片1004上的第三对齐标记1020的存储位置将第一对齐标记1016与第三对齐标记1020对齐之后，第一晶片1002的第一边缘1002e直接上覆在第二晶[0076]如图17的剖视图1700中所示，在一些实施例中，在将第一晶片1002与第二晶片[0077]如图18的剖视图1800中所示，在一些实施例中，可在第一晶片1002与第二晶片应用结合结构1006期间或之后，定位电路1302进一步在第二方向1316上使第一晶片夹盘生，和/或可与除本文中所示和/或所阐述的动作或事件之外的其他动作或事件同时发生。文中所绘示的动作中的一个或多个动作可在一个或多个单独的动作[0088]图20A到图24B示出在透明晶片上形成透明对齐标记的方法的一些实施例的各种到图24B中公开的结构并不仅限于这种方法，而是可作为独立于所述方法的结构而单独存[0090]图20B示出在透明晶片102之上形成的第一遮蔽结构2002的一些实施例的剖视图[0092]图21A示出根据第一遮蔽结构2002的第一移除工艺(参见图21B的第一移除工艺来看，透明晶片102在第一移除工艺之后(参见图21B的第一移除工艺2102)看起来与图21A的俯视图2100A中所示的第一移除工艺之前实[0093]图21B示出根据第一遮蔽结构2002的第一移除工艺2102的一些实施例的剖视图除工艺2102界定透明晶片102的布置在透明晶片102的最顶表面102t与透明晶片102的最底得第二表面110布置在距透明晶片102的最顶表面102t的第二深度d2处。在一些实施例中，第一移除工艺可为包括第一干蚀刻剂的干式蚀刻在第一遮蔽结构(图21A的第一遮蔽结构2002)的第一开口2004之间。在一些实施例中，例[0096]图22B示出在透明晶片102之上形成的第二遮蔽结构2202的一些实施例的剖视图[0098]图23A示出根据第二遮蔽结构2202的第二移除工艺(参见图23B的第二移除工艺视图2200A中的第二移除工艺之前实质[0099]图23B示出根据第二遮蔽结构2202的第二移除工艺2302的一些实施例的剖视图除工艺2302界定透明晶片102布置在透明晶片102的最顶表面102t与透明晶片102的最底表使得第一表面108布置在距透明晶片102的最顶表面102t的第一深度d1处。在一些实施例结构2202)，且透明晶片102可包括布置在透明衬底上的第一对齐标记104及第二对齐标记[0102]图24B示出布置在透明晶片102上的第一对齐标记104及第二对齐标记106的一些改图20A到图24B中所示的方法以适应透明晶片102上的多于或少于第一对齐标记104及第生，和/或可与除本文中所示和/或所阐述的动作或事件之外的其他动作或事件同时发生。文中所绘示的动作中的一个或多个动作可在一个或多个单独的动作工艺界定透明晶片的布置在透明晶片的最顶表面与最底表面之间的第二表面。图21B示出与动作2504对应的一些实施例的剖视图晶片的最顶表面的中心部分之上形成第二遮蔽结构。图22B示出与动作2506及动作2508对艺界定透明晶片的布置在透明晶片的第二表面与最底表面之间的第一表面。图23B示出与标记与另一对齐标记对齐以使用透明对齐标记及所述另一对齐标记将透明衬底可靠地结衬底的最上表面之间且直接布置在所述第一对齐标记与所述第二对所述第二对齐标记由所述第二衬底的布置在所述第二衬底的所述最上表面与所述第二衬衬底的所述最上表面之间，其中所述第一对齐标记的所述最下表面的宽度等于第一距离；的所述最上表面突起至第二距离，所述第二距离高于所述第一对齐标记的所述最下表面，及所述第三距离各自介于大约0.5微米与大约0.7微米之间的标记的所述下表面布置在所述第一晶片的所述最顶表面与所述第一晶片的最底表面之间；述第一表面布置在距所述透明晶片的所述最顶表面第一距离处；移除所述第一遮蔽结构；所述对齐标记的第二表面，所述第二表面在距所述透明晶片的所述最顶表面第二距离处；他工艺及结构的基础来施行与本文中所介绍的实施例相同的目的和/或实现与本文中所介