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文档简介

江苏省技工院校

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授课日期

班级

课题:晶体二极管

教学目的要求:1.熟识二极管的外形和符号2.掌握二极管的

单向导电性

教学重点、难点:二极管的单向导电性

授课方法:讲授

教学参考及教具(含多媒体教学设备):多媒体课件

授课执行情况及分析:

板书设计或授课提纲

授课内容引入

1.观察二极管的外形

2.得出共性特征:具有两个电极,将其拉入电路中会出

现何种特性呢?

3.演示实验课程导入

<1)实验电路主要内容

灯亮或不亮,说明电路导通或不通。

结论:有一类渊件能单方向导电,这类器件是晶体二极管。

授课教案No:

授课内容

1.1.1晶体二极管的单向导电性

1.结构:一个是正极,一个是负极

2.符号:

3.文字:V

4.结论:

a.外加电压为正极高电位,负极低电位时二极管导通,

正偏。

b.外加电压为负极高电位,正极低电位时,二极管截止,

反偏。

单向导电性:晶体二极管加一定正向电压时导通,加反向

电压时截止。

随堂练习

判断二极管是否导通

----—11―4-----~-11-4

1.1.2PN结

1.本征半导体:不加杂质的纯净半导体.如硅、错。

2.载流子:半导体中存在的两种导电的带电物体。

(1)自由电子:带负电。

(2)空穴:带正电。

特性:在外电场的作用下具有定向移动的效应,能形成电

流。

3.P型半导体:在本征半导体中掺三价元素。

空穴数大于自由电子数。

即:多数我流子为空穴,少数载流子为电子。

4.N型半导体:在本征半导体中掺入五价元素。

即:多数载流子为电子,少数载流子为空穴。

注意:无论是P型、N型半导体,其正、负电荷总是相等的,整

个半导体保持电中性。

5.PN结

采用掺杂工艺,使硅或楮的•边形成P型半导体,另•边形成

N型半导体区域,在P区和N区的交界面形成一个具有特

采用掺杂工艺,使硅或错的一边形成P型半导体,另一边形

成N型半导体区域,在P区和N区的交界面形成一个具有特

授课教案No:

殊电性能的薄层,称为PN结。

授课内容

将PN结加封装成二极管,从P区引出为正极,N区引出为负

极。

PN结

结论:

(1)PN结正向偏置时:电阻很小,导通。

(2)PN结反向偏置时,电阻很大,截止。

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课题:二极管的伏安特性、简单测试、分类、参数

教学目的要求:1.熟悉二极管的伏安特性2.会简单测试二极

管3.理解二极管的分类、型号及参数

教学重点、难点:伏安特性、测试方法

授课方法:讲授

教学参考及教具(含多媒体教学设备):多媒体课件

授课执行情况及分析:

授课教案No:

B.引入

授课内容

从以上第1题来看,V是否能导通,需在一步研究二极管

的伏安特性。

C.新授课

1.1.3伏安特性

实验:二极管伏安特性测试

目的:得出二极管电流随二极管电压的变化关系

实验电路:

pOq

--G———-----

调节触头,使加于二极管两端的电压变化,观察亳安表

的变化情况有以下结论:

(1)当正向电压较小时,正向电流极小,称为死区,死区电

压:硅0.5V,褚0.2V。

(2)当正向电压大于死区电压时,电流随电压增大而急剧

增大,二极管导通。

(3)二极管导通后,两端电压基本稳定,一般硅为0.7V,

错为0.3V.

反向特性:

(1)当加反向电压时,二极管反向电阻很大,电流极小,此

时电流为反向饱和电流。

(2)当反向电压不超过反向击穿电压时,反向饱和电流几

乎与反向电压无关。

(3)当反向电流在反向电压增大到一定时突然增大,此时

反向电压为反向击穿电压。

击穿:电击穿----可恢复;

热击穿一一不可恢复。

注意:二吸管正向电流不能过大,为限制电流,应在二极

管电路中加串联电阻起限流作用。

1.1.4二极管的简单测试

一、测试基本原理

(1)二极管的伏安特性:正向时,电阻小,导通;

反向时,电阻大,截止。

反向时,电阻大,截止。

授课教案No:

(2)万用表电阻挡用万用表内部电源。

授课内容

注意:表内电池的正极与黑表笔相连,不能与万用表面

板的,,+,,、“_”相混。

二、测试方法

1.选用万用表RX100、RXlk挡

问题:为什么不选用RX1挡(电流较大)

RXIOk挡(电压较高,二极管损坏)

2.接线

3.结论

(1)一次电阻较大(大于几百千欧),一次电阻较小(几

百欧、几千欧),说明二极管正常。

(2)阻值小的,与黑笔相接的为二极管的正极。

1.1.5二极管的分类、型号和参数

1.分类

(1)材料:硅二极管、错二极管

(2)结而积:点接触型、面接触型

(3)用途:整流、稳压、发光、光电、变容

2.主要参数

(1)最大整流电流IFM:二极管允许通过的最大正向工作电

流平均值。

(2)最高反向工作电压VRM:二极管允许承受的反向工作

电压峰值,反向击穿电压。

(3)反向漏电流IR:规定的反向电压和环境温度下的二极管

反向电流值。IR越小,二极管的单向导电性能越好。

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课题:晶体二极管整流电路

教学目的要求:1.能理解整流的概念2.掌握单相半波,会计

算负载的整流二极管上的电压和电流

教学重点、难点:整流电路中二极管的电压、整流电路的工

作原理和波形分析

授课方法:讲授

教学参考及教具(含多媒体教学设备):多媒体课件

授课执行情况及分析:

板书设计或授课提纲

授课内容A.复习

1.硅二极管的门坎电压为V,导道电压为V。

错二极管的门坎电压为V,导通电压为Vo

2.比较硅二极管和错二极管的反向漏电流。

3.说出以下电路中硅二极管能否导通及二极管上的电压。

课程导入

主要内容

导通K=0.7V截止Vv=3V(反向)

B.引入

利用二极管的单向导电性,可将交流电转成直流电,电路如

何构成,工作原理怎样?

授课教案No:

授课内容C.新授课

整流:将交流电转换成直流电的过程。

整流电路:利用晶体二极管的单相导电性,将单相交流时

间性转换成直流电的电路。

1.2.1单相半波整流电路

一、工作原理

1.电路构成

2.工作分析

(1)单相交流电压片经变压器降压后输出为也;

(2)当v2正半周时,A为正,B为负。

二极管承受正向电压导通,电路有电流。

问题:a.标出电流方向。

b.若二极管电压为O,vL与v2的关系如何?

(3)当v2负半周时,B为正,A为负。

二极管随反向电压截止,电路中几乎无电流。

结论:负载RL上只有自上而下的单方向电流,即RL的

电流为直流电流。

3.波形分析

a.v2与vl是变压关系,波形为正弦波。

b.正向导通时,vL与v2几乎相等,即vL随v2同步变化。

c.负载上的电流与电压波形类似,因为是阻性负载。

d.反向截止时,v2的电压加于二极管,二极管反向电压与v2

负半周相同。(引导学生作出波形。)

授课教案No:

授课内容

二、负载和整流二极管上的电流

1.负载两端电压一一以平均值表示

VL=0.45V2

\Q为变压器二次电压有效值,用欧姆定律计算

2.负载电流一一平均值

3.二极管的正向电流IV与流过负载RL的电流IL相等

(提示二极管与负载的串联关系)

0.45匕

4.二极管反向电压截止时承受反射峰值电压

^=72^=1.41^

5.选择二极管

额定电压〉反向峰值电压

二极管额定整流电流,实际流过电流

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课题:全波整流电路

教学目的要求:1.能理解单相全波整流电路的工作原理,波

形分析2.会计算负载和整流二极管上的电压和电流3.会分析桥式

单相全波整流电路,会计算

教学重点、难点:桥式整流电路、负载上和整流二极管上的电

压和电流

授课方法:讲授

教学参考及教具(含多媒体教学设备):多媒体课件

授课执行情况及分析:

板书设计或授课提纲

授课内容A.复习

半波整流电路和相关公式

(1)

VL=0.45V2

(2)I,=工=0.45支

RLRL

(3)Jv(((IL课程导入

B.引入主要内容

从半波整流波形中可知,单相半波整流电路电源利用一

半将电路改变,可以提高电源利用率。

C.新授课

1.2.2单相全波整流电路

一、变压器中心抽头式单相全波整流电路

1.电路

1.电路

授课教案No:

变压器二次若为正半电压,则A端为正,B端为负,且VA

>VC>VB

2.工作原理

问题:

(1)当输入电压为正半周时,A、B、C三点电位高低如

何?

VA>VC>VB

(2)V1.V2哪个导通?

Vi

(3)作出电流通路。

(4)若输入电压为负半周时,回答以上三个问题。

归纳结论:RL的电流在电源正负半周时均为同方向,说明RL

的电流是直流电。

问题:

当VI导通时,V2承受电压为多少?

V2的反应最大电压为2四匕。

3.负载和二极管上的电压和电流

Via=V2b=%

(1)vL——负载全波脉动直流电压平均值

VL=0.9V2

匕为变压器一次绕组两个部分各自交流电压有效值

授课教案No:

负载电流/【.

授课内容

/0.9-

LRLRL

(3)二极管的平均电流

每个二极管的平均电流为负载电流的一半,即

/v=­h.

2

(4)二极管的反向最高电压

VRM=2V2V2

二、单相桥式全波整流电路

1.电路

2.工作原理

问题:

(1)v2为正时:导通的二极管是VI,V3,截止的是V2,

V4o

(2)画出也为正时的导通电路。

(3)标出比上的电流方向。

(4)截U二极管承受的反向电压为双匕。

(5)v2为负时,讨论以上问题。

3.负载和二极管的电压和电流

(1)VL=0.9V2

0.9匕

(2)/,=——工

1

(3)N=­/L

2

(4)VRM=V2V2

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班级

课题:滤波器和稳压器

教学目的要求:1.了解滤波和滤波电路的概念2.理解电容

滤器的作用原理,说明它们的使用场合3.了解电感滤波器的

作用,了解复式滤波的形式

教学重点、难点:电容滤波器的工作原理

授课方法:讲授

教学参考及教具(含多媒体教学设备):多媒体课件

授课执行情况及分析:

板书设计或授课提纲

授课内容A.引入

整流电路输出的是脉动直流电,方向虽然不变,但它的

大小量值有较大波动。

电子设备很多场合需要比较稳定的电压,故必须将脉动

大的直流电变为较为平缓的直流电。

B.新课

1.3.1漉波器

一、滤波

1.将脉动较大的直流电变为变化平缓的直流电的过程。

2.滤波电路:能实现滤波作用的电路。

3.滤波器件:电容器、电感器。

形式:电容滤波器、电感滤波器、复式滤波器。

授课教案No:

二、电容滤波器

授课内容

1.电路图

(1)0(〜(tl,v2上正下负,V导通,对C充电,vC上升,因

为(((((RC很小,所以vC上升很快,vC随v2几乎同时达到相

等,在tl时,vC(((o

(2)tl后,v2下降,所以vC>v2,V截下VC通过RL放

电,RL中有电流。

tl〜t2:i(((RLC,vC下降。

(3)v2负半周,V仍截止,vC仍为放电。

(4)第二个正半波时,v2由0上升但v2<vC时V仍截

止e

(5)到t2后时,v2>vC,v2对C充电,至vC,v2又下

降,vC对RL放电,重复第二步。

由上可知:半波整流电路输出电压vL的脉动程度减弱,

波形平滑。

3.全波整流滤波的工作分析

(1)全波整流结果是全波脉动直流电也正、负半周均有

二极管导通。

(2)v2对C充电两次,充电方向相同,电容C对负载放

电时间缩短。

(3)波形

授课教案No:

授课内容

4.输出电压(平均值)

半波:vL(((v2

全波:vL(((1.2v2

5.适用场合

用于负载电流小、负载电阻大的场合。

三、电感滤波器

I.电路:

电感与负载串联

2.滤波原理

电感直流电阻小,交流阻抗大,在电流脉动时,将产生感

应电动势。

(I)当电流上升时,电感线圈中将产生与电流相反的感

应电动势,阻止电流增加。

(2)当电流下降时,将阻止电流减小。

负载电流大并经常变化的场合。

四、复式滤波器

1.特点:

(1)两种或以上滤波器组合

(2)效果比单一的好

2.电路形式:(1)L形(2)Ji形(3)RC(无形

2.电路形式:(1)L形(2)n形(3)RC(/形

2.电路形式:(1)L形(2)兀形(3)RC-■兀形

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班级

课题:硅稳压二极管稳压电路

教学目的要求:1.熟悉硅稳压二极管的符号,理解其稳压原理

2.了解稳压二极管的参数3.能阐述硅稳压二极管稳压电路的工作

原理

教学重点、难点:稳压二极管的特性、稳压原理

授课方法:讲授

教学参考及教具(含多媒体教学设备):多媒体课件

授课执行情况及分析:

板书设计或授课提纲

授课内容A.复习

1.电容滤波器的工作原理。

电路形式、波形、输出电压

2.电感滤波器的作用。

3.二极管的单向导电性。

B.引入

交流电网电压的波动和负载变化使输出直流电压不稳定,

通常在电路中要有稳定输出电压的电路。

C.新授课

1.3.2硅稳压二极管稳压电路

一、硅稳压二极管正向特性

1.硅稳压二极管正向特性

与普通二极管类似,大于死区电压后导通,导通后为0.7

Vo

2.稳压---工作在反向击穿状态

授课教案No:

授课内容

(1)反向电压小于击穿电压,电流很小。

(2)反向电压增大到击穿电压VA时,反向电流开始急

剧增大,产生电击穿。

(3)经特殊处理,只要反向电流小于它的最大允许值,

管子仅为电击穿,外电压撤除后,可恢复,不损坏二极管。

(4)在击穿区内,反向电流的变化很大,但4VZ很小。

(5)可近似认为稳定电压就是略大于击穿电压。

二、稳压二极管的主要参数

1.稳定电压VZ。

粗略认为是反向击穿电压,VZ^VAo

但每个稳压管只有一个稳定电压,同型号的是稳定电压

的范围。

2.稳定电流:对应于VZ的电流值。

3.最大稳定电流Imax:稳压管允许长期通过的最大反向

电流。

4.动态电阻:VZ(((AVE/AIE。

(把稳压管比喻成一个可膨胀的管子,当电压稍改变,管中

流过较大电流,说明稳压管中电流可变。)

动态电阻小的,稳压性能好。

三、硅稳压二极管稳压电路的工作原理

1.电路

整流一滤波一稳压

注意:二极管工作在反向状态。

授课教案No:

授课内容

2.稳压过程

当VI、RL变化,VO波动

设VO下降:

Vol-*/EI-IR=J一0I

1

Vot--------------------------------------

由于V和RL并联,V管总要限制VO的变化,所以能稳

定输出电压。

问题:

R

-------l=F^----

0&

如果R(((0,还能稳压吗?(否)

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授课日期

班级

课题:晶体三极管

教学目的要求:掌握半导体三极管中的电流分配关系;理解半导

体三极管的放大作用,共发射极电路的输入、输出特性曲线,主要参

数及温度对参数的影响

教学重点、难点:三极管的电流分配关系、放大作用,输入、输

出特性曲线

授课方法:讲授

教学参考及教具(含多媒体教学设备):多媒体课件

授课执行情况及分析:

板书设计或授课提纲

一、晶体三极管的基本结构和符号

授课内容

有3个区一一发射区、基区、集电区;

2个结一一发射结(BE结)、集电结(BC结);

3个电极一一发射极e(E)、基极b(B)和集电极c(C);

2种类型一一PNP型管和NPN型管。

工艺要求:

发射区掺杂浓度较大;基区很薄且掺杂最少;集电区比

发射区体积大且掺杂少。

晶体三极管的符号

箭头:表示发射结加正向电压时的电流方向。

二、三极管工作电压和基本连接方式

三极管的基本作用是放大电信号;工作在放大状态的外部条

授课教案No:

件是发射结加正向电压,集电结加反向电压。

授课内容

晶体三极管有三种基本连接方式:共发射极、共基极和共集电

极接法。最常用的是共发射极接法。

V

ec-

°_~°O-

输入战辎入熔b除出端辎入设

(a)(b)(c)

三、三极管内电流的分配和放大作用

三极管中电流分配关系如下:

因很小,则

四、三极管的输入和输出特性

输入特性曲线:集射极之间的电压一定时,发射结电

压与基极电流之间的关系曲线,如图2.1.7所示。特性

曲线有如下特点:

1.当22V时,特性曲线基本重合。

2.当很小时,等于零,三极管处于截止状态。

3.当大于门坎电压(硅管约0.5V,错管约0.2V)时,

逐渐增大,三极管开始导通。

4.三极管导通后,基本不变。硅管约为0.7V,铸管约

为0.3V,称为三极管的导通电压。

5.与成非线性关系。

输出特性曲线:

在基极电流一定时,集、射极之间的电压与集电

极电流的关系曲线

1.截止区

外部条件:发射结反偏或两端电压为零。

工作特点:,,管子工作在截止状态。

2.饱和区

外部条件:发射结和集电结均为正偏。工

作特点:,管子工作在饱和状态。

称为饱和管压降,小功率硅管约0.3V,铸管约

为0.1Vo

3.放大区

外部条件:发射结正偏和集电结反偏。

外部条件:发射结正偏和集电结反偏。

授课教案No:

五、工作特点:保持恒定

授课内容1c

六、三极管的主要参数

1.集电极最大允许电流

三极管工作时,当集电极电流超过时,管子性能将显著

下降,并有可能烧坏管子。

2.集电极最大允许耗散功率

当管子集电结两端电压与通过电流的乘积超过此值时,

管子性能变坏或烧毁。

3.集电极一一发射极间反向击穿电压

管子基极开路时,集电极和发射极之间的最大允许电压。

当电压越过此值时,管子将发生电压击穿,若电击穿导致热

击穿会损坏管子

六、三极管的简单测试

1.硅管或楮管的判别(测Vbe)

当V(((0.6(((0.7(V时,为硅管;当V(((0.1(((0.3V时,为错管

2.估计比较(((的大小

3.估测ICE

4.NPN管型和PNP管型的判断

将万用表设置在R(((l(k((或R(((100(((挡如图2.1.14(a)所示。

如果按上述方法测得的结果均为高阻值,则黑表笔所连接的

是PNP管的基极。如图2.1.14(b)所示。

图2.1.14基极b的判断

授课教案No:

授课内容5.e、b、c三个管脚的判断

首先确定三极管的基极和管型,然后采用估测(((值的方法判

断c、e极。方法是先假定一个待定电极为集电极(另一个假定

为发射极)接入电路,记下欧姆表的摆动幅度,然后再把两个

待定电极对调一下接入电路,并记下欧姆表的摆动幅度。摆动

幅度大的•次,黑表笔所连接的管脚是集电极c,红表笔所述

接的管脚为发射极e

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授课日期

班级

课题:场效晶体管

教学目的要求:掌握结型场效应管和绝缘栅场效应管符号:了

解其工作原理,熟悉其参数

教学重点、难点:符号和原理

授课方法:讲授

教学参考及教具(含多媒体教学设备):多媒体

授课执行情况及分析:

板书设计或授课提纲

授课内容2.2.1结型场效应管

一、结构和符号

图221.N沟道结型场效应管

特点:由两个PN结和一个导电沟道所组成。三个电极分

别为源极$、漏极D和栅极Gc漏极和源极具有开换性

工作条件:两个PN结加反向电压。

工作条件:两个PN结加反向电压。

授课教案No:

授课内容

图2.2.2P沟道结型场效应管

二、工作原理

1.结型场效应管是一个电压控制电流的电压控制型器

件。

2.输入电阻很大。一般可达1O7~IOXQ。

三、结型场效应管的特性曲线和跨导

1.转移特性曲线

反映栅源电压对漏极电流的控制作用。如图225所

示,若漏源电压一定:

当栅源电压时,漏极电流,称为饱和漏极电流;

当栅源电压向负值方向变化时,漏极电流逐渐减小;

当栅源电压时,漏极电流,称为夹断电压。

2.输出特性曲线

表示在栅源电压一定条件下,漏极电流与漏源电压之间

的关系。如图2.2.6所示。

(1)用调电阻区(图中1区)

(2)饱和区(图中II区)

(3)击穿区(图中H【区)

3.跨导(gm)

反映在线性放大区对"D的控制能力。单位是

pA/Vo

g二旦

加A%

2.2.2绝缘栅场效应管

一、结构和工作原理

授课教案No:

1.N沟道增强型绝缘栅场效应管

授课内容

N沟道增强型绝缘栅场效应管的结构及符号如图2.2.7所

zjsO

二、绝缘栅场效应管的特性曲线和跨导

以N沟道MOS管为例。

1.转移特性曲线

N沟道MOS管的转移特性曲线如图2.2.10所示。

增强型:当时,;当时,。

耗尽型:当时,;当为负电压时减小;当时,。

图2210N沟道转移特性曲线图2.2.11N沟道饰出特性

授课教案No:

2.输出特性曲线

授课内容

N沟道MOS管输出特性曲线如图2.2.11所示。

有三个区:可调电阻区(I区)、饱和区(11区)和击穿区(山

区)。其含义与结型管输出特性曲线三个区相同。

3.跨导

gm

三、绝缘栅场效应管的图形符号

符号如图2212所示。N、P沟道的区别在于图中箭头的指向

相反

2.2.3场效应管的主要参数和特点

一、主要参数

1.直流参数

(1)开启电压片

(2)夹断电压作

(3)饱和漏极电流

(4)直流输入电阻七s

3.交流参数

(1)跨导gm

(2)极间电容

4.极限参数

(1)漏极最大允许耗散功率七\4

(2)漏极击穿电压KBR)DS

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授课日期

班级

课题:放大器的基本概念

教学目的要求:熟悉放大器的概念,掌握放大倍数

教学重点、难点:放大倍数

授课方法:讲授

教学参考及教具(含多媒体教学设备):多媒体

授课执行情况及分析:

板书设计或授课提纲

授课内容

3.1.1放大器概述

放大器:乃微弱的电信号放大为较强电信号的电路。基本

特征是功率放大。

扩音机是一种常见的放大器,如图3.1.1所示。

话放

筒大

图3.1.1扩音机框图图3.1.2放大器的框图

授课教案No:

授课内容

3.1.2放大器的放大倍数

一、放大倍数的分类

1.电压放大倍数

A.=—(3.1.D

2.电流放大倍数

A=y-(3.1.2)

3.功率放大倍数

Ap=—(3.1.3)

三者关系为

4,=」■="=44(3.1.4)

P,"

二、放大器的增益

增益G:用对数表示放大倍数。单位为分贝(dB)。

1.功率增益

GP=lOlg^p(dB)(3.1.5)

2电压增益

G尸201gAy(dB)(3.1.6)

3.电流增益

Gf=201gA,(dB)(3.1.7)

增益为正值时,电路是放大器,增益为负值时,电路是衰减

器。例如,放大器的电压增益为20(dB,则表示信号电压放大

了10倍。又如,放大器的电压增益为-20(dB.这表示信号电压

衰减到1/10,即放大倍数为0.1。

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授课口期

班级

课题:单级低频小信号放大器

教学目的要求:掌握静态工作点和交直流通路,熟悉放大和倒相

教学重点、难点:静态工作点和交直流通路

授课方法:讲授

教学参考及教具(含多媒体教学设备):多媒体

授课执行情况及分析:

板书设计或授课提纲

授课内容3.2.1电路的说明

一、电路的组成和电路图的画法

1.电路组成

GB一一基极电源。通过偏置电阻Rb,俣证发射结正偏。

GC——集电极电源。通过集电极电阻RC,保证集电结反

偏。

感——偏置电阻。保证由基极电源GB向基极提供一个合

适的基极电流。

Rc——集电极电阻。将三极管集电极电流的变化转换为

集电极电压的变化。

C1.C2一一耦合电容。防止信号源以及负载对放大器直流

状态的影响:同时保证交流信号顺利地传输<即“隔直通交”。

2.电路图的画法

如图3.2.2所示。

课教案No:

授课内容

图322单电源供电放大器的习惯画法

二、电路中电压和电流符号写法的规定

1.直流分量:用大写字母和大写下标的符号,如IB表示

基极的直流电流。

2.交流分量瞬时值:用小写字母和小写下标的符号,如ib

表示基极的交流电流。

3.总量瞬时值:是直流分量和交流分量之和,用小写字母

和大写下标的符号,如iB(((IB(((ib,即表示基极电流的总瞬时

值。

3.2.2放大器的静态

工作点

静态:无信号输入(vi(((O)时

电路的工作状态。

1.静态工作点Q

如图3.2.4所示,静态时晶体管直

流电压VBE、VCE和对应的IB、

IC值。分别记作VBEQ、1BQ、

VCEQ和ICQo

伉=^-(3.2.1)

(3.2.2)

KEQ=%-,CQ,凡(3.2.3)

VBEQ:硅管一般为0.7N错管为033.

3.2.3共发射极电路的放大和反相作用

1.信号放大与反相

%=%=TK

输入电压与输出电压频率相同,相位相反。

2.直流通路和交流通路画法

⑴直流通路:电容视为开路,电感视为短路,其它不

变。

⑴直流通路:电容视为开路,电感视为短路,其它不

变。

(1)宜流通路:电容视为开路,电感视为短路,其它不

变。

课教案No:

授课内容

(2)交流通路:电容和电源视为短路。

例:图3.2.8(a)放大电路的直流通路和交流通路如图

3.2.8(b)、(c)所示。

单级放大器的工作特点:

(1)为了不失真地放大信号,放大器必须设置合适的静

态工作点。

(2)共射极放大器对输入的信号电压具有放大和倒相作

用。

(3)在交流放大器中同时存在着直流分量和交流分量两

种成分。直流分量反映的是直流通路的情况;交流分量反映

的是交流通路的情况。

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授课日期

班级

课题:放大电路的分析方法

教学目的要求:熟悉图解法,掌握估算法

教学重点、难点:估算法

授课方法:讲授

教学参考及教具(含多媒体教学设备):多媒体

授课执行情况及分析:

板书设计或授课提纲

通常采用图解法和估算法对放大电路的基本性能进行分

授课内容

析。

3.3.1图解法

图解法:利用晶体管特性曲线.通过作图分析放大器性

能。

一、用图解法分析静态工作点

1.直流负载线

VCE=VG-ICRC(3.3.1)

根据式3.3.1在图3.3.2晶体管输出特性曲线族上作直线

,斜率是。由于是直流负载电阻,所以直线称为直流负

载线。

2.静态工作点的图解分析

如图332所示,若给定,则曲线与

如图332所示,若给定,BQ=An,则曲线/BQ=%?与

授课教案No:

直线的交点,即为静态工作点。过点分别作横轴和纵轴

的垂线得对应的、。

图331放大器的输出回路图332弱态工作点的图解分析

二、用图解法分析输出端带负载时的放大倍数

1.交流负载线

电路如图3.3.3(a),交流通路如图3.3.3(b)所示。

可见,交流负载电阻为

在图334上过Q点,作斜率为的直线,得交流负载线。

图333放大器交流负载电阻示意:图图3.3.4放大倍数的图解分析

授课教案No:

授课内容2.图解分析

如图334所示,放大滞的电压放大倍数

4,二尴(3.3.3)

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