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文档简介
江苏省技工院校
教案首页
授课日期
班级
课题:晶体二极管
教学目的要求:1.熟识二极管的外形和符号2.掌握二极管的
单向导电性
教学重点、难点:二极管的单向导电性
授课方法:讲授
教学参考及教具(含多媒体教学设备):多媒体课件
授课执行情况及分析:
板书设计或授课提纲
授课内容引入
1.观察二极管的外形
2.得出共性特征:具有两个电极,将其拉入电路中会出
现何种特性呢?
3.演示实验课程导入
<1)实验电路主要内容
灯亮或不亮,说明电路导通或不通。
结论:有一类渊件能单方向导电,这类器件是晶体二极管。
授课教案No:
授课内容
1.1.1晶体二极管的单向导电性
1.结构:一个是正极,一个是负极
2.符号:
3.文字:V
4.结论:
a.外加电压为正极高电位,负极低电位时二极管导通,
正偏。
b.外加电压为负极高电位,正极低电位时,二极管截止,
反偏。
单向导电性:晶体二极管加一定正向电压时导通,加反向
电压时截止。
随堂练习
判断二极管是否导通
----—11―4-----~-11-4
1.1.2PN结
1.本征半导体:不加杂质的纯净半导体.如硅、错。
2.载流子:半导体中存在的两种导电的带电物体。
(1)自由电子:带负电。
(2)空穴:带正电。
特性:在外电场的作用下具有定向移动的效应,能形成电
流。
3.P型半导体:在本征半导体中掺三价元素。
空穴数大于自由电子数。
即:多数我流子为空穴,少数载流子为电子。
4.N型半导体:在本征半导体中掺入五价元素。
即:多数载流子为电子,少数载流子为空穴。
注意:无论是P型、N型半导体,其正、负电荷总是相等的,整
个半导体保持电中性。
5.PN结
采用掺杂工艺,使硅或楮的•边形成P型半导体,另•边形成
N型半导体区域,在P区和N区的交界面形成一个具有特
采用掺杂工艺,使硅或错的一边形成P型半导体,另一边形
成N型半导体区域,在P区和N区的交界面形成一个具有特
授课教案No:
殊电性能的薄层,称为PN结。
授课内容
将PN结加封装成二极管,从P区引出为正极,N区引出为负
极。
PN结
结论:
(1)PN结正向偏置时:电阻很小,导通。
(2)PN结反向偏置时,电阻很大,截止。
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授课日期
班级
课题:二极管的伏安特性、简单测试、分类、参数
教学目的要求:1.熟悉二极管的伏安特性2.会简单测试二极
管3.理解二极管的分类、型号及参数
教学重点、难点:伏安特性、测试方法
授课方法:讲授
教学参考及教具(含多媒体教学设备):多媒体课件
授课执行情况及分析:
授课教案No:
B.引入
授课内容
从以上第1题来看,V是否能导通,需在一步研究二极管
的伏安特性。
C.新授课
1.1.3伏安特性
实验:二极管伏安特性测试
目的:得出二极管电流随二极管电压的变化关系
实验电路:
pOq
--G———-----
调节触头,使加于二极管两端的电压变化,观察亳安表
的变化情况有以下结论:
(1)当正向电压较小时,正向电流极小,称为死区,死区电
压:硅0.5V,褚0.2V。
(2)当正向电压大于死区电压时,电流随电压增大而急剧
增大,二极管导通。
(3)二极管导通后,两端电压基本稳定,一般硅为0.7V,
错为0.3V.
反向特性:
(1)当加反向电压时,二极管反向电阻很大,电流极小,此
时电流为反向饱和电流。
(2)当反向电压不超过反向击穿电压时,反向饱和电流几
乎与反向电压无关。
(3)当反向电流在反向电压增大到一定时突然增大,此时
反向电压为反向击穿电压。
击穿:电击穿----可恢复;
热击穿一一不可恢复。
注意:二吸管正向电流不能过大,为限制电流,应在二极
管电路中加串联电阻起限流作用。
1.1.4二极管的简单测试
一、测试基本原理
(1)二极管的伏安特性:正向时,电阻小,导通;
反向时,电阻大,截止。
反向时,电阻大,截止。
授课教案No:
(2)万用表电阻挡用万用表内部电源。
授课内容
注意:表内电池的正极与黑表笔相连,不能与万用表面
板的,,+,,、“_”相混。
二、测试方法
1.选用万用表RX100、RXlk挡
问题:为什么不选用RX1挡(电流较大)
RXIOk挡(电压较高,二极管损坏)
2.接线
3.结论
(1)一次电阻较大(大于几百千欧),一次电阻较小(几
百欧、几千欧),说明二极管正常。
(2)阻值小的,与黑笔相接的为二极管的正极。
1.1.5二极管的分类、型号和参数
1.分类
(1)材料:硅二极管、错二极管
(2)结而积:点接触型、面接触型
(3)用途:整流、稳压、发光、光电、变容
2.主要参数
(1)最大整流电流IFM:二极管允许通过的最大正向工作电
流平均值。
(2)最高反向工作电压VRM:二极管允许承受的反向工作
电压峰值,反向击穿电压。
(3)反向漏电流IR:规定的反向电压和环境温度下的二极管
反向电流值。IR越小,二极管的单向导电性能越好。
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班级
课题:晶体二极管整流电路
教学目的要求:1.能理解整流的概念2.掌握单相半波,会计
算负载的整流二极管上的电压和电流
教学重点、难点:整流电路中二极管的电压、整流电路的工
作原理和波形分析
授课方法:讲授
教学参考及教具(含多媒体教学设备):多媒体课件
授课执行情况及分析:
板书设计或授课提纲
授课内容A.复习
1.硅二极管的门坎电压为V,导道电压为V。
错二极管的门坎电压为V,导通电压为Vo
2.比较硅二极管和错二极管的反向漏电流。
3.说出以下电路中硅二极管能否导通及二极管上的电压。
课程导入
主要内容
导通K=0.7V截止Vv=3V(反向)
B.引入
利用二极管的单向导电性,可将交流电转成直流电,电路如
何构成,工作原理怎样?
授课教案No:
授课内容C.新授课
整流:将交流电转换成直流电的过程。
整流电路:利用晶体二极管的单相导电性,将单相交流时
间性转换成直流电的电路。
1.2.1单相半波整流电路
一、工作原理
1.电路构成
2.工作分析
(1)单相交流电压片经变压器降压后输出为也;
(2)当v2正半周时,A为正,B为负。
二极管承受正向电压导通,电路有电流。
问题:a.标出电流方向。
b.若二极管电压为O,vL与v2的关系如何?
(3)当v2负半周时,B为正,A为负。
二极管随反向电压截止,电路中几乎无电流。
结论:负载RL上只有自上而下的单方向电流,即RL的
电流为直流电流。
3.波形分析
a.v2与vl是变压关系,波形为正弦波。
b.正向导通时,vL与v2几乎相等,即vL随v2同步变化。
c.负载上的电流与电压波形类似,因为是阻性负载。
d.反向截止时,v2的电压加于二极管,二极管反向电压与v2
负半周相同。(引导学生作出波形。)
授课教案No:
授课内容
二、负载和整流二极管上的电流
1.负载两端电压一一以平均值表示
VL=0.45V2
\Q为变压器二次电压有效值,用欧姆定律计算
2.负载电流一一平均值
磴
3.二极管的正向电流IV与流过负载RL的电流IL相等
(提示二极管与负载的串联关系)
0.45匕
4.二极管反向电压截止时承受反射峰值电压
^=72^=1.41^
5.选择二极管
额定电压〉反向峰值电压
二极管额定整流电流,实际流过电流
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班级
课题:全波整流电路
教学目的要求:1.能理解单相全波整流电路的工作原理,波
形分析2.会计算负载和整流二极管上的电压和电流3.会分析桥式
单相全波整流电路,会计算
教学重点、难点:桥式整流电路、负载上和整流二极管上的电
压和电流
授课方法:讲授
教学参考及教具(含多媒体教学设备):多媒体课件
授课执行情况及分析:
板书设计或授课提纲
授课内容A.复习
半波整流电路和相关公式
(1)
VL=0.45V2
(2)I,=工=0.45支
RLRL
(3)Jv(((IL课程导入
B.引入主要内容
从半波整流波形中可知,单相半波整流电路电源利用一
半将电路改变,可以提高电源利用率。
C.新授课
1.2.2单相全波整流电路
一、变压器中心抽头式单相全波整流电路
1.电路
1.电路
授课教案No:
变压器二次若为正半电压,则A端为正,B端为负,且VA
>VC>VB
2.工作原理
问题:
(1)当输入电压为正半周时,A、B、C三点电位高低如
何?
VA>VC>VB
(2)V1.V2哪个导通?
Vi
(3)作出电流通路。
(4)若输入电压为负半周时,回答以上三个问题。
归纳结论:RL的电流在电源正负半周时均为同方向,说明RL
的电流是直流电。
问题:
当VI导通时,V2承受电压为多少?
V2的反应最大电压为2四匕。
3.负载和二极管上的电压和电流
Via=V2b=%
(1)vL——负载全波脉动直流电压平均值
VL=0.9V2
匕为变压器一次绕组两个部分各自交流电压有效值
授课教案No:
负载电流/【.
授课内容
/0.9-
LRLRL
(3)二极管的平均电流
每个二极管的平均电流为负载电流的一半,即
/v=h.
2
(4)二极管的反向最高电压
VRM=2V2V2
二、单相桥式全波整流电路
1.电路
2.工作原理
问题:
(1)v2为正时:导通的二极管是VI,V3,截止的是V2,
V4o
(2)画出也为正时的导通电路。
(3)标出比上的电流方向。
(4)截U二极管承受的反向电压为双匕。
(5)v2为负时,讨论以上问题。
3.负载和二极管的电压和电流
(1)VL=0.9V2
0.9匕
(2)/,=——工
凡
1
(3)N=/L
2
(4)VRM=V2V2
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班级
课题:滤波器和稳压器
教学目的要求:1.了解滤波和滤波电路的概念2.理解电容
滤器的作用原理,说明它们的使用场合3.了解电感滤波器的
作用,了解复式滤波的形式
教学重点、难点:电容滤波器的工作原理
授课方法:讲授
教学参考及教具(含多媒体教学设备):多媒体课件
授课执行情况及分析:
板书设计或授课提纲
授课内容A.引入
整流电路输出的是脉动直流电,方向虽然不变,但它的
大小量值有较大波动。
电子设备很多场合需要比较稳定的电压,故必须将脉动
大的直流电变为较为平缓的直流电。
B.新课
1.3.1漉波器
一、滤波
1.将脉动较大的直流电变为变化平缓的直流电的过程。
2.滤波电路:能实现滤波作用的电路。
3.滤波器件:电容器、电感器。
形式:电容滤波器、电感滤波器、复式滤波器。
授课教案No:
二、电容滤波器
授课内容
1.电路图
(1)0(〜(tl,v2上正下负,V导通,对C充电,vC上升,因
为(((((RC很小,所以vC上升很快,vC随v2几乎同时达到相
等,在tl时,vC(((o
(2)tl后,v2下降,所以vC>v2,V截下VC通过RL放
电,RL中有电流。
tl〜t2:i(((RLC,vC下降。
(3)v2负半周,V仍截止,vC仍为放电。
(4)第二个正半波时,v2由0上升但v2<vC时V仍截
止e
(5)到t2后时,v2>vC,v2对C充电,至vC,v2又下
降,vC对RL放电,重复第二步。
由上可知:半波整流电路输出电压vL的脉动程度减弱,
波形平滑。
3.全波整流滤波的工作分析
(1)全波整流结果是全波脉动直流电也正、负半周均有
二极管导通。
(2)v2对C充电两次,充电方向相同,电容C对负载放
电时间缩短。
(3)波形
授课教案No:
授课内容
4.输出电压(平均值)
半波:vL(((v2
全波:vL(((1.2v2
5.适用场合
用于负载电流小、负载电阻大的场合。
三、电感滤波器
I.电路:
电感与负载串联
2.滤波原理
电感直流电阻小,交流阻抗大,在电流脉动时,将产生感
应电动势。
(I)当电流上升时,电感线圈中将产生与电流相反的感
应电动势,阻止电流增加。
(2)当电流下降时,将阻止电流减小。
负载电流大并经常变化的场合。
四、复式滤波器
1.特点:
(1)两种或以上滤波器组合
(2)效果比单一的好
2.电路形式:(1)L形(2)Ji形(3)RC(无形
2.电路形式:(1)L形(2)n形(3)RC(/形
2.电路形式:(1)L形(2)兀形(3)RC-■兀形
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课题:硅稳压二极管稳压电路
教学目的要求:1.熟悉硅稳压二极管的符号,理解其稳压原理
2.了解稳压二极管的参数3.能阐述硅稳压二极管稳压电路的工作
原理
教学重点、难点:稳压二极管的特性、稳压原理
授课方法:讲授
教学参考及教具(含多媒体教学设备):多媒体课件
授课执行情况及分析:
板书设计或授课提纲
授课内容A.复习
1.电容滤波器的工作原理。
电路形式、波形、输出电压
2.电感滤波器的作用。
3.二极管的单向导电性。
B.引入
交流电网电压的波动和负载变化使输出直流电压不稳定,
通常在电路中要有稳定输出电压的电路。
C.新授课
1.3.2硅稳压二极管稳压电路
一、硅稳压二极管正向特性
1.硅稳压二极管正向特性
与普通二极管类似,大于死区电压后导通,导通后为0.7
Vo
2.稳压---工作在反向击穿状态
授课教案No:
授课内容
(1)反向电压小于击穿电压,电流很小。
(2)反向电压增大到击穿电压VA时,反向电流开始急
剧增大,产生电击穿。
(3)经特殊处理,只要反向电流小于它的最大允许值,
管子仅为电击穿,外电压撤除后,可恢复,不损坏二极管。
(4)在击穿区内,反向电流的变化很大,但4VZ很小。
(5)可近似认为稳定电压就是略大于击穿电压。
二、稳压二极管的主要参数
1.稳定电压VZ。
粗略认为是反向击穿电压,VZ^VAo
但每个稳压管只有一个稳定电压,同型号的是稳定电压
的范围。
2.稳定电流:对应于VZ的电流值。
3.最大稳定电流Imax:稳压管允许长期通过的最大反向
电流。
4.动态电阻:VZ(((AVE/AIE。
(把稳压管比喻成一个可膨胀的管子,当电压稍改变,管中
流过较大电流,说明稳压管中电流可变。)
动态电阻小的,稳压性能好。
三、硅稳压二极管稳压电路的工作原理
1.电路
整流一滤波一稳压
注意:二极管工作在反向状态。
授课教案No:
授课内容
2.稳压过程
当VI、RL变化,VO波动
设VO下降:
Vol-*/EI-IR=J一0I
1
Vot--------------------------------------
由于V和RL并联,V管总要限制VO的变化,所以能稳
定输出电压。
问题:
R
-------l=F^----
0&
如果R(((0,还能稳压吗?(否)
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课题:晶体三极管
教学目的要求:掌握半导体三极管中的电流分配关系;理解半导
体三极管的放大作用,共发射极电路的输入、输出特性曲线,主要参
数及温度对参数的影响
教学重点、难点:三极管的电流分配关系、放大作用,输入、输
出特性曲线
授课方法:讲授
教学参考及教具(含多媒体教学设备):多媒体课件
授课执行情况及分析:
板书设计或授课提纲
一、晶体三极管的基本结构和符号
授课内容
有3个区一一发射区、基区、集电区;
2个结一一发射结(BE结)、集电结(BC结);
3个电极一一发射极e(E)、基极b(B)和集电极c(C);
2种类型一一PNP型管和NPN型管。
工艺要求:
发射区掺杂浓度较大;基区很薄且掺杂最少;集电区比
发射区体积大且掺杂少。
晶体三极管的符号
箭头:表示发射结加正向电压时的电流方向。
二、三极管工作电压和基本连接方式
三极管的基本作用是放大电信号;工作在放大状态的外部条
授课教案No:
件是发射结加正向电压,集电结加反向电压。
授课内容
晶体三极管有三种基本连接方式:共发射极、共基极和共集电
极接法。最常用的是共发射极接法。
V
ec-
°_~°O-
输入战辎入熔b除出端辎入设
(a)(b)(c)
三、三极管内电流的分配和放大作用
三极管中电流分配关系如下:
因很小,则
四、三极管的输入和输出特性
输入特性曲线:集射极之间的电压一定时,发射结电
压与基极电流之间的关系曲线,如图2.1.7所示。特性
曲线有如下特点:
1.当22V时,特性曲线基本重合。
2.当很小时,等于零,三极管处于截止状态。
3.当大于门坎电压(硅管约0.5V,错管约0.2V)时,
逐渐增大,三极管开始导通。
4.三极管导通后,基本不变。硅管约为0.7V,铸管约
为0.3V,称为三极管的导通电压。
5.与成非线性关系。
输出特性曲线:
在基极电流一定时,集、射极之间的电压与集电
极电流的关系曲线
1.截止区
外部条件:发射结反偏或两端电压为零。
工作特点:,,管子工作在截止状态。
2.饱和区
外部条件:发射结和集电结均为正偏。工
作特点:,管子工作在饱和状态。
称为饱和管压降,小功率硅管约0.3V,铸管约
为0.1Vo
3.放大区
外部条件:发射结正偏和集电结反偏。
外部条件:发射结正偏和集电结反偏。
授课教案No:
五、工作特点:保持恒定
授课内容1c
六、三极管的主要参数
1.集电极最大允许电流
三极管工作时,当集电极电流超过时,管子性能将显著
下降,并有可能烧坏管子。
2.集电极最大允许耗散功率
当管子集电结两端电压与通过电流的乘积超过此值时,
管子性能变坏或烧毁。
3.集电极一一发射极间反向击穿电压
管子基极开路时,集电极和发射极之间的最大允许电压。
当电压越过此值时,管子将发生电压击穿,若电击穿导致热
击穿会损坏管子
六、三极管的简单测试
1.硅管或楮管的判别(测Vbe)
当V(((0.6(((0.7(V时,为硅管;当V(((0.1(((0.3V时,为错管
2.估计比较(((的大小
3.估测ICE
4.NPN管型和PNP管型的判断
将万用表设置在R(((l(k((或R(((100(((挡如图2.1.14(a)所示。
如果按上述方法测得的结果均为高阻值,则黑表笔所连接的
是PNP管的基极。如图2.1.14(b)所示。
图2.1.14基极b的判断
授课教案No:
授课内容5.e、b、c三个管脚的判断
首先确定三极管的基极和管型,然后采用估测(((值的方法判
断c、e极。方法是先假定一个待定电极为集电极(另一个假定
为发射极)接入电路,记下欧姆表的摆动幅度,然后再把两个
待定电极对调一下接入电路,并记下欧姆表的摆动幅度。摆动
幅度大的•次,黑表笔所连接的管脚是集电极c,红表笔所述
接的管脚为发射极e
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授课日期
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课题:场效晶体管
教学目的要求:掌握结型场效应管和绝缘栅场效应管符号:了
解其工作原理,熟悉其参数
教学重点、难点:符号和原理
授课方法:讲授
教学参考及教具(含多媒体教学设备):多媒体
授课执行情况及分析:
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授课内容2.2.1结型场效应管
一、结构和符号
图221.N沟道结型场效应管
特点:由两个PN结和一个导电沟道所组成。三个电极分
别为源极$、漏极D和栅极Gc漏极和源极具有开换性
工作条件:两个PN结加反向电压。
工作条件:两个PN结加反向电压。
授课教案No:
授课内容
图2.2.2P沟道结型场效应管
二、工作原理
1.结型场效应管是一个电压控制电流的电压控制型器
件。
2.输入电阻很大。一般可达1O7~IOXQ。
三、结型场效应管的特性曲线和跨导
1.转移特性曲线
反映栅源电压对漏极电流的控制作用。如图225所
示,若漏源电压一定:
当栅源电压时,漏极电流,称为饱和漏极电流;
当栅源电压向负值方向变化时,漏极电流逐渐减小;
当栅源电压时,漏极电流,称为夹断电压。
2.输出特性曲线
表示在栅源电压一定条件下,漏极电流与漏源电压之间
的关系。如图2.2.6所示。
(1)用调电阻区(图中1区)
(2)饱和区(图中II区)
(3)击穿区(图中H【区)
3.跨导(gm)
反映在线性放大区对"D的控制能力。单位是
pA/Vo
g二旦
加A%
2.2.2绝缘栅场效应管
一、结构和工作原理
授课教案No:
1.N沟道增强型绝缘栅场效应管
授课内容
N沟道增强型绝缘栅场效应管的结构及符号如图2.2.7所
zjsO
二、绝缘栅场效应管的特性曲线和跨导
以N沟道MOS管为例。
1.转移特性曲线
N沟道MOS管的转移特性曲线如图2.2.10所示。
增强型:当时,;当时,。
耗尽型:当时,;当为负电压时减小;当时,。
图2210N沟道转移特性曲线图2.2.11N沟道饰出特性
授课教案No:
2.输出特性曲线
授课内容
N沟道MOS管输出特性曲线如图2.2.11所示。
有三个区:可调电阻区(I区)、饱和区(11区)和击穿区(山
区)。其含义与结型管输出特性曲线三个区相同。
3.跨导
gm
三、绝缘栅场效应管的图形符号
符号如图2212所示。N、P沟道的区别在于图中箭头的指向
相反
2.2.3场效应管的主要参数和特点
一、主要参数
1.直流参数
(1)开启电压片
(2)夹断电压作
(3)饱和漏极电流
(4)直流输入电阻七s
3.交流参数
(1)跨导gm
(2)极间电容
4.极限参数
(1)漏极最大允许耗散功率七\4
(2)漏极击穿电压KBR)DS
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授课日期
班级
课题:放大器的基本概念
教学目的要求:熟悉放大器的概念,掌握放大倍数
教学重点、难点:放大倍数
授课方法:讲授
教学参考及教具(含多媒体教学设备):多媒体
授课执行情况及分析:
板书设计或授课提纲
授课内容
3.1.1放大器概述
放大器:乃微弱的电信号放大为较强电信号的电路。基本
特征是功率放大。
扩音机是一种常见的放大器,如图3.1.1所示。
功
压
率
放
话放
大
筒大
器
超
放
大
器
图3.1.1扩音机框图图3.1.2放大器的框图
授课教案No:
授课内容
3.1.2放大器的放大倍数
一、放大倍数的分类
1.电压放大倍数
A.=—(3.1.D
匕
2.电流放大倍数
A=y-(3.1.2)
3.功率放大倍数
Ap=—(3.1.3)
三者关系为
4,=」■="=44(3.1.4)
P,"
二、放大器的增益
增益G:用对数表示放大倍数。单位为分贝(dB)。
1.功率增益
GP=lOlg^p(dB)(3.1.5)
2电压增益
G尸201gAy(dB)(3.1.6)
3.电流增益
Gf=201gA,(dB)(3.1.7)
增益为正值时,电路是放大器,增益为负值时,电路是衰减
器。例如,放大器的电压增益为20(dB,则表示信号电压放大
了10倍。又如,放大器的电压增益为-20(dB.这表示信号电压
衰减到1/10,即放大倍数为0.1。
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授课口期
班级
课题:单级低频小信号放大器
教学目的要求:掌握静态工作点和交直流通路,熟悉放大和倒相
教学重点、难点:静态工作点和交直流通路
授课方法:讲授
教学参考及教具(含多媒体教学设备):多媒体
授课执行情况及分析:
板书设计或授课提纲
授课内容3.2.1电路的说明
一、电路的组成和电路图的画法
1.电路组成
GB一一基极电源。通过偏置电阻Rb,俣证发射结正偏。
GC——集电极电源。通过集电极电阻RC,保证集电结反
偏。
感——偏置电阻。保证由基极电源GB向基极提供一个合
适的基极电流。
Rc——集电极电阻。将三极管集电极电流的变化转换为
集电极电压的变化。
C1.C2一一耦合电容。防止信号源以及负载对放大器直流
状态的影响:同时保证交流信号顺利地传输<即“隔直通交”。
2.电路图的画法
如图3.2.2所示。
课教案No:
授课内容
图322单电源供电放大器的习惯画法
二、电路中电压和电流符号写法的规定
1.直流分量:用大写字母和大写下标的符号,如IB表示
基极的直流电流。
2.交流分量瞬时值:用小写字母和小写下标的符号,如ib
表示基极的交流电流。
3.总量瞬时值:是直流分量和交流分量之和,用小写字母
和大写下标的符号,如iB(((IB(((ib,即表示基极电流的总瞬时
值。
3.2.2放大器的静态
工作点
静态:无信号输入(vi(((O)时
电路的工作状态。
1.静态工作点Q
如图3.2.4所示,静态时晶体管直
流电压VBE、VCE和对应的IB、
IC值。分别记作VBEQ、1BQ、
VCEQ和ICQo
伉=^-(3.2.1)
(3.2.2)
KEQ=%-,CQ,凡(3.2.3)
VBEQ:硅管一般为0.7N错管为033.
3.2.3共发射极电路的放大和反相作用
1.信号放大与反相
%=%=TK
输入电压与输出电压频率相同,相位相反。
2.直流通路和交流通路画法
⑴直流通路:电容视为开路,电感视为短路,其它不
变。
⑴直流通路:电容视为开路,电感视为短路,其它不
变。
(1)宜流通路:电容视为开路,电感视为短路,其它不
变。
课教案No:
授课内容
(2)交流通路:电容和电源视为短路。
例:图3.2.8(a)放大电路的直流通路和交流通路如图
3.2.8(b)、(c)所示。
单级放大器的工作特点:
(1)为了不失真地放大信号,放大器必须设置合适的静
态工作点。
(2)共射极放大器对输入的信号电压具有放大和倒相作
用。
(3)在交流放大器中同时存在着直流分量和交流分量两
种成分。直流分量反映的是直流通路的情况;交流分量反映
的是交流通路的情况。
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授课日期
班级
课题:放大电路的分析方法
教学目的要求:熟悉图解法,掌握估算法
教学重点、难点:估算法
授课方法:讲授
教学参考及教具(含多媒体教学设备):多媒体
授课执行情况及分析:
板书设计或授课提纲
通常采用图解法和估算法对放大电路的基本性能进行分
授课内容
析。
3.3.1图解法
图解法:利用晶体管特性曲线.通过作图分析放大器性
能。
一、用图解法分析静态工作点
1.直流负载线
VCE=VG-ICRC(3.3.1)
根据式3.3.1在图3.3.2晶体管输出特性曲线族上作直线
,斜率是。由于是直流负载电阻,所以直线称为直流负
载线。
2.静态工作点的图解分析
如图332所示,若给定,则曲线与
如图332所示,若给定,BQ=An,则曲线/BQ=%?与
授课教案No:
直线的交点,即为静态工作点。过点分别作横轴和纵轴
的垂线得对应的、。
图331放大器的输出回路图332弱态工作点的图解分析
二、用图解法分析输出端带负载时的放大倍数
1.交流负载线
电路如图3.3.3(a),交流通路如图3.3.3(b)所示。
可见,交流负载电阻为
在图334上过Q点,作斜率为的直线,得交流负载线。
图333放大器交流负载电阻示意:图图3.3.4放大倍数的图解分析
授课教案No:
授课内容2.图解分析
如图334所示,放大滞的电压放大倍数
4,二尴(3.3.3)
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