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2022.03.15PCT/US2020/0397382020.06.26WO2021/055070EN2021.03.25US2006148182A1,2006.07.06US2017263742A1,2017.09.14量子阱场效应晶体管(QWFET)包括阻挡层、2介电层，直接在所述间隔层上，其中所述栅极触点在与所述间2.根据权利要求1所述的QWFET，其中所述量直接在所述量子阱层上设置间隔层，其中所述间隔层包括锑化铝铟，将源极触点和漏极触点设置为使得所述量子阱层和所述间隔层在所述源极触点与所3挡层12上的锑化铟量子阱层14以及在量子阱层14上的锑化铝铟(InxAl1-xSb)间隔层16。源[0003]阻挡层12和间隔层16被远程掺杂以形成与量子阱层14的底侧相邻的第一Δ掺杂26添加的电子被拉入到由量子阱层14形成的量子阱中，以使得量子阱层14形成导电沟道。4[0008]本领域技术人员在阅读以下结合附图对优选实施例的详细描述后将理解本公开[0014]下面阐述的实施例表示了使得本领域技术人员能够实践这些实施例并说明实践5[0020]如上面所讨论的，常规的量子阱场效应晶体管(QWFET)随着时间的推移经历不一[0021]为了解决常规QWFET的缺陷，图2示出了根据本公开的一个实施例的QWFET28。[0023]在一个实施例中，阻挡层30和间隔层34包括锑化铝铟(InxAl1-xSb——更具体地，少一个实施例中，阻挡层30和间隔层34仅由未掺杂的锑化铝铟组成。如本文中所讨论的，34仅包括锑化铝铟的固有掺杂浓度。量子阱层32可以包括锑化铟。源极触点36和漏极触点38可以包括用于制造欧姆触点的任何合适的金属，并且特别地可以包括钛金、铌钛氮化物6[0027]图3是图示了根据本公开的一个实施例的用于制造QWFET28的方法的流程图。图32被设置在阻挡层30上(框102和图4B)。同样，量子阱层32可以通过任何合适的工艺来设[0028]设置源极触点36和漏极触点38(框106和图4D)。源极触点36和漏极触点38可以通以设置用于源极触点36和漏极触点38的一个或多个沟槽。介电层40被设置在间隔层34上78

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