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文档简介
CN218181550U,2022.12.30本公开实施例提供一种超声波指纹识别装压电换能器透过所述集成芯片向所述应用层发收透过所述应用层从手指返回的超声波回波信2在驱动脉冲的激发下,所述压电换能器透过所述集成芯片所述压电换能器包括设置于所述集成芯片表面的下电路通过所述下电极接收所述超声波回波信号,所述下电极为多个像素电极组成的电极阵列;所述集成芯片背面与所述应用层之间还设置有支撑层,所述支撑层通过述超声波信号和所述超声波回波信号的传导2.如权利要求1所述的超声波指纹识别装置,所述信号接收电路包括多个接收放大器每个所述开关组包括多个第一开关和多个第二开关,所述第一开关、5.如权利要求1至4中任一项所述的超声波指纹3电路通过设置于所述集成芯片表面的上电极驱动走线与所述压电换能器的上电所述驱动器包括驱动开关、接地开关和驱动电阻,所所述谐振电路包括电感、等效电阻和电容,所述电感的一端与所17.一种如权利要求1至14中任一项所述的超声波指纹识别装置的叠层厚度调节方法,根据所述超声波回波信号在所述保护层、所述上电极、所述压电层根据所述折返频率和所述目标工作频率的差值,按照预设调节步长4波信号,所述集成芯片的信号接收电路接收透过所述应用层从手指返回的超声波回波信[0009]根据本公开的再一方面,提供了一种超声波指纹识别装5[0028]图14示出了根据本公开示例性实施例的超声波指纹识别装置的叠层厚度调节方行的功能的顺序或者相互依存关系。[0033]本公开实施方式中的多个组件之间所交互的消息或者信息的名称仅用于说明性6[0036]图1示出了根据本公开示例性实施例的超声波指纹识别装置的示意图,如图1所[0039]更进一步地,集成芯片10为CMOS(ComplementaryMetalOxideSem互补金属氧化物半导体)芯片,在保证信号处理灵敏度的同时实现超声波指纹识别装置的个开关组113对应一个接收放大器112。每个开关组113包括多个第一开关1131和多个第二7表面平行的第一电极平台221和第二电极平台222,以及连接第一电极平台221和第二电极[0048]进一步地,压电层23嵌入第一电极平台221和纵向电极连接部223围成的容纳腔片10的表面平行的第一保护平台241和第二保护平台242,以及连接第一保护平台241和第电路30通过设置于集成芯片10表面的上电极驱动走线14与压电换能器20的上电极22电连8于驱动电阻313连接驱动开关311的一侧。谐振电路32包括电感321、等效电阻322和电容一端与驱动电阻313远离驱动开关311的一侧连接,另一端与等效电阻322连接;等效电阻振能量,使得谐振电路32快速归零,阻尼电阻331的一端连接于驱动电阻313与电感321之311和接地开关312发出第一控制信号和第二控制信号,第一控制信号控制驱动开关311的电极驱动走线14三者的组合可称为金属顶层(TopMetal)。上电极驱动走线14用于与上电9与上电极驱动走线14对应的区域开设有第一开窗151,使得上电极驱动走线14通过第一开同像素点返回的超声波回波信号。信号接收电路11包括多个接收放大器111和多个接收开向驱动开关311和接地开关312发出第一控制信号和第二控制信号,以控制驱动开关311的制电路34利用第一控制信号和第二控制信号分别控制驱动开关311和接地开关312交替启[0067]相较于现有的超声波回波信号需要先经过保护层、上电极等叠层才可到达压电[0072]在本公开实施例中,透过应用层200从手指返回的超声波回波信号经过集成芯片声波信号向应用层200发射时,会与驱动电路30输出的正弦波脉冲经过压电层23激发的初[0077]DSi为集成芯片10的集成芯片厚度,uSi为超声波信号在集成芯片10中传输时的纵[0085]代入式(3)即可得到超声波回波信号的折返频率fd和驱动脉冲的目标工作频率fs[0088]有机玻璃为2.73um/ns,铜为4.7um/ns,钢为5.9um/ns,铝为6.3um/ns,铍为6.1um/ns,PVDF为2.2um/ns,硅(Si)为2.33um/ns,银浆为1.5_2.5um/ns,聚氯乙烯氟烷基化物(Perfluoroalkoxyalkane,即PFA)为1.23um/ns,ABS树脂(Acrylonitrilewgwgwgwg
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