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文档简介

出的图案出现偏差，从而带来的光刻硅晶图像失真的情况。如图1.4为一个简单图错误!文档中没有指定样式的文字。.1光刻成像系统衍射级别更高的光刻图案，造成光刻图案失真的现象7。为了能够尽可能地确保掩模上的电路图像精准地刻到晶圆上，物镜应至少考虑到相对额定±1强度的光刻强度。考虑到以上因素，设计间距与光源、物镜的关系符合接影响其电路版图的容量，这一参数可以由公式1.2得出。达到14nm甚至7nm节点，而光刻光源波长的革新却停滞不前，目前在图1.4中，左边以Core为中心的电路图案为掩模版的目标电路图，经由右如图1.5所示，当直接使用原始电路图作为掩模时，可能会出现图像失真的

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