晶升股份业绩拐点明确SiC设备进入成长兑现期

内容目录深耕晶备余，赛布日完善 5术源核根，品长矩成型 5余深技沉，阶导和赛道 6控持根稳，购伸业布局 7绩期压韧，2026业拐明确 8位业核环，能放障付能力 10硅片备产代，AI算托长需求 12底芯制基，晶艺定品品质 12AI算驱市扩，产代生备刚需 13尺成行主，土片商速扩产 15业力居内一队绑头客户筑垒 16SiC设迎重动先优卡成利 18SiC材性优显，底节值比最高 18能车现压趋，拉动SiC件需爆发 19AIDC算催全增，压构装双升级 21800VHVDC架迭，源端SiC求持扩容 21功驱封升，SiC中层成长空间 23业局速代多壁夯公地位 24向展元品阵打平型备服商 26投资议 27盈预测 27可公估与资议 28风险示 29图表目录图表1：公主产品 5图表2：公发历图 7图表3：公股结图截至2026年6月247图表4：公司2021-2025营收及比 8图表5：公司2021-2025归净润同比 8图表6：公司2021-2025晶生设分业营占比 9图表7：公司2021-2025半体单硅炉碳硅晶毛率 9图表8：公司2021-2025毛率净率 9图表9：公司2021-2025期费率 9图表10：司2021-2025年发用比 10图表11：导产链 10图表12：片备程 12图表13：导级晶炉晶式 13图表14：2018-2025年球导销额 14图表15：2024年-2026年5月国导销售额 14图表16：2018-2024年球同寸体硅出面占比 14图表17：内12英硅厂扩计划 15图表18：备格标数较况 16图表19：与化参对比 18图表20：化衬类型 19图表21：化产链 19图表22：球能汽销及透率 20图表23：内能汽销及透率 20图表24：动车需使碳硅的装置 20图表25：800V新源销及透率 21图表26：国用市场SiC/GaN率片需预测 21图表27：415交过到800伏流电 22图表28：SiCMOSTFET与IGBT关参比 22图表29：伟达片率化 23图表30：2.5D装意图 24图表31：晶主厂商 24图表32：司业盈预（位万元） 27图表33：比司值（至2026.8.3） 28深耕长晶设备十余载，多赛道布局日益完善技术同源为核心根基，多品类长晶矩阵成型同源长晶技术积淀深厚，全链协同深耕半导体装备。根据公司招股说明书，公司“”SiC8-126-12要应用于G10至G12信号管理、性，度、图表1信号管理、性，度、产品类别产品规格 产品型号 应用领域 产品特点 产品图例半导体级单晶硅炉8英寸SCG200系列指纹识别、电源用于90nm以上制程具有高稳定性高可管理、 配备自主研发的晶体生长控制系统，液晶驱动（面板 高清洁度热场系统及超导磁场，可全自动长晶驱动）芯片12英寸用于28nm以上制程，具有高稳定性、高真空SCG300系列CIS/BSI图像传高可靠性，配备自研的功率控制、感器芯片、通用处理器芯片、存热场系统具有高水平微缺陷控制能力，配合水冷储芯片 套、超导磁场及基础工艺包，长晶可满足COP-FREE硅片指标要求SCG400系列用于65-90nm制程，具有大尺寸、高抽速真空设功率器件 计配备先进的液面距测量、氧化物处理等系统，生长晶体可满足12英寸重掺硅片、12-18英寸半导体硅耗材指标要求碳化硅单晶炉

主要用于英寸碳化硅单晶衬底

JSSDPVT碳化硅单晶炉SCET420系列感应加热PVT单晶炉

宽幅炉压精确控制、碳化硅二极管、碳化硅MOSFET等功率器件；HEMT等微波射频器件宽幅炉压精确控制、

模块化结构设计，方便切换晶体生长尺寸和石英腔室冷却方式；全金属密封结构可降低漏率；旋转液动力冷却方式提升冷却均匀性；高精度控温控压及远程监控技术提升设备自动化程度采用高频电磁屏蔽技术，对真空、温度等控制参数定点标定及二次校准，减小机差，增强批量化生产工艺可复制性主要用于生产6-8英寸碳化硅单晶衬底

SCMPPVT碳化硅单晶炉SCRPPVT碳化硅单晶炉SCMP/LP系TSSG化硅单晶炉SCMP570D系列碳化硅单晶炉LP-SCMP1200系列液相碳化硅单晶炉

P型IGBT率器件

双线圈感应加热系统，可实现独立运动控制及功率加载，改善单线圈系统轴向径向温耦耦合严重问题；配备一体式焊接结构石英腔室、离线式装料系统、高精度控温控压技术和感应线圈高精度安装与定位等技术多段式电阻加热，动态调整长晶温度梯度；先进气流路径规划及热场防护可降低热场衰减、增加热场寿命和温场稳定性；长晶界面可视化系统实时监测长晶状态以提升效率TSSG系统、厚度监测系统实时监测长晶状态以提升效SiCPSiC单晶设备采用一体化紧凑型热场与模块化集成设计，缩减厂房占地与层高需求；核心温控、压力模块实现全面国产化配套，搭配轻量化机身与优化电磁屏蔽，保障晶体生长磁场稳定可靠。PVT8SiC晶体良率；模块化炉体便于维保，可调感应线圈可动态优化磁场，加快工艺迭代。司招股说明书、公司2025年年报、长城证券产业金融研究院十余年深耕技术沉淀，进阶半导体和新赛道根据公司官网，公司成立于2012年，2016121220172018图表2：公司发展历程图司官网、长城证券产业金融研究院实控人持股根基稳固，并购延伸产业链布局根据公司202616.08%56.31%2026年2图表3：公司股权结构图（截至2026年6月24日）2026年一季报、2025年年报、南京晶升装备股份有限公司关于持股5%5%以下及减持计划时间届满暨减持股份结果公告、南京晶升装备股份有限公司股东询价转让计划书、ifind、长城证券产业金融研究院实现“设备+测试”垂直协同，业绩增量与全球化布局同步受益。根据公司发行股份及支业绩短期承压显韧性，2026年业绩拐点明确2025公司2025年实现总营收1.16-0.382024年的1330台下降至212202520265281.043.522026年3-56-8图表4：公司2021-2025年营业收入及同比 图表5：公司2021-2025年归母净利润及同比4504003503002502001501000

营业收入（百万元） YoY2021 2022 2023 2024

100%80%60%40%20%0%-20%-40%-60%-80%-100

0

归母净利润（百万元）

2021 2022 2023 2024 2025150%2021 2022 2023 2024 2025100%50%0%-50%-100%-150%-200%研究院

2023-2025

研究院

司招股说明书、公司2023-2025年年报、长城证券产业金融20261,346.55但毛利率基本维持稳定。2025年公司碳化硅领域业务收入3,674.49万元，同比下降20252026202662026图表6：公司2021-2025年晶体生长设备分业务营收占比图表7：公司2021-2025年半导体级单晶硅炉及碳化硅单晶炉毛利率半导体级单晶硅炉 碳化硅单晶炉 半导体级单晶硅炉 碳化硅单晶其他晶体生长设备 光伏类单晶炉80%60%40%20%

2021 2022 2023 2024 20252023-2025

50%40%30%20%10%

2021 2022 2023 2024 2025司招股说明书、公司2023-2025年年报、长城证券产业金融（特殊普通合伙）关于南京晶升装备股份有限公司2025（2023年为估算数据

研究院（2023年为估算数据）202520252026图表8：公司2021-2025年毛利率及净利率 图表9：公司2021-2025年期间费用率60%40%20%

毛利率 净利率

40%30%20%10%

销售费用率 管理费用率20212022202320242025研发费用率 财务费用率202120222023202420252021 2022 2023 2024 2025ind、公司2023-2025年年、招股说明书长城证券产业金 ind公司2023-2025年年报招股说明书、长城证券产业金2021 2022 2023 2024 2025融研究院 融研究院20250.43亿元，约占营业收入的（如碳化钽涂层）等其他半导体相关领域产品的研发，打开新的成长空间。图表10：公司2021-2025年研发费用及同比研发费用（百万元） YoY5045403530251510502021 2022 2023 2024

90%80%70%60%50%40%30%20%10%0%-10%ind、公司2023-2025年年报、招股说明书、长城证券产业金融研究院卡位产业链核心环节，产能释放保障交付能力图表11：半导体产业链司招股说明书、长城证券产业金融研究院年320262.03硅片设备国产替代，AI算力托底长期需求衬底为芯片制造基材，长晶工艺决定产品品质9N-11N图表12：硅片制备流程司招股说明书、长城证券产业金融研究院（CZ（FZ8%CGS国图表13：半导体级单晶硅炉长晶方式长晶方式直拉法（CZ法）区熔法（FZ法）示意图将高纯度的多晶硅在石英坩埚中进区熔法是利用热能在多晶硅锭的一端产生行高温熔化，然后将单晶硅籽晶插入熔区，熔接单晶籽晶，再通过调节温度使工艺熔体中进行熔接，通过转动籽晶和坩得熔区缓慢向上移动，生长成晶向与籽晶埚，经过引晶、缩颈、放肩和收尾等相同的单晶硅棒，具体工艺分为水平区熔步骤形成单晶硅棒法和立式悬浮区熔法直拉法为目前国际大尺寸硅片的主由于区熔法不需要坩埚，而是在气氛或真流生长技术路线，具有生长速度快、单炉产量高、晶体直观可控、设备技IGBT简介术方案成熟等特点。为克服硅熔液对功率半导体器件的原材料。主要缺点为熔流对晶体生长过程带来的不利影响，体与晶体界面复杂、成本较高，且受制于有效实现氧含量及微缺陷控制，通常采用外加磁场的技术方案目前占市场份额较小司招股说明书、长城证券产业金融研究院812AI算力驱动市场扩容，国产替代催生设备刚需个应用领域共同推动全球半导体行业快速发展。根据世界半导体贸易统计组织数据，2025795626.18%，预计20269750亿美元，同比增长22.55%，行业增长势头持续强劲，原定于2030年实现的万亿美元目标有望提前落地。图表14：2018-2025年全球半导体销售额 图表15：2024年-2026年5月中国半导体销售额100000

全球半导体销售额（亿美元） 同比20182019202020212022202320242025

30%20%10%0%-10%-20%

4003002001000

中国半导体销售额（亿美元） 同

100%80%60%40%20%0%界半导体贸易统计组织、长城证券产业金融研究院 ind、美国半导体行业协会、i长城证券产业金融研究院2008年以前，半导体硅片中1281212SEMI统计，12202476%图表16：2018-2024年全球不同尺寸半导体硅片出货面积占比EMI、西安奕材招股书、长城证券产业金融研究院AI12一般90nm1212SEMI12创纪录的4000产很少考虑非12英寸产能。AIIIMAI服务器市场在202542038002026年全球AI600550096%2025年。中国AI20258219.5%92%AI12AI服务器是由、CPU、HBMPCB（HDICCL和HBM都建立在12HBM大，甚至AI服务器对12大尺寸成为行业主流，本土硅片厂商加速扩产大陆12大陆是全球12202462座（）122026年底将超过70超过300万片/月，占全球12英寸晶圆厂产能的1/3。12英寸Siltronic世创和SKSiltron202412英寸122026年将超过12图表17：国内12英寸硅片厂商扩产计划公司名称 现有产能 扩产规划年末）西安奕材 85万片/（截至2025 第二工厂50万片/月，一二厂合计目标年末）万片/月上海新昇 65万片/（上海临港60万汉源5万）

上海+太原扩产至120万片/月年末）中环领先 70万片/（截至2024 徐州+宜兴工厂全面达产目标130万片/月量年末）级立昂微

30万片/15万片/月（截至2025

18012英寸重掺衬底项目（22.62年末）18012年末）产96万片12英寸轻掺硅外延片项目中欣晶圆 45万片/月 15万片产线新建中上海超硅 35万片/月 IPO募投30亿元集成路300mm薄层硅外延片扩产项目安奕材招股说明书、西安奕材2025年度报告、沪硅产业关于投资建设集成电路用300mm硅片产能立昂微关于部分募集资金投资项目延期的公告、中欣晶圆官网、长城证券产业金融研究院年5SUMCO12AIHPC18%-22%10%-15%，123-5年，随着国内121212产业实力稳居国内第一梯队，绑定头部客户构筑壁垒德国AG及韩国S-tech6-8英寸12公司12英寸单晶炉技术对标海外，国内产业化实力稳居第一梯队。根据公司2025年年报，公司是国内较早开展半导体级单晶硅炉产品研发及产业化的公司之一，实现了COP-FREE19nm图表18：设备规格指标参数比较情况设备规格指标参数晶升股份S-TECHCo.,Ltd主炉室大小（mm）1350/炉体总高（mm）1170010500最大装料量（kg）420-450440设备规格指标参数晶升股份S-TECHCo.,Ltd晶棒最大等径长度（mm）2050-22002000晶体升降速率（mm/min）0-80.1-6晶体转速（rpm）0-301-20坩埚升降速率（mm/min）0-40.01-1坩埚转速（rpm）0-200.1-20热场大小（英寸）3232行人及保荐机构第二轮问询回复意见、长城证券产业金融研究院2015SiCSiC材料性能优势显著，衬底环节价值占比最高5G相较于硅基，碳化硅的优势在于：103“头号杀手：硅器件的工作结温通常低于175°C在200°C（图表19：硅与碳化硅参数对比对比维度硅（Si）碳化硅（SiC）带隙（eV）1.123.2相对介电常数11.710绝缘击穿场强（MV/cm）0.33电子饱和速度（107cm/s）12电子迁移率（cm2/Vs）1350720热导率（W/cm.K）1.54.5国科学院半导体研究所、长城证券产业金融研究院图表20：碳化硅衬底类型类型 方式 器件 应用新能源汽车（主驱逆变器、车载充导电型

在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层制得碳化硅外延片在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层制得碳化硅基氮化镓外延片

碳化硅二极管、碳化硅MOSFET等功率器件HEMT等微波射频器件

电机（BC、车载电源转换器、充电桩、UPS等、光伏发电（伏逆变器、工业、家电、轨道交通、智能电网、航空航天等5G通信、卫星、雷达等司2025年年报、长城证券产业金融研究院与传统硅基器件制造过程相比，碳化硅器件成本构成中，衬底和外延占比合计达到约11%图表21：碳化硅产业链司招股说明书、长城证券产业金融研究院SiC器件需求爆发692827t至49。2026190054.68%。图表22：全球新能源汽车销量及渗透率 图表23：国内新能源汽车销量及渗透率0

销量（万辆） 渗透率2020 2021 2022 2023 2024

60%40%20%0%

5000

销量（万辆） 渗透率

60%40%20%0%裕科技向不特定对象发行可转换公司债券募集说明书、GGII、长城证券产业金融研究院

裕科技向不特定对象发行可转换公司债券募集说明书、中国汽车工业协会、长城证券产业金融研究院SiCMOS替换硅基IGBT3%-8%图表24：电动汽车中需要使用碳化硅器件的装置率半导体生态圈、长城证券产业金融研究院800V根据QYResearch，800V400VIIM2025800V80800V2025年的800V400V800V800V350kW400V平台的80%5%-8%40%30%800V车载SiC800V800V48颗SiCMOSFET（200o3车型已大规模搭载自研SiC2030SiC800V图表25：800V新能源车销量及渗透率 图表26：中国乘用车市场SiC/GaN功率芯片需求预测8006004002000

800V新能源车销量（万辆）乘用车市场渗透率（%）2023 2024 2025 2026E

40%销量（万辆）渗透率销量（万辆）渗透率500060%40%20%0%20%10%0%斯特汽车战略咨询、长城证券产业金融研究院 思汽车研究、长城证券产业金融研究院AIDC算力催生全新增量，高压架构与封装双维升级800VHVDC架构迭代，电源端SiCAI800VHVDCAI大54V/415VHVDC2025年5800VHVDC20271MW及以上超高功率密度IT图表27：415伏交流过渡到800伏直流配电VIDIA官网、长城证券产业金融研究院800VSiC101/10，SiCIGBT的5-2070%-80%SiC200-250℃，适配AIDC800V图表28：SiCMOSTFET与IGBT关键参数对比参数SiCMOSFET硅基IGBT提升幅度开关频率100kHz–1MHz10–50kHz5–20倍开关损耗极低（降低70%–80%）高降低70%–80%最高结温200–250℃150–175℃提高25%以上热导率3.7W/cm·K1.5W/cm·K约2.5倍短路耐受时间2–5μs10–20μsIGBT的25%–50%栅极电荷较低（如1.32μC）较高（如1.75μC）降低约25%圳亿伟世科技官网、长城证券产业金融研究院800VHVDC生态加速落地，拉动导电型SiC衬底需求持续扩容。我们认为英伟达持续完善800VHVDC软硬件生态，半导体、电源设备厂商同步推出配套产品，行业商用节奏明确，2027年将迎来规模化放量拐点。800V架构下服务器电源模块必须大规模搭载SiCMOSFET功率器件，终端算力设备扩容直接催生海量SiC器件订单，下游器件厂产能扩张将同步传导至上游衬底环节。SiCAIGPUAIAISEMI年全球用于AI4500AI、HBM大算力升，英伟达H100/B200/VR200CPX图表29：英伟达GPU芯片功率变化勤科技、长城证券产业金融研究院面对高功耗AI490W/m・k2-3SiCAI的首批SiCCoWoSHBM2.oSU与HM封装中介层承载高密度TSV与布线，实现传统PCB多芯片堆叠后局部热量难以散出。在此背景下，碳化硅中介层成为最优替代方案，SiC图表30：2.5D封装示意图emiconductorEngineering、长城证券产业金融研究院英伟达Rubin12英寸SiC英伟达下一代RubinGPU2027SiC12多下游赛道拉动SiC车800VAIDC行业格局加速迭代，多重壁垒夯实公司地位SiC括德国图表31：单晶炉主要厂商厂商晶升股份PVATePlaAGS-tech晶盛机电北方华创连城数控/Kayex总部南京德国韩国浙江北京辽宁/美国起步时间2012200419902006200120世纪80年代材料分类硅、碳化硅硅、碳化硅硅硅、碳化硅硅、碳化硅硅产品类型单晶单晶单晶单晶/多晶单晶单晶工机床世界、长城证券产业金融研究院我们认为在行业国产替代进程中，公司依托技术同源壁垒、先发量产优势、高端供应链2cm二、先发量产优势：8英寸规模化交付、12英寸完成客户导入SiC2019开始8英寸和128三、供应链卡位：卡位中国台湾高端衬底产能，间接切入台积电供应链1220236812英寸SiC4绑定台积电上游打开1212期增量空间。从价值维度看，12英寸碳化硅单晶炉单机售价更高，配套毛利率显著优于8英寸机型，大尺寸设备放量将持续优化公司盈利结构。横向拓展多元产品矩阵，打造平台型设备服务商技术能力横向复用，光伏单晶炉打开第三增长曲线。根据公司2025年年报，公司具备128/12++G10-G122025SiC”投资建议盈利预测关键假设：国内1240%2026-2028800VAIDCSiC8英寸碳128202612光伏类单晶炉：光伏行业持续周期调整，硅片价格长期处于低位，光伏级长晶设备盈利承压，公司该业务2025费用率假设：我们预计2026-202812图表32：公司各业务盈利预测（单位：百万元）2025A 2026E 2027E 2028E晶体生长设备收入100.39310.00655.001110.00YoY(%)-59.21%208.79%111.29%69.47%毛利率（%）12.99%26.85%30.53%33.89%收入4.034.434.965.56其他设备及配套YoY(%)-97.65%10.00%12.00%12.00%毛利率（%）-11.44%0.50%1.00%2.00%技术服务及辅材收入10.5213.6816.4119.37YoY(%)44.13%30.00%20.00%18.00%毛利率（%）39.93%40.00%40.10%40.20%司2025年年报、长城证券产业金融研究院可比公司估值与投资建议可比公司：图表33：可比公司估值表（截至2026.8.3）代码 公

（元

总股本（亿股）

总市值（亿元

归母净利润（亿元） 市盈率（P/E）2026E 2027E 2028E 2026E 2027E 2028E688478.SH晶盛机电39.0513.10511.3710.2712.3315.1149.8141.4933.85002371.SZ北方华创641.307.264,653.8474.03103.08136.8862.8645.1534.00920368.BJ连城数控24.582.3557.711.894.982.7130.4811.5821.29平均值———28.7340.1351.5747.7232.7429.71688478.SH 晶升股份38.461.3853.220.401.072.61134.3349.6220.39ind、长城证券产业金融研究院（注：可比公司归母净利润及市盈率为ifind机构一致预期）投资建议：128/12AI800V行。同时，公司先发落地SiC812年RubinGPU带动12英寸SiC2026-2028年公司营业收入为3.28/6.76/11.350.40/1.07/2.61203.35%/170.73%/143.40%，EPS0.29/0.78/1.89元/683日收盘价，E/X，首次覆盖，给予买入评级。风险提示下游产能爬坡风险：12英寸SiC衬底的大规模量产本身就有良率和工艺成熟度挑战，即使认证通过，产能释放节奏可能慢于预期。SiCA市场竞争风险：国内新增半导体材料设备厂商逐渐加入行业参与竞争，若公司未来无法有效应对国际主要厂商和国产新进入者的双重竞争，公司经营将会受到不利影响。批并购失败的风险：公司拟收购为准智能布局通信测试装备赛道，交易尚处于上交所审核阶段，存在审核未通过、交易终止等不确定性。财务报表和主要财务比率资产负债表（百万元） 利润表（百万元） 会计年度 2024A 2025A 2026E 2027E 2028E 会计年度 2024A 2025A 2026E 2027E 2028E流动资产12581227143016682099营业收入4251163286761135现金107974968227营业成本31498239470751应收票据及应收账款139153204397553营业税金及附加12135其他应收款213109销售费用54455预付账款21104774122管理费用3433304354存货219260272298308研发费用4443364447其他流动资产770704854822880财务费用-2-13914非流动资产607561567682723资产和信用减值损失-7-15-12-16-20长期股权投资00000其他收益12810910固定资产16223216222236公允价值变动收益-1411-4-1无形资产1932364046投资净收益4221322729其他非流动资产572307315419441资产处置收益00000资产总计18651788199623502822营业利润61-4944118277流动负债275273431694916营业外收入00000短期借款81298204342营业外支出21111应付票据及应付账款187140180372443利润总额59-5043116276其他流动负债80121152118132所得税6-124915非流动负债147131111净利润5