《特种加工机床 术语 第12部分：等离子体加工机床》

1本文件界定了等离子体加工机床的加工方法、名称、参数和工艺、主要零部件的术语。本文件适用于各类等离子体加工机床（包括设备）。2规范性引用文件下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本（包括所有的修改单）适用GB/T14896.1—2025特种加工机床术语第1部分:基本术语3.1由自由电子、离子和中性粒子(原子和/或分子和/或活性自由基)组成的，宏观上呈电中性并导电3.2利用交直流、射频、微波、激光等激励源手段，通过电晕放电、辉光放电、电弧放电等形式电离气体，进而产生等离子体对材料进行去除、连接、镀覆、清洗、改性等的加工方法。注：去除包括切割、刻蚀、抛光、修形等；镀覆包含喷涂、熔覆、沉积等；改性包括渗氮、接枝、聚合等。[来源：GB/T14896.1—2025，3.11，有修改]3.3利用等离子体作为热源，将熔覆材料与基体材料局部熔化并结合形成涂层的等离子体加工方法。3.4等离子体渗氮plasmanitriding利用等离子体产生的活性氮对工件表面进行渗氮强化的等离子体加工方法。3.5等离子体抛光plasmapolishing利用等离子体对工件材料进行定点去除，以实现材料表面抛光的等离子体加工方法。3.6利用等离子体产生的活性粒子去除工件表面多余物质的等离子体加工方法。23.7等离子体球磨改性plasmaballmillingmodification利用等离子体与机械球磨相结合，对材料进行改性的等离子体加工方法。3.8等离子弧焊plasmaarcwelding利用等离子体弧作为热源将工件局部熔化并连接起来的等离子体加工方法。3.9等离子体切割plasmacutting等离子弧切割plasmaarccutting利用等离子体弧的高温和高速气流将工件材料局部熔化并吹走实现切割的等离子体加工方法。3.10利用等离子体产生高温，将喷涂材料加热到熔融、半熔融或气化状态后喷射到基体表面形成涂层的等离子体加工方法。3.11利用等离子体促进化学气相反应，在工件表面沉积薄膜的等离子体加工方法。3.12等离子体物理气相沉积plasmaphysicalvapordeposition利用等离子体轰击靶材溅射，在工件表面沉积薄膜的等离子体加工方法。3.13利用等离子体增强反应活性，在工件表面沉积原子层薄膜的等离子体加工方法。3.14利用等离子体的物理轰击和/或化学反应去除工件表面材料的等离子体加工方法。注：包含电感耦合等离子体刻蚀、电容耦合等离子体刻蚀和微波等离子体刻蚀等。3.15利用等离子体促进单体聚合，在工件表面沉积薄膜的等离子体加工方法。3.16等离子体接枝plasmagrafting利用等离子体在材料表面生成活性中心，进而引发单体进行聚合反应，将功能性分子接枝到工件表面的等离子体加工方法。4机床名称4.1用等离子体熔覆（3.3）方法加工材料或工件的机床。4.2等离子体渗氮机plasmanitratingmac用等离子体渗氮（3.4）方法加工材料或工件的机床。4.3用等离子体抛光（3.5）方法加工材料或工件的机床。4.4用等离子体清洗（3.6）方法加工材料或工件的机床。4.5等离子体球磨机床plasmaballmillingmachine用等离子体球磨（3.7）方法加工材料或工件的机床。4.6用等离子体焊接（3.8）方法加工材料或工件的机床。4.7用等离子体切割（3.9）方法加工材料或工件的机床。4.8用等离子体喷涂（3.10）方法加工材料或工件的设备。4.8.1用常压开放大气环境喷涂方法加工材料或工件的等离子体喷涂设备。4.8.2用低气压环境喷涂方法加工材料或工件的等离子体喷涂设备。4.8.3等离子体喷涂-物理气相沉积设备plasmaspraying-physicalvapor在超低压环境下，用熔融液滴喷涂或粉末气化沉积方法加工材料或工件的等离子体喷涂设备。4.9用等离子体增强化学气相沉积（3.11）方法加工材料或工件的设备。44.10等离子体物理气相沉积设备plasmaassistedphysicalvapo用等离子体物理气相沉积（3.12）方法加工材料或工件的设备。4.11用等离子体增强原子层沉积（3.13）方法加工材料或工件的设备。4.12用等离子体刻蚀（3.14）方法加工材料或工件的设备。4.13用等离子体聚合（3.15）方法加工材料或工件的设备。4.14用等离子体接枝（3.16）方法加工材料或工件的设备。5机床参数和工艺GB/T14896.1—2025第5章界定的以及下列术语和定义适用于本章。5.1单位时间内等离子体发生器形成等离子体的能量。5.2单位面积内等离子体的功率。5.3待转变为等离子体状态的气体。5.4气体流量gasflowrate单位时间内流入等离子体发生器中的工作气体的体积或质量。5.5气体比例gasratio等离子体发生器中的各气体流量或分压占比。5.6等离子体加工中，反应腔室内部气体的静态或动态压强。55.6.1等离子体加工中，真空系统在无工艺负载、无气体注入的静态条件下，经过充分抽气后，系统能够达到的极限静态压力值。5.6.2等离子体加工中，在实验或工艺过程中，目标工作气体之外的所有残余气体，在系统中形成的气体总压力值。5.6.3等离子体加工中，向反应腔室内通入工作气体后，系统达到的稳定运行压力值。5.7在等离子体环境中能够进行聚合反应的物质。5.8电子密度electrondensity单位体积内等离子体中自由电子的数量。5.9等离子体中电子热运动的平均动能。5.10等离子体的宏观温度。5.11等离子体与材料表面接触时形成的非电中性薄层。5.12衬底温度substratetemperat等离子体加工过程中，基材表面的温度。5.13衬底偏压substratebiasvoltage等离子体加工过程中，施加在基材上的偏置电压。5.14工件暴露在等离子体环境中的时间。5.15电极间距electrodedistance产生等离子体放电的两电极间的距离。65.16处理距离treatmentdistance等离子体反应器或特定电极与工件上表面之间的最短间距。5.17形成等离子体所需的临界电压。5.18放电电流dischargecurrent等离子体放电的瞬时电流。5.19等离子体放电的平均电流。5.20等离子体加工中，单位时间内电源输出电压波形周期性变化的次数。5.21等离子体加工中，电源输出电压或电流随时间变化的图形。5.22等离子体产生过程中的几段放电类型。注：包括电晕放电、辉光放电、电弧放电等形式。5.22.1等离子体加工过程中，极间被局部击穿后，电极尖端附近出现微弱的光晕，在曲率半径小的电极周围形成的不均匀放电现象。5.22.2等离子体加工过程中，极间被击穿后，在电极间形成均匀、稳定的等离子体发光层，伴随微弱辉光，放电进入高电压、低电流密度的放电现象。5.22.3电弧放电arcdischarge等离子体加工过程中，发生辉光放电后，由于电流进一步增大发出强烈的光辉，放电进入到低电压、大电流密度的放电现象。6机床主要零部件GB/T14896.1—2025第6章界定的以及下列术语和定义适用于本章。76.1等离子体反应器plasmareactor通过电能激发工作气体形成等离子体的装置。6.2将等离子体流成形后喷射出去，以提高等离子体流的速度和/或能量密度，实现对工件清洗、切割、焊接或喷涂等功能的部件。6.3电极electrode连接电源输出极，能够形成局部强电场产生等离子体的导电部件。6.3.1平行板电极parallelplateelectrode由两块相互平行且相对放置的导体组成，形成对称的电场分布的电极。6.3.2圆柱形电极cylindricalelectrode呈螺旋线圈或圆筒状的电极。6.3.3介质阻挡放电电极dielectricbarrierdischargeelectrode将至少一个电极用绝缘介质覆盖，或是在放电空间中插入绝缘介质，并在两极间施加交流高压以产生气体放电的电极。6.4用于在受控环境（如真空或特定气氛）中激发并维持等离子体，使高能粒子与工件表面发生物理和/或化学反应的腔体。6.5为等离子体反应器提供电能的电气装置。6.5.1直流电源directcurrentpowersu向等离子体反应器提供直流电能的电气装置。6.5.2向等离子体反应器提供中频交流电能的电气装置。6.5.3向等离子体反应器提供射频能量的电气装置。6.5.4向等离子体反应器提供微波能量的电气装置。86.5.5向等离子体反应器提供脉冲能量的电气装置。6.6在等离子体加工过程输送工作气体并精确控制其流量、