CN119472165A 半导体光刻胶组合物和使用所述组合物形成图案的方法 （三星Sdi株式会社）

半导体光刻胶组合物和使用所述组合物形一种半导体光刻胶组合物包含：由化学式1蚀刻目标层上涂覆所述半导体光刻胶组合物以2a为经取代或未经取代的C1到C20亚烷基，且Ra为经取代或未经取代的C1b为经取代或未经取代的C1到C20烷基、经取代或未经取代的C3到C20环烷3c为经取代或未经取代的C1到C20亚烷基，且Rc为经取代或未经取代的C1a为经取代或未经取代的C1到C10亚烷基，且Ra为经取代或未经取代的C1b为经取代或未经取代的C1到C10烷基、经取代或未经取代的C3到C10环烷4b为经取代或未经取代的C1到C10烷基、经取代或未经取代的C3到C10环烷R6为氢5所述有机锡化合物由选自群组1中列出的化合物中的任一6789在所述蚀刻目标层上涂覆如权利要求1至12任一项所述的半导体光刻胶组合物以形成14.根据权利要求13所述的方法，其中通过施加波长为5纳米到150纳米的光来形成所[0002]本申请主张在2023年8月8日在韩国知识产权局提出申请的韩国专利申请第10_[0003]本公开的实施例的一个或多个方面涉及一种半导体光刻胶组合物和利用所述半[0004]极紫外(extremeultraviolet，EUV)光刻被视为制造下一代半导体装置的重要(甚至是必要的)技术。EUV光刻是利用波长为约13.5nm的EUV射线作为曝光源的图案形成[0006]由于聚合物类型或种类的光刻胶中的酸催化反应而导致的固有图像模糊可能会胶在约13.5nm波长下的吸光度且因此降低其灵敏度，因此化学放大(CA)光刻胶在EUV曝光[0007]在一个或多个实施例中，CA光刻胶可因粗糙度问题而在小特征尺寸方面存在困机制进行的化学改性而抵抗被显影剂组合物移除。所述无机组合物含有EUV吸收率高于烃外对随机性效应(stochasticeffect)可不太敏感，且因此可具有相对低的线边缘粗糙度子铪金属氧化物硫酸盐(HfSOx)材料与过氧络合剂一起用于通过投影EUV曝光对15nm半节(J.K.Stowers,A.Telecky,M.Kocsis,B.L.Clark,D.A.Keszler,A.Grenville,[0013]本公开的实施例的一个或多个方面涉及一种利用所述半导体光刻胶组合物来形[0015]根据一个或多个实施例的半导体光刻胶组合物包含由化学式1表示的有机锡化合[0019]R1可为经取代或未经取代的C1到C20烷基、经取代或未经取代的C3到C20环烷基、66可为氢c可为经取代或未经取代的C1到C20烷基、或者经取代或未经取代的C6到C30芳[0024]根据一个或多个实施例的半导体光刻胶组合物可提供一种防潮储存稳定性改善[0025]结合附图阅读以下对各实施例的说明，这些和/或其他方面将变得显而易见且更[0026]图1到图5各自为用于阐释利用根据一个或多个实施例的半导体光刻胶组合物来[0043]还将理解，用语“包括(includes/including)”和/或“包含(comprises/[0046]在本文中使用的用语“和/或”包括相关列出项中的一者或多者的任何和所有组[0048]为易于说明，在本文中可能使用例如“位于…之下(beneath)”、“位于…下方 并且在本文中使用的空间相对性描述语应被相应地阐释。[0050]本文中所述的任何数值范围均旨在包括归入所述范围内的相同数值精确度的所[0061]根据一个或多个实施例的所述半导体光刻胶组合物包含由化学式1表示的有机锡[0065]R1可为经取代或未经取代的C1到C20烷基、经取代或未经取代的C3到C20环烷基、66可为氢c可为经取代或未经取代的C1到C20烷基、或者经取代或未经取代的C6到C30芳[0072]举例来说，R1可为经取代或未经取代的C1到C10烷基、经取代或未经取代的C3到或未经取代的C6到C20芳基或者La_O_Ra(其中La可为经取代或未经取代的C1到C10亚烷基，66可为氢经取代的C2到C10炔基、经取代或未经取代的C6到C20芳基和/或其(例如，任何合适的)组66可为氢[0088]有机锡化合物强烈地或适当地吸收约3[0089]在根据一个或多个实施例的半导体光刻胶组合物中，以100重量％的半导体光刻[0090]由于根据本公开的一个或多个实施例的光刻胶组合物包含根据本发明实施例的[0093]所述树脂可为包括群组2的至少一个芳族部分(例如选自群组2的芳族部分中的至[0107]半导体光刻胶组合物可被形成为具有相对高的纵横比而不存在塌陷的图案。因20nm的宽度的精细图案，可将所述半导体光刻胶组合物用于利用波长处于约5nm到约合物可用于实现利用波长为约13.5nm的EUV光源的极紫外的方法。图1到图5是用于阐释利用根据一个或多个实施例的半导体光刻胶组合物来形成层106之间的界面和/或各层之间的硬掩模上反射的射线被散射到非预期的(或未期望的)光刻胶层106可通过将所述半导体光刻胶组合物涂覆于形成于基板100上的薄膜102上且然墨印刷和/或类似方法进行涂覆且然后进行干燥以形成[0122]举例来说，根据一个或多个实施例的用于进行曝光的光可具有处于约5nm到约下实行。由于进行了第二烘烤工艺，光刻胶层106的曝光区106b变得实质上不溶于显影剂子激光(约193nm的波长)等具有一定波长的光可提供具有图案108。举例来说，光刻胶图案108可具有约5nm到约90nm、约5nm到约80nm、约5nm到约[0129]在一些实施例中，光刻胶图案108可具有小于或等于约50nm、例如小于或等于约刻工艺，形成有机层图案112。有机层图案112也可具有与光刻胶图案108的宽度对应的宽[0132]薄膜102的刻蚀可为例如使用刻蚀气体的干式刻蚀，且刻蚀气体可为例如CHF3、23和/或其混合气体。[0133]在曝光工艺中，利用光刻胶图案108形成的薄膜图案114可具有与光刻胶图案108[0137]将10g叔丁基三异丙氧化锡(tint_butyltrisisopropoxide)加入到100mL施伦[0144]将10g叔丁基三异丙氧化锡加入到100mLSchlenk烧瓶中，加入31mL无水二氯甲[0146]在减压下对反应溶液进行了浓缩以移除二氯甲烷，从而获得了由化学式3表示的[0150]将10g叔丁基三异丙氧化锡加入到100mLSchlenk烧瓶中，加入31mL无水二氯甲[0157]将10g叔丁基三异丙氧化锡加入到100mLSchlenk烧瓶中，加入31mL无水二氯甲[0159]在减压下对反应溶液进行了浓缩以移除二氯甲烷，从而获得了由化学式5表示的[0167]除了使用BnSnCl3(苯甲基三氯化锡)代替在比较合成例1中使用的nBuSnCl3之外，通过以与比较合成例1实质上相同的方式进行合成而获得了由化学式7表示[0172]将在合成例1到合成例4中获得的由化学式2到化学式5表示的化合物以及在比较[0173]将具有天然氧化物表面的4英寸直径的圆形硅晶片用作进行薄膜沉积的基板。在测量了在涂覆和烧制之后的膜的厚度，且发现在实例1到实例4中所述膜的厚度为约25nm，[0175]将沉积有抗蚀剂薄膜的基板暴露于加速电压为100Kv的电子束下，以形成(或提emissionscanningelectronmicroscopy，FE_SEM)图像测量了所形成的线的临界尺寸灵敏度表示为◎,若CD大小大于或等于35nm，则将灵敏