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文档简介

波形發生電路

8.1正弦波振盪電路的分析方法。

8.1.1產生正弦波振盪的條件。基本原理:利用正回饋使放大電路產生“自激振盪”。(1)在一個回饋電路中,首先斷開回饋回路,開關S擲向1。輸入正弦波:放大器的輸出為:回饋信號為:(2)如果回饋信號和輸入信號相等有:。則此時將開關S擲向2端,回饋信號正好代替輸入信號,可以使電路繼續維持放大輸出。此時雖然沒有外部輸入,但是也有輸出,電路產生了“角頻率為的自激振盪”。

此時電路產生自激振盪的條件為:,即。幅度的條件:。相位條件:理解:(1)環路增益必須等於1(或大於1),回饋的信號才能使電路維持振盪。

(2)相位條件表明,電路無論是何種連接方式,必須保證回饋是正回饋。8.1.2正弦波振盪電路的組成和分析步驟。在放大電路中必須包含穩幅的部分。在回饋回路中必須包含選頻的部分。選頻網路可以由電阻R,電感L,和電容C組成,其中由RC組成時稱RC正弦波振盪電路,由LC組成時稱LC正弦波振盪電路。一、判斷能否產生正弦波振盪。

1)檢測電路是否具有回饋,放大,選頻和穩幅環節。

2)電路是否具有合理的靜態工作點和放大能力。

3)分析電路是否滿足自激振盪的幅度和相位條件。其中要滿足自激振盪的幅度條件較為容易,可以通過調節放大器的放大倍數來達到。相位條件的判別:假設斷開放大器和回饋信號的連接點,在放大器的輸入端加入信號Ui,分析回饋信號Uf,看是否在某一頻率下時,Ui和Uf的相位差為2n

,即是否回饋為正回饋。二、估算振盪頻率和起振條件。假設斷開放大器和回饋信號的連接點,在放大器的輸入端加入信號Ui,寫出環路增益AF的運算式,計算環路增益AF的移相角度argAF,在argAF

=2n

的條件下,計算出相應的角頻率,則此時的即是振盪頻率

0。在角頻率為0的條件下,相應地令AF

1,既可以計算出振盪地起振條件。注:環路增益的移相角度由主放大器和回饋環路兩部分組成,有:argAF

=argA

+argF

。在一般的情況下,放大器的移相角度遠比回饋環路小,即有:argA<<argF,故實際分析中通常只考慮回饋環路本身的移相作用,認為argAF

=argF

。8.2RC正弦波振盪器。8.2.1RC串並聯網路振盪電路。(文氏振盪電路)回饋網路為一個RC串並聯的網路,回饋信號接入運放的同相端。主放大器為一個同相比例放大器,放大倍數為:能否產生正弦波振盪的定性分析。當輸入信號的頻率很低時,電容的容抗大,回饋網路等效於高通濾波器的結構,移相:argF

=+90

。當輸入信號的頻率很高時,電容的容抗小,回饋網路等效於低通濾波器的結構,移相:argF

=-90

。因此可以判斷出,在某一頻率處,回饋網路的移相角度必然為零,可以滿足產生自激振盪的相位條件。另外,當時,回饋信號Uf

;當時,回饋信號Uf

。因此在某一頻率處,回饋信號可能較大,可以滿足產生自激振盪的幅度條件。一、RC串並聯網路的選頻特性。其中:幅頻特性:回饋係數:相頻特性:可見,當時,回饋網路的移相角度,滿足自激振盪產生的相位條件。此時,回饋係數。二、振盪頻率。忽略掉運放同相比例放大器的移相作用,整個環路增益的移相作用完全取決於回饋網路,則振盪頻率為:三、起振條件。根據自激振盪的振幅條件

AF

1,當時:故放大器的放大倍數必須有:放大器為同相比例放大器,即:可得起振條件:8.5非正弦波發生器。其中最為基本的是方波(矩形波)發生器。8.5.1矩形波發生電路:一、電路的基本結構。

(1)利用一個滯回比較器實現兩個門限電平。(2)利用一個RC充放電回路來控制週期。當滯回比較器分別輸出高電平和低電平時,相應地控制RC回路充放電,RC回路的輸出電壓在兩個門限電平之間來回變化,使比較器來回翻轉,實現方波輸出。二、實際電路及工作原理分析。1、當同相端的電位高於反相端電位時,輸出電壓Uo=VCC,比較器的門限電平為:此時電容C充電,反相端電位逐漸上升。

2、當反相端電位上升到VT1時,比較器翻轉,輸出電壓Uo

=-VCC,此時比較器的門限電平為:此時電容C放電,反相端電位逐漸下降。

3、當反相端電位下降到到VT2時,比較器再次翻轉,輸出電壓Uo

=VCC,電路再重複(1)的動作。三、振盪週期(取決於門限寬度和RC充放電速率)補充:RC充放電回路的基本方程:基本方程:若t

=0時刻有UC

=0,則任意t時刻:電容電壓從UC1上升到UC2的時間為:對於矩形波發生電路,輸出為高電平的時間內,電容電壓由VT2上升到VT1,外加電壓為VCC,時間為:同理,輸出為低電平的時間內,電容電壓由VT1下降到VT2,外加電壓為-VCC,時間為:故振盪週期為:四、占空比可調的矩形波發生器。基本原理:利用二極體的單向導電性,使電路的充電和放電的不同,從而控制電路輸出的占空比。輸出高電平時,電容充電時間由R’控制:輸出低電平時,電容放電時間由R控制:

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