CN119486397A 一种用于超大电流的led外延片及其制备方法 （江西兆驰半导体有限公司）

一种用于超大电流的LED外延片及其制备方法用于超大电流的LED外延片及其制备方法，所述第三GaN层、InxGa1-xN层和AlyGa1-yN层于生长后N2和NH3的氛围下进行。实施本发明的LED外延2其中，所述应力释放层为周期性结构，每个周期性结构包括依次层叠的第三GaN层、2.如权利要求1所述的用于超大电流的LED外延片3.如权利要求1所述的用于超大电流的LED外延片<1；5.如权利要求1所述的用于超大电流的LED外延片，其特征在于，所述InxGa1-xN层和4。所述AlyGa1-yN层的厚度为0.5n所述InxGa1-xN层的生长温度为800℃~1000℃,生长压力为100torr~300torr，生长氛围2和H2H2的通入流量为7mL/min~75m所述AlyGa1-yN层的生长温度为800℃~1000℃,生长压力为100torr~300torr，生长氛围2和H2H2的通入流量为7mL/min~75m9.一种如权利要求1-8任一项所述的用于超大电流的LED外3其中，所述应力释放层为周期性结构，每个周期性结构包括依次层叠的第三GaN层、控制反应室的温度为800℃~1000℃,压力为100torr~300torr，通入NH3和N2并保持4[0001]本发明涉及半导体的技术领域，尤其涉及一种用于超大电流的LED外延片及其制于常规较小电流的LED外延片在超大电流下工作，制成的LED芯片的发光效率会迅速衰减，[0004]本发明所要解决的技术问题在于，提供一种用于超大电流的LED外延片及其制备其中，所述应力释放层为周期性结构，每个周期性结构包括依次层叠的第三GaN所述AlyGa1-yN层的厚度为0.5n[0012]作为上述方案的改进，所述第三GaN层的生长温度为800℃~1000℃,生长压力为5所述InxGa1-xN层的生长温度为800℃~12的通入流量为7mL/min~75mL/min；所述AlyGa1-yN层的生长温度为800℃~12的通入流量为7mL/min~75mL/min。[0013]本发明第二方面还提供了一种所述的用于超大电流的LED外延片的制备方法，包其中，所述应力释放层为周期性结构，每个周期性结构包括依次层叠的第三GaN6重结晶层的设置，有效减少了InxGa1力释放层为InGaN层和GaN层交替生长的周期性结构。而上述外延片形成的LED芯片在超大yN层73于生长后还经过重结晶处理，所述重结晶处理在温度≥800℃,N2和NH3的氛围下进7力状态，从而减少由于晶格失配引起的位错和应力集中，进一步提升晶体质量，所述yGa1-yN层73中0.1＜y<0.5。[0029]在一些实施例中，所述InxGa1-xN层72的厚度为0.5nm~2nm，示例性的为0.5nm、yGa1-yN层73[0031]进一步地，进行所述重结晶层处理时，温度为800℃~1000℃,N2的通入流量为8可以为1050℃~1100℃,生长压力可以为1000℃~1200℃,生长压优选地，所述应力释放层7为周期性结构，每个周期性结构包括依次层叠的第三93xGa1-xN层7233优选地，所述多量子阱层8为InGaN量子阱层和GaN量子垒层交替堆叠的周期性结[0050]进一步地，所述InGaN量子阱层的生长温度可以为700℃~900℃,生长压力可以为50torr~300torr；所述GaN量子垒层的生长温度可以为800℃~900℃,生长压力可以为[0055]需要说明的是，本发明中采用的MOCVD为微A7MOCVD（Metal-organicChemical2其中，所述应力释放层为周期性结构，每个周期性结构包括依次层叠的第三GaN2的通入流量为24mL/min；长InxGa1-xN长AlyGa1-yN[0066]所述InGaN量子阱层的生长温度为800℃,生长压力为150torr；所述GaN量子垒层[0068]所述AlGaN层的生长温度为950℃,生长压力为100torr；所述GaN层的生长温度为