兆易创新深度研究报告：NOR Flash为全球拳头产品营收大增、净利润暴增

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目录一、在存储、MCU、传感器等领域具备较强的市场地位 11、兆易创新产品线由存储向“存储+控制+传感+模拟”平台型扩张 12、股权结构较为分散，第一大股东仅持股6.85% 13、业务由四大板块构成，存储芯片为收入支柱 34、2026年上半年爆发式提升，营收大增、净利润暴增 45、期间费用保持相对稳定，研发强度长期保持高位 76、客户结构相对分散，供应商高度集中 9二、AI大模型驱动存储芯片需求爆发与价格上涨 111、存储芯片是信息技术产业核心基础元器件 112、全球缺口进一步放大 113、国内存储芯片需求量呈现增长趋势 13三、全球市场被三星、SK海力士、美光等美日韩企业垄断 151、NANDFlash领域则由五大厂商主导 152、DRAM领域呈现三巨头高度垄断格局 15四、发展趋势：全面迈向高成长、高附加值的新阶段 171、市场规模与需求维度：AI算力引爆需求，供需缺口延续至2027年 172、技术与产品维度：HBM成竞争焦点，先进封装与新型架构并行 173、产业与竞争维度：国产双雄加速突围，梯队分化格局形成 184、政策与产业链维度：国家大基金持续加码，上游配套加速国产化 18一、在存储、MCU、传感器等领域具备较强的市场地位1、兆易创新产品线由存储向“存储+控制+传感+模拟”平台型扩张兆易创新是聚焦存储芯片、微控制器（MCU）、传感器及模拟芯片的集成电路设计企业（Fabless模式），产品广泛应用于消费电子、工业、汽车、网通、计算及端侧AI等领域。兆易创新前身为北京芯技佳易微电子科技有限公司，由朱一明等共同出资设立，早期即切入存储芯片设计领域；历经A股上市、产品线由存储向“存储+控制+传感+模拟”平台型扩张，并于2026年初完成H股上市，形成A+H两地资本平台。兆易创新发展历程时间重要事件2005.04前身北京芯技佳易微电子科技有限公司设立，进入存储芯片设计领域2016.08登陆上海证券交易所主板，股票代码603986，开启资本化进程2024收购苏州赛芯，切入模拟芯片（电源管理）领域；NORFlash全球市占率约18.5%，居全球第二、中国内地第一2026.01H股在香港联交所主板上市（代码3986），完成A+H两地上市，总股本增至701,102,451股2026H1受益存储行业供给紧张、产品量价齐升及H股上市，上半年营收115.66亿元、归母净利润68.57亿元资料来源：智研咨询整理2、股权结构较为分散，第一大股东仅持股6.85%公司股权较为分散，第一大股东朱一明虽被认定为控股股东及实际控制人，但直接持股比例仅6.85%，不存在单一股东绝对控股的情形。随着2026年1月H股上市，股东户数大幅增至36万户。前十大股东中，陆股通（香港中央结算）及多只指数ETF、公募产品占据重要席位，机构化属性突出。截至2026年9月4日公司前十名股东持股情况序号股东名称持股数量（股）持股比例1朱一明45,758,0136.85%2香港中央结算有限公司41,330,3706.19%3葛卫东17,026,6692.55%4InfoGridLimited13,053,5001.95%5华泰柏瑞沪深300ETF11,019,2051.65%6华夏国证半导体芯片ETF7,961,4571.19%7易方达沪深300ETF7,873,0131.18%8王萍7,556,6821.13%9银河创新成长混合6,200,0000.93%10华夏沪深300ETF6,004,5200.90%资料来源：企查查、智研咨询整理股东总数从2021年末的115,055户，一路攀升至2026年上半年末的360,261户，累计增长超过213%。整体经历了“温和增长—短暂回落—爆发增长”三个阶段。随着2026年1月H股上市，股东户数大幅增至36万户。2021-2026年上半年兆易创新股东总数资料来源：公司公告、智研咨询整理3、业务由四大板块构成，存储芯片为收入支柱公司采取Fabless（无晶圆厂）轻资产经营模式，自成立以来专注集成电路设计与销售，晶圆制造与封装测试环节委外，研发与销售自主可控。业务由存储芯片、微控制器（MCU）、传感器、模拟产品四大板块构成，其中存储芯片为收入支柱。公司主要产品布局及应用领域产品线细分品类主要应用存储芯片NORFlash、SLCNANDFlash、利基型DRAM（DDR4/DDR3L/LPDDR4）消费电子、网通、工业、汽车、计算、端侧AI微控制器（MCU）ARMCortex-M系列、车规/高性能MCU（H7、F5等）工业、消费、汽车、白电、物联网、具身智能传感器指纹识别芯片、触控芯片移动终端、智能穿戴、安防、物联网模拟产品电源管理芯片（PMIC等，含苏州赛芯）消费电子、工业、汽车电子产品线细分品类主要应用存储芯片NORFlash、SLCNANDFlash、利基型DRAM（DDR4/DDR3L/LPDDR4）消费电子、网通、工业、汽车、计算、端侧AI微控制器（MCU）ARMCortex-M系列、车规/高性能MCU（H7、F5等）工业、消费、汽车、白电、物联网、具身智能传感器指纹识别芯片、触控芯片移动终端、智能穿戴、安防、物联网模拟产品电源管理芯片（PMIC等，含苏州赛芯）消费电子、工业、汽车电子资料来源：公司年报、智研咨询整理销售以代理商模式为主、直销为辅，收入约七成来自境外（按客户注册地统计）。2025年兆易创新销售模式资料来源：公司公告、智研咨询整理4、2026年上半年爆发式提升，营收大增、净利润暴增2021—2025年，公司营收由85.10亿元增至92.03亿元（期间CAGR约2.0%），呈“2021高点—2022回落—2023深蹲—2024/2025修复”的走势，核心受存储行业周期与下游需求影响；2023年行业下行致归母净利润仅1.61亿元。2026年上半年，存储芯片供给紧张、量价齐升叠加MCU需求回暖，营收115.66亿元、归母净利68.57亿元。2021-2026年H1兆易创新经营业绩资料来源：公司公告、智研咨询整理分产品看，公司收入高度集中于存储芯片，规模最大，毛利率最高。其收入占比常年保持在60%以上。收入从2021年的54.51亿元波动至2023年的低谷40.77亿元，随后强势反弹，2025年达到65.66亿元，创五年新高。2025年毛利率高达42.84%，是公司利润的核心来源。2021—2025年兆易创新分产品营业收入及毛利率情况资料来源：公司公告、智研咨询整理从产销量看，司2025年四大产品线产销率普遍处于较高水平，其中传感器和模拟产品表现尤为突出，库存管理整体较为健康，但各产品线之间分化明显。存储芯片产销两旺，库存合理。其生产量4,527.18百万颗，销售量4,435.85百万颗，均远超其他产品线，是公司绝对的主力产品。微控制器产销率最低，库存压力最大。其生产量557.74百万颗，销售量500.34百万颗，产销率仅89.7%，在四大产品中垫底。传感器销大于产，去库存成效显著，是唯一销量超过产量的产品。2021—2025年兆易创新主要产品产销量情况主要产品生产量：百万颗销售量：百万颗库存量：百万颗产销率存储芯片4,527.184,435.85548.8998.0%微控制器557.74500.34140.6189.7%传感器219.83244.9830.25111.4%模拟产品2,140.542,137.58531.1699.9%资料来源：公司公告、智研咨询整理从收入地区分布看，公司2025年主营业务收入合计92.02亿元，整体毛利率为40.21%。收入高度集中于中国香港，而毛利率则呈现“海外高于香港、香港高于大陆”的梯度分布。2021—2025年兆易创新主营业务收入地区分布情况资料来源：公司公告、智研咨询整理5、期间费用保持相对稳定，研发强度长期保持高位期间费用方面，销售与管理费用率随营收规模保持相对稳定，财务费用因存款利息等常年为净收益（2026H1受汇兑损失影响转正）。2021—2026年上半年兆易创新期间费用情况资料来源：公司公告、智研咨询整理作为技术驱动型Fabless企业，公司研发强度长期保持高位：研发投入由2021年9.40亿元增至2025年14.04亿元，占营收比例在11%—19%区间波动（2023年行业低谷期占比最高达18.52%）。研发人员规模由854人扩张至1,533人，硕博占比约七成。2021—2026年上半年兆易创新研发投入资料来源：公司公告、智研咨询整理在研发项目方面，公司研发方向围绕存储芯片、微控制器（MCU）、模拟产品、传感器四大产品线展开，整体呈现“巩固优势、拓展高端、完善平台”的战略思路。公司在研项目研发方向研发方向代表性产品/技术拟达目标/进展存储芯片定制化存储、NOR/NAND/DRAM迭代巩固NORFlash全球第二、拓展利基型DRAM份额微控制器(MCU)较高算力MCU、AIMCU、H7/F5高性能车规MCU提升工业、汽车、计算、具身智能等市占率模拟产品电源管理芯片(PMIC，整合苏州赛芯)完善“存储+控制+传感+模拟”平台型布局传感器指纹识别、触控芯片巩固国内指纹识别芯片前列地位资料来源：公司公告、智研咨询整理6、客户结构相对分散，供应商高度集中公司客户结构相对分散（前五大客户销售额占比约22%—33%），但供应商高度集中（前五大供应商采购额占比长期约70%—79%），系Fabless模式对晶圆代工与封测产能依赖所致。竞争格局上，公司多个细分领域居中国内地第一或前列：NORFlash全球市占率约18.5%、全球第二、中国内地第一；SLCNAND、MCU均居中国内地第一；利基型DRAM居中国内地第二。针对客户与供应商集中、行业周期波动等风险，公司通过多品类平台化与下游市场深耕加以应对。2021—2025年公司客户与供应商集中度情况资料来源：公司公告、智研咨询整理二、AI大模型驱动存储芯片需求爆发与价格上涨1、存储芯片是信息技术产业核心基础元器件存储芯片是以半导体集成电路为媒介的数据存储设备，是信息技术产业核心基础元器件。按断电后信息是否保留，分为易失性存储器（DRAM、SRAM等）和非易失性存储器（NANDFlash、NORFlash等），DRAM与NANDFlash合计占市场份额超90%。存储芯片类型断电后信息是否保留分类具体类型断电后信息是否保留分类易失性存储器DRAM、SRAM等易失性存储器非易失性存储器NANDFlash、NORFlash等非易失性存储器资料来源：公司公告、智研咨询整理2、全球缺口进一步放大AI技术快速演进，尤其是大模型的规模化应用，对存储芯片的容量、带宽和速度提出了极高要求，成为本轮涨价的核心动力。AI大模型参数量持续攀升，推理过程中处理器算力远超内存供数速度，高带宽存储（HBM）需求爆发式增长。据统计，2025年全球专用型存储芯片行业市场规模增长至157亿美元，预计2026年全球专用型存储芯片行业市场规模有望达到195亿美元。2020-2026年全球专用型存储芯片市场规模统计资料来源：智研咨询整理同时，全球云厂商大幅加码AI基础设施投资，大量资金投入AI服务器和数据中心，而AI服务器对存储的消耗远超传统架构，形成刚性需求。此外，消费电子旺季备货、补库需求，以及物联网、汽车电子等新兴领域的需求增长形成叠加，进一步放大了市场缺口。2026年全球主要存储芯片产品供需缺口资料来源：智研咨询整理相关报告：智研咨询发布的《中国专用型存储芯片行业市场全景分析及未来前景研判报告》3、国内存储芯片需求量呈现增长趋势中国作为全球重要的消费电子与汽车生产基地及最大的存储芯片消费市场，存储芯片价格暴涨在国内形成了既利好上游设备、材料与国产存储厂商并加速国产替代，又给下游终端厂商带来成本压力、倒逼行业优化升级的双重影响，存储芯片需求量呈现增长趋势，2025年中国存储芯片需求量约37.04亿颗，同比增长11.2%；预计2026年有望突破40亿颗。2020-2026中国存储芯片行业需求量资料来源：智研咨询整理三、全球市场被三星、SK海力士、美光等美日韩企业垄断1、NANDFlash领域则由五大厂商主导长期以来，全球存储芯片市场由三星、SK海力士、美光等美日韩企业主导，掌控了绝大部分先进制程晶圆产能。具体来看，NANDFlash领域则由五大厂商主导，合计占据91.3%的市场份额，其中，三星占30.9%、SKGroup占20.0%、铠侠占14.3%、美光占13.5%、闪迪占12.6%。2025年全球NANDFlash存储芯片行业厂商份额资料来源：智研咨询整理2、DRAM领域呈现三巨头高度垄断格局而在HBM领域，全球仅SK海力士、三星、美光三家实现大规模量产。DRAM领域呈现三巨头高度垄断格局，2025年合计占据超91%的市场份额，销售份额分别为SK海力士（34.40%）、三星（34.00%）、美光（23.50%）。2025年全球DRAM存储芯片行业厂商份额资料来源：智研咨询整理四、发展趋势：全面迈向高成长、高附加值的新阶段1、市场规模与需求维度：AI算力引爆需求，供需缺口延续至2027年中国存储芯片市场正经历AI驱动的“超级增长周期”，市场规模实现跨越式增长，占国内半导体市场比重首次过半，成为半导体产业第一大细分赛道。需求端呈现显著的结构性分化：AI服务器是核心引擎，单台AI服务器DRAM用量是传统服务器的8至10倍，NAND用量是3倍以上，AI服务器已贡献超过50%的DRAM总需求。HBM（高带宽内存）和企业级SSD成为AI加速器标配，云端训练与推理优先拉动高带宽及大容量存储需求，端侧AI则推动LPDDR、UFS等产品的容量与功耗升级。智能汽车单车存储容量从几十GB跃升至TB级，车规级存储成为突围重点。供给端，海外三大原厂虽加大资本开支，但新增产能高度集中于HBM等高附加值产品，导致传统DRAM与NAND有效供给增量稀缺。新建晶圆厂扩产周期长达18至24个月，2027年前几乎无大规模新增有效供给，供需缺口预计将延续至2027年甚至2028年。2、技术与产品维度：HBM成竞争焦点，先进封装与新型架构并行技术演进呈现三大主线：一是HBM成为年度核心黑马赛道。HBM通过3D堆叠和TSV技术实现高带宽，是AI芯片的刚需配套。全球头部厂商正加速推进HBM4研发，数据速率、堆叠层数与带宽持续突破，国内现阶段主要攻关HBM2E与HBM3，HBM4仍有明显代差。二是DRAM与NAND技术持续迭代。DRAM沿带宽、能效和封装协同升级，DDR5、LPDDR5X加速量产；NANDFlash堆叠层数向300层以上迈进，长江存储自研Xtacking架构实现差异化发展，成本较国际厂商具备优势。三是先进封装与新型架构加速落地。CXL内存扩展技术打破“内存墙”，推动存算分离与内存池化；存算一体、MRAM、RRAM等新型非易失性存储在边缘计算、物联网及车规MCU领域实现规模化商用。3、产业与竞争维度：国产双雄加速突围，梯队分化格局形成全球存储芯片市场呈“3+1”寡头垄断格局，三星、SK海力士、美光三家合计占据DRAM市场约90%份额、NAND市场约85%份额。中国厂商加速突围，长鑫存储与长江存储双双跻身全球第四，国产DRAM与NAND全球市占率均提升至个位数至两位数区间。国内已形成以长江存储（NAND）、长鑫存储（DRAM）为核心的IDM双龙头，以及兆易创新（NORFlash）、澜起科技（内存接口芯片）、江波龙（模组）等细分领域头部企业协同发展的产业集群。行业加速向具备核心技术、规模产能和资金实力的头部企业集中，中小厂商聚焦车规级、工业级等利基市场错位竞争。