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的制备方法包括：在制备容器(10)中放入原料(20)依次形成第一原料层(21)和第二原料层第一原料层(21)包含的所述硅粉和所述碳粉的的所述碳粉和所述硅粉的摩尔比为1:1；对所述能解决相关技术涉及的制备方法容易导致碳化2在制备容器(10)中放入原料(20)依次形成第一原料层(21)和第二原料层(22)；其中，对所述制备容器(10)内的所述原料(20)进行热处理，以使3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述碳化硅颗粒的粒径为400μm~使得所述原料(20)中用作所述第一原料层(21)将摩尔比为1:1的所述碳粉和所述硅粉在研磨罐内进行至6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，对所述制备容器(10)内的所述原料将所述制备容器(10)置于反应室中进行热处理，其中，所述反应室的真空度小于1E_10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在制备容器(10)中放入原料3[0010]本申请实施例公开的碳化硅的制备方法，通过对相关技术中的制备方法进行改[0012]图2是本申请实施例公开的氧化硅的制备方法中原料放入到制备容器内的示意[0013]图3是在第一原料层所包含的硅粉和碳粉为不同的摩尔比下，碳化硅的出料率示4[0021]相关技术通过对由碳粉和硅粉按照摩尔比1:1混合而成的原料进行加热来制备碳21可以放置在制备容器10内温度较高的区域，例如第一原料层21放置在制备容器10(受热时)温度较高的底部区域。第二原料层22可以放置在制备容器10(受热时)温度较低的中部5[0029]本申请实施例公开的碳化硅的制备方法，通过对相关技术中的制备方法进行改和硅粉的摩尔比为1:1时的碳化硅的出料率，本申请实施例将第一原料层21包含的硅粉和6[0039]通过将用作第一原料层21的碳粉和硅粉以及用作第二原料层22的碳粉和硅粉进以小于1E_4Pa，按照预设梯度将反应室内的温度升至1900℃~2100℃后，持续加热10～15

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