晶体结构分析把握

1、x射线衍射强度，定义：在单位时间内，通过与衍射方向垂直的单位区域的x射线光量子数。x射线衍射强度表示衍射峰(或由积分强度-衍射峰轮廓包围的面积)的高度，以反射线的无或强度大小表示。结构因素，定义：定量表示原子种对原子排列和衍射强度影响的标准数。是晶体结构对衍射强度的影响因素。结构元素包括：(1)电子对x射线的散射，(2)原子对x射线的散射，(1)晶体细胞对x射线的散射，电子对x射线的散射，电子对x射线的散射，电子对r在p中的强度I e在(1)表达式中，re是经典电子半径，i0-i0M-电子质量；C-光速； 0-真空介电常数；2 -电场所有点处的原点连接和入射x射线方向的角度；R-电场中所有点p

2、处发生散射的电子距离。此样式是电子对x射线散射的Thomson公式。电子对x射线散射的特征：散射线的强度很弱，入射强度约为入射强度的二十分之一；散射线强度与到观察点距离的平方成反比。 2=0时，漫反射强度最强，只有这些波满足一致的散射条件。20时散射线的强度减弱。2=90时，散射线强度降低到最大2=0的一半。这个式子表明，一束未偏振的x射线被电子散射后，其强度在空间的各个方向上发生了不同的偏振。-偏角因子(极化因子)、一个原子的x射线散射、原子散射波是原子中每个电子散射波的合成结果，原子中的z电子根据电子云定律分布在不同的位置，因此同一原子中的每个电子在一定方向上的波相位不同。(图)，原子散射

3、强度，入射x射线分别照射原子中任意两个电子a和b。在xx方向上散射波2=0；相位差可以视为零。此时，如果z电子集中在一点上，则原子散射强度为：在任意方向，如ia=Z2Ie K5;5;原子散射波强度：Ia Z2Ie，原子散射系数，定义：相同条件下原子散射波与电子散射波的波振幅之比或强度之比：类型：A a，A e分别为原子和电子散射波振幅。Ia=Aa2，Ie=Ae2也称为原子散射波振幅，因为它以电子散射波振幅单位测量原子的散射波振幅。原子散射系数反映了在与图sin/减小、f增大等sin和相关的特定方向上分布x射线的原子的效率。如果Sin=0，则f=Z，通常fZ，f值可在附录中找到。必须指出，非相干

4、散射与相干散射一起发生。两种散射强度的比例与原子中结合力弱的电子所占的比例密切相关。结合力弱的比率越大，非相干散射和相干散射的强度比越大。因此，原子数越小，非相干散射就越强。晶体细胞-x射线散射，晶体细胞内所有原子散射波的合成振幅不是简单地加每个原子散射波振幅，而是与原子散射因子f，原子间的位置差，晶体细胞内的原子数n相关。分别是f1Ae、f2Ae、fiae、fnnae和入射波的相位差分别为 1、 2、 j、 n晶体细胞中每个原子干涉散射波的合成振幅Ab为ab=AE (f1ei 1 f2ei 2.fn)=AEFJ EIIj、结构振幅fkl、结构振幅f:以一个电子散射波振幅AE单位表征的单位单元

5、散射波振幅Ab，即hkl晶面的原子坐标是(uvw)和原点处原子的hkl晶面反射的位置的差值，可以表示此公式适用于所有晶体系统。，hkl(主立面结构振幅fkl的复合指数表达式为：单位单元散射波的强度：与结构振幅的平方成正比，其值通常称为结构元素，表示单位单元内原子类型、原子数和原子位置对(hkl)晶体表面衍射强度的影响。计算结构元素，简单单位单元结构元素一个单位单元中的一个原子，位于占位符原点：F=fe2i(0)=f F2=F2可见F2独立于h k l，对于所有反射都具有相同的值。倾斜中心晶体细胞的结构因子，其中一个细胞有两个同种原子，分别位于000和1/2 1/2 0。(h k)总是整数，因此f只能获取实数。如果h和k都是偶数或奇数(称为同性数)，则f=2f2=F2，并且如果h和k是异性数，则F=0，因此指数l的值对结构元素没有影响。质心立方体的结构因子在一个立方体内，两个同种原子分别在000和1/2 1/2 0。对于F=2f (h k l)，偶数F2=f2 F=0 (h k l)