模拟电子技术1第二节 半导体二极管

1、第二部分半导体二极管、PN结和单向导电、二极管电压-电流特性、二极管主要参数、稳定器管、完整目录、下一页、1。PN接头中的托架运动、空间电荷区域、内部电场、UD、又称耗尽层、PN接头。最终扩散运动和漂移运动在PN连接中实现总电流为零的动态平衡。内部电场也称为屏障(阻挡层)，阻止扩散运动，但有利于漂移运动。硅大约(0.60.8)V锗大约(0.20.3)V，一，PN结及其单向导电，下一页，上，槽，N，P，正向电流，外部电场，空间电荷区变窄，2 .PN接头的单向导电，1)加上正向电压、耗竭层、内部电场、UD-U、外部电场称为正向或正向偏置(正向偏置)，PN接头处于正向传导状态，静态等效电阻较小。下一

2、个、上、主页、R、V称为反向连接或反向偏移(简单地说是反向偏移)，外部电场对漂移运动有利，对扩散运动不利。反向电流很小，PN连接处于阻塞状态。2)加上反向电压，对温度非常敏感。向下，向上，凹槽，P，N，2，二极管的伏安特性，正极来自P区，负极来自N区。1 .二极管类型与材料分离：硅二极管和锗二极管。点接触二极管：工作电流在高频下工作，适用于检测和低功耗整流电路。面接触型二极管：工作电流仅在较低的频率下工作，可用于整流。开关二极管：在脉冲数字电路中用作开关管。上下，凹槽，正向电压超过死区电压的话，二极管传导，电流和电压之间的关系几乎是指数关系。对于硅二极管为0.7V左右的锗二极管为0.2V，对于

3、硅二极管为0.5V左右的锗二极管为0.1V，死区电压为：传导电压为：1)正向特性，第页，主页，第2页。二极管的伏安特性，半偏置时反向电流值小，反向电阻大，如果反向电压超过UBR，就会被破坏。IS、反向特性、UBR、结论：二极管具有单向传导、正向传导和反向阻断功能。二极管方程：反向饱和电流，反向击穿电压，U UT的I-IS，表达式：IS为反向饱和电流UT为温度电压等效，常温下UT近似为26mV。2)反向特性，向下，向上，凹口，正向特性，死区电压，Is，UBR，反向特性，-，UD，I，二极管电压电流特性曲线，向下，向下IF值仅限于二极管允许的温度上升。2、在最大反向工作电压UR操作中，添加到二极管

4、两端的反向电压不得超过此值，否则二极管可能损坏。为了留下馀地，经常将击穿电压UBR的一半设置为UR。向下、向上、凹槽、室温条件下向二极管两端添加指定的反向电压时，流经管子的反向电流。通常，IR值越小越好。IR受到温度的影响很大。4、最大工作频率fM fM主要取决于PN结电容器的大小。接合电容越大，二极管允许的最大工作频率越低。下、上、3、反向电流IR、槽、二极管除单向导电外，还具有一定的电容效果。*5，屏障电容Cb由PN结的空间电荷区形成。也称为接合电容器，在反向偏移时起主要作用。*6，扩散电容器光盘是在扩散过程中大部分载波积累引起的，在正向偏移时起主要作用。下，上，槽，4，稳定管，1，稳定管

5、是与二极管不同的面接触二极管。a .通过特定工艺，故障状态完好；b .破坏是可以逆转的。符号和特性曲线为、 u、 I、值较小、电压调节器特性、阴极、阳极、下页、上页、主页、1)稳定电压UZ:反向击穿时稳定管工作电压。2)稳定电流IZ:稳定管正常工作时的基准电流。3)动态内阻rZ:压力管道两端电压和电流的变化量。RZ=U/I 4)额定功耗PZ:电流通过稳定管时消耗的功率。(5)电压的温度系数U:稳定管电流不变时环境温度对稳定电压的影响。2，主要参数：下一页，上一页，主页，使用电压调节器配置电压调节器电路时要注意：电压调节器必须在反向击穿区域工作。稳定器管必须与负载RL平行。必须限制通过稳定管的电流。下，上，主页，示例1.2.1已知uI=umsin t，绘制uO和uD波形，Um，ui 0二极管传导，uo=，反向偏移，如交换机断开。下，上，主页，示例1.2.3回路已知的UImax=15V，UIM in=10vsiz max=50ma，IZmin=5mA，RLmax=1k，如图所示找到RZ，选择限流电阻r。下，上，主页，解决方案：iz=IR-io，=，ui-uz，r