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文档简介

1、A,1,內層線路,一、一般使用1.2mil厚度之乾膜。通常膜厚度越薄解析度越 高，解析度是指乾墨經曝光顯影後所呈現之線路之粗 細。 二、使用負片底片作業(以乾膜保護線路)。 三、廠內內層顯影速度為3.0m/sec，由於顯影液PH值廠商建 議為10.6，而廠內僅為10.2明顯濃度不足，故建議顯影 速度降低至2.8m/sec。(451-005全死在這裡) 四、使用氯化銅酸+鹽酸走酸性蝕刻(須注意水滯效應之影 響)。,A,2,內層乾膜,1.2mil乾膜,PP,基材銅,A,3,內層曝光&顯影,底片空白處即為線 路，此為負片底片,負片底片,1.2mil乾膜,光線經由底片空白處照 射到乾膜，此乾膜用來 保

2、護線路不被蝕刻。,此處乾膜沒有接觸 到光線故會被顯影掉,基材銅,PP,A,4,內層蝕刻,乾膜保護線路,此處即為線路,此處銅箔被蝕刻掉,PP,A,5,內層剝膜,乾膜被清掉,PP,此處即為線路,A,6,外層線路,一、廠內使用1.5mil乾膜。 二、底片使用正片作業(於二銅時以鍍錫鉛保護線 路)。 三、鹼性蝕刻蝕刻液成分忘了。 四、僅可單面曝光。因為曝光機台玻璃面透光能 力較塑膠面佳。因此外層把上燈管給拆掉了。,A,7,外層乾膜,1.5mil乾膜,PP,基材銅,一銅,A,8,外層曝光&顯影,正片底片,1.5mil乾膜,基材銅,PP,一銅,黑色部分即為 線路,此處乾膜沒有被光 線照射故被顯影掉,A,9

3、,鍍二銅&鍍錫鉛,1.5mil乾膜,基材銅,PP,一銅,錫鉛,二銅(約0.7mil),約0.3mil,A,10,剝膜,基材銅,PP,一銅,二銅(約0.7mil),錫鉛,乾膜已被清除將需 蝕刻部分顯漏出來,需蝕刻部分,A,11,鹼性蝕刻,基材銅,PP,一銅,二銅,錫鉛,錫具有怕酸不怕鹼之 特性故能保護線路,A,12,剝錫,基材銅,PP,一銅,二銅,A,13,附註,一、TENTING製程為一銅加二銅後以負片 作業走酸性蝕刻，作業方式如同內層 作業。若外層搭配1.2mil乾膜可蝕刻較 細線路，但若銅厚太厚或是鍍銅不均 勻，則易造成蝕刻不潔而短路。因此 雙面板或多層板若走TENTING製程其 基板銅厚通常為1/3oz或1/4oz居多以期 能達到較佳的時刻效果。,A,14,二、PATEN製程為一銅後外層乾膜再鍍二銅走鹼性蝕刻，此為廠內一般外層線路做法。通常一銅鍍0.3mil二銅鍍0.7mil。如遇線距較細且密集的電路板，在二銅製程時易造成夾膜短路。二銅製程依序簡述為 鍍銅鍍錫剝膜鹼性蝕刻剝錫，二銅是鍍在線路上，乾膜是附著線距上面，因此當線距較細小時兩旁的線路會因鍍銅的關係使線路上幅連結將現距上的乾膜包覆在銅內，此即為夾膜短路如下圖。故外層線距較細小時通常都走TENTING製程。,A,15,

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