电子技术基础—数字部分康光华主编课件 (33).ppt

1、2020/7/13，1，8章内存和可编程逻辑设备简介，8.1.3内存应用程序2EPROM的应用程序，8.1.2只读存储(ROM)，8.1半导体内存，8.1.4其他类型的存储简介，2020/7/13，13缺点？存储容量是如何计算的？RAM如何实现字扩展？2020/7/13，3，8.1.2只读存储(ROM)，1。存储在固定ROM、只读存储中的内容通常是固定的，在正常运行期间只能读取，不能写入，并且在断电后不会丢失其中存储的内容，因此称为只读存储。ROM配置：地址解码器存储矩阵输出电路。图8-4 ROM结构框图，2020/7/13，4，地址解码器具有n个输入端，2n个输出信息，每个输出信息对应于信息

2、单元，每个单元具有2个单词(W0、W1、w2-1称为单词行)。每个单词都有m位，从D0、D1、Dm-1(称为水印)输出。存储容量为2纳米(导线标记)。ROM的存储设备可以用二极管、晶体管和MOS管实现。2020/7/13，5、图8-5二极管ROM、图8-6字读取方法、所述存储单元是否具有1或0，以及是否访问所述二极管。2020/7/13，6，为了便于表示和设计，简化图8-5的存储矩阵，如图8-7所示。图8-7 44 ROM阵列图，存储单元、地址解码器，图8-5二极管ROM，2020/7/13，7，在编程之前，存储矩阵中所有存储单元的保险丝已连接。也就是说，每个单元存储为1。根据需要，使用特定编

3、程工具将某些存储单元的保险丝烧成高电流，存储该单元的内容为零，此过程称为编程。保险丝烧断，无法重新连接，因此PROM只能编程一次。2可编程只读内存(PROM)，图8-8 PROM中的可编程存储单元，2020/7/13，8，3可擦除的可编程ROM(EPROM)，首先出现的是通过紫外线曝光清除的EPROM。浮栅莫氏管(FAMOS管)灌嘴被SiO2绝缘层隔离并浮动，因此称为出图灌嘴。如果浮栅带负电荷，则FAMOS管具有传导状态，源泄漏被视为短路，存储的信息为零。如果浮栅没有电荷，则FAMOS管被切断，源漏极可以被视为开路，存储的信息为1。2020/7/13，9，图8-出图栅EPROM (a)出图栅M

4、OS管结构(b) EPROM存储单元，负-传导-存储0，活-关-存储1，2020/，在写入信息时，在该装置的泄漏极和基板之间添加了足够的逆电压，泄漏极和基板之间的PN连接被破坏，由雪崩破坏产生的高能电子堆积在支架网上，从而传导FAMOS管。去除外部反向电压后，浮沉的电子没有放电电路，因此可以长期保存，在环境温度下，上述电荷可以保存一年以上。如果用紫外线照射FAMOS管分，聚集在浮雪门的电子形成光电流，释放导电通道消失，FAMOS管再次回到阻塞状态。为了方便擦除，芯片的封装外壳配有透明的石英罩。2020/7/13，11，8.1.3存储中的应用程序，2EPROM中的应用程序，程序存储，基于代码的转

5、换，字符发生器，波形发生器等。例如：8个波形发生器电路。将一个周期的三角波等分成256个，求出每个点的函数值，并编码为8位二进制，生成256字节的数据。同样，还可以获得锯齿波、正弦波、阶梯波等徐璐其他8个波形的数据，这8个数据集在2716中记录为2048字节。2020/7/13，12，图8-13 8个波形发生器电路图，波形选择开关，256进制计数器，存储8个波形数据，通过8位DAC转换为模拟电压。2020/7/13，13，表8-2 8波形和存储地址空间分配，S1，S2和S3:波形选择开关。在CP脉冲下，在00HFFH下定期计算两个十六进制计数器时，该波形的编码数据将依次出现在数据线D0D7上，

6、并且在D/A转换后，可以从输出点获得该波形的模拟电压输出波形。2020/7/13，14，图8-14三角波细分，以三角波为例说明其实现方法。如图8-14所示，三角波使用256个值表示波形的变化。EPROM2716(2K8位)的地址结束A0A7在水平方向上以257个点的顺序提供，地址解码器的输出为256个(最后一个位是此周期的结束和下一周期的开始)。因为2716是8位，所以垂直方向的音高必须转换为8位二进制数。2020/7/13，15，表8-3三角波存储表，以用户编程方式将这255个二进制数写入该存储单元，如表8-3所示。如果选择2716的高3位地址A10A9A8作为0，则该三角波占用的地址空间为

7、000H0FFH，共256个。2020/7/13，16，8.1.4其他类型的存储简介，1。EEPROM，以电子方式在线擦除和编程的只读内存。存储装置采用浮栅隧道氧化物层MOS管。记录的数据在室温下至少可以保存10年，删除/写入次数为10万次。2 .闪存闪存采用了类似于EPROM中堆栈MOS管的结构，同时保留了eEPROM通过隧道效果清除的快速特性。理论上属于ROM内存。功能上相当于RAM。单片容量达到64MB，正在开发256MB闪存。可重写的编程次数达100万次。2020/7/13，17，美国Dallas半导体公司推出的封装集成电池后备电源的静态读写存储。此外，高容量长效锂电池作为备用电源，在低功耗SRAM芯片上添加了可靠的数据保护电路。与SRAM一样，性能和使用方法可以在断电的情况下保存10年的信息。缺点主要是体积稍大，价格高。另外，nvSRAM由内部机制确定非易失性因素，而无需电池后备电源。取代EPROM，广泛用于通信设备、办公设备、医疗设备、工业控制等。3 .非易失性静态读写内存NVSRAM、2020/7/13，18、串行内存旨在适应某些设备对组件的低功耗和小型化要求。主要特性：存储的数据按顺序以串行方式写入和读取，因此对每个存储单元的访问与存储中的位置相关。4 .串行存储，5 .多端口存储MPRAM，多端口存储是一种存储