场效应管放大电路5.5.ppt

1、，5场效应晶体管放大电路，5.1场效应晶体管，5.3结场效应晶体管，* 5.4 GaAs场效应晶体管，5.5各种放大器件的电路性能比较，5.2场效应晶体管放大电路，5.1场效应晶体管，5.1场效应晶体管，5.1场效应晶体管的主要参数，5.1.2氮沟道耗尽场效应晶体管，5.1.3磷沟道场效应晶体管，5.1.4沟道长度调制效应，见P199，5.1.1氮沟道增强场效应晶体管的分类，1。结构(N沟道)，长：沟道长度，宽：沟道宽度，1。5.1.1 N沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管，截面图，1。结构(N沟道)，符号，5.1.1 N沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管，2。工作原理：(1)vGS控

2、制通道，当vGS=0时，没有导电通道，当在D和S之间施加电压时，无论极性如何，都不会产生电流。当vGSVT发生时，在电场的作用下会产生一个导电(感应)通道。当在直流和交流之间加电压时，就会产生电流。VGSVT越大，导电通道就越厚。VT称为导通电压(由P202定义)，(动画2-4)，2。工作原理，(2)2)VdS对沟道的控制作用，漏极d附近的电位增加，电场强度降低，沟道变薄。当vGS不变时，导电(感应)通道在电场的作用下产生。在d和s、vDS、iD、沟道电位梯度之间施加电压后，整个沟道呈楔形，当vGS恒定(vGS VT)、vDS、iD、沟道电位梯度时，以及当vDS增加到使vGD=VT时，在靠近漏

3、极处发生预收缩。2。工作原理，(2)vDS对通道的控制作用，其中vGD=vGS-vDS=VT，预箝位后，VdS的夹断面积延长，通道电阻和iD基本不变，2。工作原理，(2)VDS对通道的控制效果，(动画2-5)，2，3。伏安特性曲线和大信号特性方程，(1)输出特性和大信号特性方程，当截止区为vGSVT时，导电通道尚未形成，iD0为截止工作状态。3。V-I特性曲线和大信号特性方程，(1)输出特性和大信号特性方程，可变电阻面积vDS(vGSVT)，因为vDS很小，所以可以近似地认为rdso是由vGS控制的可变电阻，3。伏安特性曲线和大信号特性方程，(1)输出特性和大信号特性方程，Kn为电导常数，3。

4、伏安特性曲线和大信号特性方程，(1)输出特性和大信号特性方程，饱和区(恒流区，也称放大区)，电压谷值，电压谷值，即电压谷值的标识，伏安特性，3。伏安特性曲线和大信号特性方程，(2)传递特性P204 1。结构和工作原理简述(n通道)。二氧化硅绝缘层掺杂有大量正离子，可在正或负栅源电压下工作，基本上没有栅电流。5 . 1 . 2v-I特性曲线和大信号特性方程见p206、(n沟道增强)、(n沟道耗尽)、5.1。5.1.4通道长度调制效应P207，实际上，饱和区的曲线不是平坦的，L的单位是m，当不考虑通道调制效应时，0，曲线是平坦的。校正后，5.1.5场效应晶体管的主要参数P208，1。DC参数，NM

5、OS增强：1。开启电压VT(增强参数)，2。夹断电压VP(耗尽参数)，3。饱和漏电流IDSS(耗尽参数)，4。DC输入电阻RGS (1091015) 1。输出电阻rds:当不考虑通道调制效应时，0，rds，5.1.5场效应晶体管的主要参数，2，交流参数，5.1.5场效应晶体管的主要参数，结束，3，限制参数，1。最大漏极电流IDM，2。最大耗散功率PDM，3。最大漏极-源极电压，5.2场效应晶体管放大器电路，5.2.1场效应晶体管放大器电路，1。DC偏移和静态工作点的计算，2。图形分析，3。小信号模型分析，*5.2.2带PMOS负载的NMOS放大器电路，5.2.1场效应晶体管放大器电路，1。DC

6、偏移和静态工作点的计算，(1)简单共源共源放大器电路，DC路径，5.2.1场效应晶体管放大器电路，1。DC偏置和静态工作点的计算，(1)简单的共源放大电路(N通道)，假设它是真的，结果是理想的。让Rg1=60k，Rg2=40k，Rd=15k，尝试计算电路的静态漏极电流IDQ和漏极-源极电压VDSQ。VDD=5V，电压=1V，5.2.1场效应晶体管放大器电路，1。DC偏置和静态工作点的计算，(2)具有源电阻r的NMOS共源放大器电路，5.2.1场效应晶体管放大器电路，1。静态3下DC偏差和静态工作点的计算。电流源偏置，VDSQ VDQ VS，5.2.1场效应晶体管放大器电路，2。图形分析见P21

7、5。注意：因为负载是开路的，并且交流负载线与DC负载线相同，所以使用DC负载线代替交流负载线，5.2.1场效应晶体管放大器电路，3。小信号模型分析，(1)模型，5 3。小信号模型分析，(1)模型，低频小信号模型当=0，低频小信号模型当0，高频小信号模型，见P217，3。小信号模型分析，解决方案：获得实施例5.2.2中的DC分析：(2)放大电路分析(实施例5.2.5)，s，3 (2)放大器电路分析(实施例5.2.6)，公共漏极放大器电路，见P219，解决方案：3。小信号模型分析，(2)放大器电路分析P220，* 5.2.2带PMOS负载的NMOS放大器电路，本节不要求教学，有兴趣的请自学。5.3.2 JFET特征曲线和参数，5 . 3 . 3 JFET放大电路小信号模型分析方法，5 . 3 . 2 JFET结构和工作原理，1。结构，符号#中的箭头方向是什么意思？(动画2-8)，2。工作原理，vGS对沟道的控制作用，当vGS为0时(以N沟道JFET为例)，当沟道被夹断时，对应的栅源电压VGS称为夹断电压VP(或VGS(关)。对于n通道JFET，VP 0。PN结反向偏置、耗尽层增厚、沟道变窄。vGS持续下降，通道持续变窄。工作原理，(以n沟道JFET为例)，vDS对沟道的控制作用，当vGS=0时，vDS、iD、g和d之间