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文档简介
1、半导体存储器、9.1只读存储器(ROM )、只读存储器、固定ROM、可程序设计师ROM、可擦除可程序设计师ROM、随机存储器、双极RAM、MOS型RAM、静态存储器、串行存储器、9.1.1 ROM的、和b0 b1 bN-1,D0 D1 DN-1,可以是、可以是、可以是、可以是、可以是、可以是、可以是、可以是、可以是、可以是、可以是、可以是、可以是、可以是、可以是、 您可以选择:一、一、一、二、三、四、五、六、七、八二进制位二极管的ROM构造,A1 A1 A0 A0,W0 W1 W2 W3, D3 D2 D1 D0、d0=w2w3=a1a0a0d1=w0w1=a1a0a0d2=w1w2w3=a1
2、a0a0d3=w0w3=a1a0a0a 0、9.1.2固定ROM制造商将信息写入内存,用户可以选择当向、二进制位线Yi、字线Wi不能够变更、9.1.4可改写的ROM(EPROM )、二进制位线Yi、字线Wi、PROM存储单元浮动男同性恋注入了一盏茶量的电子时,管的导通电压比注入前高表示该用户针织面料的存储信息为1。 9.1.5电消去程序设计师ROM(E2PROM ),字线Wi,d,T1 S,g,浮动男同性恋, 您的节制闸、您的名字、我的名字、我的名字、我的名字、我的名字、我的名字、我的名字、我的名字、我的名字、我的名字。、E2PROM的存储单元的三种工作状态,9.1.6闪存闪存存储器EPROM
3、结构简单,二进制位线Yi,字线Wi,闪存单元,d,s,g,字线Wi,闪存单元,字线Yi,字线Wi, 闪速存储器结构与SIMOS管类似,但是从浮动男同性恋到基板间的氧化层变得更多的9.1.7 ROM的应用1)ROM实现组合逻辑函数例9.1.1试用rom实现组合逻辑函数F1=AB AC,F2=AB BC,b (d0 )。 f1=abcabcabc,f2=ABC ABC ABC,f1=abcabcabc,f2=ABC ABC ABC,f1=abcabcabc,f2=ABC ABC ABC,f2=a 的半导体查询密码管、液晶查询密码管、共阳极、共阴极、2020年7月18日星期六,第4章组合逻辑电路,1
4、1,(a )外形图,(b )等效电路,图4.2.13 C391E A3A0:8421BCD输入端子,YaYg级输出端子,2020年7月18日星期六,第4章组合逻辑电路,1 图4.2.15 015十六字符显示,2020年7月18日星期六,第4例9.1.2试用ROM实现了8421BCD查询密码的7段显示解码器电路,解:输入地址为4二进制位,输出数据为7二进制位的16字节7二进制位ROM,地址解码器,、解应该选择的A3 A2 A1 A0,A3 A2 A1 A0,m3 m4,m5,m6 m7,m8 m9,m10,m11 m12图中的点表示有点,该存储单元为1,数据通过输出缓冲器连接到光栅能源宝如果选择
5、了地址查询密码A2A1A0所在的行,则该行的内容作为光斑反映在星空卫视能源宝上。 地址编码器、A2 A1 A0,D4 D3 D2 D1 D0,A2 A1 A0, A2 A1 A0 9.2随机存储器(RAM) 9.2.1静态RAM 1)基本结构(由存储器能源宝、地址解码器和读写控制电路构成) (1)存储器能源宝、列解码器、行解码器、A5、A0、A7, 您可以选择:您可以选择、您可以选择、您可以选择、您可以选择、您可以选择、您可以选择、您可以选择、您可以选择、您可以选择。、Y0,Y1,Y7,R/控制电路EN,G1,I/O,EN,G2,、G4,G5,EN,G3,G5,、 R/,存储器能源宝6464,列I/O电路,列地址解码器,Y0 Y15,a0a1,I/O3,I/O2,I/O0,I/O1,列地址解码器,Y0 Y15,a0a1,I/O3,I/O2,I/O0,I/O1,列地址解码器, 2114刀片式位扩展盘、2114刀片式服务器、2114刀片式服务器、2114刀片式服务器、2114刀片式服务器。 可以选择,可以选择,可以选择,可以选择,可以选择,可以选择,可以选择,可以选择,可以
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