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文档简介

1、光刻基本操作,一、认真核对随工单，检查随工单上的工步与片子数是否与实际相符，如果正确，将其倒入黑盒中，用倒边器检查片子是否有崩边，若有则查对随工单上是否有标明，若无，退回上步工序。确定无误后，按照随工单上的要求制作。 二、光刻的主要步骤： 匀胶、前烘、曝光、显影、显影后检查,匀胶：,目的：在硅片表面均匀涂上一层厚度一定的 光刻胶 准备工作：、泡胶嘴、擦胶嘴、走陪片 、检查胶瓶内光刻胶（胶液面 距瓶底5厘米，及时更换新 胶，并填写“换胶记录表”） 、按随工单加工工步、匀胶程序 确定表，选择正确的匀胶程序,注意：在匀胶过程中，如发 生不明原因的报警应 通知设备人员；停用5分钟以上应先匀3个 陪片，

2、方可进行正式片的匀胶,前烘,目的：将涂在硅片表面的胶內溶剂充分挥发， 增强抗显影能力 主要步骤：、将匀完胶的硅片从黑色的片架 中倒入白色的四氟片架中 、将硅片放入烘箱中，负胶烘15 分钟，正胶25分钟 、将烘好的硅片取出，倒入黑色 聚乙烯片架中 注意：操作时必须带上手套操作,曝光,目的：将掩膜版上的图形复印到硅片上 主要步骤： 、检查光刻版：将光刻版放在UV灯下检查， 照射背面检查是否有颗粒，若有用氮气吹 掉，切忌不要吹正面 、装版：将版盒打开，开口方向背对自己， 将光刻版正面朝下，箭头朝左下方，扣上 版盒，准备曝光,、上版与对版： RTLDRCHG/N FILE NAME = C：MK609

3、- RETICLE NAME = M2 EXECUTE？,X,Y,、 曝光操作： FEXPPRNT/IO 。 。 PARAMETER CHECK COMPLETE (YOR N)=_N_ 找到 EXP. TIME= 按“空格”修改曝光时间（见下页“曝光时间确定表”） HOW MANY WAFERS = _1_ 待片子上到载片台后，手动对准标记进行 曝光，显影，检验，确认无误后，对硅片继续 进行曝光,一次曝光为NEXP,曝光时间确定表,目的：将未感光部分的负性光刻胶溶除，留下感光部分的胶膜；将感光部分的正性光刻胶 除，留下未感光部分的胶膜 注意事项：、检查N2压力不低于22PSI，真空 压力必须大于22或23Hg/cm2,显 影液压力调制15PSI 、检查显影液是否够，若不够，要 及时添加 、机器若出现故障，及时通知班长 或技术员,显影,注意：氧化层光刻后带胶注入的片子一 定要走热盘,目的：确定光刻胶成像情况及表面情况是否符 合要求，以确定能否进行下道工序 基本步骤：、UV灯下检查光刻胶是否有划 伤、沾污或覆盖不完全的情况 、显微镜下检查是否没有光刻胶 图形、重复曝光、浮胶、图形 套偏（错行，错位）、接触不 良、曝光不适度、光刻胶覆盖 不完全、显影不彻底、连条、 沾污、缺口、毛刺等现象,显影后检查,思考题 1、匀正式片之前为什么

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