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文档简介

1、第五章 半导体激光器的性能,性能,静态性能：阈值 ，电光量子效率 ，线宽和光谱、寿命,动态性能：调制带宽，调制畸变，自脉冲等,（直流）,（交流）,5.1 LD的阈值特性,阈值作用： 衡量LD内是受激发射还是自发发射 的有无是区分LD与LED标志 比较LD之间质量优劣,一.LD结构对阈值的影响,同质结 异质结（单） 双异质结 应变多量子阱(R-MQW)： 条形LD：与侧向波导结构有关 （增益波导） （折射率波导）、 （掩埋条形LD）,二.LD几何尺寸对 的影响,1. 有源层厚度d 光场限制因子 d 函数载流子浓度 （当d P , SHLD中同质结的弱波导作用 越大 （在相同d时） 最小对立的d

2、LD有源层工艺厚度,2. 有源层宽度 与阈值 关系,载流子的倒向扩散,由于光丝的扩散,具有折射率波导的条形LD， 由于对载流子、光子进行了限制， 宽度可以做到很窄,3. 腔长L与 的关系,例外：InGaAsP / InP 长波长LD L、 因为短腔中俄歇非辐射符合大,三.温度,：室温,：特征温度，描述LD工作温度稳定工作最重要的量。 越稳定。 不随T变化,T影响 的因素,增益系数g 当T、 、g 需要更多的载流子注入维持,内量子效率 T Auger(CHHS)过程复合系数 复合损失 内部载流子和光子的损耗 T 越过势垒载流子泄漏 InGaAsP / InP 300K时 漏电流占1/3总 I,长波长InGaAsP / InP的 短波长 GaAlAs / GaAs Auger非辐射复合严重 小，载流子热泄漏严重,四.波长与 的关系,0.8 间接带隙能积

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