硅工艺第2章氧化习题参考答案.ppt

1、第1，2章氧化练习参考答案，2，主要公式，(2.5)，E是SiO2中杂质的扩散活化能。D0是表观扩散系数。(2.8)，xmin对应于用作遮蔽的SiO2层的最小厚度。t是杂质在硅中达到扩散深度所需的时间。x=0.44 x0，氧化层厚度x0与消耗的硅厚度x的关系，(2.11a)，3，x02 ax0=b (t)，(2.28)，SiO2的生长厚度，(2.33)，(计算在120分钟内920水汽氧化过程中生长的二氧化硅层的厚度，假设硅在初始状态下已经有1000的氧化层，参数在下表中查找。5，根据表中的数据，在920中A=0.5um，B=0.203um2/h，值为赋值表达式(2.31)，格式(2.32)，6

2、，2.考虑到杂质扩散和堆积层的错误形成，氧化必须在1050进行。如果工程在大气压力下的厌氧气氛中进行，则计算所需的氧化时间。抛物线氧化率系数假定，按照氧化压力的比例，分别计算在5个和20个大气压下氧化所需的时间。抛物线速度常数列出线性速度常数，7，表格中(111)硅总压力为1气压的氧化动力学的速度常数的参数，(100)硅中该值的所有C2值为1.68，8，1气压，T=(；有时，您希望隔离比标准LOCOS更平坦的表面，因此在氧化过程之前使用硅蚀刻过程，如图所示。在左侧显示的结构中，氧化前要刻上0.5um厚的硅，在1000H2O气氛中氧化硅多少才能提供右侧图中显示的等平面硅？10，热氧化中1um的S

3、iO2消耗0.44um的硅。因此，填充蚀刻槽中的生长硅会消耗额外厚度的硅。我们必须按如下方式增加SiO2的总厚度：因此，必须生长总厚度为0.89um的SiO2。在1000 H2O气氛中，kT=0.1098eV，例如，11，4。氧化一片硅(x0=200nm)，然后使用标准光刻技术和蚀刻技术去除中心部分的SiO2，再使用N掺杂工艺形成下图所示的结构。下一阶段，将牙齿结构放入氧化炉，在900下H2O氧化。硅在n区生长得比轻轻混合的衬里快得多。假设B/A从n区域增加到4X。在n区生长的硅的厚度会不会跟不上其他硅的厚度呢？如果是，什么时候赶上，赶上时的厚度是多少？使用D-G氧化动力学模型。12，T=(9

4、00 273)K，k=1.38*10-23，kT=0.1012eV，郑智薰n区，n区，13，p，x1，x2，如上图所示，14，15，5。在硅片上蚀刻1um宽的插槽。槽的侧面都是(110)平面。倾斜注入，在侧壁上混合N，线性速度增加了4倍。然后在1100以下的水蒸气中氧化结构。在氧化过程中，插槽什么时候填充SiO2？氧化系数比率约为(11:110:100)=(1.6833601.2:1.0).16，t=(1100 273) k，k=1。(110)侧壁，(100)衬，N，X2，X1，18，6。简述了用传统热氧化法制备二氧化硅介质薄膜的动力学过程。答：硅在含有氧化剂的高温热氧化过程中，氧化剂通过初始

5、氧化层向二氧化硅-硅移动，并与硅发生反应，其介质薄膜生长的动力学过程如下。1)氧化剂通过涂层扩散到SiO2表面，流动密度为F1。2)氧化剂扩散通过SiO2层到达SiO2-Si界面，流动密度为F2。3)氧化剂在Si表面与Si反应，产生SiO2，流动密度为F3。4)反应的副产品离开界面。，19，7。二氧化硅介质薄膜对3价和5价化学元素有绝对“阻止”作用，这一说法正确吗？为什么？答：客观上，二氧化硅介质膜给人的印象是3，5能阻止化学元素等杂质。确切地说，不是这些杂质不能进入，而是在一定的温度条件和一定的时间条件下进入的杂质的移动速度，由于网络的形成，非常慢或几乎停止。杂质在SiO2中扩散的速度比在硅中扩散的速度小得多，因此，在一定厚度的SiO2膜保护下，可以屏蔽杂质。牙齿遮罩作用是相对的，是有条件的。这也是硅晶体管和硅集成电路实现选择扩散的重要因素之一。20，8。硅平面工艺中现有的高温热氧化工艺通常如何设置？科学的氧化过程考虑哪些因素？答：热氧化法不同，SiO2的生长速度和质量也不同。健氧氧化制备SiO2膜速度很慢，但膜的结构紧凑。水蒸气氧化制备SiO2膜速度快，但膜的结构疏松，不可取。厌氧氧化剂SiO2膜的速度介于前两个茄子之间，膜质量也介于两者之间。在实际生产中，可以根据需要选择干